JPS6327095A - 高熱伝導性セラミツク回路基板 - Google Patents
高熱伝導性セラミツク回路基板Info
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- JPS6327095A JPS6327095A JP17035586A JP17035586A JPS6327095A JP S6327095 A JPS6327095 A JP S6327095A JP 17035586 A JP17035586 A JP 17035586A JP 17035586 A JP17035586 A JP 17035586A JP S6327095 A JPS6327095 A JP S6327095A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 235000012766 Cannabis sativa ssp. sativa var. sativa Nutrition 0.000 description 1
- 235000012765 Cannabis sativa ssp. sativa var. spontanea Nutrition 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004443 Ricinus communis Nutrition 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009120 camo Nutrition 0.000 description 1
- 235000005607 chanvre indien Nutrition 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- -1 dioctyl chloride Chemical compound 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011487 hemp Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
絶縁基板の熱伝導性が優れ、また該基板上に形成した導
体パターンの電気抵抗が少ない多層セラミック基板の製
法として、熱伝導性の優れた材料からなるグリンシート
に高融点金属からなる導体ペーストをスクリーン印刷し
、従来のように積層し焼成した後、キャピラリーフィル
法を用い、この導体パターンに沿って電気伝導度の優れ
た金属を拡散させて低抵抗化した多層回路基板。
体パターンの電気抵抗が少ない多層セラミック基板の製
法として、熱伝導性の優れた材料からなるグリンシート
に高融点金属からなる導体ペーストをスクリーン印刷し
、従来のように積層し焼成した後、キャピラリーフィル
法を用い、この導体パターンに沿って電気伝導度の優れ
た金属を拡散させて低抵抗化した多層回路基板。
本発明は放熱性が優れ、また導体パターンの電気抵抗の
少ないセラミック多N基板の製造方法に関する。
少ないセラミック多N基板の製造方法に関する。
大量の情報を迅速に処理するため情報処理技術の進歩は
著しく、情報処理装置の主体を占める半導体装置は単位
素子の小形化による大容量化が進んでおり、またこれを
搭載する基板は多層化が進んでいる。
著しく、情報処理装置の主体を占める半導体装置は単位
素子の小形化による大容量化が進んでおり、またこれを
搭載する基板は多層化が進んでいる。
すなわち、半導体装置は従来のICやLSIよりも一段
と大容量化したVLS Iが実用化されており、また素
子に対するパンシベーション技術の進歩により、基板に
半導体チップを直接にグイボンディングしたり、フリッ
プチップポンディングして装着するようになった。
と大容量化したVLS Iが実用化されており、また素
子に対するパンシベーション技術の進歩により、基板に
半導体チップを直接にグイボンディングしたり、フリッ
プチップポンディングして装着するようになった。
そして、多数のかかる半導体チップを基板に密に装着し
て使用するが、この場合に一個の半導体チップの端子数
が多いことから配vA基板上に形成する導体線路の数は
膨大となり、必然的に多層配線構造が必要となる。
て使用するが、この場合に一個の半導体チップの端子数
が多いことから配vA基板上に形成する導体線路の数は
膨大となり、必然的に多層配線構造が必要となる。
また、LSIチップ当たりの電力消費量は4W程度ある
ことから多数のLSI或いはVLSIを装着した多層配
線基板の発熱量は膨大なものとなる。
ことから多数のLSI或いはVLSIを装着した多層配
線基板の発熱量は膨大なものとなる。
ここで、半導体装置を信頬性よく安定に動作させるため
にはチップの温度を85°C以下、最高でも100℃以
下に維持することが必要である。
にはチップの温度を85°C以下、最高でも100℃以
下に維持することが必要である。
そのため多層配線基板を構成する基板は熱伝導性が優れ
、またこの上に形成される導体パターンはできるだけ電
気抵抗の低いことが必要である。
、またこの上に形成される導体パターンはできるだけ電
気抵抗の低いことが必要である。
ICやLSIなどの半導体チップを搭載する基板として
単層構造をとるものにはアルミナ(α−AI1203)
基板が用いられ、この上に金(Au)や銀・パラジウム
(Ag/Pd)などの導体ペーストをスクリーン印刷し
た後、焼成した基板が使われている。
単層構造をとるものにはアルミナ(α−AI1203)
基板が用いられ、この上に金(Au)や銀・パラジウム
(Ag/Pd)などの導体ペーストをスクリーン印刷し
た後、焼成した基板が使われている。
一方、複数の半導体チップを搭載する場合には多層配線
基板が必要であり、配線パターンをスクリーン印刷した
グリーンシートを正確に位置合わせして積層し、加圧し
て一体化したのち焼成して多層基板ができあがるが、ア
ルミナの焼成温度は1800℃程度であり、AuやAg
/Pdなどの配線材料の融点よりも高いことから、か\
る低抵抗な導体材料を使用することはできない。
基板が必要であり、配線パターンをスクリーン印刷した
グリーンシートを正確に位置合わせして積層し、加圧し
て一体化したのち焼成して多層基板ができあがるが、ア
ルミナの焼成温度は1800℃程度であり、AuやAg
/Pdなどの配線材料の融点よりも高いことから、か\
る低抵抗な導体材料を使用することはできない。
そこで、タングステン(W)やモリブデン(MO)のよ
うな高融点の金属材料からなる導体ペーストを使用して
導体パターンを形成するか、或いは基板材料としてガラ
スセラミックスや結晶化ガラスなど1000℃以下の比
較的低温で焼成できる基板を使用し、この材料からなる
グリンシートに銅(Cu)やAuなどの低抵抗な金属材
料からなる導体ペーストをスクリーン印刷して多層基板
を形成することが行われている。
うな高融点の金属材料からなる導体ペーストを使用して
導体パターンを形成するか、或いは基板材料としてガラ
スセラミックスや結晶化ガラスなど1000℃以下の比
較的低温で焼成できる基板を使用し、この材料からなる
グリンシートに銅(Cu)やAuなどの低抵抗な金属材
料からなる導体ペーストをスクリーン印刷して多層基板
を形成することが行われている。
然し、アルミナを用いた基板の熱伝導度は17〜20W
/mKであるが、WやMoの電気抵抗は20〜23mΩ
/口と高く、使用に当たって導体線路の温度上昇と共に
信号電圧の降下を生ずると云う問題がある。
/mKであるが、WやMoの電気抵抗は20〜23mΩ
/口と高く、使用に当たって導体線路の温度上昇と共に
信号電圧の降下を生ずると云う問題がある。
また、ガラスセラミックスや結晶化ガラスなどを用いて
形成した低温焼成セラミックス基板は熱伝導度が4〜5
W / m Kと低く、そのために放熱が充分に行わ
れないと云う問題がある。
形成した低温焼成セラミックス基板は熱伝導度が4〜5
W / m Kと低く、そのために放熱が充分に行わ
れないと云う問題がある。
ここで、情報処理装置用の回路基板としては構成数が3
0層程度の多層基板が必要となるが、そのためには基板
の熱伝導度が高く、また導体パターンの電気抵抗の少な
い多層セラミック基板の実用化が必要である。
0層程度の多層基板が必要となるが、そのためには基板
の熱伝導度が高く、また導体パターンの電気抵抗の少な
い多層セラミック基板の実用化が必要である。
以上記したように情報処理装置において、多数の半導体
チップを搭載する多層セラミック基板は動作時における
半導体チップの発熱量が膨大であることから基板の熱伝
導度が高(、また導体パターンの電気抵抗はでき得る限
り低いことが必要であり、この二つの条件を満たした多
層基板を如何にして実用化するかが課題である。
チップを搭載する多層セラミック基板は動作時における
半導体チップの発熱量が膨大であることから基板の熱伝
導度が高(、また導体パターンの電気抵抗はでき得る限
り低いことが必要であり、この二つの条件を満たした多
層基板を如何にして実用化するかが課題である。
上記の問題は熱伝導性の優れた材料を用いて形成したグ
リーンシート上に高融点金属からなる導体ペーストを印
刷して導体パターンを形成し、グリーンシートを積層し
て一体化化した状態で焼成して多層セラミ・ツク基板を
形成した後、基板を電気抵抗の少ない金属の融液中に浸
漬し、毛管現象により、金属をセラミック基板の導体パ
ターンに沿゛って浸透せしめた高熱伝導性セラミック回
路基板を用いることにより解決することができる。
リーンシート上に高融点金属からなる導体ペーストを印
刷して導体パターンを形成し、グリーンシートを積層し
て一体化化した状態で焼成して多層セラミ・ツク基板を
形成した後、基板を電気抵抗の少ない金属の融液中に浸
漬し、毛管現象により、金属をセラミック基板の導体パ
ターンに沿゛って浸透せしめた高熱伝導性セラミック回
路基板を用いることにより解決することができる。
本発明は窒化アルミニウム(als)、M化ベリリウム
(Bed) 、炭化珪素(SiC)など高い熱伝導度を
もつ材料を用いてグリーンシートを作り、これにWペー
ストやMoペーストなどの高融点導体ペーストを用いて
導体パターンをスクリーン印刷した後、従来と同様に位
置合わせしながら積層し、加熱して一体化した後に焼成
して、先ず熱伝導性のよい多層基板を作るものである。
(Bed) 、炭化珪素(SiC)など高い熱伝導度を
もつ材料を用いてグリーンシートを作り、これにWペー
ストやMoペーストなどの高融点導体ペーストを用いて
導体パターンをスクリーン印刷した後、従来と同様に位
置合わせしながら積層し、加熱して一体化した後に焼成
して、先ず熱伝導性のよい多層基板を作るものである。
表
表は本発明に使用する高熱伝導性材料の融点と熱伝導度
を示すものである。
を示すものである。
ここで、導体材料として使用するW(融点3387℃)
、No(融点2610℃)などの高融点金属は表、に記
したような高熱伝導性材料と比較して融点は等しいか或
いは高い。
、No(融点2610℃)などの高融点金属は表、に記
したような高熱伝導性材料と比較して融点は等しいか或
いは高い。
そのため1800℃程度の温度で焼成してできた多層基
板において導体線路は非常に多孔質な焼結体からできて
いる。
板において導体線路は非常に多孔質な焼結体からできて
いる。
一方、多孔質の材料中に溶融状態の金属を浸透させる方
法としてキャピラリーフィル法(CapiLlary−
fill法)が知られている。(特公昭44−2710
2 発明者IBM ) そこで、本発明はこの方法を使用してWやMOからなる
多孔質な導体パターンに沿って電導度の優れた金属材料
を浸透させることにより低抵抗化を行うものである。
法としてキャピラリーフィル法(CapiLlary−
fill法)が知られている。(特公昭44−2710
2 発明者IBM ) そこで、本発明はこの方法を使用してWやMOからなる
多孔質な導体パターンに沿って電導度の優れた金属材料
を浸透させることにより低抵抗化を行うものである。
純度97%で粒度が0.3〜0.5μ−のへ2N粉末を
バインダとしてポリビニルブチラール(略称PvB)を
、また可塑剤としてジオクチルツクレート(略称DOP
)を用い、ボールミルで良く混練してAβNスラリーを
作成した。
バインダとしてポリビニルブチラール(略称PvB)を
、また可塑剤としてジオクチルツクレート(略称DOP
)を用い、ボールミルで良く混練してAβNスラリーを
作成した。
ここで、Aj’N粉末とバインダと可塑剤の組成比は重
量部で690 :80:30である。
量部で690 :80:30である。
これをドクタブレード法で成形して厚さが340μmの
グリンシートを形成した。
グリンシートを形成した。
これとは別に粒度約1μmのW粉末を用い、バインダと
してエチルセルローズを、また粘性調整剤として箆麻(
ヒマ)硬を使用してWペーストを準備した。
してエチルセルローズを、また粘性調整剤として箆麻(
ヒマ)硬を使用してWペーストを準備した。
次に、上記のグリンシート上にWペーストをスクリーン
印刷して幅100 pya 、厚さ20μmの導体パタ
ーンを形成し、乾燥した後、10層を位置合わせして積
層し、130℃、 3QMPaの条件で積層して一体化
し、窒素CNt’)気流中で1800℃の温度で6時間
に亙って焼成して多層基板を作った。
印刷して幅100 pya 、厚さ20μmの導体パタ
ーンを形成し、乾燥した後、10層を位置合わせして積
層し、130℃、 3QMPaの条件で積層して一体化
し、窒素CNt’)気流中で1800℃の温度で6時間
に亙って焼成して多層基板を作った。
次に、N2気流中で1800℃のCu融液中に多層基板
の一端を浸漬し、キャピラリーフィル法でCuを浸透さ
せた。
の一端を浸漬し、キャピラリーフィル法でCuを浸透さ
せた。
このようにして形成することにより熱電導度は約200
W / m Kと高く、また導体線路の電気抵抗とし
て3mΩ/口と従来の電気抵抗と較べ1/6〜1/7と
少ない多N基板を得ることができた。
W / m Kと高く、また導体線路の電気抵抗とし
て3mΩ/口と従来の電気抵抗と較べ1/6〜1/7と
少ない多N基板を得ることができた。
以上記したように本発明の実施により熱電導性が良く、
また電気抵抗の低い多層回路基板を実用化することがで
きる。
また電気抵抗の低い多層回路基板を実用化することがで
きる。
Claims (1)
- 熱伝導性の優れた材料を用いて形成したグリンシート
上に高融点金属からなる導体ペーストを印刷して導体パ
ターンを形成し、該グリンシートを積層して一体化化し
た状態で焼成して多層セラミック基板を形成した後、該
基板を電気抵抗の少ない金属の融液中に浸漬し、毛管現
象により、該金属を前記セラミック基板の導体パターン
に沿って浸透せしめたことを特徴とする高熱伝導性セラ
ミック回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17035586A JPS6327095A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 高熱伝導性セラミツク回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17035586A JPS6327095A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 高熱伝導性セラミツク回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6327095A true JPS6327095A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15903395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17035586A Pending JPS6327095A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 高熱伝導性セラミツク回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6327095A (ja) |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17035586A patent/JPS6327095A/ja active Pending
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