JPS63288904A - 層状二価金属化合物 - Google Patents
層状二価金属化合物Info
- Publication number
- JPS63288904A JPS63288904A JP63057339A JP5733988A JPS63288904A JP S63288904 A JPS63288904 A JP S63288904A JP 63057339 A JP63057339 A JP 63057339A JP 5733988 A JP5733988 A JP 5733988A JP S63288904 A JPS63288904 A JP S63288904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- layered
- mixture
- formula
- divalent metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 title claims 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 54
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical group CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 14
- -1 magnesium hydrogen phosphate compound Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000395 dimagnesium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 5
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 101100283604 Caenorhabditis elegans pigk-1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 55
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000000047 product Substances 0.000 description 40
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 34
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 28
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 24
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- CMPQUABWPXYYSH-UHFFFAOYSA-N phenyl phosphate Chemical compound OP(O)(=O)OC1=CC=CC=C1 CMPQUABWPXYYSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 12
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 6
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 6
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 4
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 4
- MHJAJDCZWVHCPF-UHFFFAOYSA-L dimagnesium phosphate Chemical compound [Mg+2].OP([O-])([O-])=O MHJAJDCZWVHCPF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HJXDCFUIDHJETK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-hydroxypropyl)-5-methyl-1,3-oxazolidin-2-one Chemical compound CC(O)CN1CC(C)OC1=O HJXDCFUIDHJETK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100039111 FAD-linked sulfhydryl oxidase ALR Human genes 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019440 Mg(OH) Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- COHDHYZHOPQOFD-UHFFFAOYSA-N arsenic pentoxide Chemical compound O=[As](=O)O[As](=O)=O COHDHYZHOPQOFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 2
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- LVKZSFMYNWRPJX-UHFFFAOYSA-N phenylarsonic acid Chemical compound O[As](O)(=O)C1=CC=CC=C1 LVKZSFMYNWRPJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- MUVQKFGNPGZBII-UHFFFAOYSA-N 1-anthrol Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(O)=CC=CC3=CC2=C1 MUVQKFGNPGZBII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000959079 Homo sapiens FAD-linked sulfhydryl oxidase ALR Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005108 alkenylthio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005248 alkyl aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005196 alkyl carbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005133 alkynyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical group 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003974 aralkylamines Chemical class 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004659 aryl alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000004181 carboxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- LLQAUQDKRBLKFG-UHFFFAOYSA-N diazenyloxy(nitro)cyanamide Chemical compound N=NON([N+](=O)[O-])C#N LLQAUQDKRBLKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZTWHWHGBBCSMX-UHFFFAOYSA-J dimagnesium;phosphonato phosphate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XZTWHWHGBBCSMX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000001905 inorganic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000018 nitroso group Chemical group N(=O)* 0.000 description 1
- 150000003867 organic ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 229940048084 pyrophosphate Drugs 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000012258 stirred mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000166 zirconium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/14—Phosphorus; Compounds thereof
- B01J27/16—Phosphorus; Compounds thereof containing oxygen, i.e. acids, anhydrides and their derivates with N, S, B or halogens without carriers or on carriers based on C, Si, Al or Zr; also salts of Si, Al and Zr
- B01J27/18—Phosphorus; Compounds thereof containing oxygen, i.e. acids, anhydrides and their derivates with N, S, B or halogens without carriers or on carriers based on C, Si, Al or Zr; also salts of Si, Al and Zr with metals other than Al or Zr
- B01J27/1802—Salts or mixtures of anhydrides with compounds of other metals than V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, e.g. phosphates, thiophosphates
- B01J27/1806—Salts or mixtures of anhydrides with compounds of other metals than V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, e.g. phosphates, thiophosphates with alkaline or alkaline earth metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/02—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the alkali- or alkaline earth metals or beryllium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/14—Phosphorus; Compounds thereof
- B01J27/16—Phosphorus; Compounds thereof containing oxygen, i.e. acids, anhydrides and their derivates with N, S, B or halogens without carriers or on carriers based on C, Si, Al or Zr; also salts of Si, Al and Zr
- B01J27/18—Phosphorus; Compounds thereof containing oxygen, i.e. acids, anhydrides and their derivates with N, S, B or halogens without carriers or on carriers based on C, Si, Al or Zr; also salts of Si, Al and Zr with metals other than Al or Zr
- B01J27/1802—Salts or mixtures of anhydrides with compounds of other metals than V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, e.g. phosphates, thiophosphates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
- C01B25/16—Oxyacids of phosphorus; Salts thereof
- C01B25/26—Phosphates
- C01B25/265—General methods for obtaining phosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
- C01B25/16—Oxyacids of phosphorus; Salts thereof
- C01B25/26—Phosphates
- C01B25/32—Phosphates of magnesium, calcium, strontium, or barium
- C01B25/322—Preparation by neutralisation of orthophosphoric acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
- C01B25/16—Oxyacids of phosphorus; Salts thereof
- C01B25/26—Phosphates
- C01B25/32—Phosphates of magnesium, calcium, strontium, or barium
- C01B25/34—Magnesium phosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G28/00—Compounds of arsenic
- C01G28/002—Compounds containing, besides arsenic, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G30/00—Compounds of antimony
- C01G30/002—Compounds containing, besides antimony, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G31/00—Compounds of vanadium
- C01G31/006—Compounds containing, besides vanadium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G33/00—Compounds of niobium
- C01G33/006—Compounds containing, besides niobium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G35/00—Compounds of tantalum
- C01G35/006—Compounds containing, besides tantalum, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/06—Phosphorus compounds without P—C bonds
- C07F9/08—Esters of oxyacids of phosphorus
- C07F9/09—Esters of phosphoric acids
- C07F9/12—Esters of phosphoric acids with hydroxyaryl compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/3804—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)] not used, see subgroups
- C07F9/3834—Aromatic acids (P-C aromatic linkage)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/66—Arsenic compounds
- C07F9/70—Organo-arsenic compounds
- C07F9/74—Aromatic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/66—Arsenic compounds
- C07F9/70—Organo-arsenic compounds
- C07F9/74—Aromatic compounds
- C07F9/76—Aromatic compounds containing hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/20—Two-dimensional structures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/74—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by peak-intensities or a ratio thereof only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/88—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by thermal analysis data, e.g. TGA, DTA, DSC
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は層状二化金属化合物に関する。
[従来の技術]
最も強い化学結合を2次元方向のみに示す3次元構造を
有する層状物質が多数知られている。このような物質で
は、より強力な化学結合が2次元平面内に形成され、3
次元固体はそのような平面を互いに積み重ねることによ
り形成される。しかしながら、平面間の相互作用は個々
の平面を保持する化学結合よりも弱い。弱い結合は、フ
ァンデルワールス力、静電相互作用、および水素結合の
ような層間引力により生じる。層状構造がファンデルワ
ールス力によってのみ相互作用を及ぼし合っている電気
的中性の平面からなる状態においては、強力な層間結合
により生じるエネルギー障壁に遭遇することなく平面が
相互に滑動するので高度の滑性が発現される。グラファ
イトはそのような物質の一例である。多くのクレー物質
の珪酸塩層は、層間に存在するイオンにより提供される
静電引力により結合されている。更に、水素結合相互作
用は、隣接する層の相補部位間において、直接発生、ま
たは内部層状ブリッジング分子、例えば水を介して提供
することができる。
有する層状物質が多数知られている。このような物質で
は、より強力な化学結合が2次元平面内に形成され、3
次元固体はそのような平面を互いに積み重ねることによ
り形成される。しかしながら、平面間の相互作用は個々
の平面を保持する化学結合よりも弱い。弱い結合は、フ
ァンデルワールス力、静電相互作用、および水素結合の
ような層間引力により生じる。層状構造がファンデルワ
ールス力によってのみ相互作用を及ぼし合っている電気
的中性の平面からなる状態においては、強力な層間結合
により生じるエネルギー障壁に遭遇することなく平面が
相互に滑動するので高度の滑性が発現される。グラファ
イトはそのような物質の一例である。多くのクレー物質
の珪酸塩層は、層間に存在するイオンにより提供される
静電引力により結合されている。更に、水素結合相互作
用は、隣接する層の相補部位間において、直接発生、ま
たは内部層状ブリッジング分子、例えば水を介して提供
することができる。
既知の層状物質として、稜共有四面体PO,およびT
Ot CTは燐以外の三価原子である。〕がある。例え
ばGaP0+・2H1O(アクタ・クリスタログラフィ
カ[Acta Crystallographica
]、1966年、第20巻、520頁)が、水熱条件下
に調製されたと報告されている。他の三価ホスフェート
としては、InPO+・2H,O(アクタ・クリスタロ
グラフィカ、1961年、第14巻、1140頁)およ
びAQPO,・2H70、すなわちパリスサイト[va
riscite](アクタ・クリスタログラフィカ、1
977年、833巻、263頁)およびメタパリスサイ
ト[metavariscite](アクタ・クリスタ
ログラフィカ、1973年、829巻、2292頁)が
ある。しかしながら、そのような三価カチオン性ホスフ
ェートは、電気的中性骨格を有するので、イオン交換能
を発揮することは期待できない。層状四価カチオン性ホ
スフェート、すなわち主なX線回折ピークを7.56人
〜8.0人に有する結晶ジルコニウムホスエートZ r
(HPO2)2およびZr(HPO+)t’ 2HtO
が、その製造方法およびイオン交換特性と共に米国特許
第3゜416.884号に記載されている。
Ot CTは燐以外の三価原子である。〕がある。例え
ばGaP0+・2H1O(アクタ・クリスタログラフィ
カ[Acta Crystallographica
]、1966年、第20巻、520頁)が、水熱条件下
に調製されたと報告されている。他の三価ホスフェート
としては、InPO+・2H,O(アクタ・クリスタロ
グラフィカ、1961年、第14巻、1140頁)およ
びAQPO,・2H70、すなわちパリスサイト[va
riscite](アクタ・クリスタログラフィカ、1
977年、833巻、263頁)およびメタパリスサイ
ト[metavariscite](アクタ・クリスタ
ログラフィカ、1973年、829巻、2292頁)が
ある。しかしながら、そのような三価カチオン性ホスフ
ェートは、電気的中性骨格を有するので、イオン交換能
を発揮することは期待できない。層状四価カチオン性ホ
スフェート、すなわち主なX線回折ピークを7.56人
〜8.0人に有する結晶ジルコニウムホスエートZ r
(HPO2)2およびZr(HPO+)t’ 2HtO
が、その製造方法およびイオン交換特性と共に米国特許
第3゜416.884号に記載されている。
本発明は、
式: M(HAO,)x(R[AO,−q]n)y(
Z)z〔式中、Mは二価金属、Aは三価金属、好ましく
は燐、RはAに共有結合している、HおよびOH以外の
置換基、Zは層間挿入分子、好ましくは水、Xは0より
大きくlまたはlより小さく、yは1より小さく、x+
y= 1であり、qは0または1.nは1または2、z
はyが0のとき1または2で、yが0より大きいときθ
〜IOである。〕で示される層状二化金属化合物である
。
Z)z〔式中、Mは二価金属、Aは三価金属、好ましく
は燐、RはAに共有結合している、HおよびOH以外の
置換基、Zは層間挿入分子、好ましくは水、Xは0より
大きくlまたはlより小さく、yは1より小さく、x+
y= 1であり、qは0または1.nは1または2、z
はyが0のとき1または2で、yが0より大きいときθ
〜IOである。〕で示される層状二化金属化合物である
。
yが0でAが燐である最も簡単な場合、本発明の化合物
はMHPO,(Z)zで示すことができ、稜共有四面体
PO,およびM Otを含有すると考えられる。好まし
くは、ZはHt Oで、水和の程度は使用する合成条件
による。さらに、−水和物(n=1)は脱水条件に慎重
にさらすことにより脱水して無水物(n=0)にするこ
とができる。これら水和物質は、例えば250℃を越え
る高温にさらされると、ピロホスフェートが形成され、
続いて崩壊してX線回折パターンにより示されるd−間
隔が約6人より小さい高密度相になるので、さらに0.
5モルの水が骨格から不可逆的に脱離する。
はMHPO,(Z)zで示すことができ、稜共有四面体
PO,およびM Otを含有すると考えられる。好まし
くは、ZはHt Oで、水和の程度は使用する合成条件
による。さらに、−水和物(n=1)は脱水条件に慎重
にさらすことにより脱水して無水物(n=0)にするこ
とができる。これら水和物質は、例えば250℃を越え
る高温にさらされると、ピロホスフェートが形成され、
続いて崩壊してX線回折パターンにより示されるd−間
隔が約6人より小さい高密度相になるので、さらに0.
5モルの水が骨格から不可逆的に脱離する。
化合物MHPO,(Z)Zは、層間空間を保護している
不安定な水素基を有する層からなると考えられている。
不安定な水素基を有する層からなると考えられている。
しかしながら、上記式のyが0より大きくなるように、
置換種R[AO4−q]nを導入することにより、化合
物の層間間隔が増加することがわかった。これは、ヒド
ロキシ基以外の不安定な置換基Rが層間空間に存在する
ためであると考えられている。
置換種R[AO4−q]nを導入することにより、化合
物の層間間隔が増加することがわかった。これは、ヒド
ロキシ基以外の不安定な置換基Rが層間空間に存在する
ためであると考えられている。
本発明の化合物において、二価金1iMは周期表のII
AおよびIIB族、すなわちBe、 Mg、 Ca。
AおよびIIB族、すなわちBe、 Mg、 Ca。
Sr、Ba、Ra5ZnS CdおよびHgからなる群
より選ばれ、IIA族金属が好ましく、Mgが最も好ま
しい。すなわち、一つの要旨において、本発明は非常に
明確なX線回折パターンを示す層状化合物MgHPO,
・Ht Oである。
より選ばれ、IIA族金属が好ましく、Mgが最も好ま
しい。すなわち、一つの要旨において、本発明は非常に
明確なX線回折パターンを示す層状化合物MgHPO,
・Ht Oである。
最も好ましい五節元素Aは燐であり、便宜のため五節元
素として燐を選択して本発明を説明する。
素として燐を選択して本発明を説明する。
しかしながら、他の五個金属も使用することができ、燐
について記載したことは通常、他の五個金属、例えば、
ヒ素、アンチモン、バナジウム、ニオブおよびタンタル
にも同様に適用されると解すべきである。Aが燐の場合
、置換基R[A O4−Ql nは、qが1のときホス
ホネート種であり、qが0のときホスフェート種である
。
について記載したことは通常、他の五個金属、例えば、
ヒ素、アンチモン、バナジウム、ニオブおよびタンタル
にも同様に適用されると解すべきである。Aが燐の場合
、置換基R[A O4−Ql nは、qが1のときホス
ホネート種であり、qが0のときホスフェート種である
。
置換基Rが存在する場合、Rは非環式基、複素非環式基
、脂環式基、芳香族基または複素環式基、並びに有機金
属基である。置換基Rが存在する場合、yは好ましくは
0.1より大きく、より好ましくは0.25より大きい
。
、脂環式基、芳香族基または複素環式基、並びに有機金
属基である。置換基Rが存在する場合、yは好ましくは
0.1より大きく、より好ましくは0.25より大きい
。
ここで用いる「非環式基」という用語は、置換または非
置換非環式基を意味する。「非環式」という用語は、直
鎖状または分岐状であり得る飽和および不飽和脂肪族化
合物を含む。「脂肪族化合物」という用語は、アルキル
、アルケニルおよびアルキニルを含む。
置換非環式基を意味する。「非環式」という用語は、直
鎖状または分岐状であり得る飽和および不飽和脂肪族化
合物を含む。「脂肪族化合物」という用語は、アルキル
、アルケニルおよびアルキニルを含む。
ここで用いる「複素非環式基」という用語は、酸素、窒
素および硫黄から選ばれる一種またはそれ以上のへテロ
原子を鎖中に有する非環式基を意味する。各鎖中のへテ
ロ原子は同じでも異なってもよく、ヘテロ原子の数は通
常、1.2または3である。
素および硫黄から選ばれる一種またはそれ以上のへテロ
原子を鎖中に有する非環式基を意味する。各鎖中のへテ
ロ原子は同じでも異なってもよく、ヘテロ原子の数は通
常、1.2または3である。
ここで用いる「脂環式基」は、置換または非置換脂環式
基を意味する。「脂環式」という用語は、飽和および不
飽和環式脂肪族化合物を意味する。
基を意味する。「脂環式」という用語は、飽和および不
飽和環式脂肪族化合物を意味する。
ここで用いる「芳香族基」という用語は、置換または非
置換芳香族基を意味する。「芳香族」という用語は、フ
ェニル、ナフチル、ビフェニル、アントランルおよびフ
エナントリルを含む。好ましい芳香族基はフェニルであ
る。
置換芳香族基を意味する。「芳香族」という用語は、フ
ェニル、ナフチル、ビフェニル、アントランルおよびフ
エナントリルを含む。好ましい芳香族基はフェニルであ
る。
ここで用いる「複素環式基」という用語は、置換または
非置換複素環式基を意味する。「複素環式」という用語
は、酸素、窒素および硫黄から選ばれる一種またはそれ
以上のへテロ原子を環中に有する脂環式または芳香族基
を意味する。各環中のへテロ原子は同じでも異なっても
よく、ヘテロ原子の数は通常、1.2または3である。
非置換複素環式基を意味する。「複素環式」という用語
は、酸素、窒素および硫黄から選ばれる一種またはそれ
以上のへテロ原子を環中に有する脂環式または芳香族基
を意味する。各環中のへテロ原子は同じでも異なっても
よく、ヘテロ原子の数は通常、1.2または3である。
ここで用いる「置換非環式」、「置換複素環式」、「置
換脂環式」、「置換芳香族」および「置換複素環式」と
いう用語は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アル
コキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アルキ
ルチオ、アルケニルチオ、アルキルチオ、ハロ、オキソ
、ヒドロキシ、カルボニル、カルボキン、アルキルカル
ボニルオキシ、アルキルカルボニル、カルボキシアルキ
ル、チオ、メルカプト、スルフィニル、スルホニル、イ
ミノ、アミノ、シアノ、ニトロ、ヒドロキシアミン、ニ
トロソ、シクロアルキル、シクロアルクアルキル、アリ
ール、アラルキル、アルカリール、アリールオキシ、ア
リールアルコキシ、アルカリールオキシ、アリールチオ
、アラルキルチオ、アルカリールチオ、アリールアミノ
、アラルキルアミンおよびアルカリールアミノから選ば
れる一種またはそれ以上の基で置換された非環式、複素
非環式、脂環式、芳香族または複素環式基を意味する。
換脂環式」、「置換芳香族」および「置換複素環式」と
いう用語は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アル
コキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アルキ
ルチオ、アルケニルチオ、アルキルチオ、ハロ、オキソ
、ヒドロキシ、カルボニル、カルボキン、アルキルカル
ボニルオキシ、アルキルカルボニル、カルボキシアルキ
ル、チオ、メルカプト、スルフィニル、スルホニル、イ
ミノ、アミノ、シアノ、ニトロ、ヒドロキシアミン、ニ
トロソ、シクロアルキル、シクロアルクアルキル、アリ
ール、アラルキル、アルカリール、アリールオキシ、ア
リールアルコキシ、アルカリールオキシ、アリールチオ
、アラルキルチオ、アルカリールチオ、アリールアミノ
、アラルキルアミンおよびアルカリールアミノから選ば
れる一種またはそれ以上の基で置換された非環式、複素
非環式、脂環式、芳香族または複素環式基を意味する。
さらに、Rは−Hまたは−OH以外の無機基であり得る
。そのような基の例としては、アルコキシ、アリールオ
キシ、アミノ、オルガノシリルおよびチオニルがある。
。そのような基の例としては、アルコキシ、アリールオ
キシ、アミノ、オルガノシリルおよびチオニルがある。
Rの大きさは、得られる層状生成物の層間間隔に影響を
与え得る。例えば水熱調製に10〜25%のフェニル燐
酸を用いること(すなわち、y−0゜10〜0.25)
により、層間間隔(X線回折により示される。)が、層
間空間にペンダントフェニル基を有さない類似の物質よ
りも4〜5人増加する。さらに、層状物質の不安定な基
が有機基であっても、向上した水熱安定性が得られる。
与え得る。例えば水熱調製に10〜25%のフェニル燐
酸を用いること(すなわち、y−0゜10〜0.25)
により、層間間隔(X線回折により示される。)が、層
間空間にペンダントフェニル基を有さない類似の物質よ
りも4〜5人増加する。さらに、層状物質の不安定な基
が有機基であっても、向上した水熱安定性が得られる。
ペンダント基とは独立に、HzOのようなZで示す基を
、層間に挿入することができる。他の適当な分子は、ア
ミンおよびアルコールのような有機物質でもあり得る。
、層間に挿入することができる。他の適当な分子は、ア
ミンおよびアルコールのような有機物質でもあり得る。
有機金属化合物のような加水分解可能な化合物を層状物
質に導入し、残留水または添加した水と反応させ金属酸
化物柱を形成することができる。さらに、イオンを層状
物質に層間挿入して、イオン層間挿入化合物を形成して
もよい。
質に導入し、残留水または添加した水と反応させ金属酸
化物柱を形成することができる。さらに、イオンを層状
物質に層間挿入して、イオン層間挿入化合物を形成して
もよい。
化合物MHPO,・zH,oは、少なくとも一種の二価
金属M源、水素源、燐源および酸素源を含有する水性反
応混合物の水熱処理により調製することができる。この
混合物において、モル比M:Pは0.8〜1.2、好ま
しくは約1に維持される。
金属M源、水素源、燐源および酸素源を含有する水性反
応混合物の水熱処理により調製することができる。この
混合物において、モル比M:Pは0.8〜1.2、好ま
しくは約1に維持される。
好ましい金属M源には、酸化物および水酸化物、例えば
MgOおよびMg(OH)tが含まれる。燐源として、
メタ燐酸(HP O、)、ピロ燐酸(H,P、0、)、
オルト燐酸(Hs P O4)およびそれらの塩がある
。オルト燐酸は特に好ましい。水素源は、いかなる適当
な原料からも、特に上記と同じ燐酸から得ることができ
る。酸素源は、水、金属酸化物または水酸化物、ならび
に上記酸素含有燐源であり得る。
MgOおよびMg(OH)tが含まれる。燐源として、
メタ燐酸(HP O、)、ピロ燐酸(H,P、0、)、
オルト燐酸(Hs P O4)およびそれらの塩がある
。オルト燐酸は特に好ましい。水素源は、いかなる適当
な原料からも、特に上記と同じ燐酸から得ることができ
る。酸素源は、水、金属酸化物または水酸化物、ならび
に上記酸素含有燐源であり得る。
yが0より大きい化合物は、少なくとも一種の二価金属
M1および、 ホスホネート型構造、例えば HO−A−OH(n=1のとき) 〔式中、Aは三価元素、RはHまたはOH以外の配位子
である。〕 を有する置換酸((OHz)OA)nRの少なくとも一
種または ホスフェート型構造、例えば l−10−A−OH(n=1のとき) 高 〔式吊、AおよびRは上記式と同意義である。〕を有す
る置換酸((OH)tOAO)nRの少なくとも一種を
含有する、好ましくは水性の反応混合物の水熱処理によ
り調製することができる。要すれば、反応混合物は、さ
らに水素源、A[及び/又は酸素源を含むことができる
。オルト燐酸及び/又は亜燐酸(p (o H)3)お
よびそれらの五節類似体を、所望によるそれら構成成分
元素源として存在させることができる。
M1および、 ホスホネート型構造、例えば HO−A−OH(n=1のとき) 〔式中、Aは三価元素、RはHまたはOH以外の配位子
である。〕 を有する置換酸((OHz)OA)nRの少なくとも一
種または ホスフェート型構造、例えば l−10−A−OH(n=1のとき) 高 〔式吊、AおよびRは上記式と同意義である。〕を有す
る置換酸((OH)tOAO)nRの少なくとも一種を
含有する、好ましくは水性の反応混合物の水熱処理によ
り調製することができる。要すれば、反応混合物は、さ
らに水素源、A[及び/又は酸素源を含むことができる
。オルト燐酸及び/又は亜燐酸(p (o H)3)お
よびそれらの五節類似体を、所望によるそれら構成成分
元素源として存在させることができる。
一つの好ましい態様においては、オルト燐酸が反応混合
物の成分である。反応混合物中の置換酸対オルト燐酸の
モル比は、少なくとも約0.1゜好ましくは少なくとも
約0.25であり得ろ。好ましくは、反応は過剰の置換
酸化合物の存在下に行なわれ、液体媒体に可溶性の化合
物として金属イオンが提供される。一般的液体媒体は水
である。
物の成分である。反応混合物中の置換酸対オルト燐酸の
モル比は、少なくとも約0.1゜好ましくは少なくとも
約0.25であり得ろ。好ましくは、反応は過剰の置換
酸化合物の存在下に行なわれ、液体媒体に可溶性の化合
物として金属イオンが提供される。一般的液体媒体は水
である。
しかしながら、必要な反応を水が妨害する場合、有機溶
媒、特にエタノールを用いることができる。
媒、特にエタノールを用いることができる。
二価金属対五価金属のモル比は、0.8〜1.2、好ま
しくは0.95〜l、05の範囲であり得る。
しくは0.95〜l、05の範囲であり得る。
二価金属源には、可溶性塩MX!(Xは塩のアニオン)
が含まれる。Xは、ハロゲン化物、HSO3−’、5O
4−”、Ot CC143−’ 、 N 03− ’、
0−2およびOH−’からなるアニオン群より選ぶこと
かでき、酸化物および水酸化物が好ましい。
が含まれる。Xは、ハロゲン化物、HSO3−’、5O
4−”、Ot CC143−’ 、 N 03− ’、
0−2およびOH−’からなるアニオン群より選ぶこと
かでき、酸化物および水酸化物が好ましい。
水性混合物の初期pH値は、好ましくは5〜9、より好
ましくは6〜8である。必要ならば、水性混合物にPH
変化物質を添加して、水性混合物の初期pH値を上昇ま
たは低下して所望の範囲に収めることができる。燐酸は
水性混合物の初期pH値を低下させるのに特に有用な添
加物であり、一方、pH値を所望の水準に上げるために
、アミンまたは有機アンモニウム化合物、例えばジプロ
ピルアミン、トリエチルアミンおよびテトラエチルアン
モニウムヒドロキシドを使用することができる。通常、
燐源として燐酸を使用する場合、混合物のpFr値は高
酸性であり、所望の初期pH値を達成するためにpH上
昇物質の添加が必要である。
ましくは6〜8である。必要ならば、水性混合物にPH
変化物質を添加して、水性混合物の初期pH値を上昇ま
たは低下して所望の範囲に収めることができる。燐酸は
水性混合物の初期pH値を低下させるのに特に有用な添
加物であり、一方、pH値を所望の水準に上げるために
、アミンまたは有機アンモニウム化合物、例えばジプロ
ピルアミン、トリエチルアミンおよびテトラエチルアン
モニウムヒドロキシドを使用することができる。通常、
燐源として燐酸を使用する場合、混合物のpFr値は高
酸性であり、所望の初期pH値を達成するためにpH上
昇物質の添加が必要である。
本発明の層状化合物を得るのに用いる水熱条件として、
温度50〜500℃、好ましくは100〜250℃、圧
力345〜3450kPa、好ましくは約690〜17
25kPa、接触時間約5〜192時間、好ましくは1
2〜72時間、または層状化合物の結晶が形成されるま
での時間を適用する。
温度50〜500℃、好ましくは100〜250℃、圧
力345〜3450kPa、好ましくは約690〜17
25kPa、接触時間約5〜192時間、好ましくは1
2〜72時間、または層状化合物の結晶が形成されるま
での時間を適用する。
水和物状、すなわちZ7>(H,Oでnが0より大きい
本発明の物質は、水が存在する隣接層間に3次元チャン
ネルを有する。これらの物質はその無水類似体(n=o
)よりも低角のX線回折を示し、その水の一部または全
部を可逆的に脱着することができる。脱水化合物の再水
和は、線膨張または膨潤を引き起こし、X線回折で観測
される層間間隔を変える。この吸水および脱水能力から
みて、本発明の化合物は吸水剤としての使用に好適であ
る。
本発明の物質は、水が存在する隣接層間に3次元チャン
ネルを有する。これらの物質はその無水類似体(n=o
)よりも低角のX線回折を示し、その水の一部または全
部を可逆的に脱着することができる。脱水化合物の再水
和は、線膨張または膨潤を引き起こし、X線回折で観測
される層間間隔を変える。この吸水および脱水能力から
みて、本発明の化合物は吸水剤としての使用に好適であ
る。
層間挿入分子及び/又は不安定置換基を含有する本発明
の熱安定性物質は、化学転化における触媒または触媒担
体に有用であり得る。
の熱安定性物質は、化学転化における触媒または触媒担
体に有用であり得る。
本発明の化合物の層間分離の程度は、「繰り返し間隔」
または「d−間隔」としても知られている基本間隔を決
めるための銅にα放射線を利用したX線回折のような標
準的技術を使用して評価することができる。これらの値
は、例えば一つの層の上端部とその隣接層の上端部の間
の距離を示す。層の厚さがわかっている場合、眉間分離
距離は基本間隔から層厚を引くことにより決めることが
できる。
または「d−間隔」としても知られている基本間隔を決
めるための銅にα放射線を利用したX線回折のような標
準的技術を使用して評価することができる。これらの値
は、例えば一つの層の上端部とその隣接層の上端部の間
の距離を示す。層の厚さがわかっている場合、眉間分離
距離は基本間隔から層厚を引くことにより決めることが
できる。
本発明を下記実施例および添付の図面を参照にして更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
実施例において、d−間隔はへ単位で表され、モル%は
「調製する際の値」であり、最終生成物においては概算
値にすぎない。
「調製する際の値」であり、最終生成物においては概算
値にすぎない。
第1図は、実施例4により調製した合成層状燐酸水素マ
グネシウムのある温度範囲にわたる水の重量損失率を示
し、 第2図は、実施例4により調製した焼成層状燐酸水素マ
グネシウムの50分間にわたる恒温吸水重量を示す。
グネシウムのある温度範囲にわたる水の重量損失率を示
し、 第2図は、実施例4により調製した焼成層状燐酸水素マ
グネシウムの50分間にわたる恒温吸水重量を示す。
実施例1
85%オルト燐酸27.69の水55R(2溶液に酸化
マグネシウム9.659を添加した。撹拌懸濁液は非常
に暖かくなり、pHは約3であった。約15分間撹拌し
た後、テトラエチルアンモニウム(TEA)ヒドロキシ
ドロ 6.3gの水16mQ溶液を添加した。得られた
懸濁液(pH約13)にオルト燐酸をさらに8πQ添加
することにより、pH6に調節した。この混合物をテフ
ロンライニングオートクレーブ内に移し、窒素で790
kPa(100psig)に加圧して135℃で2時間
加熱した後、撹拌しながら182℃で3日間加熱した(
最終圧力160〜l 70psigすなわち1200〜
1270kPa)。混合物を冷却し、濾過(最終pH6
,5)L、水洗し、110℃で2時間乾燥した。
マグネシウム9.659を添加した。撹拌懸濁液は非常
に暖かくなり、pHは約3であった。約15分間撹拌し
た後、テトラエチルアンモニウム(TEA)ヒドロキシ
ドロ 6.3gの水16mQ溶液を添加した。得られた
懸濁液(pH約13)にオルト燐酸をさらに8πQ添加
することにより、pH6に調節した。この混合物をテフ
ロンライニングオートクレーブ内に移し、窒素で790
kPa(100psig)に加圧して135℃で2時間
加熱した後、撹拌しながら182℃で3日間加熱した(
最終圧力160〜l 70psigすなわち1200〜
1270kPa)。混合物を冷却し、濾過(最終pH6
,5)L、水洗し、110℃で2時間乾燥した。
酸化マグネソウム出発物質は、下記X線粉末回折パター
ンを示す高密度結晶相であった。
ンを示す高密度結晶相であった。
ピーク番号 d−間隔 2シータ 相対強度1
2.43 36.91 8.52
2.11 42.89 100.0得られた層
状生成物は下記のX線粉末回折パターンを示した。
2.43 36.91 8.52
2.11 42.89 100.0得られた層
状生成物は下記のX線粉末回折パターンを示した。
これらの値、および下記の値は、標準的技術を用いて決
めた。放射線は銅のにα2重線であり、ンンチレーショ
ン・カウンター分光器を使用した。
めた。放射線は銅のにα2重線であり、ンンチレーショ
ン・カウンター分光器を使用した。
ピークの高さI、2ンータ(シータはブラッグ角)の関
数としての位置を決定した。これらから、泪対強度I/
Io(Iaは最も強いラインまたはピークの強度、dは
記録ラインに相当する層間間隔(入))を算出した。
数としての位置を決定した。これらから、泪対強度I/
Io(Iaは最も強いラインまたはピークの強度、dは
記録ラインに相当する層間間隔(入))を算出した。
実施例2
テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの代わりにトリ
エチルアミン18.249を用い、オルト燐酸の更なる
添加によるpH(約10)1節を行わなかった以外は実
施例1と同じ手順を繰り返した。
エチルアミン18.249を用い、オルト燐酸の更なる
添加によるpH(約10)1節を行わなかった以外は実
施例1と同じ手順を繰り返した。
最終オートクレーブ圧は230psigすなわち169
0kPa(170℃)であり、最終反応pHは約7であ
った。得られた生成物は下記X線回折パターンを示した
。
0kPa(170℃)であり、最終反応pHは約7であ
った。得られた生成物は下記X線回折パターンを示した
。
実施例3
実施例2の生成物を107分の割合で450℃まで昇温
し、その温度に3時間保持して焼成し、高密度結晶相生
成物を提供した。この物質は、下記X線粉末回折パター
ンを示した。
し、その温度に3時間保持して焼成し、高密度結晶相生
成物を提供した。この物質は、下記X線粉末回折パター
ンを示した。
実施例4
TEAヒドロキシドの代わりにジプロピルアミン(DP
A)8.15yを用いた以外は実施例1と同じ手順を繰
り返して初期pl(値を約7にした。最終反応pi(値
も約7であった。手順後、生成物27.79を回収した
。
A)8.15yを用いた以外は実施例1と同じ手順を繰
り返して初期pl(値を約7にした。最終反応pi(値
も約7であった。手順後、生成物27.79を回収した
。
M g HP O4・H,0の元素分析計算値(%):
Mg 17.57、H2,19、P 22.40実
測値(%): Mg 17.40、H2,12、P
22.Q7生成物は下記X線回折パターンを示した。
Mg 17.57、H2,19、P 22.40実
測値(%): Mg 17.40、H2,12、P
22.Q7生成物は下記X線回折パターンを示した。
操作型電子顕微鏡で結晶の大きさを調べると2〜10μ
次であった。
次であった。
試料5gを1’C/分の割合で200℃まで昇温し、そ
の温度に3時間保持して焼成した。焼成物質をX線回折
のためにブランジットに詰め、−晩部分的に再水和する
と、線膨張し、ブランジットからはみ出し1=。部分水
和試料は、下記X線回折パターンを示した。
の温度に3時間保持して焼成した。焼成物質をX線回折
のためにブランジットに詰め、−晩部分的に再水和する
と、線膨張し、ブランジットからはみ出し1=。部分水
和試料は、下記X線回折パターンを示した。
をしたペトリ皿内で水蒸気によるエクイリプレージョン
により一晩再水和した。再水和試料のX線回折パターン
は、合成物質と同一であった。このことは、この物質の
水和可逆性を示している。
により一晩再水和した。再水和試料のX線回折パターン
は、合成物質と同一であった。このことは、この物質の
水和可逆性を示している。
第1図に示す合成試料の熱重量分析(TGA)は、Tm
ax= 160℃およびTmax= 460°Cにおい
て二つの急速脱水を示した。これら脱水の比率は約2=
1であり、損失重量はそれぞれMgHPo、1モルあた
りH,01および1.5モルであった。
ax= 160℃およびTmax= 460°Cにおい
て二つの急速脱水を示した。これら脱水の比率は約2=
1であり、損失重量はそれぞれMgHPo、1モルあた
りH,01および1.5モルであった。
別の実験において、合成試料をほぼ一定重量になるまで
120℃で焼成し熱重量分析した。試料の損失重量はH
,O約6 、2 mgであった。試料を30℃に冷却し
、ヘリウム流(107i(2)内にて水蒸気(約25ト
ール)にさらした。試料が50分でほとんど完全に再水
和したことが示された(第2図)。
120℃で焼成し熱重量分析した。試料の損失重量はH
,O約6 、2 mgであった。試料を30℃に冷却し
、ヘリウム流(107i(2)内にて水蒸気(約25ト
ール)にさらした。試料が50分でほとんど完全に再水
和したことが示された(第2図)。
TGAデータによれば、層状物質内に支え用アミンは組
み込まれなかったようである。
み込まれなかったようである。
これらデータは、調製した物質がMgHP O4・H2
0構造を有しており、1モルまでの水を可逆的に脱水す
ることができることを示している。さらに0.5モルの
水を不可逆的に除去すると、高密度結晶相のピロ燐酸マ
グネシウムが形成される。
0構造を有しており、1モルまでの水を可逆的に脱水す
ることができることを示している。さらに0.5モルの
水を不可逆的に除去すると、高密度結晶相のピロ燐酸マ
グネシウムが形成される。
実施例5
水熱処理を180℃(175〜180psig)で8日
間続けた以外は実施例4と同じ手順を繰り返した。得ら
れた生成物(25,91?)は、上記実施例4と同一の
X線回折パターンを示した 実施例6 テトラエチルアンモニウムヒドロキンドを添加しない以
外は実施例1と同じ手順を繰り返した。
間続けた以外は実施例4と同じ手順を繰り返した。得ら
れた生成物(25,91?)は、上記実施例4と同一の
X線回折パターンを示した 実施例6 テトラエチルアンモニウムヒドロキンドを添加しない以
外は実施例1と同じ手順を繰り返した。
初期pH値は約3で、最終pH値は約4であった。
得られた生成物(29,3g)のX線回折パターンは実
施例4と類似であったが、ピーク強度は概ねより低い結
晶性を示すより弱いものであった。
施例4と類似であったが、ピーク強度は概ねより低い結
晶性を示すより弱いものであった。
実施例7
水熱処理を省いて実施例2と同じ手順を繰り返した。そ
の代わりに、混合物(pH約11)を室温で撹拌した。
の代わりに、混合物(pH約11)を室温で撹拌した。
これにより下記X線粉末回折パターンを示す高密度相生
成物33.6gを得た。
成物33.6gを得た。
ミン中和系において水熱処理が必要であることを示して
いる。
いる。
実施例9
85%オルト燐酸27.6g、水559、MgO9。
65gの混合物(pH= 3 )を室温で45分撹拌し
、濾過し、水洗した。110℃で乾燥した後、得られた
生成物は下記X線粉末回折パターンを示した。
、濾過し、水洗した。110℃で乾燥した後、得られた
生成物は下記X線粉末回折パターンを示した。
これらのデータは、低pH媒体中において層状結晶構造
を得るために水熱処理が必要であることを示している。
を得るために水熱処理が必要であることを示している。
実施例10
85%オルト燐酸27.69の水559溶液に水酸化マ
グネシウムMg(OH)y I 3 、96 gをゆっ
くり添加した。撹拌懸濁液(pH=3)をジプロピルア
ミン5.49で中和してpH=5にした。この混合物を
密閉オートクレーブ内(窒素圧100 psigすなわ
ち790kPa)にて135°Cで2時間加熱し、18
0°Cて2日間加熱(最終圧1340kPaすなわち+
80psig)した。生成物を冷却(最終pH=6.
5)L、濾過し、水洗した。110°Cで2時間乾燥後
、得られた生成物(26,6g)は下記のX線粉末回折
パターンを示した。
グネシウムMg(OH)y I 3 、96 gをゆっ
くり添加した。撹拌懸濁液(pH=3)をジプロピルア
ミン5.49で中和してpH=5にした。この混合物を
密閉オートクレーブ内(窒素圧100 psigすなわ
ち790kPa)にて135°Cで2時間加熱し、18
0°Cて2日間加熱(最終圧1340kPaすなわち+
80psig)した。生成物を冷却(最終pH=6.
5)L、濾過し、水洗した。110°Cで2時間乾燥後
、得られた生成物(26,6g)は下記のX線粉末回折
パターンを示した。
これらのデータは、調製において酸化マグネシウムの代
わりに水酸化マグネシウムを用いてらよいことを示して
いる。しかしながら、この製剤の回折パターン強度は全
体に非常に低く、結晶性がより低いことを示した。
わりに水酸化マグネシウムを用いてらよいことを示して
いる。しかしながら、この製剤の回折パターン強度は全
体に非常に低く、結晶性がより低いことを示した。
実施例11
ジプロピルアミンを添加しない以外は実施例1Oと同じ
手順を繰り返した。最終pH値は5であった。得られた
生成物(27,2g)の結晶性は非常に低く、下記X線
粉末回折パターンを示した。
手順を繰り返した。最終pH値は5であった。得られた
生成物(27,2g)の結晶性は非常に低く、下記X線
粉末回折パターンを示した。
オルト燐酸27.69の水55g溶液に、酸化マグネシ
ウム粉末9.659を、手で撹拌しながら添加した。撹
拌混合物は発熱した。I)H3の酸性混合物をジプロピ
ルアミン7.559でpH7、2に調節し、テフロンラ
イニングしたオートクレーブ内で窒素圧230psig
すなわち1690kPa下に撹拌しながら180℃で加
熱した。4日後、混合物(pH=6.2)を冷却し、遠
心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2時間乾燥後
、下記X線回折パターンを示す白粉末状生成物30.3
9を回収した。
ウム粉末9.659を、手で撹拌しながら添加した。撹
拌混合物は発熱した。I)H3の酸性混合物をジプロピ
ルアミン7.559でpH7、2に調節し、テフロンラ
イニングしたオートクレーブ内で窒素圧230psig
すなわち1690kPa下に撹拌しながら180℃で加
熱した。4日後、混合物(pH=6.2)を冷却し、遠
心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2時間乾燥後
、下記X線回折パターンを示す白粉末状生成物30.3
9を回収した。
オルト燐酸(OPA)20.99およびフェニル燐酸(
PPA)9.489の水55g溶液に、酸化マグネシウ
ム粉末9.659を、手で撹拌しながら添加(発熱)し
た。PPA対OPAのモル比は約1対3であった。pH
3の泡立った酸性混合物をジプロピルアミン10.99
でpH7,2に調節し、テフロンライニングしたオート
クレーブ内で窒素圧230psigすなわち1690k
Pa下に撹拌しながら180℃で加熱した。4日後、混
合物(pH=6.2)を冷却し、遠心分離し、濾過し、
水洗した。100℃で2時間乾燥後、下記X線回折パタ
ーンを示す白色粉末状生成物29.29を回収した。
PPA)9.489の水55g溶液に、酸化マグネシウ
ム粉末9.659を、手で撹拌しながら添加(発熱)し
た。PPA対OPAのモル比は約1対3であった。pH
3の泡立った酸性混合物をジプロピルアミン10.99
でpH7,2に調節し、テフロンライニングしたオート
クレーブ内で窒素圧230psigすなわち1690k
Pa下に撹拌しながら180℃で加熱した。4日後、混
合物(pH=6.2)を冷却し、遠心分離し、濾過し、
水洗した。100℃で2時間乾燥後、下記X線回折パタ
ーンを示す白色粉末状生成物29.29を回収した。
使用することにより、眉間間隔が3Å以上増加すること
を示している。実施例13の生成物は、昇温速度20°
C/分、He流200 rxQ1分で行った熱重量分析
において実施例12の生成物については見られない、約
650℃での最大急速重量損失率を示すので、実施例1
2の生成物よりさらに優れている。この重量損失はおそ
らくフェニルホスホネート結合の分解が原因である。
を示している。実施例13の生成物は、昇温速度20°
C/分、He流200 rxQ1分で行った熱重量分析
において実施例12の生成物については見られない、約
650℃での最大急速重量損失率を示すので、実施例1
2の生成物よりさらに優れている。この重量損失はおそ
らくフェニルホスホネート結合の分解が原因である。
実施例13の生成物の熱安定性を、試料の一部をそれぞ
れ100.200.300.400および500℃に4
5分で達するような速度で加熱し、その温度に5分間保
持することにより示した。低角ピーク(d=14.39
)の崩壊は、400℃に加熱した試料において大きく、
500 ’Cに加熱した試料においては完全であった。
れ100.200.300.400および500℃に4
5分で達するような速度で加熱し、その温度に5分間保
持することにより示した。低角ピーク(d=14.39
)の崩壊は、400℃に加熱した試料において大きく、
500 ’Cに加熱した試料においては完全であった。
試料が300℃で安定であったことは、不安定なOHの
代わりにRを用いると、200℃を越えて崩壊が始まる
実施例12の生成物よりも少なくとも100°C高い温
度における層間間隔の安定化を示している。
代わりにRを用いると、200℃を越えて崩壊が始まる
実施例12の生成物よりも少なくとも100°C高い温
度における層間間隔の安定化を示している。
実施例14
フェニル燐酸19.0fJの水40.5g溶液に、酸化
マグネシウム粉末4.829を、手で撹拌しながら添加
(発熱)した。pH2の酸性混合物を、ジプロピルアミ
ン4.889でpH7,2に調節し、テフロンライニン
グした300dオートクレーブ内で窒素圧200psi
gすなわち1480kPa下に撹拌しながら180°C
で加熱した。容量過剰の故に、この混合物の23.81
?はオートクレーブ内に添加しなかった。4日後、混合
物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110℃
で2時間乾燥後、下記X回折パターンを示す白色粉末状
の生成物17.49を回収した。
マグネシウム粉末4.829を、手で撹拌しながら添加
(発熱)した。pH2の酸性混合物を、ジプロピルアミ
ン4.889でpH7,2に調節し、テフロンライニン
グした300dオートクレーブ内で窒素圧200psi
gすなわち1480kPa下に撹拌しながら180°C
で加熱した。容量過剰の故に、この混合物の23.81
?はオートクレーブ内に添加しなかった。4日後、混合
物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110℃
で2時間乾燥後、下記X回折パターンを示す白色粉末状
の生成物17.49を回収した。
表続き
これらのデータは、マグネシウムを用いた調製において
、フェニル燐酸塩使用量25モル%〜100モル%では
眉間間隔が増加しないことを示している。
、フェニル燐酸塩使用量25モル%〜100モル%では
眉間間隔が増加しないことを示している。
実施例15
オルト燐酸24.99およびフェニル燐酸3.79gの
水559溶液に、酸化マグネシウム粉末9659を、手
で撹拌しながら添加(発熱)した。pH3の酸性混合物
を、ジプロピルアミン11.679でpH7,2に調節
し、テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧
210psigすなわち1550kPa下に撹拌しなが
ら180°Cで加熱した。
水559溶液に、酸化マグネシウム粉末9659を、手
で撹拌しながら添加(発熱)した。pH3の酸性混合物
を、ジプロピルアミン11.679でpH7,2に調節
し、テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧
210psigすなわち1550kPa下に撹拌しなが
ら180°Cで加熱した。
4日後、混合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗し
た。110℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを
示す白色粉末状生成物28.59を回収した。
た。110℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを
示す白色粉末状生成物28.59を回収した。
これらのデータはフェニル燐酸使用ff110モル%で
は、最終生成物に柱形成するのに不充分であったことを
示している。
は、最終生成物に柱形成するのに不充分であったことを
示している。
実施例16
オルト燐酸27.69の水55g溶液に、酸化カルシウ
ム粉末13.469を、手で撹拌しながら添加(発熱)
した。pH2の酸性溶液をジプロピルアミン5.929
でpH7,2に調節し、テフロンライニングしたオート
クレーブ内で窒素圧260psigすなわち1890k
Pa下に撹拌しながら180°Cで加熱した。4日後、
混合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。11
0℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色
粉末状生成物24.3gを回収した。
ム粉末13.469を、手で撹拌しながら添加(発熱)
した。pH2の酸性溶液をジプロピルアミン5.929
でpH7,2に調節し、テフロンライニングしたオート
クレーブ内で窒素圧260psigすなわち1890k
Pa下に撹拌しながら180°Cで加熱した。4日後、
混合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。11
0℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色
粉末状生成物24.3gを回収した。
これらのデータは、カルンウムを用いた調製において、
フェニル燐酸を使用せずにかなり高密度の結晶相が得ら
れることを示している。
フェニル燐酸を使用せずにかなり高密度の結晶相が得ら
れることを示している。
実施例17
オルト燐酸20.99およびフェニル燐酸9,48gの
水559溶液に、酸化カルシウム粉末9.659を、手
で撹拌しながら添加(発熱)した。pH2の泡立った酸
性混合物をジプロピルアミン6.18i7でpH7,2
に調節し、テフロンライニングしたオートクレーブ内で
窒素圧205psigすなわち1514kPa下に撹拌
しながら166℃で加熱した。4日後、pH6,2の混
合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110
℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色粉
末状生成物22.69を回収した。
水559溶液に、酸化カルシウム粉末9.659を、手
で撹拌しながら添加(発熱)した。pH2の泡立った酸
性混合物をジプロピルアミン6.18i7でpH7,2
に調節し、テフロンライニングしたオートクレーブ内で
窒素圧205psigすなわち1514kPa下に撹拌
しながら166℃で加熱した。4日後、pH6,2の混
合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110
℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色粉
末状生成物22.69を回収した。
この生成物の熱安定性を、試料の一部をそれぞれ45分
で100.200.300.400および500℃に達
するように加熱し、その温度に5分間保持することによ
り示した。低角ピーク(d=15.41)の崩壊は、4
00℃で加熱した試料においては完全であったが、30
0℃では試料が安定していた。
で100.200.300.400および500℃に達
するように加熱し、その温度に5分間保持することによ
り示した。低角ピーク(d=15.41)の崩壊は、4
00℃で加熱した試料においては完全であったが、30
0℃では試料が安定していた。
この生成物のTGAによる分解の重量損失は、X線粉末
回折パターンはかなり異なるにも拘わらず、実施例16
の生成物と類似である。p31マノクーアングル−スピ
ニング[magic −angle −spinnin
g] (mas)nmrは、この生成物が有機置換含燐
物をほとんどまたは全く含有しないことを示した。しか
しながら、PPAを50および75モル%使用してこの
調製を繰り返すと、上記含マグネンウム物の実施例と類
似のTGAによる低温脱水および高温有機分解の両方を
示す生成物が得られた。これら高PPA含量製剤は、m
as nmrが有機置換含燐しか示さない実施例18(
PPA 100モル%)の化合物と類似のX線回折パタ
ーンを示した。
回折パターンはかなり異なるにも拘わらず、実施例16
の生成物と類似である。p31マノクーアングル−スピ
ニング[magic −angle −spinnin
g] (mas)nmrは、この生成物が有機置換含燐
物をほとんどまたは全く含有しないことを示した。しか
しながら、PPAを50および75モル%使用してこの
調製を繰り返すと、上記含マグネンウム物の実施例と類
似のTGAによる低温脱水および高温有機分解の両方を
示す生成物が得られた。これら高PPA含量製剤は、m
as nmrが有機置換含燐しか示さない実施例18(
PPA 100モル%)の化合物と類似のX線回折パタ
ーンを示した。
実施例18
フェニル燐酸37.99の水1309溶液に、酸化カル
シウム粉末13.46gを、手で撹拌しながら添加(発
熱)した。pH5,2の酸性混合物をジプロピルアミン
20.389でpH7,2に調節し、テフロンライニン
グした300R(lオートクレーブ内で窒素圧240p
sigすなわち1760kPa下に撹拌しながら180
℃で加熱した。容量が過剰なので、この混合物の65.
89は反応器に添加することができなかった。4日後、
混合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。11
0℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色
粉末状生成物26.29を回収した。
シウム粉末13.46gを、手で撹拌しながら添加(発
熱)した。pH5,2の酸性混合物をジプロピルアミン
20.389でpH7,2に調節し、テフロンライニン
グした300R(lオートクレーブ内で窒素圧240p
sigすなわち1760kPa下に撹拌しながら180
℃で加熱した。容量が過剰なので、この混合物の65.
89は反応器に添加することができなかった。4日後、
混合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。11
0℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色
粉末状生成物26.29を回収した。
表続き
が、実施例17のPPA25モル%使用製剤と、層間間
隔は類似しているから知れないが結晶構造が異なること
を示している。実施例17および18のデータもまた、
燐酸カルシウム内に有機柱形成するには25モル%以上
のPPAが必要であることを示している。
隔は類似しているから知れないが結晶構造が異なること
を示している。実施例17および18のデータもまた、
燐酸カルシウム内に有機柱形成するには25モル%以上
のPPAが必要であることを示している。
実施例19
オルト燐酸24.99およびフェニル燐酸3.79gの
水55g溶液に、酸化カルシウム粉末13゜469を、
手で撹拌しながら添加(発熱)した。I)H3の酸性混
合物をジプロピルアミン6.529でpH7,2に調節
し、テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧
220psigすなわち1620kPa下に撹拌しなが
ら180℃で加熱した。4日後、pH6,2の混合物を
冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2
時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色粉末状生
成物2519を回収した。
水55g溶液に、酸化カルシウム粉末13゜469を、
手で撹拌しながら添加(発熱)した。I)H3の酸性混
合物をジプロピルアミン6.529でpH7,2に調節
し、テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧
220psigすなわち1620kPa下に撹拌しなが
ら180℃で加熱した。4日後、pH6,2の混合物を
冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2
時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色粉末状生
成物2519を回収した。
ラム製剤に柱形成するのに不充分であることを示してい
る。
る。
実施例20
オルト燐酸27.69の水55g溶液に、酸化バリウム
粉末36.89を、手で撹拌しながら添加(発熱反応)
した。pH1の酸性混合物を、ジプロピルアミン12.
1gでpH7、1に調節し、テフロンライニングしたオ
ートクレーブ内で窒素圧200psigすなわち148
0kPa下に撹拌しながら175℃に加熱した。3日後
、pH10の混合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水
洗した。110℃で2時間乾燥後、下記X線回折パター
ンを示す白色粉末状生成物53.39を回収した。
粉末36.89を、手で撹拌しながら添加(発熱反応)
した。pH1の酸性混合物を、ジプロピルアミン12.
1gでpH7、1に調節し、テフロンライニングしたオ
ートクレーブ内で窒素圧200psigすなわち148
0kPa下に撹拌しながら175℃に加熱した。3日後
、pH10の混合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水
洗した。110℃で2時間乾燥後、下記X線回折パター
ンを示す白色粉末状生成物53.39を回収した。
これらのデータは、PPAを用いずにバリウム製剤内に
柱形成している比較的高密度相が得られることを示して
いる。
柱形成している比較的高密度相が得られることを示して
いる。
実施例21
オルト燐酸20.99およびフェニル燐酸9.48gの
水559溶液に、酸化バリウム粉末36.8gを、手で
撹拌しながら添加した。pH3の酸性混合物をジプロピ
ルアミン0.559でpH7,3に調節し、テフロンラ
イニングしたオートクレーブ内で窒素圧210psig
すなわち1540kPa下に撹拌しながら180℃で加
熱した。4日後、pH7。
水559溶液に、酸化バリウム粉末36.8gを、手で
撹拌しながら添加した。pH3の酸性混合物をジプロピ
ルアミン0.559でpH7,3に調節し、テフロンラ
イニングしたオートクレーブ内で窒素圧210psig
すなわち1540kPa下に撹拌しながら180℃で加
熱した。4日後、pH7。
0の混合物を冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。
110℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す
白色粉末状生成物48.49を回収した。
白色粉末状生成物48.49を回収した。
実施例22
フェニル燐酸37.8gの水105g溶液に、酸化バリ
ウム粉末36.89を、手で撹拌しながら添加(発熱)
した。pHtt−12の砂状塩基性混合物を、テフロン
ライニングしたオートクレーブ内で窒素圧300psi
gすなわち217OkPa下に撹拌しながら185℃で
加熱した。4日後、pH8゜0の混合物を冷却し、遠心
分離し、濾過し、水洗した。110℃で2時間乾燥後、
下記X線回折パターンを示す白色粉末状生成物15.5
9を回収しこれらのアーク(ま、ハソワムシ句裂にわい
T−FF八へ用量が25モル%〜100モル%では層間
間隔がほとんど得られないことを示している。しかしな
がら、低角ピーク(d=15.89)の低強度および高
角ピークの高強度は、充分に柱形成された物質を得るに
は25モル%以上のPPAか必要であることを示してい
る。
ウム粉末36.89を、手で撹拌しながら添加(発熱)
した。pHtt−12の砂状塩基性混合物を、テフロン
ライニングしたオートクレーブ内で窒素圧300psi
gすなわち217OkPa下に撹拌しながら185℃で
加熱した。4日後、pH8゜0の混合物を冷却し、遠心
分離し、濾過し、水洗した。110℃で2時間乾燥後、
下記X線回折パターンを示す白色粉末状生成物15.5
9を回収しこれらのアーク(ま、ハソワムシ句裂にわい
T−FF八へ用量が25モル%〜100モル%では層間
間隔がほとんど得られないことを示している。しかしな
がら、低角ピーク(d=15.89)の低強度および高
角ピークの高強度は、充分に柱形成された物質を得るに
は25モル%以上のPPAか必要であることを示してい
る。
実施例23
オルト燐酸20.99およびフェニル燐酸9.48gの
水55g溶液に、酸化ベリリウム粉末60gを、手で撹
拌しながら添加(発熱)した。pH1の希釈酸性混合物
をジプロピルアミン30.45gでpH7、2に調節し
、テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧2
05psigすなわち1514kPa下に撹拌しながら
186℃で加熱した。4日後、I)87〜8の混合物を
冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2
時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色粉末状生
成物4゜79を回収した。
水55g溶液に、酸化ベリリウム粉末60gを、手で撹
拌しながら添加(発熱)した。pH1の希釈酸性混合物
をジプロピルアミン30.45gでpH7、2に調節し
、テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧2
05psigすなわち1514kPa下に撹拌しながら
186℃で加熱した。4日後、I)87〜8の混合物を
冷却し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2
時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色粉末状生
成物4゜79を回収した。
実施例24
オルト燐酸5.2gおよびフェニル燐酸2.49の水5
5g溶液に、酸化ストロンチウム粉末6,229を、手
で撹拌しながら添加(発熱)した。pH3の酸性混合物
をジプロピルアミン1.739でpH7゜2に調節し、
テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧20
0psigすなわち1480kPa下に撹拌しながら1
74℃で加熱した。4日後、pH7,0の混合物を冷却
し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2時間
乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色粉末状生成物
7.89を回収した。
5g溶液に、酸化ストロンチウム粉末6,229を、手
で撹拌しながら添加(発熱)した。pH3の酸性混合物
をジプロピルアミン1.739でpH7゜2に調節し、
テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧20
0psigすなわち1480kPa下に撹拌しながら1
74℃で加熱した。4日後、pH7,0の混合物を冷却
し、遠心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2時間
乾燥後、下記X線回折パターンを示す白色粉末状生成物
7.89を回収した。
実施例25
フェニル燐酸9.499の水55g溶液に、酸化ストロ
ンチウム粉末6.229を、手で撹拌しながら添加(発
熱)した。pH2、0の酸性混合物をジプロピルアミン
3299で中和してpI−I 7 、2にし、テフロン
ライニングしたオートクレーブ内で窒素圧200 ps
igすなわち1480kPa下に撹拌しながら185℃
で加熱した。2日後、pi(8,0の混合物を冷却し、
遠心分離し、濾過し、水洗した。
ンチウム粉末6.229を、手で撹拌しながら添加(発
熱)した。pH2、0の酸性混合物をジプロピルアミン
3299で中和してpI−I 7 、2にし、テフロン
ライニングしたオートクレーブ内で窒素圧200 ps
igすなわち1480kPa下に撹拌しながら185℃
で加熱した。2日後、pi(8,0の混合物を冷却し、
遠心分離し、濾過し、水洗した。
110℃で2時間乾燥後、下記X線回折パターンを示す
白色粉末状生成物4.59を回収した。
白色粉末状生成物4.59を回収した。
表続き
実施例26
オルト燐酸(OPA)20.99および式: C5
HsOP (OH)tで示すフェニルホスフェート(
無機置換ホスフェート)l O,44gの水552溶液
に、酸化マグネシウム粉末9.659を、手で撹拌しな
がら添加(発熱)した。フェニルホスフェート対OPA
の比は約1対3であった。pH3の泡だった酸性混合物
をジプロピルアミン10.99でpH7,2に調節し、
テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧23
0psigすなわち1690kPa下に撹拌しながら1
80℃で加熱した。4日後、pH6、2の混合物を冷却
し、遠心分離し、濾過し、水洗した。
HsOP (OH)tで示すフェニルホスフェート(
無機置換ホスフェート)l O,44gの水552溶液
に、酸化マグネシウム粉末9.659を、手で撹拌しな
がら添加(発熱)した。フェニルホスフェート対OPA
の比は約1対3であった。pH3の泡だった酸性混合物
をジプロピルアミン10.99でpH7,2に調節し、
テフロンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧23
0psigすなわち1690kPa下に撹拌しながら1
80℃で加熱した。4日後、pH6、2の混合物を冷却
し、遠心分離し、濾過し、水洗した。
110℃で2時間乾燥後、14Å以上のd−間隔を示す
白色粉末状生成物を回収した。
白色粉末状生成物を回収した。
実施例27
ヒ素(V)の酸化物AStOs(AO)20.89お上
び 式: Ca Hs A s (OH) !で示す
フェニルアルソン酸(PPA)12.129の水55g
溶液に、酸化マグネシウム粉末965gを、手で撹拌し
ながら添加(発熱)した。P A /〜対AOの比は約
1対3であった。pH3の泡立った酸性混合物をジプロ
ピルアミンI O,9gでpH7゜2に調節し、テフロ
ンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧230ps
igすなわち1690kPa下に撹拌しながら180℃
で加熱した。4日後、pH6,2の混合物を冷却し、遠
心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2時間乾燥後
、14Å以上のd−間隔を示す白色粉末状生成物を回収
した。
び 式: Ca Hs A s (OH) !で示す
フェニルアルソン酸(PPA)12.129の水55g
溶液に、酸化マグネシウム粉末965gを、手で撹拌し
ながら添加(発熱)した。P A /〜対AOの比は約
1対3であった。pH3の泡立った酸性混合物をジプロ
ピルアミンI O,9gでpH7゜2に調節し、テフロ
ンライニングしたオートクレーブ内で窒素圧230ps
igすなわち1690kPa下に撹拌しながら180℃
で加熱した。4日後、pH6,2の混合物を冷却し、遠
心分離し、濾過し、水洗した。110℃で2時間乾燥後
、14Å以上のd−間隔を示す白色粉末状生成物を回収
した。
第1図は、実施例4により調製した合成層状燐酸水素マ
グネシウムのある温度範囲にわたる水の重量損失率を示
し、 第2図が、実施例4により調製した焼成層状燐酸水素マ
グネシウムの50分間にわたる恒温吸水重量を示す。
グネシウムのある温度範囲にわたる水の重量損失率を示
し、 第2図が、実施例4により調製した焼成層状燐酸水素マ
グネシウムの50分間にわたる恒温吸水重量を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、式:M(HAO_4)_x(R[AO_4_−_q
]_n)_y(Z)_z〔式中、Mは二価金属、Aは五
価金属、RはAに共有結合している、HおよびOH以外
の置換基、Zは層間挿入分子、xは0より大きく1また
は1より小さく、yは1より小さく、x+y=1であり
、qは0または1、nは1または2、zはyが0のとき
1または2で、yが0より大きいとき0〜10である。 〕で示される層状二化金属化合物。 2、AがP、As、Sb、V、NbおよびTaからなる
群より選ばれ、MがBe、Mg、Ca、Sr、Ba、R
a、Zr、CdおよびHgからなる群より選ばれる特許
請求の範囲第1項記載の化合物。 3、ZがH_2Oである特許請求の範囲第1項また第2
項記載の化合物。 4、式:MgHPO_4・zH_2O 〔式中、zは1または2を表す。〕 で示される層状燐酸水素マグネシウム化合物。 5、式:M(HPO_4)_x(RPO_4_−_q)
_y(Z)_z〔Mは二価金属、yは少なくとも0.1
でx+y=1、qは0または1、Zは層間挿入分子、z
は0〜10〕で示される層状二価金属燐酸塩。 6、ZがH_2Oであり、Rがフェニル基である特許請
求の範囲第5項記載の燐酸塩。 7、特許請求の範囲第1項記載の層状二価金属化合物の
製法であって、処理前の初期pH値が3〜10であり、
二価金属M源、燐酸源、および要すれば 式:((OH)_2OAO_q)_nR 〔式中、n、qおよびRは特許請求の範囲第1項と同意
義〕 で示される置換酸を含有し、M対(燐酸と上記置換酸の
合計)のモル比が0.8〜1.2である水性反応混合物
を水熱処理することからなる製法。 8、水熱処理の前に、該水性混合物にpH上昇剤を添加
する特許請求の範囲第7項記載の製法。 9、pH上昇剤が、ジプロピルアミン、トリエチルアミ
ンおよびテトラエチルアンモニウムヒドロキシドから選
ばれる特許請求の範囲第8項記載の製法。 10、水熱処理条件として、温度50〜500℃、圧力
345〜3450kPa、および接触時間5〜192時
間を適用する特許請求の範囲第7〜9項のいずれかに記
載の製法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US023,345 | 1987-03-09 | ||
US07/023,345 US4846853A (en) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | Layered divalent metal hydrogen phosphates |
US139,240 | 1987-12-29 | ||
US07/139,240 US4962228A (en) | 1987-03-09 | 1987-12-29 | Layered divalent metal phosphates containing pendent substituent groups and their preparation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63288904A true JPS63288904A (ja) | 1988-11-25 |
Family
ID=26697009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63057339A Pending JPS63288904A (ja) | 1987-03-09 | 1988-03-09 | 層状二価金属化合物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4962228A (ja) |
EP (1) | EP0282218A3 (ja) |
JP (1) | JPS63288904A (ja) |
KR (1) | KR880010819A (ja) |
AU (1) | AU604853B2 (ja) |
DK (1) | DK123388A (ja) |
NZ (1) | NZ223695A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013513703A (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | ラティテュード・18,インコーポレイテッド | 無機リン酸塩組成物および方法 |
US10422041B2 (en) | 2009-12-18 | 2019-09-24 | Latitude 18, Inc | Inorganic phosphate corrosion resistant coatings |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DK154964C (da) * | 1986-01-22 | 1989-05-29 | Lego As | Legetoejsbyggelement med elementer for tilvejebringelse af positionsinformation |
US5072031A (en) * | 1987-03-09 | 1991-12-10 | Mobil Oil Corp. | Layered divalent metal phosphates containing pendent substituent groups and their preparation |
US6143265A (en) * | 1998-11-16 | 2000-11-07 | Akzo Nobel Nv | Conversion of metal oxide to metal phosphate |
US7199172B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-04-03 | Plastic Technologies, Inc. | Metal phosphonates and related nanocomposites |
US7163977B2 (en) * | 2005-05-13 | 2007-01-16 | Plastic Technologies, Inc. | Method to reduce the aldehyde content of polymers |
US20070020422A1 (en) * | 2005-05-13 | 2007-01-25 | Mark Rule | Method to reduce the aldehyde content of polymers |
CN109265743B (zh) * | 2018-09-07 | 2020-03-17 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 阻燃剂、复合阻燃剂以及含有该复合阻燃剂的阻燃高分子材料 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3095269A (en) * | 1960-10-12 | 1963-06-25 | Sylvania Electric Prod | Conversion of calcium hydrogen phosphate dihydrate to the anhydrous form |
US3271460A (en) * | 1962-06-28 | 1966-09-06 | Monsanto Res Corp | Method of preparing organophosphorus compounds |
US3384453A (en) * | 1965-05-03 | 1968-05-21 | Gen Electric | Process for preparing highly crystalline alpha strontium acid phosphate |
JPS5926632B2 (ja) * | 1976-12-18 | 1984-06-29 | 堺化学工業株式会社 | 有機りん化合物の製造法 |
EP0010857B1 (en) * | 1978-09-26 | 1982-10-20 | Occidental Research Corporation | Layered or amorphous organometallic inorganic polymers and their use |
US4376709A (en) * | 1980-11-10 | 1983-03-15 | Exxon Research And Engineering Co. | Intercalated layered mixed oxides |
DE3130628A1 (de) * | 1981-08-01 | 1983-02-17 | Röhm GmbH, 6100 Darmstadt | Substituierte 1-phenyl-vinyl-1-phosphonsaeuren und ihre verwendung |
EP0118548A1 (en) * | 1982-09-09 | 1984-09-19 | Organon Teknika Corporation | Ammonia scavenger |
KR890005170B1 (ko) * | 1983-02-01 | 1989-12-16 | 롱-쁠랑 아그로시미 | 유기인 유도체의 염의 제조방법 |
US4518534A (en) * | 1983-08-22 | 1985-05-21 | Exxon Research & Engineering Co. | Layered vanadium compounds containing phosphorus or arsenic and pendant organic groups |
US4600503A (en) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Mobil Oil Corporation | Process for hydrotreating residual petroleum oil |
US4650779A (en) * | 1985-07-15 | 1987-03-17 | Mobil Oil Corporation | Regeneration of pillared clays with gas containing a small amount of ammonia |
-
1987
- 1987-12-29 US US07/139,240 patent/US4962228A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-01 NZ NZ223695A patent/NZ223695A/xx unknown
- 1988-03-01 EP EP88301777A patent/EP0282218A3/en not_active Withdrawn
- 1988-03-02 AU AU12574/88A patent/AU604853B2/en not_active Ceased
- 1988-03-08 DK DK123388A patent/DK123388A/da not_active Application Discontinuation
- 1988-03-08 KR KR1019880002394A patent/KR880010819A/ko not_active Application Discontinuation
- 1988-03-09 JP JP63057339A patent/JPS63288904A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013513703A (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | ラティテュード・18,インコーポレイテッド | 無機リン酸塩組成物および方法 |
US10422041B2 (en) | 2009-12-18 | 2019-09-24 | Latitude 18, Inc | Inorganic phosphate corrosion resistant coatings |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU1257488A (en) | 1988-09-08 |
EP0282218A3 (en) | 1990-05-23 |
KR880010819A (ko) | 1988-10-24 |
EP0282218A2 (en) | 1988-09-14 |
DK123388A (da) | 1988-10-26 |
AU604853B2 (en) | 1991-01-03 |
US4962228A (en) | 1990-10-09 |
NZ223695A (en) | 1990-03-27 |
DK123388D0 (da) | 1988-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Dines et al. | Derivatized lamellar phosphates and phosphonates of M (IV) ions | |
Clearfield et al. | Organically pillared microporous zirconium phosphonates | |
Roth et al. | Layer like porous materials with hierarchical structure | |
Mosby et al. | Surface modification of layered zirconium phosphates: a novel pathway to multifunctional materials | |
Brahmi et al. | Low temperature synthesis of ordered mesoporous stable anatase nanocrystals: the phosphorus dendrimer approach | |
JPS63288904A (ja) | 層状二価金属化合物 | |
KR910004854B1 (ko) | 결정성 알루미늄포스페이트 조성물 | |
Clearfield et al. | Synthesis and stability of mixed ligand zirconium phosphonate layered compounds | |
JPH03505720A (ja) | 結晶性アルミニウムホスフェート組成物 | |
Armstrong et al. | Manganese (iii) fluorophosphate frameworks | |
Segawa et al. | Catalyst design of two-dimensional zirconium phosphonates | |
US5072031A (en) | Layered divalent metal phosphates containing pendent substituent groups and their preparation | |
US4846853A (en) | Layered divalent metal hydrogen phosphates | |
US5324848A (en) | Vanadium phosphate materials | |
Pica et al. | A combined strategy for the synthesis of double functionalized α-zirconium phosphate organic derivatives | |
Bilba et al. | Synthesis and Characterization of an Aluminophosphate Material With A1PO-15 Framework Type Structure | |
Al-Terkawi et al. | Ca-Tetrafluorophthalate and Sr-isophthalate: mechanochemical synthesis and characterization in comparison with other Ca-and Sr-coordination polymers | |
Bensalem et al. | Synthesis of layered MgHPO4. 1.2 H2O under ambient conditions | |
CA1268316A (en) | Crystalline zirconium phosphate and a method of preparing the same | |
NL1022962C2 (nl) | Gekristalliseerde vaste stof IM-6 van het metallofosfaattype en werkwijze voor de bereiding daarvan. | |
JPH07247112A (ja) | 結晶性有機リン酸アルミニウム塩 | |
Goletto et al. | Synthesis and characterization of periodic porous benzene-silica hybrid powders with cubic and hexagonal symmetries | |
AU612713B2 (en) | Crystalline aluminophosphate compositions | |
町田慎悟 | Intercalation and Interlayer Modification Reactions of Kaolinite Using Organophosphorus Compounds | |
USRE33009E (en) | Method for preparing crystalline zirconium phosphates |