JPS63250912A - ゲ−ト回路 - Google Patents
ゲ−ト回路Info
- Publication number
- JPS63250912A JPS63250912A JP8480587A JP8480587A JPS63250912A JP S63250912 A JPS63250912 A JP S63250912A JP 8480587 A JP8480587 A JP 8480587A JP 8480587 A JP8480587 A JP 8480587A JP S63250912 A JPS63250912 A JP S63250912A
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- JP
- Japan
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- pulse
- gate
- pulse transformer
- power conversion
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- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 241000053451 Silis Species 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明はサイリスタのゲート回路に関する。
(従来の技術)
電力変換素子の一種であるサイリスタのゲート回路を例
に挙げ、従来のゲート回路について説明する。
に挙げ、従来のゲート回路について説明する。
サイリスタのゲート回路は、通常直流電圧をパルストラ
ンスにより絶縁して、サイリスタのゲート電圧を与える
。また、ゲート信号ケーブルにのるノイズを吸収するフ
ィルタ回路をパルストランスの一次側に有している。
ンスにより絶縁して、サイリスタのゲート電圧を与える
。また、ゲート信号ケーブルにのるノイズを吸収するフ
ィルタ回路をパルストランスの一次側に有している。
さらに、ゲート回路について詳述すると、第4図に示す
ように、直流定電圧電源1と、ゲートパルス基準信号を
発生する基準信号発生器2と、この基準信号発生器2か
らのゲートパルス基準信号を増幅するトランジスタ3と
、ゲート電流を制限する限流抵抗器4とサイリスタゲー
ト信号ケーブルにのるノズルを除去するCRフィルタ5
と、サイリスタ6のゲートと基準信号発生器2とを絶縁
するパルストランス7と、ゲート電圧が正電圧のみとす
るダイオード8と、抵抗9とから構成される装置 このように構成されたゲート回路は、基準信号発生D2
からの信号をトランジスタ3にて増幅し、パルストラン
ス7にて絶縁して、サイリスタ6のゲートにゲート信号
を与えるように動作する。また、CRフィルタ5は、パ
ルストランス7の一次側のサイリスタゲート信号ケーブ
ルにのるノイズを吸収して、サイリスタ6がノイズによ
り誤点弧しないよう動作する。
ように、直流定電圧電源1と、ゲートパルス基準信号を
発生する基準信号発生器2と、この基準信号発生器2か
らのゲートパルス基準信号を増幅するトランジスタ3と
、ゲート電流を制限する限流抵抗器4とサイリスタゲー
ト信号ケーブルにのるノズルを除去するCRフィルタ5
と、サイリスタ6のゲートと基準信号発生器2とを絶縁
するパルストランス7と、ゲート電圧が正電圧のみとす
るダイオード8と、抵抗9とから構成される装置 このように構成されたゲート回路は、基準信号発生D2
からの信号をトランジスタ3にて増幅し、パルストラン
ス7にて絶縁して、サイリスタ6のゲートにゲート信号
を与えるように動作する。また、CRフィルタ5は、パ
ルストランス7の一次側のサイリスタゲート信号ケーブ
ルにのるノイズを吸収して、サイリスタ6がノイズによ
り誤点弧しないよう動作する。
ゲートパルスは、第5図(a)に示すように、負荷が誘
導性負荷で負荷電流の立上りが遅く、サイリスタ6のラ
ッチ電流に1回のパルス幅で到達できず、サイリスタ6
がONできないのを防止するために、キャリアパルスを
用いている。
導性負荷で負荷電流の立上りが遅く、サイリスタ6のラ
ッチ電流に1回のパルス幅で到達できず、サイリスタ6
がONできないのを防止するために、キャリアパルスを
用いている。
(発明が解決しようとする問題点)
上記従来のゲート回路は、フィルタ回路とパルストラン
スのインダクタンスにより、LCR回路を構成する。こ
のLCR回路により、ゲートパルスはLCR共振を起こ
し、パルストランスの一次側では、第5図(b)に示す
ように、本来のパルス以外にdv/dtの小さいパルス
Aが発生した波形となる。よって、電力変換素子のゲー
トに印加される電圧波形は、第5図(c)に示すように
、本来のゲートパルスの後に、dv/dtの小さいパル
スAが発生したものになる。
スのインダクタンスにより、LCR回路を構成する。こ
のLCR回路により、ゲートパルスはLCR共振を起こ
し、パルストランスの一次側では、第5図(b)に示す
ように、本来のパルス以外にdv/dtの小さいパルス
Aが発生した波形となる。よって、電力変換素子のゲー
トに印加される電圧波形は、第5図(c)に示すように
、本来のゲートパルスの後に、dv/dtの小さいパル
スAが発生したものになる。
したがって、負荷条件により、このdv/dtの小さい
パルスAで電力変換素子がONすると、ゲートの拡散が
遅く、サイリス508時の電力損失が大きくなり、iK
電力変換素子破壊の原因となる。
パルスAで電力変換素子がONすると、ゲートの拡散が
遅く、サイリス508時の電力損失が大きくなり、iK
電力変換素子破壊の原因となる。
そこで、上記問題点を鑑みて、本発明は、本来のゲート
パルス以外にdv/dtの小さいパルスが発生しないゲ
ート回路を提供することを目的とする。
パルス以外にdv/dtの小さいパルスが発生しないゲ
ート回路を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成するために1本発明は、電力変換素子へ
のゲートパルスの基準信号を増幅するトランジスタと、
このトランジスタからの出力信号を電力変換素子と絶縁
し、電力変換素子とトランジスタとの間に接続されるパ
ルストランスと、このパルストランスの一次側に接続さ
れるフィルタ回路と、パルストランスの一次側に接続さ
れるダイオードを備えたゲート回路を提供する。
のゲートパルスの基準信号を増幅するトランジスタと、
このトランジスタからの出力信号を電力変換素子と絶縁
し、電力変換素子とトランジスタとの間に接続されるパ
ルストランスと、このパルストランスの一次側に接続さ
れるフィルタ回路と、パルストランスの一次側に接続さ
れるダイオードを備えたゲート回路を提供する。
(作用)
このように構成されたゲート回路においては、ダイオー
ドをパルストランスの一次側に設けているので、ゲート
パルス発生後、パルストランスのインダクタンスにより
発生した逆電圧により、フィルタ回路のコンデンサに充
電された電荷が、パルストランスの一次側を通って放電
されない。しかし、プラス電位のゲートパルスがパルス
トランスに印加される。
ドをパルストランスの一次側に設けているので、ゲート
パルス発生後、パルストランスのインダクタンスにより
発生した逆電圧により、フィルタ回路のコンデンサに充
電された電荷が、パルストランスの一次側を通って放電
されない。しかし、プラス電位のゲートパルスがパルス
トランスに印加される。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
本実施例において、従来のゲート回路を示す第4図と同
一構成部分については、同一符号を付し、その説明は省
略する。
一構成部分については、同一符号を付し、その説明は省
略する。
第1図に示すように、本実施例のゲート回路は。
パルストランス7の一次側にダイオード10を有してい
る。このダイオード10はパルストランス7の一次側に
挿入されることにより、ゲートパルス発生後、パルスト
ランス7のインダクタンスにより発生した逆電圧で、C
Rフィルタ5のコンデンサ5aに充電された電荷がパル
ストランス7の一次側を通って放電されず、かつプラス
電位のゲートパルスがパルストランス7に印加される。
る。このダイオード10はパルストランス7の一次側に
挿入されることにより、ゲートパルス発生後、パルスト
ランス7のインダクタンスにより発生した逆電圧で、C
Rフィルタ5のコンデンサ5aに充電された電荷がパル
ストランス7の一次側を通って放電されず、かつプラス
電位のゲートパルスがパルストランス7に印加される。
したがって、パルストランス7の一次側電圧波形は、C
Rフィルタ5のコンデンサ5aに充電された電荷が、ダ
イオード10の作用により放電しないので、第2図(b
)に示すように、トランジスタ3がOFFのときは、マ
イナス電位となっている。しかし、パルストランス7の
二次側にはダイオード8が挿入されているので、プラス
電圧波形しか出力せず、サイリスタ6のゲートに与えら
れるゲートパルスの波形は第2図(c)で示す波形とな
る。
Rフィルタ5のコンデンサ5aに充電された電荷が、ダ
イオード10の作用により放電しないので、第2図(b
)に示すように、トランジスタ3がOFFのときは、マ
イナス電位となっている。しかし、パルストランス7の
二次側にはダイオード8が挿入されているので、プラス
電圧波形しか出力せず、サイリスタ6のゲートに与えら
れるゲートパルスの波形は第2図(c)で示す波形とな
る。
次に、本発明の他の実施例を図面を用いて説明する。
第3図に示すように、CRフィルタ5に直列に接続した
ダイオード20と、CRフィルタ5のコンデンサ5aの
充電電荷放電用としてコンデンサ5aに並列に接続した
抵抗21を有している。このゲート回路ではCRフィル
タ5のコンデンサ5aには、パルス電圧による充電電荷
がプラス電位に充電され、フィルタ効果がなくなるので
、コンデンサ5aの充電電荷放電用にコンデンサ5aに
並列に抵抗21を接続している。
ダイオード20と、CRフィルタ5のコンデンサ5aの
充電電荷放電用としてコンデンサ5aに並列に接続した
抵抗21を有している。このゲート回路ではCRフィル
タ5のコンデンサ5aには、パルス電圧による充電電荷
がプラス電位に充電され、フィルタ効果がなくなるので
、コンデンサ5aの充電電荷放電用にコンデンサ5aに
並列に抵抗21を接続している。
〔発明の効果)
以上説明したように、本発明においては、パルストラン
スの一次側にダイオードを挿入しているので、フィルタ
回路とパルストランスのインダクタンス間で発生する共
振現象により5本来のゲートパルスの後に、dv/dt
の小さいパルスが発生することを防止できる。
スの一次側にダイオードを挿入しているので、フィルタ
回路とパルストランスのインダクタンス間で発生する共
振現象により5本来のゲートパルスの後に、dv/dt
の小さいパルスが発生することを防止できる。
したがって、このdv/dtの小さいパルスにより、サ
イリスタ等の電力変換素子がONすることで生じるサイ
リスタ等の電力変換素子のON時の電力損失の増大によ
るサイリスタ等の電力変換素子の破壊を防止できる極め
て有用な効果を奏する。
イリスタ等の電力変換素子がONすることで生じるサイ
リスタ等の電力変換素子のON時の電力損失の増大によ
るサイリスタ等の電力変換素子の破壊を防止できる極め
て有用な効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例を示す回路構成図、第2図は
第1図に示した基準信号発生器の出力電圧波形、パルス
トランスの一次側電圧波形及びサイリスタのゲートに印
加される電圧波形を示す図、第3図は本発明の他の実施
例を示す回路構成図、第4図は従来のゲート回路を示す
回路構成図、第5図は第4図に示した基準信号発生器の
出力電圧波形、パルストランスの一次側電圧波形及びサ
イリスタのゲートに印加される電圧波形を示す図である
。
第1図に示した基準信号発生器の出力電圧波形、パルス
トランスの一次側電圧波形及びサイリスタのゲートに印
加される電圧波形を示す図、第3図は本発明の他の実施
例を示す回路構成図、第4図は従来のゲート回路を示す
回路構成図、第5図は第4図に示した基準信号発生器の
出力電圧波形、パルストランスの一次側電圧波形及びサ
イリスタのゲートに印加される電圧波形を示す図である
。
Claims (1)
- 電力変換素子のゲートへ発信するゲートパルスの基準信
号を発生する基準信号発生手段と、前記電力変換素子へ
の前記ゲートパルスの基準信号を増幅するトランジスタ
と、このトランジスタからの出力信号を前記電力変換素
子と絶縁し、前記電力変換素子と前記トランジスタとの
間に接続されるパルストランスと、このパルストランス
の一次側に接続されるフィルタ回路とを有し、前記電力
変換素子のゲートへゲートパルスを発信するゲート回路
において、前記パルストランスの一次側に接続されるダ
イオードを具備したことを特徴とするゲート回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8480587A JPS63250912A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | ゲ−ト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8480587A JPS63250912A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | ゲ−ト回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63250912A true JPS63250912A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13840927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8480587A Pending JPS63250912A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | ゲ−ト回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63250912A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012529646A (ja) * | 2009-06-12 | 2012-11-22 | アクティエボラゲット・エスコーエッフ | 回転検出手段を備えた転がりベアリングアセンブリ、そうしたアセンブリを備えた電気機械、ならびにそうした電気機械を具備したフォークリフトトラック |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP8480587A patent/JPS63250912A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012529646A (ja) * | 2009-06-12 | 2012-11-22 | アクティエボラゲット・エスコーエッフ | 回転検出手段を備えた転がりベアリングアセンブリ、そうしたアセンブリを備えた電気機械、ならびにそうした電気機械を具備したフォークリフトトラック |
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