JPS63288051A - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半田浸漬後の信頼性に優れた樹脂封止半導
体装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device that has excellent reliability after being dipped in solder.
従来から、トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子
をプラスチックパッケージで保護した樹脂封止半導体装
置として、プリント基板等にピンを挿入して実装するデ
ュアル・インライン・パッケージ（Ｄ Ｉ Ｐ）タイプ
のものが賞用されている。Dual in-line package (DIP) type devices have traditionally been used as resin-sealed semiconductor devices in which semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are protected in plastic packages, and are mounted by inserting pins into printed circuit boards. It is used for awards.
しかしながら、近年、腕時計や電卓、ＶＴＲカメラ等の
小形高機能製品の開発の流れに伴い、半導体装置の高密
度実装化、薄形化が要求され、いわゆるフラットパッケ
ージタイプの表面実装型半導体装置が多用されるように
なってきている。However, in recent years, with the trend of development of small, high-performance products such as wristwatches, calculators, and VTR cameras, there has been a demand for higher-density packaging and thinner semiconductor devices, and so-called flat package type surface-mount semiconductor devices are often used. This is becoming more and more common.
上記表面実装型半導体装置は、従来のＤＩＰタイプのも
ののようにリードピンだけを部分的に半田浸漬するもの
ではなく、通常、半導体装置全体を２６０℃の半田槽に
浸漬したのち、プリント基板に接続、固定することによ
り実装を行うものである。The above-mentioned surface mount type semiconductor device is not one in which only the lead pins are partially immersed in solder as in conventional DIP type devices, but the entire semiconductor device is usually immersed in a solder bath at 260°C and then connected to a printed circuit board. It is implemented by fixing it.
しかしながら、上記のように半導体装置全体を゛半田槽
に浸漬すると、半導体装置が室温がら２６０℃というよ
うな急激な温度変化を受けるため、熱衝撃によってリー
ドフレームと封止樹脂間に隙間を生じ、パッケージの耐
湿性が損なわれてしまう。However, when the entire semiconductor device is immersed in a solder bath as described above, the semiconductor device undergoes a rapid temperature change from room temperature to 260 degrees Celsius, resulting in a gap between the lead frame and the sealing resin due to thermal shock. The moisture resistance of the package will be impaired.
そこで、半導体装置の薄形化、高密度実装化の要求に対
応できるよう、上記パッケージの耐湿性低下の改善が強
く望まれていた。Therefore, in order to meet the demands for thinner semiconductor devices and higher density packaging, it has been strongly desired to improve the moisture resistance of the package.
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、半
田浸漬後の耐湿性に優れた樹脂封止半導体装置の提供を
その目的とするものである。The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a resin-sealed semiconductor device that has excellent moisture resistance after being immersed in solder.
上記の目的を達成するため、この発明の樹脂封止半導体
装置は、半導体素子がリードフレームに取り付けられ樹
脂組成物によって封止されている樹脂封止半導体装置で
あって、上記リードフレームの表面が下記の式（Ｉ）で
示されるポリオルガノシロキサンおよび下記の式（Ｉｆ
）で示されるポリオルガノシロキサンの少なくとも一方
で被覆処理されているという構成をとる。In order to achieve the above object, a resin-sealed semiconductor device of the present invention is a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor element is attached to a lead frame and sealed with a resin composition, wherein the surface of the lead frame is A polyorganosiloxane represented by the following formula (I) and a polyorganosiloxane represented by the following formula (If
) is coated with at least one of the polyorganosiloxanes.
すなわち、本発明者らは、樹脂封止半導体装置の半田浸
漬後の耐湿性向上のために、まず、パッケージの耐湿性
を低下させる因子を解明すべく研究を重ねた。その結果
、半導体装置製造過程あるいは製品化後の保管過程にお
いて半導体装置内に吸収された水分が、主としてリード
フレームと封止用樹脂の界面に滞留しており、この水分
が、半田浸漬時の高温（２４０℃以上）により急激に蒸
発して高圧蒸気となり、リードフレームと封止用樹脂の
界面に隙間を生じさせたり、パッケージにクラックを生
じさせたりし、それによって半田浸漬後のパッケージの
耐湿性を低下させることを突き止めた。That is, in order to improve the moisture resistance of a resin-sealed semiconductor device after being immersed in solder, the present inventors first conducted research to elucidate the factors that reduce the moisture resistance of the package. As a result, moisture absorbed into semiconductor devices during the semiconductor device manufacturing process or post-commercial storage process remains mainly at the interface between the lead frame and the encapsulating resin, and this moisture is absorbed by the high temperature during solder dipping. (at temperatures above 240°C), it evaporates rapidly and becomes high-pressure steam, creating gaps at the interface between the lead frame and the sealing resin and cracks in the package, which may reduce the moisture resistance of the package after being immersed in solder. It was found that this decreases the
そこで、本発明者らは、上記半導体装置内に滞留する水
分を除去する方法、あるいは、予め吸湿を防止する方法
についてさらに一連の研究を重ねた結果、リードフレー
ムを上記特定のシリコーンオイルで処理すると、リード
フレームが上記シリコーンオイルにおける官能基と封止
用樹脂におけるエポキシ基との反応により封止樹脂に対
して著しい密着性の向上効果を奏し、それによってリー
ドフレームと封止樹脂との界面に対する水分の浸入が防
止され、半田浸漬後の耐湿性の向上が実現されるように
なることを見いだしこの発明に到達した。なお、この発
明におけるリードフレームは、半導体素子を取り付は支
受するグイパッド（グイボンドプレート）を含むもので
ある。Therefore, the inventors of the present invention conducted a series of further studies on a method for removing moisture remaining in the semiconductor device or a method for preventing moisture absorption in advance. , the lead frame exhibits a remarkable effect of improving adhesion to the sealing resin due to the reaction between the functional groups in the silicone oil and the epoxy groups in the sealing resin, thereby reducing moisture on the interface between the lead frame and the sealing resin. The present inventors have discovered that the infiltration of solder is prevented, and the moisture resistance after solder immersion can be improved, and this invention has been achieved. Note that the lead frame in the present invention includes a Gui pad (Gui bond plate) for mounting and supporting a semiconductor element.
上記シリコーンオイルは、下記の一般式（１）および下
記の一般式（ｎ）で示されるポリオルガノシロキサンの
少なくとも一方が用いられる。As the silicone oil, at least one of polyorganosiloxanes represented by the following general formula (1) and the following general formula (n) is used.
（以下余白）
上記の一般式（１）および〔ＩＩ〕で表されるシリコー
ンオイルは、その分子構造中にエポキシ基に対する反応
性を示すアミノ基、エポキシ基、カルボキシル基等を有
する必要があり、したがって、式（１）においてはｍは
必ず１以上に設定される。(Space below) The silicone oil represented by the above general formulas (1) and [II] must have an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, etc. that exhibit reactivity with epoxy groups in its molecular structure, Therefore, in equation (1), m is always set to 1 or more.
上記のようなシリコーンオイルは一般には２５℃での粘
度が３００〜４００ｃｐｓであり、代表例としでは、下
記のようなものがあげられる。The above-mentioned silicone oil generally has a viscosity of 300 to 400 cps at 25°C, and representative examples include the following.
上記例示のシリコーンオイルは、単独で用いてもよいし
併用しても差し支えはない、特に併用する場合には、一
般式（Ｉ）で表されるシリコーンオイルと一般式（Ｉｆ
）で表されるシリコーンオイルとを、前者５に対し後者
が１になるように設定することが好結果をもたらす、そ
して、上記一般式ＣＩ）におけるシリコーンオイルにお
いて繰返し数ｍにかかる繰返し単位と、繰返し数ｎにか
かる繰返し単位とはランダムであってもよいし、交互に
なっていてもよいし、またブロック状になっていても差
し支えはない。The silicone oils exemplified above may be used alone or in combination. Especially when used in combination, the silicone oil represented by the general formula (I) and the general formula (If
) is set so that the former is 5 and the latter is 1, which brings about good results, and in the silicone oil represented by the above general formula CI), the repeating unit corresponding to the number of repeats m, The repeating units corresponding to the repeating number n may be random, may be alternated, or may be in the form of a block.
上記のようなシリコーン化合物を用いることにより、シ
リコーン化合物自体の有する撥水性と、さらにその分子
構造中の官能基が有する封止樹脂中のエポキシ基に対す
る反応性とによってリードフレームが撥水性になると同
時に封止樹脂との密着性が著しく向上するようになるの
であり、リードフレームと封止樹脂との界面への水分の
浸入を阻止しうるようになる。By using the above silicone compound, the lead frame becomes water repellent due to the water repellency of the silicone compound itself and the reactivity of the functional group in its molecular structure to the epoxy group in the sealing resin. Adhesion with the sealing resin is significantly improved, and moisture can be prevented from entering the interface between the lead frame and the sealing resin.
上記のように表面処理済のリードフレームに取り付けら
れた半導体素子の封止に用いる樹脂組成物は、熱硬化性
樹脂、硬化剤、充填剤、顔料等を用いて得られるもので
あって、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレッ
ト状になっている。The resin composition used for sealing the semiconductor element attached to the surface-treated lead frame as described above is obtained using a thermosetting resin, a curing agent, a filler, a pigment, etc., and is usually It is available in powder form or tablet form.
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好適に用い
られるが、フェノール樹脂、尿素樹脂。As the thermosetting resin, epoxy resins are preferably used, including phenol resins and urea resins.
メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート
樹脂、ポリフェニレンサルファイド等を上記エポキシ樹
脂の全部もしくは一部に代えて用いることができる。Melamine resin, polyester resin, diallyl phthalate resin, polyphenylene sulfide, etc. can be used in place of all or part of the above epoxy resin.
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型。Bisphenol A type epoxy resin.
フェノールノボラック型、タレゾールノボラック型のよ
うなグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂環式エポキ
シ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等公知のいずれのもの
を用いてもよいが、特にフェノールノボラックあるいは
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の使用が好適であ
る。さらに、これらのエポキシ樹脂の中でも塩素イオン
の含有量が１０ｐｐ■以下で、かつ加水分解性塩素の含
有量がｏ、 ｔ ｉｉ量％（以下「％」と略す）以下の
ものが適している。Any known epoxy resins such as glycidyl ether type epoxy resins such as phenol novolac type and talesol novolac type, alicyclic epoxy resins, and halogenated epoxy resins may be used, but in particular, phenol novolac or cresol novolac type epoxy resins may be used. Preferred for use. Further, among these epoxy resins, those having a chlorine ion content of 10 ppm or less and a hydrolyzable chlorine content of o, t ii mass % (hereinafter abbreviated as "%") or less are suitable.
上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、ノボラック型フェ
ノール樹脂（フェノールノボラック、タレゾールノボラ
ック等）、酸無水物系硬化剤（テトラハイドロ無水フタ
ル酸、無水トリメリット酸。Examples of hardening agents for the epoxy resin include novolak type phenolic resins (phenol novolak, talesol novolac, etc.), acid anhydride hardeners (tetrahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, etc.).
無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸等）、アミン（ジ
アミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジ
アミノジフェニルエーテル等）等が用いられる。特に、
フェノール樹脂であってフェノール、クレゾール１キシ
ノール、レゾルシノール、フェニルフェノール、ビスフ
ェノールＡ等の１種または２種以上と、ホルムアルデヒ
ド、パラホルムアルデヒド等とを酸触媒の存在下に反応
させて得られるものが好適である。これらの硬化剤は、
前記熱硬化性樹脂の１当量に対して０．５〜１゜０当量
の範囲で配合することが好ましい。benzophenone tetracarboxylic anhydride, etc.), amines (diaminodiphenylmethane, metaphenylenediamine, diaminodiphenyl ether, etc.), and the like. especially,
Preferred are phenolic resins obtained by reacting one or more of phenol, cresol 1-xynol, resorcinol, phenylphenol, bisphenol A, etc. with formaldehyde, paraformaldehyde, etc. in the presence of an acid catalyst. be. These curing agents are
It is preferable to mix it in an amount of 0.5 to 1.0 equivalents per equivalent of the thermosetting resin.
さらに、上記硬化剤とともに、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メ
チルイミダゾールのような真理型イミダゾール化合物や
、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，Ｏ）ウンデセン
−７およびその塩、トリフェニルホスフィンのような有
機第三ホスフィン化合物等の硬化促進剤を配合すること
もできる。Furthermore, in addition to the above curing agent, true imidazole compounds such as 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-heptadecylimidazole, and 2-methylimidazole, and 1,8-diaza-bicyclo(5,4,O) undecene A curing accelerator such as -7 and its salt, an organic tertiary phosphine compound such as triphenylphosphine, etc. can also be blended.
なお、上記組成物には、必要に応じて従来から用いられ
る難燃剤、離型剤等を含有させてもよい。In addition, the above-mentioned composition may contain conventionally used flame retardants, mold release agents, etc., if necessary.
この発明に用いる樹脂組成物は、上記のような原料を用
い、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、上記に例示した樹脂と硬化剤、顔料その他の添
加剤を適宜配合し、この配合物をミキシングロール機等
の混練機にかけて加熱状態で混練し、半硬化の樹脂組成
物とし、これを室温に冷却したのち、公知の手段によっ
て粉砕し、そのままもしくは必要に応じて打錠すること
により製造される。The resin composition used in the present invention can be produced using the above-mentioned raw materials, for example, in the following manner. That is, the resin exemplified above, a curing agent, pigment, and other additives are appropriately blended, and this mixture is kneaded in a heated state using a kneading machine such as a mixing roll machine to form a semi-cured resin composition, which is then heated at room temperature. After being cooled to 100%, the powder is pulverized by known means, and produced as is or by tabletting if necessary.
この発明の樹脂封止半導体装置は、上記のような樹脂組
成物と前記シリコーンオイルとを用い、例えばつぎのよ
うにして製造することができる。The resin-sealed semiconductor device of the present invention can be manufactured using the resin composition as described above and the silicone oil, for example, in the following manner.
すなわち、まず封止すべきリードフレームに対して、前
記シリコーンオイルを吹き付け、噴霧し、あるいはシリ
コーンオイルにリードフレームを浸漬することにより、
処理したのち、このリードフレームに半導体素子を取り
付け、上記樹脂組成物によって封止することにより得る
ことができる。That is, first, by spraying or atomizing the silicone oil onto the lead frame to be sealed, or by immersing the lead frame in silicone oil,
After the treatment, a semiconductor element is attached to this lead frame and sealed with the resin composition.
上記リードフレームに対するシリコーンオイルの処理は
、特にリードフレームのグイパッドを中心に行うと好結
果が得られるようになる。上記の封止は特に制限される
ものではなく、通常の方法、例えばトランスファー成形
等の公知のモールド方法により行うことができる。Good results can be obtained by applying silicone oil to the lead frame, especially if the lead frame is treated with silicone oil. The above-mentioned sealing is not particularly limited, and can be performed by a conventional method, for example, a known molding method such as transfer molding.
このようにして得られる樹脂封止半導体装置は、樹脂封
止前のシリコーン処理によってリードフレーム、特に封
止樹脂と直接接触するグイパッド下面が撥水性と密着性
に富むように改質されているため、リードフレーム、特
にグイパッド下面と封止樹脂との界面から水分が浸入す
ることがない、したがって、半導体装置の半田浸漬時に
リードフレームと封止樹脂との界面で、高圧蒸気が発生
せず、上記界面に隙間が生じたり、パッケージにクラッ
クが生じたりすることがない、なお、上記リードフレー
ムに対するシリコーン処理は、先に述べたように、グイ
パッドの下面が封止樹脂との接触面積が大きいため、こ
の部分を中心に行うことが好ましいが、それ以外に、リ
ードの付は根部分等、封止樹脂と直接接触するリードフ
レームの部分に、上記シリコーン処理を施すことが好ま
しい、この場合、シリコーン処理を吹き付は等によって
行う場合には、封止樹脂によって封止樹脂と直接接触す
る部分以外のリードフレームの部分、例えば、リードの
先端部分等にまでシリコーンオイルが付着するという現
象が生ずるが、このようになっても全く差し支えはない
。In the resin-sealed semiconductor device obtained in this way, the lead frame, especially the lower surface of the Gui pad that comes into direct contact with the sealing resin, is modified by silicone treatment before resin sealing so that it has high water repellency and adhesion. Moisture does not infiltrate from the interface between the lead frame, especially the lower surface of the Gui pad, and the sealing resin. Therefore, when semiconductor devices are immersed in solder, high-pressure steam is not generated at the interface between the lead frame and the sealing resin, and the above-mentioned interface The silicone treatment for the lead frame described above does not create gaps in the lead frame or cracks in the package. It is preferable to apply the above-mentioned silicone treatment to the parts of the lead frame that come into direct contact with the sealing resin, such as the roots of the lead. When spraying is carried out by a method such as spraying, a phenomenon occurs in which the silicone oil adheres to parts of the lead frame other than the parts that are in direct contact with the sealing resin, such as the tips of the leads. There is no problem even if it becomes like that.
以上のように、この発明の樹脂封止半導体装置は、シリ
コーンオイルで処理されて撥水性と密着性について改質
されている特殊なリードフレームを用いているため、リ
ードフレームと封止樹脂との界面から水分が浸入するこ
とがなく、半田浸漬後も耐湿性が低下せず極めて信幀性
の高いものである。As described above, the resin-sealed semiconductor device of the present invention uses a special lead frame that has been treated with silicone oil to improve its water repellency and adhesion. Moisture does not enter through the interface, and moisture resistance does not decrease even after solder immersion, making it extremely reliable.
なお、この発明の樹脂封止半導体装置は、リードフレー
ムと封止樹脂の界面に水分が浸入することがないため、
いずれの種類の半導体装置に適用しても一定の耐湿性向
上の効果を奏することができるものであるが、特に、表
面実装型の半導体装置に適用することが、従来より問題
となっていた半田浸漬後の耐湿性低下を解消するため好
適であるといえる。Note that the resin-sealed semiconductor device of the present invention does not allow moisture to enter the interface between the lead frame and the sealing resin.
Although it can have a certain effect of improving moisture resistance when applied to any type of semiconductor device, it is particularly difficult to apply it to surface-mounted semiconductor devices, which has traditionally been a problem. This can be said to be suitable because it eliminates the decrease in moisture resistance after immersion.
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
〔実施例１〜８〕
リードフレームとしてリニアＩＣ用１６ピン銅フレーム
（４２７０イ）を用意し、これの表面に、下記の一般式
（Ｉ）および〔「〕で表され、かつ下記の第１表に従う
シリコーンオイルをトルエンで１０倍に希釈した希釈液
を吹き付けて表面処理を施した。[Examples 1 to 8] A 16-pin copper frame (4270I) for a linear IC was prepared as a lead frame, and on the surface thereof, a compound represented by the following general formula (I) and [''] and the following first compound was prepared. Surface treatment was performed by spraying a diluted solution of silicone oil diluted 10 times with toluene according to the table.
なお、上記の表に示すように、実施例１〜６は１種類の
シリコーンオイルで表面処理を行い、実施例７．８は２
種類のシリコーンオイルの混合物で表面処理を行ってい
る。As shown in the table above, Examples 1 to 6 were surface treated with one type of silicone oil, and Examples 7 and 8 were treated with two types of silicone oil.
The surface is treated with a mixture of different types of silicone oil.
つぎに、上記のようにして表面処理されたリードフレー
ムを、下記の第２表に示す原料を用い、１７５℃、２分
の条件でトランスファー成形し、８ピン−スモールアウ
トライン（ＳＯＰ−８） 型の樹脂封止半導体装置とし
た。Next, the lead frame surface-treated as described above was transfer-molded at 175°C for 2 minutes using the raw materials shown in Table 2 below to form an 8-pin small outline (SOP-8) mold. This resin-sealed semiconductor device was made into a resin-sealed semiconductor device.
〔比較例１〕
上記のシリコーンオイルに代えて、下記の一般式（Ｉ［
［）
％式％（［）
で示される官能基を持たないシリコーンオイルを使用し
た。それ以外は上記実施例と同様にして樹脂封止半導体
装置を得た。[Comparative Example 1] In place of the above silicone oil, the following general formula (I[
A silicone oil having no functional group represented by the formula % ([)] was used. Other than that, a resin-sealed semiconductor device was obtained in the same manner as in the above example.
〔比較例２〕
シリコーンオイルとして、下記の一般式（ｒＶ）Ｒ士Ｓ
ｉ Ｏ忙Ｒ・・・（ＩＶ）
（ＱＣ＠Ｈｙｉｉ→−ＱＣ−Ｈｚ−、＋で示される封止
樹脂のエポキシ基と反応しない官能基を有するシリコー
ンオイルを用いた。それ以外は上記実施例と同様にして
樹脂封止半導体装置を得た。[Comparative Example 2] As silicone oil, the following general formula (rV)
i O busy R... (IV) (QC@Hyii→-QC-Hz-, silicone oil having a functional group that does not react with the epoxy group of the sealing resin, which is indicated by +, was used.Other than that, the same as the above example) A resin-sealed semiconductor device was obtained in the same manner as above.
〔比較例３〕
リードフレーム対してシリコーンオイルによる表面処理
を行わなかった。それ以外は上記実施例と同様にして樹
脂封止半導体装置を得た。[Comparative Example 3] The lead frame was not subjected to surface treatment with silicone oil. Other than that, a resin-sealed semiconductor device was obtained in the same manner as in the above example.
このようにして得られた実施例品と比較別品を、８０℃
、９５％ＲＨの雰囲気中に２０時間入れて吸湿させたの
ち、２６０℃の半田浴に１０秒間浸漬した。そして、半
田浸漬後のクラックの有無を調べるとともに、プレッシ
ャー釜による信頼性テスト（１２１℃、１００％ＲＨで
のＰＣＴテスト）を行った。その結果は下記の第３表に
示すとおりである。The example product and comparative product obtained in this way were heated at 80°C.
After being placed in a 95% RH atmosphere for 20 hours to absorb moisture, it was immersed in a 260° C. solder bath for 10 seconds. Then, the presence or absence of cracks after solder immersion was examined, and a reliability test using a pressure cooker (PCT test at 121° C. and 100% RH) was conducted. The results are shown in Table 3 below.
（以下余白）
第 ３ 表
上記の結果から、実施例品は、比較別品に比べ、半田浸
漬後の耐湿性に著しく優れていることがわかる。(The following is a blank space) Table 3 From the above results, it can be seen that the example products are significantly superior in moisture resistance after being immersed in solder compared to the comparative products.
すなわち、実施例品は、比較別品とは異なり、エポキシ
樹脂やフェノール樹脂と反応しうる官能基を持ったシリ
コーンオイルによって表面処理がなされていることによ
り、半田浸漬後も耐湿性が極めて優れていることがわか
る。In other words, unlike the comparative products, the example products have extremely excellent moisture resistance even after being immersed in solder because they are surface-treated with silicone oil that has a functional group that can react with epoxy resins and phenolic resins. I know that there is.
Claims (1)
組成物によつて封止されている樹脂封止半導体装置であ
つて、上記リードフレームの表面が下記の式〔 I 〕で
示されるポリオルガノシロキサンおよび下記の式〔II〕
で示されるポリオルガノシロキサンの少なくとも一方で
被覆処理されていることを特徴とする樹脂封止半導体装
置。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔II〕 〔上記式〔 I 〕、〔II〕において、Ｒはメチル基、Ｒ
＿１は（ＣＨ＿２）＿ｌ（但しｌ＝１〜３の整数）、Ａ
はアミノ基、エポキシ基、カルボキシル基、水酸基また
はシクロヘキセンオキサイド基、ｍは１〜３００の整数
でｎは０または１〜３００の整数（但しｍ＋ｎ＝１〜５
００の整数）、ｘは１０〜３００の整数である。〕(1) A resin-encapsulated semiconductor device in which a semiconductor element is attached to a lead frame and sealed with a resin composition, wherein the surface of the lead frame is made of a polyorganosiloxane represented by the following formula [I] and The following formula [II]
1. A resin-sealed semiconductor device characterized by being coated with at least one of polyorganosiloxanes represented by: ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼・・・[I] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼・・・・・・[II] [In the above formulas [I] and [II], R is methyl group, R
_1 is (CH_2)_l (where l = an integer from 1 to 3), A
is an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group, or a cyclohexene oxide group, m is an integer of 1 to 300, and n is an integer of 0 or 1 to 300 (however, m+n=1 to 5
00), x is an integer from 10 to 300. ]
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12469587A JPS63288051A (en) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | Resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12469587A JPS63288051A (en) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | Resin-sealed semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63288051A true JPS63288051A (en) | 1988-11-25 |
Family
ID=14891806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12469587A Pending JPS63288051A (en) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | Resin-sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63288051A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293960A (en) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
| US4965657A (en) * | 1987-08-03 | 1990-10-23 | Hitachi Ltd. | Resin encapsulated semiconductor device |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP12469587A patent/JPS63288051A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293960A (en) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
| US4965657A (en) * | 1987-08-03 | 1990-10-23 | Hitachi Ltd. | Resin encapsulated semiconductor device |
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