JPS63255954A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPS63255954A JPS63255954A JP62091173A JP9117387A JPS63255954A JP S63255954 A JPS63255954 A JP S63255954A JP 62091173 A JP62091173 A JP 62091173A JP 9117387 A JP9117387 A JP 9117387A JP S63255954 A JPS63255954 A JP S63255954A
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路装置に関し、特に樹脂封止型の混
成集積回路装置に関する。
成集積回路装置に関する。
従来、樹脂封止された混成集積回路装置は、金属製のリ
ードフレームのアイランドに接着材を用いて回路基板を
取付け、この回路基板に能動素子および受動素子を搭載
し、金属細線を用いて金属製リードに接続後トランスフ
ァ成形により樹脂封止されていた。
ードフレームのアイランドに接着材を用いて回路基板を
取付け、この回路基板に能動素子および受動素子を搭載
し、金属細線を用いて金属製リードに接続後トランスフ
ァ成形により樹脂封止されていた。
第2図は従来の混成集積回路装置の一例を示す断面図で
ある。
ある。
第2図に示すように、まず、平坦の金属製リードフレー
ムのアイランド18に導体層10を有する回路基板6を
回路基板接着用接着材8にて取り付ける。次に、導体層
10上に能動型回路素子4と受動型の回路素子5を素子
用接着材7にて取り付ける。次に金属細線3を用いて能
動型の回路素子4と受動型の回路素子5を金属リード1
1に接続する。最後に、トランスファ成形によりモール
ド樹脂2にて封止し、樹脂封止型の混成集積回路装置が
得られていた。
ムのアイランド18に導体層10を有する回路基板6を
回路基板接着用接着材8にて取り付ける。次に、導体層
10上に能動型回路素子4と受動型の回路素子5を素子
用接着材7にて取り付ける。次に金属細線3を用いて能
動型の回路素子4と受動型の回路素子5を金属リード1
1に接続する。最後に、トランスファ成形によりモール
ド樹脂2にて封止し、樹脂封止型の混成集積回路装置が
得られていた。
上述したように、従来の混成集積回路装置は、金属酸リ
ードフレームの金属製リードとアイランドの高さが同一
であるため、部品搭載面側に於いては、回路基板の接着
材の厚さ子回路基板の厚さ士受動あるいは能動素子の接
着材の厚さ士受動及び能動素子の厚さ土金属細線の山の
高さとなり、非搭載面側と比べ非常にモールド樹脂量及
び厚さともアンバランスとなってしまう。この結果、パ
ッケージのそり、割れ、及び空げき等が発生し、品質上
問題点があった。更に、金属細線を接続する上で搭載素
子と金属製リード間の落差が大きいと生産効率及び接続
信頼度も良くないという問題点かあった。
ードフレームの金属製リードとアイランドの高さが同一
であるため、部品搭載面側に於いては、回路基板の接着
材の厚さ子回路基板の厚さ士受動あるいは能動素子の接
着材の厚さ士受動及び能動素子の厚さ土金属細線の山の
高さとなり、非搭載面側と比べ非常にモールド樹脂量及
び厚さともアンバランスとなってしまう。この結果、パ
ッケージのそり、割れ、及び空げき等が発生し、品質上
問題点があった。更に、金属細線を接続する上で搭載素
子と金属製リード間の落差が大きいと生産効率及び接続
信頼度も良くないという問題点かあった。
本発明の目的は、パッケージのそり、割れ及び空けきが
なく、生産効率及び接続信頼度の良い混成集積回路装置
を得ることにある。
なく、生産効率及び接続信頼度の良い混成集積回路装置
を得ることにある。
本発明の混成集積回路装置は、アイランドに取付けられ
た導体層を有する回路基板と、前記専体層上に搭載され
た回路素子と、該回路素子とリードと接続する金属細線
とを有し樹脂封止された混成集積回路装置において、前
記アイランドをくぼんだ構造としたものである。
た導体層を有する回路基板と、前記専体層上に搭載され
た回路素子と、該回路素子とリードと接続する金属細線
とを有し樹脂封止された混成集積回路装置において、前
記アイランドをくぼんだ構造としたものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第1図に示すように、まず、プレス機等によりアイラン
ド9がくぼみ10を持つようにリードフレームを成形す
る。次に、くぼんだアイランド9に導体層11を有する
回路基板6を回路基板接着用接着材8にて取り付ける。
ド9がくぼみ10を持つようにリードフレームを成形す
る。次に、くぼんだアイランド9に導体層11を有する
回路基板6を回路基板接着用接着材8にて取り付ける。
次に、導体層11上に能動型の回路素子4と受動型の回
路素子5を素子用接着材にて取り付ける。次に金属細線
3f!:用いて能動型の回路素子4と受動型の回路素子
5を素子用接着材にて取り付ける。次に金属細線3を用
いて能動型の回路素子4と能動型の回路素子らを金属製
リード1に接続する。最後に、トランスファ成形により
モールド樹脂にて封止し、樹脂封止型の混成集積回路装
置が得られる。
路素子5を素子用接着材にて取り付ける。次に金属細線
3f!:用いて能動型の回路素子4と受動型の回路素子
5を素子用接着材にて取り付ける。次に金属細線3を用
いて能動型の回路素子4と能動型の回路素子らを金属製
リード1に接続する。最後に、トランスファ成形により
モールド樹脂にて封止し、樹脂封止型の混成集積回路装
置が得られる。
以上説明したように、本発明は、金属製リードフレーム
のアイランドに適当なくぼみ構造を持たせることにより
、部品搭載面と非部品搭載面とのモールド樹脂量及び厚
さのアンバランスを防止することにより、パッケージの
そり、割れ及び空げき等の発生による品質事故を未然に
防止す°ることかできる効果がある。更に、金属細線の
接続に対しても落差か小さくなるため、生産効率の向上
及び品質の向上が図れる効果がある。
のアイランドに適当なくぼみ構造を持たせることにより
、部品搭載面と非部品搭載面とのモールド樹脂量及び厚
さのアンバランスを防止することにより、パッケージの
そり、割れ及び空げき等の発生による品質事故を未然に
防止す°ることかできる効果がある。更に、金属細線の
接続に対しても落差か小さくなるため、生産効率の向上
及び品質の向上が図れる効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2[では従
来の混成集積回路装置の一例を示す断面図である。 1・・・金属製リード、2・・・モールド樹脂、3・・
・金属細線、4・・・能動型の回路素子、5・・・受動
型の回路素子、6・・・回路基板、7.8・・・接着材
、9・・・アイランド、]0・・・くぼみ、11・・・
導体層、1つ・・・アイラ〉′ド、21・・・金属製リ
ード。 、 ニー’、− 代理人 弁理士 内 原 晋〆、′な・第1図 7 亭″
来の混成集積回路装置の一例を示す断面図である。 1・・・金属製リード、2・・・モールド樹脂、3・・
・金属細線、4・・・能動型の回路素子、5・・・受動
型の回路素子、6・・・回路基板、7.8・・・接着材
、9・・・アイランド、]0・・・くぼみ、11・・・
導体層、1つ・・・アイラ〉′ド、21・・・金属製リ
ード。 、 ニー’、− 代理人 弁理士 内 原 晋〆、′な・第1図 7 亭″
Claims (1)
- アイランドに取付けられた導体層を有する回路基板と
、前記導体層上に搭載された回路素子と、該回路素子と
リードを接続する金属細線とを有し、樹脂封止された混
成集積回路装置において、前記アイランドをくぼんだ構
造としたことを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62091173A JPS63255954A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62091173A JPS63255954A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63255954A true JPS63255954A (ja) | 1988-10-24 |
Family
ID=14019075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62091173A Pending JPS63255954A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63255954A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0409196A2 (en) * | 1989-07-18 | 1991-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plastic molded type semiconductor device |
EP0600750A3 (en) * | 1992-12-04 | 1995-04-19 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit arrangement with a lead frame insert. |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61136249A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Nec Kansai Ltd | ハイブリツドic |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP62091173A patent/JPS63255954A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61136249A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Nec Kansai Ltd | ハイブリツドic |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0409196A2 (en) * | 1989-07-18 | 1991-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plastic molded type semiconductor device |
EP0600750A3 (en) * | 1992-12-04 | 1995-04-19 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit arrangement with a lead frame insert. |
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