JPS63272509A - 半導体素子製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体素子製造装置に関するものであり、更
に詳述するならば、ウェハ上に形成されたチップを個々
に分割する装置に関するものである。

従来の技術 １枚のウェハ上に形成された多数のチップを個々に分割
する技術をダイシング（ｄｉｃｉｎｇ　）　　という。

分割する方法として、レーデやダイヤモンド針によりチ
ップに沿って切削溝を刻設し機械的に分割するスクライ
ビング（ｓｃｒｉｂｉｎｇ　）方式と、薄いダイヤモン
ドブレードの高速回転により深（切り込み、機械的に分
割あるいは切断時に分割可能なグイシングツ−（ｄｉｃ
ｉｎｇ　ｓａｗ　）方式とがある。

上記スクライビングあるいはダイシングによってハーフ
カットされたウェハは、機械的手段により個々のチップ
に分割される。第３図は、上記ウェハを分割する従来の
装置の構成概要図である。

図示の装置は、基台１１を備えている。基台１１の上に
は、ゴム製のマット１２が敷設されている。マット１２
の上にハーフカットされたウェハ１３を裏返しに、すな
わちウェハ１３のチップが形成されている面とマット１
２の上面とが対向するように載置する。ウェハ１３の裏
面には、あらかじめテープ１５を貼付しておく。テープ
１５は、ウェハ１３が分割されても離散することなく、
各チップが元の位置関係を保持するように使用されるも
のである。

次に、円筒棒状のローラ１４の側面をウェハ１３の裏面
から押し当てながら回転運動をさせて、ウェハ１３を分
割する。分割されたウェハの各チップは、テープ１５上
で分離されたチップは、必要に応じて適宜切断されて使
用に供される。

このように、全体形状が円形のウェハの上に形成された
チップを分割する従来の装置では、基台上に載置された
弾力性に富むゴム製マットが支持するウェハを、円筒棒
状のローラで押圧して分割していた。押圧されたウェハ
及びマットは、下に凸な曲面状に変形する。そのため、
１方向にしかウェハを割ることしかできず、ＸとＹの２
方向にスクライビングされているウェハを、ＸｌＹ両方
向に割るためには、２度の処理が必要であった。

更に、上記円筒棒状のローラの回転運動により得られる
押圧面は平面状であり、一方、ウェハの周辺部はＳｉＮ
膜のような膜が残っている場合が多く中央部より厚くな
っているため、ウェハの周辺部に中央部より大きな押圧
力が作用されることになる。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来の半導体素子製造装置では、円形状
ウェハの一部に過剰な押圧力がかかり、チップに欠けが
生じたり配線が損傷を受けたりするという問題があった
。こうした問題を回避するには、押圧力の調整が必要と
なり装置が高価になるという問題があった。また、ＸＳ
７両方向に割るためには、２度の処理が必要であった。

そこで、本発明は、ウェハの一部に過剰な押圧力を与え
ることなく、且つ１度の処理で、正確に分割可能な半導
体素子製造装置を提供せんとするものである。

問題点を解決するための手段 すなわち、本発明によるならば、可撓性を有するマット
と、該マットをほぼ水平に支持する手段と、凸球面部を
有する上下動自在な押圧手段と、該押圧手段を上下に駆
動する手段とを備え、上記マットに載置されたウェハの
裏面に上記押圧手段の凸球面部を押圧して、該ウェハを
個々のチップに分割することを特徴とする半導体素子製
造装置が提供される。

本発明の好ましい態様によるならば、上記マットは、円
形であり、更に好ましくは、ゴム製である。

また、本発明の好ましい態様によるならば、上記押圧手
段は、上記支持手段に鉛直に植設された少なくとも３本
のロッドと、該ロッドに支持され凸球面部を有する押圧
板とからなり、上記凸球面部は、上記ウェハより実質的
に大きい。

作用 以上のように、本発明の半導体素子製造装置では、可撓
性を有するマット上に置かれたウェハの裏面に凸球面部
を所要の圧力で押圧する。押圧されたウェハは、マット
とともに上記凸球面部と整合する凹球面状、すなわち下
に凸な球面状に変形する。このように、可撓性を有する
マット上に支持されたウェハが押圧面と整合するように
変形するので、ウェハは中央部から割れ始め、そして、
割れた部分にはそれ以上の力が作用しない。従って、ウ
ェハの周辺部はＳｉＮ膜のような膜が残っているために
中央部より厚くなっている場合でも、ウェハは中央部か
ら割れ始めるので、いきなり周辺部に中央部より大きな
押圧力が作用することはなく、ハーフカットされたウェ
ハの上の各チップには、同程度の所要の押圧力が作用し
ながら、中央部から周辺部に向かって順次別れてゆく。

それ故、チップに損傷が発生することなく、ウェハを正
確に且つ１度の処理で分割することができる。

周辺支持された円形のゴム製マットを使用すれば、押圧
されるウェハも円形であり且つマットが可撓性に富みウ
ェハの変形に容易に追随できるため、各チップに載荷さ
れる押圧力はより一様となり、分割による損傷の発生を
回避することができる。

実施例 以下添付図面を参照して、本発明の半導体素子製造装置
の実施例を説明する。

第１図は、本発明の半導体素子製造装置の１実施例の構
成概要図である。

図示の装置は、円形板状のゴム製マット２を備えている
。マット２は、リング状の基台１に周辺支持されている
。基台１の上端面には、少なくとも３本、例えば４本の
ロッド５が鉛直に植設されている。ロッド５には、円形
板状の押圧板６が水平に横架されている。押圧板６は下
方面に凸球面部７を有し、上記ロッド５に沿って上下動
自在に構成されている。

以上のように構成される本発明の半導体素子製造装置は
、次のように動作する。

表面保護テープ８を介して、ウェハ３を裏返しに、すな
わちウェハ３のチップが形成されている面がテープ８の
上面と対向するようにマット２に載置する。ウェハ３の
裏面にはテープ９が密着されている。

次に、押圧板６を図示を省略した駆動手段によって下方
に移動させ、ウェハ３の裏面に凸球面部７を押圧する。

凸球面部７で押圧されたウェハ３は、ゴム製マット２と
接したまま下に凸な球面状に変形する（第２図）。この
結果、ウェハは中央部から割れ始め、割れが周辺に拡が
ってゆく一方、割れた部分にはそれ以上の力が作用しな
い。従って、ウェハの周辺部はＳｉＮ膜のような膜が残
っているために中央部より厚くなっている場合でも、ウ
ェハ３の上に形成された個々のチップには同程度の圧力
がかかり、チップに損傷が発生することなく、Ｘ、Ｙ両
方向に一度で正確に分割することができる。

発明の効果 以上詳しく説明したように、本発明の半導体素子製造装
置では、周辺支持された可撓性を有するマットの上に置
かれたウェハの裏面に凸球面部を押圧して、ウェハ上に
形成された多数のチップを個々に分割する。したがって
、ウェハの上に形成された各チップには同程度の押圧力
がかかり、チップに損傷が発生するのを回避することが
できる。

この結果、ウェハを正確に分割することができ歩留りは
向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の半導体素子製造装置の１実施例の構
成概要図であり、 第２図は、第１図の装置において、押圧されたウェハが
変形する様子を示す図であり、第３図は、従来の半導体
素子製造装置の構成概要図である。 （主な参照番号） １・・基台、　　　　　　２・・マット、３・・ウェハ
、　　　　　５・・ロッド、６・・押圧板、　　　　　
７・・凸球面部、８・・表面保護テープ、９・・テープ
、１１・・基台、　　　　　１２・・マット、１３・・
ウェハ、　　　　１４・・ローラ、１５・・テープ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）可撓性を有するマットと、該マットをほぼ水平に
   支持する手段と、凸球面部を有する上下動自在な押圧手
   段と、該押圧手段を上下に駆動する手段とを備え、 上記マットに載置されたウェハの裏面に上記押圧手段の
   凸球面部を押圧して、該ウェハを個々のチップに分割す
   ることを特徴とする半導体素子製造装置。
2. （２）上記マットは、円形であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の装置。
3. （３）上記マットは、ゴム製であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項又は第２項記載の装置。
4. （４）上記押圧手段は、上記支持手段に鉛直に植設され
   た少なくとも３本のロッドと、該ロッドに支持され凸球
   面部を有する押圧板とからなり、上記凸球面部は、上記
   ウェハより実質的に大きいことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の装置。