JPS63269132A - 光集積回路 - Google Patents
光集積回路Info
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- JPS63269132A JPS63269132A JP62105111A JP10511187A JPS63269132A JP S63269132 A JPS63269132 A JP S63269132A JP 62105111 A JP62105111 A JP 62105111A JP 10511187 A JP10511187 A JP 10511187A JP S63269132 A JPS63269132 A JP S63269132A
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/35—Non-linear optics
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- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光を異なった波長の光に変換する波長変換機能
を有する光集積回路に関するものであり、特に光ディス
ク等への情報の書き込み消去等に用いる光ピツクアップ
用の短波長レーザ光源に利用できる光集積回路に関する
ものである。
を有する光集積回路に関するものであり、特に光ディス
ク等への情報の書き込み消去等に用いる光ピツクアップ
用の短波長レーザ光源に利用できる光集積回路に関する
ものである。
従来の技術
近年、光情報処理等の重要性が高まってきており、波長
変換機能を有する光集積回路等の開発が期待されている
。特に光ディスク等用いられる光ピツクアップ等には、
記録密度の向上の期待される短波長レーザ光源が要求さ
れており、特に高性能な第二次高調波発生素子の開発が
期待されている。（輻射科学研究会資料Ｒ８８６−２１
）既に光導波路を用いた高効率な第二次高調波発生素子
等の開発が行われているが、第二次高調波がチェレンコ
フ放射により発生するので、第二次高調波の光の波面が
歪んでおり、そのために通常の光学レンズ系で光デイス
ク上に集光する事は困難であり光ピツクアップに応用す
る事は困難である。
変換機能を有する光集積回路等の開発が期待されている
。特に光ディスク等用いられる光ピツクアップ等には、
記録密度の向上の期待される短波長レーザ光源が要求さ
れており、特に高性能な第二次高調波発生素子の開発が
期待されている。（輻射科学研究会資料Ｒ８８６−２１
）既に光導波路を用いた高効率な第二次高調波発生素子
等の開発が行われているが、第二次高調波がチェレンコ
フ放射により発生するので、第二次高調波の光の波面が
歪んでおり、そのために通常の光学レンズ系で光デイス
ク上に集光する事は困難であり光ピツクアップに応用す
る事は困難である。
第５図に、従来の光導波路を用いた第二次高調波発生素
子の構造を示す。５１はニオブ酸リチウム基板であり、
５２はプロトン交換光導波路である。光導波路５２へ入
射する第一次のレーザ光５３は、光導波路５２の非線形
光学効果により半波長の第２次高調波に変換されチェレ
ンコフ放射により基板内へ一定の角度で放射される。
子の構造を示す。５１はニオブ酸リチウム基板であり、
５２はプロトン交換光導波路である。光導波路５２へ入
射する第一次のレーザ光５３は、光導波路５２の非線形
光学効果により半波長の第２次高調波に変換されチェレ
ンコフ放射により基板内へ一定の角度で放射される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら光導波路を伝搬する一次光は伝搬と共に徐
々に第二次高調波のレーザ光に変換されてい（ために、
光強度が減衰してゆき、その結果第二次高調波の光強度
も徐々に減衰する。また第二次高調波が光導波路全体か
ら一定角度で放射されるために出射端面に於いては第二
次高調波出射光強度分布が５５に示すごとく縦方向に非
対称となる。従ってまた出射端面におけるニアフィール
ドパターンは円形から大きくかけはなれた三日月型に近
い形状となり、レンズ系で絞る時には大きな非点収差を
持つ事になる。したがって、この素子を光ピツクアップ
等に応用する場合レーザ光をディスク上に絞る場合には
通常のレンズ系では１μｍ以下のスポット径に絞ること
は不可能であり複雑な光学系が必要となり、技術的に困
難であるのみならず、非球面レンズ等の高価な光学系と
精密な光軸合わせの技術が必要となる。
々に第二次高調波のレーザ光に変換されてい（ために、
光強度が減衰してゆき、その結果第二次高調波の光強度
も徐々に減衰する。また第二次高調波が光導波路全体か
ら一定角度で放射されるために出射端面に於いては第二
次高調波出射光強度分布が５５に示すごとく縦方向に非
対称となる。従ってまた出射端面におけるニアフィール
ドパターンは円形から大きくかけはなれた三日月型に近
い形状となり、レンズ系で絞る時には大きな非点収差を
持つ事になる。したがって、この素子を光ピツクアップ
等に応用する場合レーザ光をディスク上に絞る場合には
通常のレンズ系では１μｍ以下のスポット径に絞ること
は不可能であり複雑な光学系が必要となり、技術的に困
難であるのみならず、非球面レンズ等の高価な光学系と
精密な光軸合わせの技術が必要となる。
本発明は、このような問題を解決し、第二次高調波発生
等の波長変換機能を有する高い性能な光集積回路を実現
するものであり、放射光の波面の一様な非点収差の小さ
い短波長レーザ光源用の光集積回路を提供するものであ
る。
等の波長変換機能を有する高い性能な光集積回路を実現
するものであり、放射光の波面の一様な非点収差の小さ
い短波長レーザ光源用の光集積回路を提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段
本発明は
■基板に複数の光導波路を含んで形成される光集積回路
で、前記複数の光導波路のうち少な（とも一つの光導波
路は伝搬する第一次の光の波長を変換しかつ波長変換さ
れた第二次の該光を該光導波路の外部に放射し得る非線
形効果を有する第一の光導波路であり、かつ複数の光導
波路のうち少なくとも一つ以上が前記波長変換された第
二次の光と結合し、該光を導波光として伝搬する第二の
に光導波路である事を特徴とする光集積回路である。
で、前記複数の光導波路のうち少な（とも一つの光導波
路は伝搬する第一次の光の波長を変換しかつ波長変換さ
れた第二次の該光を該光導波路の外部に放射し得る非線
形効果を有する第一の光導波路であり、かつ複数の光導
波路のうち少なくとも一つ以上が前記波長変換された第
二次の光と結合し、該光を導波光として伝搬する第二の
に光導波路である事を特徴とする光集積回路である。
さらに、本発明は次に示す態様をもつことを可能とする
。
。
■前記第一の非線形光導波路と前記第二次の波長変換さ
れた光が伝搬する第二の光導波路が互いに対をなして近
接して配置されている。
れた光が伝搬する第二の光導波路が互いに対をなして近
接して配置されている。
■前記第一の非線形光導波路が前記基板の第一の面の近
傍に形成され、また第一の非線形光導波路において波長
変換された光が前記基板内に放射され、かつ第二の光導
波路が前記基板の第二の面の近傍に形成されている。
傍に形成され、また第一の非線形光導波路において波長
変換された光が前記基板内に放射され、かつ第二の光導
波路が前記基板の第二の面の近傍に形成されている。
■前記の第一もしくは第二の光導波路が基板の表面近傍
に形成され、かつ第一もしくは第二の光導波路上にバッ
ファ層を介して第二のもしくは第一の光導波路が形成さ
れている。
に形成され、かつ第一もしくは第二の光導波路上にバッ
ファ層を介して第二のもしくは第一の光導波路が形成さ
れている。
■前記第二の光導波路の一部に光の伝搬方向に対して実
効的に周期的な屈折率分布が存在するグレーティングが
形成され、グレーティグの回折効果により前記波長変換
され放射される第二次の光が第二の光導波路の導波光が
結合されている。
効的に周期的な屈折率分布が存在するグレーティングが
形成され、グレーティグの回折効果により前記波長変換
され放射される第二次の光が第二の光導波路の導波光が
結合されている。
■前記グレーティングがブレーズグレーティングである
事を特徴とする。
事を特徴とする。
■前記波長変換された光が伝搬する第二の光導波路が単
一モード三次元光導波路である。
一モード三次元光導波路である。
■前記波長変換された光が伝搬する第二の光導波路が二
次元光導波路である。
次元光導波路である。
■前記波長変換された第二次の光を伝搬する第二の二次
元光導波路の一部に、伝搬する該第二次の光を該第二の
光導波路の外部に放射せしめるグレーティングが形成さ
れている。
元光導波路の一部に、伝搬する該第二次の光を該第二の
光導波路の外部に放射せしめるグレーティングが形成さ
れている。
［相］前記第一の非線形光導波路が第二次高調波を発生
する光導波路である。
する光導波路である。
■前記第一の非線形光導波路がニオブ酸リチウムを主成
分とする光導波路である。
分とする光導波路である。
作用
本発明は非線形光導波路を導波して、非線形光学効果に
より波長変換され、チェレンコフ放射により基板内へ一
定の角度で放射する光が他の光導波路と結合する時光導
波路内に於いてその電界分布がガウス分布となって伝搬
するために端面もしくはグレーティングカプラにより出
射される光の波面が揃っており、通常のレンズ系等を用
いる事により容易に集光できる事を利用するものである
。
より波長変換され、チェレンコフ放射により基板内へ一
定の角度で放射する光が他の光導波路と結合する時光導
波路内に於いてその電界分布がガウス分布となって伝搬
するために端面もしくはグレーティングカプラにより出
射される光の波面が揃っており、通常のレンズ系等を用
いる事により容易に集光できる事を利用するものである
。
実施例
以下、本発明を実施例をもとに説明する。
第１図は本発明の第一の実施例の波長変種能を具備した
光集積回路の概略構成を示すものである。第１図におい
て、１はニオブ酸リチウム基板、２はプロトン交換によ
り形成された第二次高調波発生光導波路、３は同じくプ
ロトン交換法により形成され 第二次高調波に対して単
一モードを伝搬する三次元光導波路、４はブレーズグレ
ーティングである。
光集積回路の概略構成を示すものである。第１図におい
て、１はニオブ酸リチウム基板、２はプロトン交換によ
り形成された第二次高調波発生光導波路、３は同じくプ
ロトン交換法により形成され 第二次高調波に対して単
一モードを伝搬する三次元光導波路、４はブレーズグレ
ーティングである。
以下、本実施例の動作原理について第２図の断面図をも
とに説明する。第二次高調波発生光導波路２に半導体レ
ーザの波長０．８μｍの光５が入射すると、このレーザ
光は光導波路２を導波すると共に波長０．４μｍの第二
次高調波を発生し、チェレンコフ放射により基板内へ一
定の角度に基板放射光６として放射する。この基板放射
光６は単一モード三次元光導波路３に形成されたブレー
ズグレーティング４へ入射し回折効果によりプロトン交
換単一モード三次元光導波路３と結合し、導波光７とし
て伝搬する。この導波光７はさらに該三次元光導波路３
の端面で外部へ放射光８として放射される。この導波路
は既に記した様に単一モード三次元光導波路であるから
その端面での光強度の空間分布形状は円に近い形状にな
っているのでレンズ系で集光する際の非点収差は小さく
なっている。その結果レンズで絞った時の集光スポット
径は約０．５μｍでありほぼ回折限界であった。以上の
ようにして非点収差の小さく、短波長光源としての特長
を発揮することのできる高性能の波長変換装置を構成す
ることができた。
とに説明する。第二次高調波発生光導波路２に半導体レ
ーザの波長０．８μｍの光５が入射すると、このレーザ
光は光導波路２を導波すると共に波長０．４μｍの第二
次高調波を発生し、チェレンコフ放射により基板内へ一
定の角度に基板放射光６として放射する。この基板放射
光６は単一モード三次元光導波路３に形成されたブレー
ズグレーティング４へ入射し回折効果によりプロトン交
換単一モード三次元光導波路３と結合し、導波光７とし
て伝搬する。この導波光７はさらに該三次元光導波路３
の端面で外部へ放射光８として放射される。この導波路
は既に記した様に単一モード三次元光導波路であるから
その端面での光強度の空間分布形状は円に近い形状にな
っているのでレンズ系で集光する際の非点収差は小さく
なっている。その結果レンズで絞った時の集光スポット
径は約０．５μｍでありほぼ回折限界であった。以上の
ようにして非点収差の小さく、短波長光源としての特長
を発揮することのできる高性能の波長変換装置を構成す
ることができた。
以上の実施例では第二次高調波を伝搬する光導波路が三
次元のシングルモード導波路である場合を示したが、二
次元のスラブ導波路を用いることにより新たな効果をも
たらすことができる。
次元のシングルモード導波路である場合を示したが、二
次元のスラブ導波路を用いることにより新たな効果をも
たらすことができる。
第３図に二次元のスラブ導波路を用いた場合の実施例を
示す。３１は半導体レーザ、３２はニオブ酸リチウム基
板、３３は基板の片面にイオン交換にて形成された三次
元の非線形光導波路、３４は非線形光導波路３３から放
射される発散性の第二次高調波を下記の光導波路３５に
結合させるためのフォー力ッシンググレーティングカブ
ラ。３５は基板の裏面に形成されたスラブ導波路である
。また３６は第二次高調波を空間中に放射して光ディス
ク等の表面に集光させるためのフォー力ッシンググレー
ティングカブラである。半導体レーザ３１から出射され
た約０．８μｍの光が３３の光導波路を伝搬するととも
に約０．４μｍのレーザ光に変換され、その光が３５の
光導波路を伝搬し３６のフォー力ッシンググレーティン
グカブラにより空間中に放射され光ディスク等の表面に
集光される。この構成により短波長の光集積化ピックア
ップを容易に実現すること°ができる。
示す。３１は半導体レーザ、３２はニオブ酸リチウム基
板、３３は基板の片面にイオン交換にて形成された三次
元の非線形光導波路、３４は非線形光導波路３３から放
射される発散性の第二次高調波を下記の光導波路３５に
結合させるためのフォー力ッシンググレーティングカブ
ラ。３５は基板の裏面に形成されたスラブ導波路である
。また３６は第二次高調波を空間中に放射して光ディス
ク等の表面に集光させるためのフォー力ッシンググレー
ティングカブラである。半導体レーザ３１から出射され
た約０．８μｍの光が３３の光導波路を伝搬するととも
に約０．４μｍのレーザ光に変換され、その光が３５の
光導波路を伝搬し３６のフォー力ッシンググレーティン
グカブラにより空間中に放射され光ディスク等の表面に
集光される。この構成により短波長の光集積化ピックア
ップを容易に実現すること°ができる。
第二の実施例ではグレーティングカブラとして集光機能
を有するフォー力ッシンググレーティングカブラを用い
ているが平行グレーティングを用いて平行ビームとして
空間に放出し、レンズレンズ系で集光させることも可能
である。
を有するフォー力ッシンググレーティングカブラを用い
ているが平行グレーティングを用いて平行ビームとして
空間に放出し、レンズレンズ系で集光させることも可能
である。
第−及び第二の実施例においてはニオブ酸リチウムの基
板を用いイオン拡散することにより導波路を形成してい
るが基板が第二次高調波に対して透明であればこれに限
定されるものではない。また非線形光導波路もニオブ酸
リチウムのイオン交換導波路に限られずタンタル酸リチ
ウム等の酸化物、■−Ｖ族化合物或はＩＩ−Ｖｌ化合物
等非線形効果を有する媒体により形成された光導波路を
用いることも可能である。更に第二次高調波を伝搬する
光導波路は、第二次高調波に対して透明であればいかな
る媒体で形成されていても差し支えない。
板を用いイオン拡散することにより導波路を形成してい
るが基板が第二次高調波に対して透明であればこれに限
定されるものではない。また非線形光導波路もニオブ酸
リチウムのイオン交換導波路に限られずタンタル酸リチ
ウム等の酸化物、■−Ｖ族化合物或はＩＩ−Ｖｌ化合物
等非線形効果を有する媒体により形成された光導波路を
用いることも可能である。更に第二次高調波を伝搬する
光導波路は、第二次高調波に対して透明であればいかな
る媒体で形成されていても差し支えない。
また、非線形光導波路と第二次高調波を伝搬する光導波
路は必ずしも基板の両面に形成されている必要はな（、
両者が近接されて配置されていてもよい。この場合の第
三の実施例を第４図を用いて説明する。４１はＧａＡｓ
基板、４２はＺｎＳ層、４３はＺ ｎ Ｓ ／ Ｚ ｎ
Ｓ ｅの超格子構造の非線形光導波路、４４はＺｎ５
ｅＳ固溶対層、４５はＳｉｎ”クラッド層、４６はＳｉ
Ｎ光導波層、４７は周期的構造の形成された５ｉｎ２ク
ラッド層である。また４８はＡｌＧａＡｓを活性層とす
る波長的０．８μｍ帯の半導体レーザであり上記の光導
波路とモノリシックに形成されている。半導体レーザか
ら出射される光は４３の非線形光導波路を伝搬し、波長
変換された波長０．４μｍの光がその上に形成された光
導波路に同様の原理で結合され４６の光導波路を伝搬し
、端面４９がら放射される。一方端面５０からは波長変
換により多少減衰された光が放射される。この構成によ
れば、三波長のレーザ光源が容易に形成され、光ディス
クの情報の記録及び消去を同時に実現可能な光ピツクア
ップ用の光源として期待される。
路は必ずしも基板の両面に形成されている必要はな（、
両者が近接されて配置されていてもよい。この場合の第
三の実施例を第４図を用いて説明する。４１はＧａＡｓ
基板、４２はＺｎＳ層、４３はＺ ｎ Ｓ ／ Ｚ ｎ
Ｓ ｅの超格子構造の非線形光導波路、４４はＺｎ５
ｅＳ固溶対層、４５はＳｉｎ”クラッド層、４６はＳｉ
Ｎ光導波層、４７は周期的構造の形成された５ｉｎ２ク
ラッド層である。また４８はＡｌＧａＡｓを活性層とす
る波長的０．８μｍ帯の半導体レーザであり上記の光導
波路とモノリシックに形成されている。半導体レーザか
ら出射される光は４３の非線形光導波路を伝搬し、波長
変換された波長０．４μｍの光がその上に形成された光
導波路に同様の原理で結合され４６の光導波路を伝搬し
、端面４９がら放射される。一方端面５０からは波長変
換により多少減衰された光が放射される。この構成によ
れば、三波長のレーザ光源が容易に形成され、光ディス
クの情報の記録及び消去を同時に実現可能な光ピツクア
ップ用の光源として期待される。
本実施例ではＡｌＧａＡｓを活性層とする波長的０．８
μｍ帯の半導体レーザを用いているが、これに限られず
０．６μｍ帯のＡｌＧａ１ｎＰ系の半導体レーザであれ
ば、０．３μｍ帯の光源としても用いることができるの
で、更にその効果は大きい。また本実施例では半導体レ
ーザがモノリシック一体化されているが、前記実施例１
および２のようにハイブリッド構成でも何ら問題ない。
μｍ帯の半導体レーザを用いているが、これに限られず
０．６μｍ帯のＡｌＧａ１ｎＰ系の半導体レーザであれ
ば、０．３μｍ帯の光源としても用いることができるの
で、更にその効果は大きい。また本実施例では半導体レ
ーザがモノリシック一体化されているが、前記実施例１
および２のようにハイブリッド構成でも何ら問題ない。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば非点収差の小さく、
簡単な光学系で集光可能な波長変換機能を持つ光集積回
路を提供することができ、例えば短波長の光ピツクアッ
プ用の素子としてその実６用的効果は大きい。
簡単な光学系で集光可能な波長変換機能を持つ光集積回
路を提供することができ、例えば短波長の光ピツクアッ
プ用の素子としてその実６用的効果は大きい。
第１図は本発明の第一の実施例の光集積回路の要部概略
斜視図、第２図は第１図の断面図、第３図は本発明の第
二の実施例の光集積回路の概略斜視図、第４図は本発明
の第三の実施例の同概略断釦図、第５図は従来の波長変
換素子の概略斜視図である。 １・・・ニオブ酸リチウム基板、２・・・プロトン交換
第二次高調波発生光導波路、３・・・プロトン交換単一
モード三次元光導波路、４・・・ブレーズグレーティン
グ、５・・・入力レーザ光、６・・・基板放射光、７・
・・導波光、８・・・放射光、３１・・・半導体レーザ
、３２・・・ニオブ酸リチウム基板、３３・・・イオン
交換三次元非線形光導波路、３４・・・フォー力ッシン
ググレーティングカブラ、３５スラブ導波路、３６・・
・フォー力ッシンググレーティングカプラ、４１・・・
ＧａＡＳ基板、４２・−・ＺｎＳ層、４３・・・Ｚ ｎ
Ｓ ／ Ｚ ｎ Ｓ ｅの超格子構造非線形光導波路
、４４・・・Ｚｎ５ｅＳ固溶対層、４５・・・５ｉｎ２
クラッド層、４６＠・・ＳｉＮ光導波層、４７・・・Ｓ
ｉｎ”クラッド層、４８・・・半導体レーザ。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第２図 ５光 ６基扶農＃光
斜視図、第２図は第１図の断面図、第３図は本発明の第
二の実施例の光集積回路の概略斜視図、第４図は本発明
の第三の実施例の同概略断釦図、第５図は従来の波長変
換素子の概略斜視図である。 １・・・ニオブ酸リチウム基板、２・・・プロトン交換
第二次高調波発生光導波路、３・・・プロトン交換単一
モード三次元光導波路、４・・・ブレーズグレーティン
グ、５・・・入力レーザ光、６・・・基板放射光、７・
・・導波光、８・・・放射光、３１・・・半導体レーザ
、３２・・・ニオブ酸リチウム基板、３３・・・イオン
交換三次元非線形光導波路、３４・・・フォー力ッシン
ググレーティングカブラ、３５スラブ導波路、３６・・
・フォー力ッシンググレーティングカプラ、４１・・・
ＧａＡＳ基板、４２・−・ＺｎＳ層、４３・・・Ｚ ｎ
Ｓ ／ Ｚ ｎ Ｓ ｅの超格子構造非線形光導波路
、４４・・・Ｚｎ５ｅＳ固溶対層、４５・・・５ｉｎ２
クラッド層、４６＠・・ＳｉＮ光導波層、４７・・・Ｓ
ｉｎ”クラッド層、４８・・・半導体レーザ。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第２図 ５光 ６基扶農＃光
Claims (11)
- （１）基板に複数の光導波路を含んで形成され、前記複
数の光導波路のうち少なくとも一つの光導波路は伝搬す
る第一次の光の波長を変換しかつ波長変換された第二次
の光を前記光導波路の外部に放射し得る非線形効果を有
する第一の光導波路であり、かつ複数の光導波路のうち
少なくとも一つ以上が前記波長変換された第二次の光と
結合し、前記光を導波光として伝搬する第二の光導波路
である事を特徴とする光集積回路。 - （２）第一の非線形光導波路と前記第二次の波長変換さ
れた光が伝搬する第二の光導波路が互いに対をなして近
接して配置されている事を特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光集積回路。 - （３）第一の非線形光導波路が前記基板の第一の面の近
傍に形成され、また第一の非線形光導波路において波長
変換された光が前記基板内に放射され、かつ第二の光導
波路が前記基板の第二の面の近傍に形成されている事を
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光集積回路。 - （４）第一もしくは第二の光導波路が基板の表面近傍に
形成され、かつ第一もしくは第二の光導波路上にバッフ
ァ層を介して第二のもしくは第一の光導波路が形成され
ている事を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光集
積回路 - （５）第二の光導波路の一部に光の伝搬方向に対して実
効的に周期的な屈折率分布が存在するグレーティングが
形成され、グレーティグの回折効果により前記波長変換
され放射される第二次の光が第二の光導波路の導波光が
結合されている事を特徴とする特許請求の範囲第１項か
ら第４項のいずれかに記載の光集積回路。 - （６）グレーティングがブレーズグレーティングである
事を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の光集積回路
。 - （７）波長変換された光が伝搬する第二の光導波路が単
一モード三次元光導波路である事を特徴とする特許請求
の範囲第１項から第６項のいずれかに記載の光集積回路
。 - （８）波長変換された光が伝搬する第二の光導波路が二
次元光導波路である事を特徴とする特許請求の範囲第１
項から第６項のいずれかに記載の光集積回路。 - （９）波長変換された第二次の光を伝搬する第二の二次
元光導波路の一部に、伝搬する該第二次の光を該第二の
光導波路の外部に放射せしめるグレーティングが形成さ
れている事を特徴とするに特許請求の範囲第８項記載の
光集積回路。 - （１０）第一の非線形光導波路が第二次高調波を発生す
る光導波路である事を特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光集積回路。 - （１１）第一の非線形光導波路がニオブ酸リチウムを主
成分とする光導波路である事を特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105111A JPS63269132A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105111A JPS63269132A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269132A true JPS63269132A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14398731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62105111A Pending JPS63269132A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63269132A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038134A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Hitachi Ltd | 光集積回路及び光学装置 |
| JPH03261925A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Sharp Corp | 光波長変換装置 |
| EP0463886A2 (en) * | 1990-06-28 | 1992-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | A light wavelength converter |
| US5082340A (en) * | 1989-04-28 | 1992-01-21 | Hamamatsu Photonics K. K. | Wavelength converting device |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP62105111A patent/JPS63269132A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5082340A (en) * | 1989-04-28 | 1992-01-21 | Hamamatsu Photonics K. K. | Wavelength converting device |
| JPH038134A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Hitachi Ltd | 光集積回路及び光学装置 |
| JP2728502B2 (ja) * | 1989-06-05 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 光集積回路及び光学装置 |
| JPH03261925A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Sharp Corp | 光波長変換装置 |
| JP2688102B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1997-12-08 | シャープ株式会社 | 光波長変換装置 |
| EP0463886A2 (en) * | 1990-06-28 | 1992-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | A light wavelength converter |
| JPH0460524A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-26 | Sharp Corp | 光波長変換装置 |
| US5224195A (en) * | 1990-06-28 | 1993-06-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light wavelength converter for a wavelength of laser beams into a short wavelength |
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