JP2899096B2 - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、信頼性に優れた半導体装置に関するもの
である。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a highly reliable semiconductor device.
トランジスター,IC,LSI等の半導体素子は、従来、セ
ラミツクパツケージ等によつて封止され、半導体装置化
されていたが、最近では、コスト，量産性の観点から、
プラスチツクパツケージを用いた樹脂封止が主流となつ
ている。この種の樹脂封止には、従来から、エポキシ樹
脂が使用されており、良好な成績を収めている。しかし
ながら、半導体分野の技術革新によつて集積度の向上と
ともに素子サイズの大形化，配線の微細化が進み、パツ
ケージも小形化，薄形化する傾向にあり、これに伴つて
封止材料に対してより以上の信頼性（得られる半導体装
置の熱応力の低減，耐湿信頼性，耐熱衝撃試験に対する
信頼性等）の向上が要望されている。特に、近年、半導
体素子サイズは益々大形化する傾向にあり、半導体封止
樹脂の性能を評価する加速試験である熱サイクル試験
（TCTテスト）に対するより以上の性能の向上が要求さ
れている。また、半導体パツケージの実装方法として表
面実装が主流となつてきており、このため、半導体パツ
ケージが吸湿した状態において半田溶融液に浸漬して
も、パツケージにクラツクや膨れが発生しないという特
性も要求されるようになつている。Conventionally, semiconductor devices such as transistors, ICs, and LSIs have been encapsulated with ceramic packages and the like to form semiconductor devices, but recently, from the viewpoint of cost and mass productivity,
Resin sealing using a plastic package has become mainstream. For this type of resin sealing, an epoxy resin has been conventionally used, and good results have been obtained. However, due to technological innovation in the field of semiconductors, the degree of integration has been increased, the device size has been increased, and the wiring has become finer, and the packages have also become smaller and thinner. On the other hand, there is a demand for further improvement in reliability (reduction of thermal stress of the obtained semiconductor device, reliability of humidity resistance, reliability against thermal shock test, etc.). In particular, in recent years, the size of semiconductor elements has been increasing in size, and there has been a demand for further improvement in performance over a thermal cycle test (TCT test), which is an accelerated test for evaluating the performance of a semiconductor sealing resin. In addition, surface mounting has become the mainstream as a mounting method for semiconductor packages. For this reason, even if the semiconductor package is immersed in a molten solder in a state of absorbing moisture, it is required that the package does not crack or swell. It has become so.
上記要求に対して、従来から、TCTテストによつて、
評価される各特性の向上のために、シリコーン化合物を
用いてエポキシ樹脂を変性し、それにより熱応力を低減
させることが検討されている。また、半田浸漬時の耐ク
ラツク性の向上のためにリードフレームと封止樹脂との
密着性を向上させること等も検討されているが、両方と
も未だ充分な効果は得られていないのが実情である。Conventionally, in response to the above request, the TCT test
In order to improve each property to be evaluated, it has been studied to modify an epoxy resin using a silicone compound and thereby reduce thermal stress. In addition, to improve the adhesion between the lead frame and the encapsulating resin has been studied to improve the crack resistance during solder immersion, but in fact, both have not yet achieved sufficient effects. It is.
このように、これまでの封止用エポキシ樹脂材料で
は、TCTテストの結果や半田浸漬時の耐クラツク性の両
特性が満足のいくものではない。このため上記技術革新
による半導体素子サイズの大形化や表面実装化に対応で
きるように、上記両特性の向上が強く望まれている。As described above, the conventional epoxy resin materials for sealing do not satisfy both the results of the TCT test and the properties of crack resistance during solder immersion. For this reason, there is a strong demand for improvement of the above two characteristics so as to be able to cope with an increase in the size of the semiconductor element and surface mounting due to the above technical innovation.
この発明は、このような実情に鑑みなされたもので、
TCTテストにより評価される各特性の向上および半田浸
漬時の耐クラツク性に優れた半導体装置の提供をその目
的とする。The present invention has been made in view of such circumstances,
It is an object of the present invention to improve semiconductor characteristics evaluated by a TCT test and to provide a semiconductor device having excellent crack resistance during solder immersion.
上記の目的を解決するための、この発明の半導体装置
は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止するという構成をと
る。In order to solve the above-mentioned object, a semiconductor device of the present invention has a configuration in which a semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C).
（Ａ）ナフトールから誘導される構造単位を１分子中に
１個以上含むノボラツク型ポリグリシジルエーテル。(A) A novolak-type polyglycidyl ether containing one or more structural units derived from naphthol in one molecule.
（Ｂ）下記の一般式（Ｉ）で表されるノボラツク硬化
剤。(B) A novolak curing agent represented by the following general formula (I).
〔上記一般式（Ｉ）において、ＸはＨまたはCH3であ
る。また、２≦ｍ≦50である。〕 （Ｃ）無機質充填剤。 [In the above general formula (I), X is H or CH 3 . Also, 2 ≦ m ≦ 50. (C) Inorganic filler.
すなわち、本発明者らは、TCTテストによつて評価さ
れる各特性および半田浸漬時の耐クラツク性に優れた封
止樹脂を得るために一連の研究を重ねた。その結果、上
記特殊な骨格構造を有するノボラツク型ポリグリシジル
エーテルと、上記一般式（Ｉ）で表されるノボラツク硬
化剤を用いると、TCTテストで評価される各特性および
半田浸漬時の耐クラツク性の双方に優れた封止樹脂が得
られることを見出しこの発明に到達した。That is, the present inventors have conducted a series of studies in order to obtain a sealing resin having various properties evaluated by the TCT test and excellent crack resistance during solder immersion. As a result, when the novolak type polyglycidyl ether having the above-mentioned special skeleton structure and the novolak curing agent represented by the above general formula (I) are used, each property evaluated by the TCT test and the crack resistance during solder immersion are obtained. The present inventors have found that an excellent sealing resin can be obtained in both cases, and have reached the present invention.
つぎに、この発明を詳細に説明する。 Next, the present invention will be described in detail.
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、特殊な
骨格構造を有するエポキシ樹脂（Ａ成分）と、特殊な硬
化剤（Ｂ成分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）とを用いて
得られるものであり、通常、粉末状あるいはこれを打錠
したタブレツト状になつている。The epoxy resin composition used in the present invention is obtained by using an epoxy resin having a special skeleton structure (component A), a special curing agent (component B), and an inorganic filler (component C). Yes, it is usually in the form of a powder or tablet.
上記特殊な骨格構造を有するエポキシ樹脂（Ａ成分）
は、ナフトールから誘導される構造単位を１分子中に１
個以上含むノボラツク型ポリグリシジルエーテルであ
り、このような特殊なノボラツク型ポリグリシジルエー
テルは、例えば下記の一般式（IV）で表される。下記の
一般式（IV）において、繰り返し数ｎで示されるフエノ
ール成分と、繰り返し数ｍで示されるナフトール成分と
の縮合の態様は、交互，ランダム，ブロツク等特に問わ
ないが、その多くは交互縮合の態様になる。Epoxy resin having the above special skeleton structure (component A)
Represents one unit of a structural unit derived from naphthol in one molecule.
Novolak-type polyglycidyl ether containing at least one such compound. Such a special novolak-type polyglycidyl ether is represented, for example, by the following general formula (IV). In the following general formula (IV), the mode of condensation between the phenol component represented by the number of repetitions n and the naphthol component represented by the number of repetitions m is not particularly limited, such as alternating, random, and block. It becomes an aspect of.
上記一般式（IV）において、繰り返し数ｎとしては０
≦ｎ≦10の範囲、繰り返し数ｍとしては１≦ｍ≦20の範
囲が好ましく、しかもｎ＋ｍの値として２≦ｎ＋ｍ≦20
の範囲が好ましい。そして、なかでもノボラツク型ポリ
グリシジルエーテルとして、下記の構造式で表される３
核体のものを用いるのが好ましい。 In the general formula (IV), the number of repetitions n is 0.
≦ n ≦ 10, and the number of repetitions m is preferably in the range of 1 ≦ m ≦ 20, and the value of n + m is preferably 2 ≦ n + m ≦ 20.
Is preferable. Among them, as a novolak type polyglycidyl ether, 3 represented by the following structural formula
It is preferable to use a nucleus.
このノボラツク型ポリグリシジルエーテルは、例え
ば、ナフトールとクレゾールをアルデヒド成分を介して
反応させてナフトール−クレゾール縮合体を作製し、こ
れをエピクロルヒドリンと反応させることにより得られ
る。上記ナフトール−クレゾール縮合体の縮合度は２〜
５の範囲が好ましい。上記ナフトールとしては、α−ナ
フトールおよびβ−ナフトールの少なくとも一方があげ
られ、クレゾールとしては、ｐ−クレゾールおよびｏ−
クレゾールの少なくとも一方があげられる。また、上記
アルデヒド成分としては、ホルムアルデヒドがあげられ
るが、これに限定するものではなく、ホルムアルデヒド
以外の他のアルデヒドを用いてもよい。上記ナフトール
とクレゾールの使用割合は、ナフトール１モルに対して
クレゾールを0.2〜２モルの割合に設定するのが好まし
く、特に好ましくは0.4〜0.6モルである。そして、上記
ナフトールとクレゾールの組み合わせにおいて、α−ナ
フトールとｐ−クレゾールの組み合わせが好適である。 This novolak-type polyglycidyl ether is obtained, for example, by reacting naphthol and cresol via an aldehyde component to produce a naphthol-cresol condensate and reacting it with epichlorohydrin. The condensation degree of the naphthol-cresol condensate is 2 to
A range of 5 is preferred. Examples of the naphthol include at least one of α-naphthol and β-naphthol, and cresols include p-cresol and o-naphthol.
And at least one of cresols. Examples of the aldehyde component include, but are not limited to, formaldehyde, and other aldehydes other than formaldehyde may be used. The use ratio of naphthol and cresol is preferably set to a ratio of 0.2 to 2 mol of cresol to 1 mol of naphthol, particularly preferably 0.4 to 0.6 mol. In the combination of naphthol and cresol, a combination of α-naphthol and p-cresol is preferable.
上記特殊な硬化剤（Ｂ成分）は、下記の一般式（Ｉ）
で表される構造体を有するノボラツク硬化剤である。下
記の一般式（Ｉ）において、フエノール成分と、キシレ
ン成分との縮合の態様は、交互縮合の態様になつてい
る。The special curing agent (component B) is represented by the following general formula (I)
Is a novolak curing agent having a structure represented by the formula: In the following general formula (I), the mode of condensation between the phenol component and the xylene component is the mode of alternate condensation.
〔上記一般式（Ｉ）において、ＸはＨまたはCH3であ
る。また、２≦ｍ≦50である。〕 そして、上記一般式（Ｉ）において、繰り返し数ｍは
２≦ｍ≦50の範囲である。なかでも上記一般式（Ｉ）で
表される硬化剤として、下記の構造式で表されるものが
好ましい。 [In the above general formula (I), X is H or CH 3 . Also, 2 ≦ m ≦ 50. In the general formula (I), the number m of repetitions is in the range of 2 ≦ m ≦ 50. Among them, a curing agent represented by the above general formula (I) is preferably a curing agent represented by the following structural formula.
このような特殊なノボラツク型硬化剤は、例えば、フ
エノール性化合物とキシレンを縮合することにより得ら
れる。上記ノボラツク硬化剤の縮合度は２〜100の範囲
が好ましい。特に好ましくは２〜50である。上記フエノ
ール性化合物としては、フエノール，クレゾール等があ
げられる。また、上記キシレンとしては、ｐ−キシレン
およびｏ−キシレンがあげられ、特に好適なのはｐ−キ
シレンである。このようにして得られる硬化剤として
は、水酸基当量170〜200で、軟化点60〜150℃のものが
好ましい。 Such a special novolak type curing agent can be obtained, for example, by condensing a phenolic compound with xylene. The degree of condensation of the novolak curing agent is preferably in the range of 2 to 100. Particularly preferably, it is 2 to 50. Examples of the phenolic compound include phenol and cresol. Examples of the xylene include p-xylene and o-xylene, and particularly preferred is p-xylene. The curing agent thus obtained preferably has a hydroxyl equivalent of 170 to 200 and a softening point of 60 to 150 ° C.
上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）と特殊な硬化剤
（Ｂ成分）との相互の配合割合は、上記特殊なエポキシ
樹脂中のエポキシ基１当量当たり硬化剤中の水酸基が0.
8〜1.2当量となるように配合することが好ましい。The mixing ratio of the special epoxy resin (component A) and the special curing agent (component B) is such that the hydroxyl group in the curing agent is 0.1 per equivalent of epoxy group in the special epoxy resin.
It is preferable to mix them in an amount of 8 to 1.2 equivalents.
上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる無機質充
填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するものではなく、
従来公知のものが用いられ、例えば石英ガラス粉末，タ
ルク，シリカ粉末およびアルミナ粉末等があげられる。
特に好適なのはシリカ粉末である。このような無機質充
填剤の含有量は、シリカ粉末の場合、エポキシ樹脂組成
物全体の50重量％（以下「％」と略す）以上に設定する
のが好ましい。特に好ましくは70％以上であり、さらに
好ましくは80％以上である。すなわち、無機質充填剤の
含有量が50％を下回るとTCTテストによる各特性の向上
および半田浸漬時の体クラツク性の向上効果が大幅に低
下するからである。The inorganic filler (component C) used together with the component A and the component B is not particularly limited.
Conventionally known materials are used, and examples thereof include quartz glass powder, talc, silica powder, and alumina powder.
Particularly preferred is silica powder. In the case of silica powder, the content of such an inorganic filler is preferably set to 50% by weight (hereinafter abbreviated as “%”) or more of the entire epoxy resin composition. It is particularly preferably at least 70%, and more preferably at least 80%. That is, when the content of the inorganic filler is less than 50%, the effect of improving each property by the TCT test and the effect of improving the body cracking property at the time of solder immersion are significantly reduced.
また、この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物に
は、上記Ａ〜Ｃ成分に加えて、内部応力の低減のために
シリコーン化合物を用いるのが好ましい。上記シリコー
ン化合物としては、下記の一般式（II）および（III）
で表されるものがあげられ、単独でもしくは併用され
る。Further, in the epoxy resin composition used in the present invention, it is preferable to use a silicone compound in addition to the components A to C in order to reduce internal stress. Examples of the silicone compound include the following general formulas (II) and (III)
And used alone or in combination.
このようなシリコーン化合物を配合する場合には、そ
の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の５％以下になる
ように設定するのが好ましい。特に好ましくは0.5〜３
％の範囲内である。 When such a silicone compound is blended, the blending amount is preferably set so as to be 5% or less of the entire epoxy resin composition. Particularly preferably, 0.5 to 3
%.
なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物に
は、上記各成分以外に必要に応じて、他の添加剤として
硬化促進剤である従来公知の三級アミン，四級アンモニ
ウム塩，イミダゾール類およびホウ素化合物等が適宜配
合される。これらは単独でもしくは併せて用いられる。
さらに、三酸化アンチモン，リン系化合物等の難燃剤や
顔料、シランカツプリング剤等のカツプリング剤等を配
合することができる。In addition to the above components, the epoxy resin composition used in the present invention may further comprise, if necessary, other additives such as a conventionally known curing accelerator such as a tertiary amine, a quaternary ammonium salt, imidazoles and boron. Compounds and the like are appropriately compounded. These are used alone or in combination.
Further, flame retardants and pigments such as antimony trioxide and phosphorus compounds, and coupling agents such as silane coupling agents can be blended.
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えば
つぎのようにして製造することができる。すなわち、ま
ず上記Ａ〜Ｃ成分、場合によつて、シリコーン化合物お
よび他の添加剤を用い、これらを所定の割合で配合す
る。ついで、これら配合物をミキシングロール機等の混
練機にかけ、加熱状態で溶融混練して室温に冷却した
後、公知の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠する
という一連の工程を経ることによつて目的とするエポキ
シ樹脂組成物を製造することができる。また、各成分の
配合に先立つて、前記シリコーン化合物を用いて上記Ａ
成分またはＢ成分を変性し、この変性物と残りの成分を
配合してもよい。The epoxy resin composition used in the present invention can be produced, for example, as follows. That is, first, the above-mentioned components A to C, and in some cases, a silicone compound and other additives are used, and these are blended at a predetermined ratio. Then, the mixture is subjected to a kneading machine such as a mixing roll machine, melt-kneaded in a heated state, cooled to room temperature, then ground by a known means, and subjected to a series of steps of tableting as necessary. This makes it possible to produce the desired epoxy resin composition. Prior to compounding each component, the above-mentioned A
The component or the component B may be modified, and the modified product and the remaining components may be blended.
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子
の封止等は特に限定するものではなく、通常のトランス
フアー成形等の公知のモールド方法によつて行うことが
できる。The encapsulation of a semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
このようにして得られる半導体装置は、前記特殊な骨
格構造を有するエポキシ樹脂（Ａ成分）と、前記一般式
（Ｉ）で表されるノボラツク型硬化剤を含むエポキシ樹
脂組成物を用いていることから、TCTテストで評価され
る特性が向上し、また半田浸漬時における優れた耐クラ
ツク性を有している。The semiconductor device obtained in this manner uses the epoxy resin composition containing the epoxy resin (A component) having the special skeleton structure and the novolak-type curing agent represented by the general formula (I). Therefore, the properties evaluated in the TCT test are improved, and the steel has excellent crack resistance during solder immersion.
以上のように、この発明の半導体装置は、特殊な骨格
構造を有するエポキシ樹脂（Ａ成分）と、前記一般式
（Ｉ）で表されるノボラツク型硬化剤を含む特殊なエポ
キシ樹脂組成物を用いて樹脂封止されているため、TCT
テストによつて評価される特性が向上し長寿命になる。
また、吸湿後の半田浸漬時においてもパツケージクラツ
クが生じない。特に、上記特殊なエポキシ樹脂組成物に
よる封止により、８ピン以上、特に16ピン以上の、もし
くは半導体素子の長辺が4mm以上の大形の半導体装置に
おいて、上記のような高信頼性が得られるようになり、
これが大きな特徴である。As described above, the semiconductor device of the present invention uses the epoxy resin (component A) having a special skeleton structure and the special epoxy resin composition containing the novolak type curing agent represented by the general formula (I). TCT
The characteristics evaluated by the test are improved and the life is extended.
Also, no package crack occurs during solder immersion after moisture absorption. In particular, high reliability as described above is obtained in a large semiconductor device having 8 pins or more, especially 16 pins or more, or a semiconductor element having a long side of 4 mm or more by sealing with the special epoxy resin composition. To be able to
This is a major feature.
つぎに、実施例について比較列と併せて説明する。 Next, examples will be described together with comparative columns.
まず、実施例に先立つて、下記の第１表に示すシリコ
ーン化合物ａ〜ｆを準備した。First, prior to Examples, silicone compounds a to f shown in Table 1 below were prepared.
〔実施例１〜26、比較例１〜３〕 上記第１表に示したシリコーン化合物および下記の第
２表に示した各成分を、第２表に示す割合で配合し、ミ
キシングロール機（温度100℃）で３分間溶融混練を行
つた。つぎに、これを冷却固化した後、粉砕して目的と
する粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。 [Examples 1 to 26, Comparative Examples 1 to 3] The silicone compounds shown in Table 1 above and the components shown in Table 2 below were blended in the proportions shown in Table 2 and mixed on a mixing roll machine (temperature (100 ° C.) for 3 minutes. Next, this was cooled and solidified, and then pulverized to obtain a desired powdery epoxy resin composition.
以上の実施例および比較例によつて得られた粉末状エ
ポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフアー
形成（条件:175℃×２分,175℃×５時間後硬化）するこ
とにより半導体装置を得た。このパツケージは80ピンQF
P（クワツドフラツトパツケージ，サイズ:20×14×2m
m）であり、ダイパツドサイズは８×8mmである。 Using the powdered epoxy resin compositions obtained according to the above Examples and Comparative Examples, a semiconductor device is formed by transfer forming a semiconductor element (conditions: 175 ° C. × 2 minutes, 175 ° C. × 5 hours post-curing). I got This package is 80-pin QF
P (quad flat package, size: 20 x 14 x 2m
m) and the die pad size is 8 × 8 mm.
このようにして得られた半導体装置について、−50℃
/5分〜150℃/5分のサイクル数を変えてTCTテストを行い
パツケージクラツクの発生数を測定した。また、85℃/8
5％RHの恒温槽中に吸湿時間を変え放置して吸湿させた
後に、260℃の半田溶融液に10秒間浸漬する試験を行
い、パツケージクラツクの発生数を測定した。これらの
結果を下記の第３表に示した。The semiconductor device obtained in this manner was subjected to −50 ° C.
The TCT test was performed while changing the number of cycles from / 5 minutes to 150 ° C./5 minutes, and the number of package cracks was measured. 85 ℃ / 8
After leaving it in a 5% RH constant-temperature bath for various periods of moisture absorption to allow it to absorb moisture, a test was conducted in which it was immersed in a 260 ° C. solder melt for 10 seconds, and the number of package cracks generated was measured. The results are shown in Table 3 below.
第３表の結果から、比較例品はTCTテストではサイク
ル数が多くなるにつれてパツケージクラツクが発生し、
また半田浸漬時の耐クラツク性テストでは吸湿時間が48
時間で全てパツケージにクラツクが生じた。これに対し
て、実施例品はTCTテストおよび半田浸漬時の耐クラツ
ク性テストの両テストにおいて比較例品に比べてクラツ
クの発生数が少なかつた。このことから、実施例品はTC
Tテストおよび半田浸漬時の耐クラツク性の双方に優れ
ていることがわかる。 From the results in Table 3, the package cracks occur in the comparative example product as the number of cycles increases in the TCT test.
In the crack resistance test during solder immersion, the moisture absorption time was 48
All packages cracked over time. On the other hand, in the example product, the number of generated cracks was smaller than in the comparative example product in both the TCT test and the crack resistance test during solder immersion. From this, the example product is TC
It can be seen that both the T test and the crack resistance during solder immersion are excellent.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 中村 ▲吉▼伸 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 吉田 司 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−235918（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−189326（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−96929（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−96928（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−220219（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−21627（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08L 63/00 - 63/10 H01L 23/29 C08G 59/20 - 59/32 C08G 59/62 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI H01L 23/31 (72) Inventor Nakamura ▲ Yoshi ▼ Shin 1-2-1 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation (72) Inventor Tsukasa Yoshida 1-1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation (56) References JP-A-2-235918 (JP, A) JP-A-2-189326 (JP, A) JP-A-4-96929 (JP, A) JP-A-4-96928 (JP, A) JP-A-3-220219 (JP, A) JP-A-3-21627 (JP, A) (58) Survey Field (Int.Cl. 6 , DB name) C08L 63/00-63/10 H01L 23/29 C08G 59/20-59/32 C08G 59/62
Claims (10)
キシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導
体装置。 （Ａ）ナフトールから誘導される構造単位を１分子中に
１個以上含むノボラツク型ポリグリシジルエーテル。 （Ｂ）下記の一般式（Ｉ）で表されるノボラツク硬化
剤。 〔上記一般式（Ｉ）において、ＸはＨまたはCH3であ
る。また、２≦ｍ≦50である。〕 （Ｃ）無機質充填剤。1. A semiconductor device comprising a semiconductor element encapsulated with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). (A) A novolak-type polyglycidyl ether containing one or more structural units derived from naphthol in one molecule. (B) A novolak curing agent represented by the following general formula (I). [In the above general formula (I), X is H or CH 3 . Also, 2 ≦ m ≦ 50. (C) Inorganic filler.
体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）ナフトールから誘導される構造単位を１分子中に
１個以上含むノボラツク型ポリグリシジルエーテル。 （Ｂ）下記の一般式（Ｉ）で表されるノボラツク硬化
剤。 〔上記一般式（Ｉ）において、ＸはＨまたはCH3であ
る。また、２≦ｍ≦50である。〕 （Ｃ）無機質充填剤。2. An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, comprising the following components (A) to (C). (A) A novolak-type polyglycidyl ether containing one or more structural units derived from naphthol in one molecule. (B) A novolak curing agent represented by the following general formula (I). [In the above general formula (I), X is H or CH 3 . Also, 2 ≦ m ≦ 50. (C) Inorganic filler.
リシジルエーテルが、下記の一般式（IV）で表されるノ
ボラツク型ポリグリシジルエーテルである請求項（２）
記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 3. The novolak-type polyglycidyl ether as the component (A) is a novolak-type polyglycidyl ether represented by the following general formula (IV).
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the above.
が０≦ｎ≦10の範囲に、繰り返し数ｍが１≦ｍ≦20の範
囲に、かつ上記繰り返し数ｎと繰り返し数ｍとの和（ｎ
＋ｍ）が２≦（ｎ＋ｍ）≦20の範囲にそれぞれ設定され
ている請求項（３）記載の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。4. In the above formula (IV), the number of repetitions n
Is in the range of 0 ≦ n ≦ 10, the repetition number m is in the range of 1 ≦ m ≦ 20, and the sum of the repetition number n and the repetition number m (n
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein (+ m) is set in a range of 2 ≦ (n + m) ≦ 20.
リシジルエーテルが、下記の構造式で表されるものであ
る請求項（３）または（４）記載の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。 5. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein the novolak type polyglycidyl ether as the component (A) is represented by the following structural formula.
ジルエーテルが、ナフトールとクレゾールをアルデヒド
成分を介して反応させてナフトール−クレゾール縮合体
を作製し、これをエピクロルヒドリンと反応させること
により得られたものであって、上記ナフトールとクレゾ
ールの縮合度が２〜５の範囲である請求項（２）〜
（５）のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。6. The novolak type glycidyl ether as the component (A) is obtained by reacting naphthol and cresol via an aldehyde component to produce a naphthol-cresol condensate and reacting it with epichlorohydrin. Wherein the degree of condensation between the naphthol and cresol is in the range of 2 to 5.
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of (5).
かつクレゾールがｐ−クレゾールである請求項（６）記
載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。7. The naphthol is α-naphthol,
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 6, wherein the cresol is p-cresol.
が、下記の構造式で表されるものである請求項（２）〜
（７）のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。 8. The novolak curing agent as the component (B) is represented by the following structural formula:
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of (7).
しくはその長辺が4mm以上のものである請求項（１）記
載の半導体装置。9. The semiconductor device according to claim 1, wherein said semiconductor element has a size of 8 pins or more or a long side of 4 mm or more.
もしくはその長辺が4mm以上のものである請求項（１）
記載の半導体装置。10. The semiconductor device according to claim 1, wherein the size of the semiconductor element is 16 pins or more or its long side is 4 mm or more.
13. The semiconductor device according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28240690A JP2899096B2 (en) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28240690A JP2899096B2 (en) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155940A JPH04155940A (en) | 1992-05-28 |
| JP2899096B2 true JP2899096B2 (en) | 1999-06-02 |
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ID=17651999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28240690A Expired - Lifetime JP2899096B2 (en) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2899096B2 (en) |
-
1990
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04155940A (en) | 1992-05-28 |
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