JPS63277711A - 磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、磁気特性に優れた一方向性けい素ｗｌＩ板
の製造方法に関し、磁気特性中でも磁束密度の有利な改
善を図ろうとするものである。

（従来の技術） 主として変圧器等の鉄心材料として用いられる一方向性
けい素鋼板に要求される特性は、一定の磁化力において
得られる磁束密度が高いこと、および一定の磁束密度を
与えた場合にその鉄損が低いことである。通常これらの
代表値としては、磁化力８００Ａ／ｍにおける磁束密度
Ｂｓ（Ｔ：テスラ）および磁束密度１．７０Ｔ、周波数
５０Ｈｚにおける鉄Ｉ員Ｗｌ’ｌ／Ｓ。（Ｗ／ｋｇ）が
１采用されている。

これらの両特性を含む磁気特性を向上させるためには、
現在まで多くの研究がなされ、特に素材の成分、熱間お
よび冷間圧延法、熱処理方法等の改善によってそれぞれ
少なからざる成果が得られている。

従来の一方向性けい素鋼板は、通常Ｓｉ：２．５〜４．
５ｗｔＸ（以下単にχで示す）を含む低炭素鋼に微量の
Ｍｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、＾Ｉ、ＮおよびＢ等のイ
ンヒビター形成元素を添加した素材を熱間圧延した後、
１回もしくは中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延を経て
、該冷延鋼板に脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施し、し
かるのち最終仕上げ焼鈍工程において２次再結晶処理を
施すことによって２次再結晶粒を（１１０）＜００１＞
方位に高度に集積させると共に、引き続く純化焼鈍によ
って鋼板中の不純物を除去することにより良好な磁気特
性を得ている。

この際、２次再結晶粒の方位が［０）　＜００１＞へ集
積するほど鋼板の磁束密度は高くなるが、一方で巨大な
２次粒と成り易く、粒内の磁区幅が増し、渦流損の増加
により鉄損特性が劣化する傾向にあった。そこで２次粒
を微細化することを目的とした努力が種々施され、例え
ば特開昭６０−８９５２１号公報では、再結晶促進域と
遅滞域を交互に設け２次粒の核発生を増しかつ成長を阻
止することで２次粒の微細化を図り鉄損を向上させる方
法が提案されている。しかしながら、近年物理的な局所
束の導入による磁区細分化技術の確立により、とくに２
次粒を微細化せずとも低鉄損が得られるようになったた
め、技術開発の方向は、磁束密度の向上に傾いている。

この点、特公昭５Ｂ−５０２９５号公報では、２次再結
晶時に一方向の温度勾配を与え、（１１０）　＜００１
＞方位の２次粒を選択成長させることで高い磁束密度を
得る方法が開示されている。しかしながらこの方法は温
度制御が極めて難しいことから実用的とは言い難い。

（発明が解決しようとする問題点） この発明は、上記の問題を有利に解決するもので、とく
に煩雑な温度制御などを行う必要なしに、（１１０）　
＜００１＞方位の２次粒を優先的に選択成長させること
によって容易に高い磁束密度を得ることができる一方向
性けい素鋼板の有利な製造方法を提案することを目的と
する。

（問題点を解決するための手段） さて発明者らは、上記の問題を解決すべく鋭意研究を重
ねた結果、とくに２次再結晶時における温度勾配を制御
しなくとも、鋼板の２次再結晶開始温度を制御してやれ
ば、゛（１１０）　＜００１＞方位の２次粒を優先的に
選択成長させることができ、ひいては高い磁束密度が得
られることの知見を得た。

この発明は、上記の知見に立脚するものである。

すなわちこの発明は、含けい素鋼スラブを、熱間圧延し
、ついで１回または中間焼鈍を挾む２回以上の冷間圧延
を施して最終板厚としたのち、脱炭・１次再結晶焼鈍を
施し、その後鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布してからコイ
ルに巻取り、しかるのち２次再結晶焼鈍ついで純化焼鈍
を施す一連の工程によって一方向性けい素鋼板を製造す
るに当り、上記の焼鈍分離剤塗布工程において、焼鈍分
離剤中にＳおよびＳｅならびにそれらの化合物のうちか
ら選んだ少なくとも一種を含有させるものとし、該分離
剤中のＳおよび／またはＳｅの濃度が０゜０１％以上異
なる領域を連続的および／または段階的に形成させるこ
とから成る、磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製
造方法である。

以下この発明を具体的に説明する。

まずこの発明の解明経緯について説明する。

従来、鉄損低域のために２次粒の微細化を図るべく２次
粒の核発生頻度を高（すると、（１１０）＜ｏｏｉ＞方
位からのずれが増すため、磁束密度の低下が避けられな
かったが、２次再結晶処理を焼鈍温度の均一保定処理と
することで（１１０）　＜００１＞方位を優先的に核発
生させることができ、かくして磁束密度を損わずに２次
粒の微細化を可能にしてきた。磁束密度を向上させるに
あたり、優先的に（１１０）　＜００１＞　　方位を核
発生させたのち、更に他方位粒に対し選択的に成長させ
ることで（１１０）＜００１＞方位に高度に集積した磁
束密度の高い２次回結晶組織が得られる。

しかしながら従来の一方向性けい素鋼板では、２次粒の
核発生頻度が高いため（１１０）　＜００１＞方位粒を
十分に選択成長させることはできなかった。

この点、発明者らの研究　により鋼板内で（１１０）＜
００１＞方位の核発生時期を局所的にずらすことで、先
に発生した（１１０）　＜００１＞方位粒を選択的に成
長させことができ、かくして磁束密度の極めて高い２次
再結晶Ｍｉ織が得られることが究明されたのである。

一方向性けい素鋼板の２次再結晶開始温度は、通常８０
０〜１１００°Ｃの範囲にあるが、その成分、製造工程
により鋼板固有の温度が決まる。ここで２次再結晶開始
温度は、最終冷延後、脱炭・１次再結晶焼鈍板を一定温
度で１０ｈ保持したときの、２次再結晶粒の発生した温
度を指標として用いている。通常、この２次再結晶開始
温度以上の温度での焼鈍を長時間行うことで２次再結晶
を完了させることができるが、この発明では、２次再結
晶焼鈍に先たち、製造条件に工夫を加えて、該鋼板の２
次再結晶開始温度が鋼板内で１０’Ｃ以上、２００°Ｃ
以内の温度差をもつようにし、まず２次再結晶温度の低
い領域から優先的に（１１０）　＜ｏｏｌ＞方位の２次
粒を発生させ、引続き他領域において２次粒が発生する
前に上記＋１１０）　＜００１＞方位の２次粒によって
蚕食させて巨大に粒成長せしめることで２次再結晶を完
了させることが大きな特徴である。この際２次再結晶粒
の大きさは、２次再結晶温度の分布状態に依存するため
、鋼板の２次再結晶温度の温度差を制御することにより
高磁束密度を維持したまま２次再結晶組織の制御も可能
となる。

ここに製造工程において２次再結晶開始温度を制御する
方法としては、種々考えられるが、この発明では焼鈍分
離剤の成分およびその塗布のし方に着目し、研究を重ね
た。

その結果、上記のように２次再結晶開始温度を鋼板内で
１０″Ｃ以上２００’Ｃ以内の温度差をつける方法とし
ては、焼鈍分離剤中にＳおよびＳｅならびにそれらの化
合物のうちから選んだ少なくとも一種を含有させ、この
焼鈍分離剤を塗布する際、分離剤中のＳおよび／または
Ｓｅの濃度が０．Ｏ１％以上異なる領域を連続的および
または段階的に形成させることが極めて有効であること
が究明されたのである。

すなわち鋼板の幅方向または長手方向に、分離剤中のＳ
および／またはＳｅの含有濃度が異なる領域を連続的お
よび／または段階的に形成させることによって、２次再
結晶開始温度が相違する領域を形成させ、Ｓおよび／ま
たはＳｅの濃度の高い、２次再結晶開始温度の低い領域
から優先的に、（１１０）　＜００１＞方位の２次粒を
発生させ、Ｓおよび／またはＳｅ濃度の低い、２次再結
晶開始温度の高い領域からの２次粒が発生する前に上記
（１１０）＜００１＞方位の２次粒によって蚕食させる
ことによって巨大に粒成長せしめることで所望方位の２
次再結晶を幅方向と長手方向に完了させることができ、
ここに分離剤中のＳおよびＳｅ濃度差が０．０１２以上
のときに、上記鋼板表面で所定の２次再結晶開始の温度
差が確保されるのである。

かような濃度差の付与方法としては、まずＭｇＯを主体
とする焼鈍分離剤を塗布し、乾燥する前に、Ｓ／Ｓｅお
よび／またはそれらの化合物を目的に応じて、板幅方向
または長手方向に連続的および／または段階的に、散布
する等の方法が好ましい。

次にこの発明法を、製造工程順に具体的に説明する。

まずこの発明の出発素材については、従来公知の一方向
性けい素鋼板の成分たとえば、Ｃ：　０．００５〜０．
１５％、Ｓｉ　：　０．１〜７．０％およびＭｎ　：　
０．００２〜０．１５％を含有する他、インヒビター形
成成分として、Ｓ　：　０．００５〜０．０５％、Ｓｅ
　：　０．００５〜０．０５％、Ｔｅ　：　０．００３
〜０．０３％、Ｓｂ　：　０．００５〜０．０５％、Ｓ
ｎ：０．０３〜０．５％、Ｃｕ　：　０．０２〜０．３
％、Ｍｏ　：　０．００５〜０．０５％、Ｂ　：　０．
０００３〜０．００４０％、Ｎ　：　０．００１〜０．
０１％、＾ｌ　：　０．００５〜０．０５％およびＮｂ
　：　０．００１〜０．０５％のうちから選んだ少なく
とも一種を含有する素材いずれもが有利に適合する。

これらの素材は従来公知の製鋼法、たとえば転炉、電気
炉で製鋼され、さらに造塊−分塊法、連続鋳造法、また
はロール急冷法などによってスラブ、シートバーあるい
は直接薄鋼板としたのち、必要に応じて熱間圧延、温間
又は冷間圧延によって含けい素鋼板とする。ついで必要
に応じて均一化焼鈍、さらには中間焼鈍を挟む１回以上
の圧延により最終板厚に仕上げる。これら均一化焼鈍お
よび中間焼鈍は圧延後の結晶組織を均質化する再結晶処
理を目的としていて、通常は８００〜１２００’Ｃで３
０秒〜１０分間保持して行う。また仕上げ厚は０．５０
ｍ＋ｎ以下とするが２次再結晶が不安定となる０、２３
Ｍ以下の薄仕上げ厚においてこの発明は特に有効である
。

次に湿水素中で７００〜９００°Ｃ１１〜１５分間程度
の焼鈍を施して鋼中Ｃを除去するとともに、次の焼鈍時
にゴス方位の２次再結晶粒を達成させるのに有利な一次
再結晶集合組織を形成させる。

ついで焼鈍分離剤を塗布するわけであるが、このとき分
離剤中のＳおよび／またはＳｅ’ｆｊＪ度が０．０１％
以上異なる領域を、鋼板の幅方向ないし長手方向にわた
って連続的および／または段階的に形成させることが肝
要である。

ついで２次再結晶が開始する最低温度から２次再結晶が
完了する温度まで（通常８００〜１ｉｏｏ″Ｃ）にわた
って、１０°Ｃ／ｈ以下の昇温速度で加熱するか、また
は２次再結晶が開始する最低温度域において２次再結晶
が完了するまで均一に保持する２次再結晶焼鈍を施す。

ここに昇温速度を１０°Ｃ／ｈ以下に限定したのは、昇
温速度が１０’Ｃ／ｈを超えると２次再結晶粒が充分に
蚕食せず成長しないために（１１０）　＜００１＞方位
への集積度が低下する不利が生じるからである。

しかるのち乾水素雰囲気中で１１００〜１２５０”Ｃ１
５〜２５ｈ程度の純化焼鈍を施す。

かかる一連の処理を施すことによって磁気特性の効果的
な向上を図ることができるが、この発明では、純化焼鈍
後、鋼板表面に張力付与型の極薄被膜を被成することに
よって磁気特性のより一層の向上を図ることもできる。

かかる極薄被膜を被成するためには、まず純化焼鈍後の
鋼板表面の非金属物質を除去後、化学研磨あるいは電解
研磨を施して鋼板表面の平滑度を中心線平均粗さＲａで
０．４μｍ以下とする。というのはこれ以上の粗さでは
、次に続く極薄被膜付与によっても鉄損の改善効果が望
めないからである。

ついでＣＶＤ法やＰＶＤ法（イオンブレーティングやイ
オンインブランティジョン）などの蒸着法によって、Ｔ
ｉ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｖ＋ＣｒｔＡＩ、Ｍｎ、Ｂ＋Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｍｏ、Ｚｒ、　Ｔａ。

Ｈｆ、Ｗの窒化物および／又は炭化物なにびにＡＩ＋Ｓ
ｉ＋Ｍｎ、　Ｍｇ＋　Ｚｎ、Ｔｉの酸化物のうちから選
んだ少くとも１種より主として成る極薄被膜を鋼板表面
に強固に被成するのである。

なおかかる被膜の材質としては、玉揚したもののほか、
熱膨張係数が低←鋼板に強固に付着するものであれば何
であってもよい。

さらに必要により常法に従って好ましくは張力付与型低
熱膨張の上塗り絶縁被膜を被成し、ときにはさらに、レ
ーザー照射、プラズマジェット照射、放電加工、けがき
法およびボールペン加工法等の磁区細分化技術を適用す
る。

（作　用） この発明に従い、鋼板の幅方向または長手方向にわたっ
て連続的および／または段階的に、焼鈍分離剤中のＳお
よび／またはＳｅの濃度を変化させることによって、２
次再結晶の開始温度を異ならせることができ、かくして
まず２次再結晶開始温度が低い領域から優先的に（１１
０）　＜００１＞方位の２次粒を発生させ、他方２次再
結晶開始温度が高い領域においては２次粒が発生する前
に上記（１１０）＜００１＞方位の２次粒によって蚕食
されるので、（１１０）　＜００１＞方位に高度に揃っ
た集合組織が形成され、ひいては高い磁束密度が得られ
ることになる。

第１図ａ〜ｈに、この発明に従う好適なＳおよび／また
はＳｅの散布状態ひいては２次再結晶開始温度（Ｔｓ＊
）の分布状態を図解する。

第１図中ａ　”−ｃは、Ｓ、５ｅｅＡ度を連続的に変化
させた場合、同ｄ−ｆは段階的に変化させた場合、同ｇ
、ｈは連続的および段階的に変化させた場合である。

ここにＳ、Ｓｅｅ度を段階的に変化させる場合、隣接す
る領域の濃度差は０．０１％以上とする必要があること
は前述したとおりであるが、Ｓ、Ｓｅ濃度を連続的に変
化させる場合は、単位長さ１０ｃｍ当り０．００５％以
上の濃度勾配とすることが好ましい。

（実施例） 実施例Ｉ Ｃ：　０．０４０％、　Ｓｉ　：　３．３５％、　Ｍｎ
　：　０．０７％、Ｓｅ：０．０２０％およびＳｂ　：
　０．０２５％を含む組成に調整した溶鋼を、スラブと
したのち、１４００″Ｃで加熱均熱後、２．２　ｍｍ厚
の熱延板とし、ついで中間焼鈍を挟む２回冷延法により
０．２２ｍｍＪ！７．の冷延板とした。次に脱脂後、湿
水素中で８３０°Ｃ，３分の脱炭・１次再結晶焼鈍を施
し、ＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布乾燥した後
、８００〜９００°Ｃ間を３°Ｃ／ｈの昇温速度で昇熱
後、Ｈ２雰囲気中で１２００”Ｃ、１０１１の純化焼鈍
を施した。ここに上記の焼鈍分離剤塗布工程においてＭ
ｇＯを主成分とする焼鈍分離剤の塗布後、乾燥前に、硫
酸マグネシウムをコイル両端部のｓｌが３．０％、他方
中央部におけるＳｉが０％と連続して濃度が増すように
散布した。その後直ちに乾燥させ、２０時間保定後の２
次再結晶開始温度を調べたところ、分離剤中のＳｉ３．
０％の板幅端部は８５９°Ｃ１板幅中央部は８８６°Ｃ
であった。

かくして得られた一方向性けい素鋼板の磁気特性Ｂ、（
Ｔ）について調べた結果は以下のとおりであった。

なお比較のため、硫酸マグネシウムを散布しない通常の
工程によって製造した製品板についての調査結果も併せ
て示す。

Ｂｓ（Ｔ） 実施例　１．９６７ 比較例　１．９１０ 実施例２ Ｃｉ　Ｏ，０５４％、Ｓｔ　：　３．２８％、Ｍｎ　：
　０．０８７％、Ｓ：　０．０２８％、Ｓｏｌ　Ａｌ　
：　０．０３３％およびＮ　：　０．００８０％を含有
する組成になる２、４閣厚の熱延板を１０００°Ｃ１２
分焼鈍後、酸洗し、次いで０．２７ｍｍ厚に冷延した後
、脱脂し、湿水素中で脱炭・１次再結晶焼鈍後、ＭｇＯ
を主成分とする焼鈍分離剤を塗布したのち、９００°Ｃ
までは３０°Ｃ／ｈ、　９００°Ｃからは７°Ｃ／ｈの
昇温速度で１１００°Ｃまで昇熱後、水素雰囲気中で１
２００°Ｃ，１０ｈの純化焼鈍を施した。

上記の焼鈍分離剤塗布工程においてＭｇＯを主成分とす
る分離剤を塗布したのち、直ちに硫酸ストロンチウムを
、板幅方向端部では分離剤中のｓｌが５．０％もう一方
の端部のｓｌが０％になるように散布後、乾燥した。２
０時間保定して２次再結晶開始温度を調査したところ、
分離剤中の５ｆｆ１５％の端部は９８３°Ｃ，Ｓ量Ｏ％
の他端部は１０９５°Ｃであった。

かくして得られた製品板の磁気特性Ｂ　ａｃ’ｒ　）に
ついて調べた結果を以下に示す。なお常法に従って得た
製品板についての調査結果も併せて示した。

Ｂ、（Ｔ） 実施例　１．９８９ 比較例　１．９３５ 実施例３ Ｃ：　０．０４６％、Ｓｔ　：　３．４３％、Ｍｎ　：
　０．０８２％、Ｓ：　０．０１８％、Ｓｅ　：　０．
０２６％、Ｓｂ　：　０．０１８％およびＳｎ　：　０
．０３５％を含む組成になる２、７Ｍ厚の熱延板を、９
３５°Ｃ１２分の焼鈍後、酸洗し、０．７５ｍｍ厚に中
間冷延し、９５０　’Ｃ２分の中間焼鈍後、０．３０ｍ
ｍ厚に冷延したのち、脱脂後、湿水素中で脱炭・１次再
結晶焼鈍を施し、ついでＭｇＯを主成分とする焼鈍分離
剤を塗布乾燥したのち、８４９　’Ｃ１４０ｈの保後、
９００″Ｃまでを７．５°Ｃ／ｈの昇温速度で加熱した
のち、水素雰囲気中で１２００”Ｃ，１０ｈの純化焼鈍
を施した。

上記焼鈍分離剤塗布工程においてＭｇＯを主成分とする
分離剤を塗布後、直ちに硫化鉄と無水セレン酸を、板幅
８０鴫の板幅方向両端部１００ｍｍ　　は５ｆＳｅ量を
１．６％に、残る板幅方向１／４と３／４の２００Ｍは
０．４５％に、残る中心部２００鵬は０％になるよう段
階的に散布したのち、直ちに乾燥した。

４０時間保定したときの２次再結晶開始温度を調べたと
ころ、分離剤中のＳ＋Ｓｅｉが１．６％の端部は８４９
　”Ｃ１残る板幅１／４と３７４部は８６２°ｃで、中
央部は８８６°Ｃであった。

かくして得られた製品板の磁気特性Ｂ、（Ｔ）値につい
て調べた結果を以下に示す。なお比較のため、硫化鉄や
無水セレン酸を散布しない通常の工程によって製造した
製品板についての調査結果も併せて示した。

Ｂ、（Ｔ） 実施例　１．９７７ 比較例　１．９０５ 実施例４ Ｃ：　０．０４％、Ｓｉ　：　３．３８％、Ｍｎ　：　
０．０７５％、Ｓ：０．０２３％、Ｔｅ　：　０．０２
２％およびＳｂ　：　０．０２８％を含む組成に調整し
た溶鋼をスラブとしたのち、１３８０°Ｃで加熱均熱後
、２．２調厚の熱延板とし、ついで中間焼鈍を挟む２回
冷延法によって０．１９ｍｍ厚の冷延板とした。次に脱
脂後、湿水素中で８３５℃、２分の脱炭、１次再結晶焼
鈍を施し、ＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布乾燥
した後、８００〜９２５°Ｃ間を５°Ｃ／ｈの昇温速度
で昇熱後、Ｈ２雰囲気中で、１２００°Ｃ１１０ｈの純
化焼鈍を施した。ここに上記の焼鈍分離剤の塗布後、乾
燥前に硫酸銅を板幅方向の中央部１／３のＳ量が０％、
板幅方向１７３部および２７３部から両端部にかけては
連続的にＳｌを増加させ、両端部のＳ量が４％になるよ
うに散布した。その後直ちに乾燥させ、２０時間保定後
の２次再結晶開始温度を調べたところ、分離剤中のｓｌ
が０％の板幅中央部は９０１”Ｃ，Ｓ量が４％の板幅両
端部は８３５°Ｃであった。

か（して得られた一方向性けい素鋼板の磁気特性Ｂａ（
Ｔ）について調べた結果は以下のとおりであった。

なお比較のため、硫酸銅を散布しない通常の工程によっ
て製造した製品板についての調査結果も併せて示す。

Ｂ１１（Ｔ） 実施例　１．９７３ 比較例　１．８９１ 実施例５ Ｃ：　０．０５４％、Ｓｉ　：　３．２８％、Ｍｎ　：
　０．０８７％、Ｓ：　０．０２８　　％、Ｓｎ　：　
０．０３８　　％、　　５ｏｌＡｌ　　：　０．０３３
　　％およびＮ　：　０．００８０％を含有する組成に
なる２、０胴厚の熱延板を、１０２５°Ｃ１１分焼鈍後
、酸洗し、次いで０．１９ｍｍ厚に冷延した後、脱脂し
、湿水素中で脱炭、１次再結晶焼鈍後、Ｍｇｏを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布したのち、９５０″Ｃまでは３
０°Ｃ／ｈ、９５０゛Ｃからは５°Ｃ／ｈの昇温速度で
１１００″Ｃまで昇熱後、水素雰囲気中で１２００°Ｃ
１１０ｈの純化焼鈍を施した。

上記の焼鈍分離剤塗布工程において、？ｔｇＯを主成分
とする分離剤を塗布したのち、直ちにセレンを板幅方向
の一端部を２．０％、板幅方向の１７３のところのＳｅ
ｉを１．０％になるように連続的に濃度を減少し、さら
に板幅方向１／３〜２／３は１．０％のまま、残る２／
３からもう一方の板幅端部にかけてはＳｅ量が０％にな
るように連続的に濃度を減じて散布した。さらに硫酸マ
グネシウムを、長手方向にＳＮが２．０％から板幅長の
ところで０％になるように連続して濃度が減少するよう
に散布し、直ちに乾燥した。

２０時間保定して２次再結晶開始温度を調べたところ、
板幅方向と長手方向でＳｅ＋Ｓ量が合計で４％のところ
は９８７°Ｃ，３％のところは１００４°Ｃ，２％のと
ころは１０２３°Ｃ，１％とのところは１０４６°Ｃ１
Ｏ％のところは１０７３°Ｃであった。

かくして得られた一方向性けい素鋼板の磁気特性Ｂ、（
Ｔ）について調べた結果を以下に示す。

なお比較のためにＳｅを散布しない通常の工程によって
製造した製品板についての調査結果も併せて示す。

Ｂ、（Ｔ） 実施例　１．９９９ 比較例　１．９３７ 実施例６ Ｃ：　０．０４０％、Ｓｉ　：　３．３５％、Ｍｎ　：
　０．０７０％、Ｓｅ：　０．０２０％およびＳｂ　：
　０．０２５％を含む組成になる２、２ｍｍ厚の熱延板
を、９５０’Ｃ１２分の焼鈍後、酸洗し、０．６０ｍｍ
厚に中間冷延し、９７０°Ｃ１１，５分の中間焼鈍後、
０．２２ｍｍ厚に冷延したのち、脱脂後、湿水素中で脱
炭、１次再結晶焼鈍し、ついでＭｇＯを主成分とする焼
鈍分離剤を塗布乾燥したのち、８２０〜９２５°Ｃ間を
２．５℃／ｈの昇温速度で昇熱したのち、水素雰囲気中
で工２００°Ｃ，１０ｈの純化焼鈍を施した。その後酸
洗により酸化被膜を除去し、３％ＩＩＰと１１□０□液
中で化学研摩を施して鏡面に仕上げた後、次にＣＶＤ法
によりＴｉＣ１＜　（７０％）ガス雰囲気中で処理して
鋼板表面に０．８μｍ厚のＴｉＮ被膜を形成させた。

上記焼鈍分離剤塗布工程においてＭｇＯを主成分とする
分離剤を塗布後、直ちに硫化鉄を板幅方向端部１／４は
０％に、板幅方向２／４は０．７５％に、板幅方向３／
４は１．５％に、残る他端部は２．２５％になるように
段階的に散布したのち、直ちに乾燥した。

２０時間保定後の２次再結晶開始温度を調べたところ、
分離剤中のｓｌが０％の端部１／４は９０３°Ｃ１２／
４部は８８８°Ｃ１３７４部は８７３°Ｃ１残る他端部
は８５８℃であった。

か（して得られた一方向性けい素鋼板の磁気特性Ｂ、（
Ｔ）と讐、、７．。（Ｗ／　ｋｇ）について調べた結果
は以下のとおりであった。

なお、比較のため、硫化鉄を散布しない通常の工程によ
って製造した製品板についての調査結果も併せて示す。

Ｂ、（Ｔ）　　讐　、７７、。（讐／ｋｇ）実施例　１
．９８３　０．６２ 比較例　１．８９７　０．９０ 実施例７ Ｃ：　０．０５０％、Ｓｉ　：　３．２８％、Ｍｎ　：
　０．０８７％、Ｓ：　０．０３３％およびＮ　：　０
．００８０％を含有する組成になる２、４閣厚の熱延板
を脱脂し、湿水素中で脱炭、１次再結晶焼鈍後、ＭｇＯ
を主成分とする焼鈍分離剤を塗布したのち、９４５°Ｃ
までは２７°Ｃ／ｈ、９４５°Ｃからは５°Ｃ／ｈの昇
温速度で１１００″Ｃまで昇熱後、水素雰囲気中で１２
００°Ｃ１１０ｈの純化焼鈍を施し、ついで絶縁コーテ
イング後、レーザー照射により局部歪を導入した。

上記の焼鈍分離剤塗布工程においてＭｇＯを主成分とす
る分離剤を塗布し、直ちに硫酸マグネシウムと硫酸スト
ロンチウムを、コイル一端部のｓｌが０％、他端部が２
．５％になるように連続して濃度が増すように散布した
。その後直ちに乾燥させ、２０時間保定後の２次再結晶
開始温度を調べたところ、分離剤中の８１０％の板幅端
部は１０５０°Ｃ１他端部は９７５°Ｃであった。

かくして得られた一方向性けい素鋼板の磁気特性Ｂ　、
（Ｔ　）と圓、７７、。（Ｗ／ｋｇ）について調べた結
果は以下のとおりであった。

なお比較のため、硫酸マグネシウムと硫酸ストロンチウ
ムを散布しない通常の工程によって製造した製品板につ
いての調査結果も併せて示す。

Ｂａ（Ｔ）　　ｗ　、、／、。（讐／ｋｇ）実施例　２
．０２９　０．７９ 比較例　１．９３９　１．００ （発明の効果） かくしてこの発明によれば、一方向性けい素鋼板の製造
において、焼鈍分離剤を塗布する際、該分離剤中に含ま
れるＳおよび／またはＳｅの分散濃度を調整するという
簡単な概作で、磁気特性とくに磁束密度に優れた製品板
を容易に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ−ｈはいずれも、この発明に従う好適なＳ、Ｓ
ｅの散布状態および２次再結晶開始温度（Ｔ！、Ｉ）の
分布状態を示した図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、含けい素鋼スラブを、熱間圧延し、ついで１回また
   は中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延を施して最終板厚
   としたのち、脱炭・１次再結晶焼鈍を施し、その後鋼板
   表面に焼鈍分離剤を塗布してからコイルに巻取り、しか
   るのち２次再結晶焼鈍ついで純化焼鈍を施す一連の工程
   によって一方向性けい素鋼板を製造するに当り、 上記の焼鈍分離剤塗布工程において、焼鈍 分離剤中にＳおよびＳｅならびにそれらの化合物のうち
   から選んだ少なくとも一種を含有させるものとし、該分
   離剤中のＳおよび／またはＳｅの濃度が０．０１％以上
   異なる領域を連続的および／または段階的に形成させる
   ことを特徴とする、磁気特性に優れた一方向性けい素鋼
   板の製造方法。 ２、２次再結晶焼鈍が、２次再結晶が開始する最低温度
   から２次再結晶完了温度までにわたって、１０℃／ｈ以
   下の昇温速度で加熱するものである特許請求の範囲第１
   項記載の方法。 ３、２次再結晶焼鈍が、２次再結晶が開始する最低温度
   域において、２次再結晶完了まで均一に保持するもので
   ある特許請求の範囲第１項記載の方法。