JPS63261744A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS63261744A JPS63261744A JP62095387A JP9538787A JPS63261744A JP S63261744 A JPS63261744 A JP S63261744A JP 62095387 A JP62095387 A JP 62095387A JP 9538787 A JP9538787 A JP 9538787A JP S63261744 A JPS63261744 A JP S63261744A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
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- Electromagnetism (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光生成電荷の蓄積によるボテンシゝ。
ヤル変化でチャネル電流を制御する、内部増幅機能を有
し且つ非破壊読み出しが可能なＣＭ Ｄ （Ｃｈａｒｇ
ｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）受光素子を光
電変換素子として用いた画素からなる固体撮像装置に関
する。
し且つ非破壊読み出しが可能なＣＭ Ｄ （Ｃｈａｒｇ
ｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）受光素子を光
電変換素子として用いた画素からなる固体撮像装置に関
する。
従来、固体撮像装置としてＣＯＤやＭＯ３型逼像素子が
知られているが、これらの素子はいずれもホトダイオー
ドに蓄積された光生成電荷を、そのまま出力部まで移動
させて信号電荷として直接読み取るように構成されてい
る。そのためこれらの素子においては、素子の小型化・
多画素化に伴い出力信号のＳ／Ｎ比が劣化するという問
題点をもっているものである。
知られているが、これらの素子はいずれもホトダイオー
ドに蓄積された光生成電荷を、そのまま出力部まで移動
させて信号電荷として直接読み取るように構成されてい
る。そのためこれらの素子においては、素子の小型化・
多画素化に伴い出力信号のＳ／Ｎ比が劣化するという問
題点をもっているものである。
これに対して、本発明者等は先に、画素毎に増幅機能を
有し且つ非破壊読み出しの可能なＣＭＤ受光素子を提案
した。このＣＭＤ受光素子の詳細な技術内容については
、１９８６年に開催されたＩｎｔｅｒ−ｎａｔｉｏｎａ
ｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍｅｅｔｉｎｇ
（Ｉ ＥＤ Ｍ）の予稿集の第３５３〜３５６頁の＠
Ａ ＮＥＷ ＭＯＳ Ｉ門ＡＧＥＳＥＮＳＯＲ０
ＰＥＲＡＴＩＮＧ ＩＮ Ａ Ｎ０Ｎ−ＤＥＳＴＲＵＣ
ＴＩＶＥ ＲＥＡＤＯｌｌＴＭＯＤＥ”と題する論文に
示されている。
有し且つ非破壊読み出しの可能なＣＭＤ受光素子を提案
した。このＣＭＤ受光素子の詳細な技術内容については
、１９８６年に開催されたＩｎｔｅｒ−ｎａｔｉｏｎａ
ｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍｅｅｔｉｎｇ
（Ｉ ＥＤ Ｍ）の予稿集の第３５３〜３５６頁の＠
Ａ ＮＥＷ ＭＯＳ Ｉ門ＡＧＥＳＥＮＳＯＲ０
ＰＥＲＡＴＩＮＧ ＩＮ Ａ Ｎ０Ｎ−ＤＥＳＴＲＵＣ
ＴＩＶＥ ＲＥＡＤＯｌｌＴＭＯＤＥ”と題する論文に
示されている。
かかるＣＭＤ受光素子を画素として用いた固体撮像装置
の一構成例の平面構造と断面構造を第５図へ、（Ｂ）に
示す。図において、１０１はｐ−基板、１０２は該基板
１０１上に形成されたｎ−エピタキシャル層からなるチ
ャネル層、１０３はｎ０拡散層からなるソース領域、１
０４は浅いｎ゛拡散層からなる浅いドレイン領域、１０
５は深いｎ゛拡散層からなり分離領域として機能する深
いドレイン領域、１０６は絶縁膜、１０７はソース領域
１０３を囲むように形成されたゲート電極、１０８は共
通ゲートライン、１０９は共通ソースライン、 １１０
は各ゲート電極１０７ とゲートライン１０８ とを接
続する金属薄膜からなる配線、１１１はソース電極であ
る。そして画素となるＣ Ｍ Ｄ受光素子のソース領域
１０３．ゲート電極１０７．浅い及び深いドレイン領域
１０４゜１０５は同心円状に配置した平面構造を有して
おり、各画素のゲート電極１０７は共通のゲートライン
１０８で水平方向に接続され、ソース領域１０３は共通
のソースライン１０９で垂直方向に接続されている。
の一構成例の平面構造と断面構造を第５図へ、（Ｂ）に
示す。図において、１０１はｐ−基板、１０２は該基板
１０１上に形成されたｎ−エピタキシャル層からなるチ
ャネル層、１０３はｎ０拡散層からなるソース領域、１
０４は浅いｎ゛拡散層からなる浅いドレイン領域、１０
５は深いｎ゛拡散層からなり分離領域として機能する深
いドレイン領域、１０６は絶縁膜、１０７はソース領域
１０３を囲むように形成されたゲート電極、１０８は共
通ゲートライン、１０９は共通ソースライン、 １１０
は各ゲート電極１０７ とゲートライン１０８ とを接
続する金属薄膜からなる配線、１１１はソース電極であ
る。そして画素となるＣ Ｍ Ｄ受光素子のソース領域
１０３．ゲート電極１０７．浅い及び深いドレイン領域
１０４゜１０５は同心円状に配置した平面構造を有して
おり、各画素のゲート電極１０７は共通のゲートライン
１０８で水平方向に接続され、ソース領域１０３は共通
のソースライン１０９で垂直方向に接続されている。
そして受光及び読み出し時のＣＭＤ受光素子は、バルク
チャネルＭＯ３）ランジスタとして動作し、光生成され
た正孔はゲート電極１０７の直下に蓄積され、反転層が
形成される。この反転層が形成されていない時は、ゲー
ト電極１０７に印加した負電位によりバルクチャネル中
にポテンシャル障壁が形成され、ソース領域１０３から
ドレイン領域１０４゜１０５への電子電流は流れない、
これに対して光照射により反転層が形成されると、バル
クチャネル中のポテンシャル障壁の高さが引き下げられ
、反転層中の正孔故に応じて変調された電子電流が流れ
るようになっている。
チャネルＭＯ３）ランジスタとして動作し、光生成され
た正孔はゲート電極１０７の直下に蓄積され、反転層が
形成される。この反転層が形成されていない時は、ゲー
ト電極１０７に印加した負電位によりバルクチャネル中
にポテンシャル障壁が形成され、ソース領域１０３から
ドレイン領域１０４゜１０５への電子電流は流れない、
これに対して光照射により反転層が形成されると、バル
クチャネル中のポテンシャル障壁の高さが引き下げられ
、反転層中の正孔故に応じて変調された電子電流が流れ
るようになっている。
したがってゲートライン１０８を垂直走査回路に接続し
、ソースライン１０９をＭ ＯＳ 選択スイッチを介し
て水平走査回路に接続して、垂直走査回路で選択された
ゲートラインにつながる画素のうち水平走査回路で選択
された列の画素のソース電流を、ビデオラインを介して
負荷に流すことにより、入射光量を電圧変化として検出
することが可能なようになっている。
、ソースライン１０９をＭ ＯＳ 選択スイッチを介し
て水平走査回路に接続して、垂直走査回路で選択された
ゲートラインにつながる画素のうち水平走査回路で選択
された列の画素のソース電流を、ビデオラインを介して
負荷に流すことにより、入射光量を電圧変化として検出
することが可能なようになっている。
ところで、従来のＣＭＤ受光素子を画素として用いた固
体撮像装置においては、各画素を構成する多数のＣＭＤ
受光素子の各ゲート電極は、それぞれ各ゲート電極毎に
ゲートコンタクトを介してゲートラインに接続するよう
に構成されている。
体撮像装置においては、各画素を構成する多数のＣＭＤ
受光素子の各ゲート電極は、それぞれ各ゲート電極毎に
ゲートコンタクトを介してゲートラインに接続するよう
に構成されている。
したがって固体撮像装置全体におけるゲートコンタクト
部の面積が非常に大きくなって、画素の高密度化が困難
であり、小さなチップサイズが要求されるような場合に
は、高画質の画像が得られなくなってしまうという問題
点があった。
部の面積が非常に大きくなって、画素の高密度化が困難
であり、小さなチップサイズが要求されるような場合に
は、高画質の画像が得られなくなってしまうという問題
点があった。
本発明は、従来のＣＭＤ受光素子を画素として用いた固
体撮像装置における上記問題点を解消するためになされ
たもので、固体撮像装置におけるゲートコンタクト部の
占める面積を低減し、画素の高密度化を可能とするＣＭ
Ｄ受光素子を用いた固体撮像装置を提供することを目的
とする。
体撮像装置における上記問題点を解消するためになされ
たもので、固体撮像装置におけるゲートコンタクト部の
占める面積を低減し、画素の高密度化を可能とするＣＭ
Ｄ受光素子を用いた固体撮像装置を提供することを目的
とする。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記問題点を
解決するため、本発明は、隣接する複数個のＣＭＤ受光
素子の各ゲート電極を一つのゲートコンタクトによりゲ
ートラインに接続するように構成するものである。
解決するため、本発明は、隣接する複数個のＣＭＤ受光
素子の各ゲート電極を一つのゲートコンタクトによりゲ
ートラインに接続するように構成するものである。
このように構成することにより、ゲートコンタクト部の
面積を低減することができるので、チップサイズの縮小
化が可能となって、画素の高密度化を計ることができ、
小型で且つ高画質のＣＭ Ｄ受光素子を用いた固体撮像
装置を容易に得ることが可能となる。
面積を低減することができるので、チップサイズの縮小
化が可能となって、画素の高密度化を計ることができ、
小型で且つ高画質のＣＭ Ｄ受光素子を用いた固体撮像
装置を容易に得ることが可能となる。
次に第１図に示した本発明の基本構成を表す概念図に基
づいて本発明を更に具体的に説明すると、水平方向に隣
接する２つの画素１−＋、１−ｚを構成するＣＭＤ受光
素子の、ソース領域２を囲むように形成した各ゲート電
極３−１．３−２より、延長部３−１１＋ ３−＊ａ
をそれぞれ交叉するように斜め方向に延長させて交叉結
合部４を一体的に形成する。
づいて本発明を更に具体的に説明すると、水平方向に隣
接する２つの画素１−＋、１−ｚを構成するＣＭＤ受光
素子の、ソース領域２を囲むように形成した各ゲート電
極３−１．３−２より、延長部３−１１＋ ３−＊ａ
をそれぞれ交叉するように斜め方向に延長させて交叉結
合部４を一体的に形成する。
そして該ゲート電極交叉結合部４を、水平画素列間に配
置された共通のゲートライン５に対して、−個のゲート
コンタクト６を介して接続するものである。なお第１図
において、７は浅いドレイン領域で、８は分離領域を形
成する深いドレイン領域である。このように２個の画素
の各ゲート電極を１個のゲートコンタクトを介してゲー
トラインに接続することにより、ゲートコンタクト部の
面積を１／２にすることができる。
置された共通のゲートライン５に対して、−個のゲート
コンタクト６を介して接続するものである。なお第１図
において、７は浅いドレイン領域で、８は分離領域を形
成する深いドレイン領域である。このように２個の画素
の各ゲート電極を１個のゲートコンタクトを介してゲー
トラインに接続することにより、ゲートコンタクト部の
面積を１／２にすることができる。
以下実施例について説明する。第２図は、本発明に係る
固体撮像装置の一実施例の平面構造を示す閏である。図
において、１−１．１−ｚは水平方向に配列されている
隣接するＣＭＤ受光素子からなる画素、２はソース領域
、３−６３−ｚは各画素１−１＋ Ｉｔの各ソース領
域２を囲むように第１ポリシリコンで形成されたゲート
電極であり、そして該ゲート電極３−１．３−ｚから延
長部３−１ｍ＋ ３−ｚａをそれぞれ交叉するように
斜め方向に延長させてゲート電極結合部４を形成してい
る。５は水平方向に配列された画素列間に沿って前記ゲ
ート電極結合部４上を通るように配置されている、第２
ポリシリコンで形成されたゲートラインで、該ゲートラ
イン５には一つのゲートコンタクト６を介して前記ゲー
ト電極結合部４が接続されている。７は浅い拡散領域で
形成されている浅いドレイン領域、８は深い拡散領域で
形成されている深いドレイン領域で、各画素間の分離領
域を構成している。
固体撮像装置の一実施例の平面構造を示す閏である。図
において、１−１．１−ｚは水平方向に配列されている
隣接するＣＭＤ受光素子からなる画素、２はソース領域
、３−６３−ｚは各画素１−１＋ Ｉｔの各ソース領
域２を囲むように第１ポリシリコンで形成されたゲート
電極であり、そして該ゲート電極３−１．３−ｚから延
長部３−１ｍ＋ ３−ｚａをそれぞれ交叉するように
斜め方向に延長させてゲート電極結合部４を形成してい
る。５は水平方向に配列された画素列間に沿って前記ゲ
ート電極結合部４上を通るように配置されている、第２
ポリシリコンで形成されたゲートラインで、該ゲートラ
イン５には一つのゲートコンタクト６を介して前記ゲー
ト電極結合部４が接続されている。７は浅い拡散領域で
形成されている浅いドレイン領域、８は深い拡散領域で
形成されている深いドレイン領域で、各画素間の分離領
域を構成している。
９はソースラインで、垂直方向に配列された各画素の各
ソース領域２上を通るように配置され、各画素のソース
領域２とソースコンタクト１０により接続されている。
ソース領域２上を通るように配置され、各画素のソース
領域２とソースコンタクト１０により接続されている。
１１はドレインラインで、前記ゲート電極結合部４の配
置されていない画素間において垂直方向に配置されてお
り、深いドレイン領域８とドレインコンタク目２を介し
て接続されている。
置されていない画素間において垂直方向に配置されてお
り、深いドレイン領域８とドレインコンタク目２を介し
て接続されている。
上記のように水平方向に配列されている隣接する２個の
画素１．．１．の各ゲート電極３−１． ３−ｚを、１
個のゲートコンタクト４を介してゲートライン５に接続
させているので、ゲートコンタクト部の面積は、各画素
価々のゲート電極をそれぞれゲートコンタクトを介して
ゲートラインに接続していた従来のものに比べ半分にす
ることができる。またゲートコンタクト部は各画素の斜
め方向の画素間に配置されているので、ソースラインを
本実施例のように画素の真上を横切って配置することが
できる。したがって垂直画素列間に配置した場合のソー
スライン分の面積を縮小させることができる。またソー
スラインを画素の中央を横切って配置させることによっ
て、従来のソースライン配置位置にドレインラインを配
置することができる。したがって面積を増大させること
なく各画素の近傍にドレインコンタクトを配置すること
ができ、各画素共通ドレインの電位の安定化を計ること
ができる。
画素１．．１．の各ゲート電極３−１． ３−ｚを、１
個のゲートコンタクト４を介してゲートライン５に接続
させているので、ゲートコンタクト部の面積は、各画素
価々のゲート電極をそれぞれゲートコンタクトを介して
ゲートラインに接続していた従来のものに比べ半分にす
ることができる。またゲートコンタクト部は各画素の斜
め方向の画素間に配置されているので、ソースラインを
本実施例のように画素の真上を横切って配置することが
できる。したがって垂直画素列間に配置した場合のソー
スライン分の面積を縮小させることができる。またソー
スラインを画素の中央を横切って配置させることによっ
て、従来のソースライン配置位置にドレインラインを配
置することができる。したがって面積を増大させること
なく各画素の近傍にドレインコンタクトを配置すること
ができ、各画素共通ドレインの電位の安定化を計ること
ができる。
第３図は、第２図に示した実施例の変形例の平面構造を
示す図である。この変形例はゲートライン５′を金属薄
膜を用いて形成してその配線幅を縮小し、これに対応し
て、ゲートコンタクト６′の形状及びゲートライン５′
のゲートコンタクト部の形状を、図示のように菱形状と
することにより、更にゲートコンタクト部の面積を縮小
することができ、画素の高密度化を計ることができる。
示す図である。この変形例はゲートライン５′を金属薄
膜を用いて形成してその配線幅を縮小し、これに対応し
て、ゲートコンタクト６′の形状及びゲートライン５′
のゲートコンタクト部の形状を、図示のように菱形状と
することにより、更にゲートコンタクト部の面積を縮小
することができ、画素の高密度化を計ることができる。
第４図は、本発明の他の実施例の平面構造を示す図であ
り、第２図に示した実施例と同−又は同等の構成部材に
は同一符号を付して示している。
り、第２図に示した実施例と同−又は同等の構成部材に
は同一符号を付して示している。
この実施例は１個のゲートコンタクトで４個の画素の各
ゲート電極をゲートラインに共通に接続するようにした
ものである。すなわち、水平方向及び垂直方向に隣接す
る４個の画素１−１ｎ １４＋ １−ｓｒ １−
４を構成するＣＭＤ受光素子の各ゲート電極３−１．３
−ｚ、３−３．３−４から、それぞれ延長部３−＋□
３−ｚｍ＋ ３−３ｍ＋ ３−ａｍを斜め方向に交
叉するように突出させて、共通結合部４′を形成する。
ゲート電極をゲートラインに共通に接続するようにした
ものである。すなわち、水平方向及び垂直方向に隣接す
る４個の画素１−１ｎ １４＋ １−ｓｒ １−
４を構成するＣＭＤ受光素子の各ゲート電極３−１．３
−ｚ、３−３．３−４から、それぞれ延長部３−＋□
３−ｚｍ＋ ３−３ｍ＋ ３−ａｍを斜め方向に交
叉するように突出させて、共通結合部４′を形成する。
そしてこのゲート電極の共通結合部４〜′を、水平画素
列間において２画素列毎に配置されているゲートライン
５に、１個のゲートコンタクト６を介して接続し、４個
のゲート電極３−、．３−１ ３−：ｌ＋３−４を１個
のゲートコンタクト６でゲートライン５に共通に接続す
るように構成している。
列間において２画素列毎に配置されているゲートライン
５に、１個のゲートコンタクト６を介して接続し、４個
のゲート電極３−、．３−１ ３−：ｌ＋３−４を１個
のゲートコンタクト６でゲートライン５に共通に接続す
るように構成している。
９−１．９−１は各画素のソース領域２を横切ってそれ
ぞれ垂直方向に配列された２本のソースラインで、各ソ
ースライン９−＋、９−ｚにはソースコンタクト１０−
＋、 １０−ｚにより、１画素おきに交互にソース領域
２を接続するように構成されている。
ぞれ垂直方向に配列された２本のソースラインで、各ソ
ースライン９−＋、９−ｚにはソースコンタクト１０−
＋、 １０−ｚにより、１画素おきに交互にソース領域
２を接続するように構成されている。
このように水平及び垂直方向に隣接する４個の画素１−
＋、１−ｔ、１−３． １１の各ゲート電極３−１゜３
−ｔ、３−ｘ、３−ａを１個のゲートコンタクト６でゲ
ートライン５に接続するように構成することによって、
固体撮像装置全体のゲートラインの本数を従来の半数と
することができる。この場合、水平方向に配列されてい
る画素列を２列同時に選択することになるので、この２
列の水平方向に配列された各画素を分離して読み出すた
めには、垂直方向に配列されている１列の画素列に対し
て、図示のように２本のソースラインが必要になるが、
若干受光面積を犠牲にすることにより、大幅なチップ面
積の縮小が可能となる。
＋、１−ｔ、１−３． １１の各ゲート電極３−１゜３
−ｔ、３−ｘ、３−ａを１個のゲートコンタクト６でゲ
ートライン５に接続するように構成することによって、
固体撮像装置全体のゲートラインの本数を従来の半数と
することができる。この場合、水平方向に配列されてい
る画素列を２列同時に選択することになるので、この２
列の水平方向に配列された各画素を分離して読み出すた
めには、垂直方向に配列されている１列の画素列に対し
て、図示のように２本のソースラインが必要になるが、
若干受光面積を犠牲にすることにより、大幅なチップ面
積の縮小が可能となる。
またこの際、多層配線方式を用いて２本のソースライン
を一方側に重ねて配置するように構成すれば、受光面積
の減少を最小限に止めることができる。
を一方側に重ねて配置するように構成すれば、受光面積
の減少を最小限に止めることができる。
なお第２図に示した実施例においては、水平方向に配列
された各画素間に深いドレイン領域を設けたものを示し
たが、この深いドレイン領域は、第３図に示した変形例
や第４回に示した実施例と同様に除くことが可能であり
、これにより更にチップ面積の縮小化を計ることができ
る。
された各画素間に深いドレイン領域を設けたものを示し
たが、この深いドレイン領域は、第３図に示した変形例
や第４回に示した実施例と同様に除くことが可能であり
、これにより更にチップ面積の縮小化を計ることができ
る。
以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
一個のゲートコンタクトにより？ｊＩ数個のＣＭＤ受光
素子の各ゲート電極をゲートラインに接続するように構
成したので、ゲートコンタクト部の面積の縮小化を計る
ことができ、チップサイズの縮小化と共に画素の高密度
化を計ることができる。
一個のゲートコンタクトにより？ｊＩ数個のＣＭＤ受光
素子の各ゲート電極をゲートラインに接続するように構
成したので、ゲートコンタクト部の面積の縮小化を計る
ことができ、チップサイズの縮小化と共に画素の高密度
化を計ることができる。
また複数個のゲート電極を共通に一個のゲートコンタク
トでゲートラインに接続するように構成したことにより
、ソースライン等の配置の自由度が増大し、より好適な
配線が可能となって小型且つ裔画質の固体撮像装置を得
ることができる。
トでゲートラインに接続するように構成したことにより
、ソースライン等の配置の自由度が増大し、より好適な
配線が可能となって小型且つ裔画質の固体撮像装置を得
ることができる。
第１図は、本発明に係る固体撮像装置の基本構成を示す
概念図、第２図は、本発明の実施例の平面構造を示す図
、第３図は、第２図に示した実施例の変形例を示す平面
構造図、第４図は、本発明の他の実施例の平面構造を示
す図、第５図ｆＡ）、 （Ｂ）は、従来のＣＭＤ受光素
子を用いた固体撮像装置の平面構成及び断面を示す図で
ある。 図において、１−１１ １−２＋ １−ｓ、１−４は
ＣＭ Ｄ受光素子からなる画素、２はソース頭載、３−
１゜３−２．３−ｓ、３−−はゲート電極、４．４′は
ゲート電極結合部、５，５′はゲートライン、６．６′
はゲートコンタクト、７は浅いドレイン領域、８は深い
ドレイン領域、９．９−＋、９−ｚはソースライン、１
０．１０−、、１０−ｚはソースコンタクト、１１はド
レインライン、１２はドレインコンタクトを示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第２図 第３図 第５図 （Ａ） （Ｂ）
概念図、第２図は、本発明の実施例の平面構造を示す図
、第３図は、第２図に示した実施例の変形例を示す平面
構造図、第４図は、本発明の他の実施例の平面構造を示
す図、第５図ｆＡ）、 （Ｂ）は、従来のＣＭＤ受光素
子を用いた固体撮像装置の平面構成及び断面を示す図で
ある。 図において、１−１１ １−２＋ １−ｓ、１−４は
ＣＭ Ｄ受光素子からなる画素、２はソース頭載、３−
１゜３−２．３−ｓ、３−−はゲート電極、４．４′は
ゲート電極結合部、５，５′はゲートライン、６．６′
はゲートコンタクト、７は浅いドレイン領域、８は深い
ドレイン領域、９．９−＋、９−ｚはソースライン、１
０．１０−、、１０−ｚはソースコンタクト、１１はド
レインライン、１２はドレインコンタクトを示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第２図 第３図 第５図 （Ａ） （Ｂ）
Claims (1)
- 内部増幅機能を有するＣＭＤ受光素子を光電変換素子と
して用いた画素をマトリックス状に配置し、一方向に配
列された各ＣＭＤ受光素子の各ゲート電極を共通に接続
するためのゲートラインを備えている固体撮像装置にお
いて、隣接する複数個のＣＭＤ受光素子の各ゲート電極
を一つのゲートコンタクトによりゲートラインに接続し
たことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62095387A JPH0831585B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62095387A JPH0831585B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261744A true JPS63261744A (ja) | 1988-10-28 |
| JPH0831585B2 JPH0831585B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=14136241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62095387A Expired - Fee Related JPH0831585B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831585B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0862219A2 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-02 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor in which adjacent pixels share an integrated electrical element |
| EP0898312A2 (en) | 1997-08-15 | 1999-02-24 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657665B1 (en) * | 1998-12-31 | 2003-12-02 | Eastman Kodak Company | Active Pixel Sensor with wired floating diffusions and shared amplifier |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62095387A patent/JPH0831585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0862219A2 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-02 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor in which adjacent pixels share an integrated electrical element |
| EP0862219A3 (en) * | 1997-02-28 | 1999-01-13 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor in which adjacent pixels share an integrated electrical element |
| US6160281A (en) * | 1997-02-28 | 2000-12-12 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor with inter-pixel function sharing |
| US6423994B1 (en) | 1997-02-28 | 2002-07-23 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor with inter-pixel function sharing |
| EP0898312A2 (en) | 1997-08-15 | 1999-02-24 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
| EP0898312A3 (en) * | 1997-08-15 | 1999-12-22 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
| US6107655A (en) * | 1997-08-15 | 2000-08-22 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
| US6352869B1 (en) | 1997-08-15 | 2002-03-05 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831585B2 (ja) | 1996-03-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |