JPS63243855A - 荷電粒子分析装置 - Google Patents
荷電粒子分析装置Info
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- JPS63243855A JPS63243855A JP62080252A JP8025287A JPS63243855A JP S63243855 A JPS63243855 A JP S63243855A JP 62080252 A JP62080252 A JP 62080252A JP 8025287 A JP8025287 A JP 8025287A JP S63243855 A JPS63243855 A JP S63243855A
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- image pickup
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- light
- electron beam
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- Pending
Links
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は、試料を励起線で励起し、励起された試料から
放出される光やX線等を用いて試料の組成及び構造の分
析を自動で行う装置に関する。
放出される光やX線等を用いて試料の組成及び構造の分
析を自動で行う装置に関する。
口、従来の技術
造岩鉱物や複合化合物などは複数の酸化物などの異なっ
た多くの相より構成されており、これらの各々の相を識
別し、それぞれの相に関して正確な定量分析を行うこと
により試料の組成や構造の分析を行っているが、定量分
析の精度を向ヒさせるために、試料表面における形状情
報を少なくする必要があり、そのために試料表面を研磨
している。しかし、表面を研磨された試料において表面
の光学観察による相の識別は困難となる場合が多い、従
って、相の識別のために試料をTl1I!i!切片にし
て、透過偏光観察により特定の相を識別する方法が取ら
れている。
た多くの相より構成されており、これらの各々の相を識
別し、それぞれの相に関して正確な定量分析を行うこと
により試料の組成や構造の分析を行っているが、定量分
析の精度を向ヒさせるために、試料表面における形状情
報を少なくする必要があり、そのために試料表面を研磨
している。しかし、表面を研磨された試料において表面
の光学観察による相の識別は困難となる場合が多い、従
って、相の識別のために試料をTl1I!i!切片にし
て、透過偏光観察により特定の相を識別する方法が取ら
れている。
しかし、上記の識別方法において、従来は各相の色を分
析者が目視観察することにより相の識別を行っているた
めに、分析者によって判断が異なる場合が生じ、分析効
率及び精度が安定化しない、そのために分析の自動化を
阻害されていると云う問題がある。
析者が目視観察することにより相の識別を行っているた
めに、分析者によって判断が異なる場合が生じ、分析効
率及び精度が安定化しない、そのために分析の自動化を
阻害されていると云う問題がある。
ハ1発明が解決しようとする問題点
本発明は、相の識別を分析者の目視観察にたよらず、試
料から放出される蛍光を検出し、その検比信号により相
を判別して分析位置の自動設定を行えるようにすること
により、分析の精度向上と自動化を泥進することを目的
とする。
料から放出される蛍光を検出し、その検比信号により相
を判別して分析位置の自動設定を行えるようにすること
により、分析の精度向上と自動化を泥進することを目的
とする。
二1問題点解決のための手段
励起線で試料を励起し、励起された試料から放出される
光やX線等を用いて試料の組成及び構造の分析を行う荷
電粒子分析装置において、励起された試料から放出され
る光を分光・検出する手段と、同分光・検出手段で得ら
れた分光測光データと分析位置を記憶する手段と、同記
憶手段に記憶されたデータに基づき試料を移動させるか
又は励起線を偏向させる手段を設けた。
光やX線等を用いて試料の組成及び構造の分析を行う荷
電粒子分析装置において、励起された試料から放出され
る光を分光・検出する手段と、同分光・検出手段で得ら
れた分光測光データと分析位置を記憶する手段と、同記
憶手段に記憶されたデータに基づき試料を移動させるか
又は励起線を偏向させる手段を設けた。
ホ 1ヤ用
Zn、Cd、Mg、Ca、Y等の酸化物や硫化物、その
他殆どの半導体は電子ビームによって励起された時に光
(カソードルミネッセンス)を出す。この発光は分子に
よって異なることが分かっており。本発明はこの光を試
料全面で測定することにより、試料の各相の分布情報を
入手し、得られた各相の分布情報によって分析点を選択
し、試「Iを分析点に自動設置できるようにするもので
ある。
他殆どの半導体は電子ビームによって励起された時に光
(カソードルミネッセンス)を出す。この発光は分子に
よって異なることが分かっており。本発明はこの光を試
料全面で測定することにより、試料の各相の分布情報を
入手し、得られた各相の分布情報によって分析点を選択
し、試「Iを分析点に自動設置できるようにするもので
ある。
へ、実施例
第1図に本発明の一実施例を示す。第1図において、E
は電子銃1から照射される電子ビーム、2はその電子ビ
ームEをXY方向に偏向させる1縛向レンズ、3は電子
ビームEを試料Sに集光させる対物レンズ、4は試料S
を保持する試料ホルダー、5は試料Sを任意の設定位置
に設置させるために上下左右に移動可能な試料ステージ
、6は試料ステージ5を駆動させるステージ駆動部、R
は電子ビームEの照射によって励起された試料Sから放
出されるX線、7はX線を分光する分光結晶、8は分光
された特性X線のみを検出器9に入射するように規制す
るスリット、9は分光された特性X線を検出するX線検
出器で、分光結晶7とスリット8とX線検出器9とを所
定の位置関係を維持させながら波長走査できるよう設置
して分光器At!0:構成し、試料Sから放出されたX
線を分光検出を行う。10はその分光器Aの波長走査駆
動を行う分光器駆動部である。凹面鏡11と凸面鏡12
と45度ミラー】3によってカソードルミネッセンス光
学系Bを構成し、試料Sを透過した光を窓14を通して
真空装置外部に取り出す。装置外に収り出した光をレン
ズ15でカラー撮像管16に結像させて撮像する。電子
ビームによる試料面走査とカラー撮像管16の走査とを
同期させて撮像管で撮像された撮像信号をCPU 17
に記憶させる。記憶させた撮像信号をCRT19に映出
する。CRT19に映出した映像上において分析点をラ
イトペン20で指示することにより、CPU17は指示
された分析点が電子ビームEの焦点に設置されるように
試料ステージ駆動部6によりXAe+ステージ5を駆動
する。
は電子銃1から照射される電子ビーム、2はその電子ビ
ームEをXY方向に偏向させる1縛向レンズ、3は電子
ビームEを試料Sに集光させる対物レンズ、4は試料S
を保持する試料ホルダー、5は試料Sを任意の設定位置
に設置させるために上下左右に移動可能な試料ステージ
、6は試料ステージ5を駆動させるステージ駆動部、R
は電子ビームEの照射によって励起された試料Sから放
出されるX線、7はX線を分光する分光結晶、8は分光
された特性X線のみを検出器9に入射するように規制す
るスリット、9は分光された特性X線を検出するX線検
出器で、分光結晶7とスリット8とX線検出器9とを所
定の位置関係を維持させながら波長走査できるよう設置
して分光器At!0:構成し、試料Sから放出されたX
線を分光検出を行う。10はその分光器Aの波長走査駆
動を行う分光器駆動部である。凹面鏡11と凸面鏡12
と45度ミラー】3によってカソードルミネッセンス光
学系Bを構成し、試料Sを透過した光を窓14を通して
真空装置外部に取り出す。装置外に収り出した光をレン
ズ15でカラー撮像管16に結像させて撮像する。電子
ビームによる試料面走査とカラー撮像管16の走査とを
同期させて撮像管で撮像された撮像信号をCPU 17
に記憶させる。記憶させた撮像信号をCRT19に映出
する。CRT19に映出した映像上において分析点をラ
イトペン20で指示することにより、CPU17は指示
された分析点が電子ビームEの焦点に設置されるように
試料ステージ駆動部6によりXAe+ステージ5を駆動
する。
試料面を電子ビームで走査する代わりに、電子ビームを
固定しておき試料ステージ5を駆動して試料面走査を行
い、試料ステージの位置データをアドレスとして1色分
解された光検出信号を記憶させ、この記憶データをカラ
ー表示して、玉料のように位置指定してもよい。或はこ
れらのカラーデータから、特定の蛍光ピークを自動検索
して分析位置を自動指定するようにしてもよい。
固定しておき試料ステージ5を駆動して試料面走査を行
い、試料ステージの位置データをアドレスとして1色分
解された光検出信号を記憶させ、この記憶データをカラ
ー表示して、玉料のように位置指定してもよい。或はこ
れらのカラーデータから、特定の蛍光ピークを自動検索
して分析位置を自動指定するようにしてもよい。
以上の構成において測定動産の一例を説明する、第2図
にCPU17のフローチャートを示す。
にCPU17のフローチャートを示す。
電子ビームEによって励起された試料Sから放出される
光をカソードルミネッセンス光学4Bで撮像管16でt
i像しくア)、撮像した撮像信号をCPU17で画像処
理し、試料Sを構成する相(分析)の判定表示を行う(
イ)3判定表示された相から定量分析を行う相(分析位
置)をライトペン20等によって指定する(つ)。指定
した相(分析位置)に試料Sを移動又は電子ビームを偏
向させて定量分析を行う。その定量分析の結果の表示・
記録を行う。
光をカソードルミネッセンス光学4Bで撮像管16でt
i像しくア)、撮像した撮像信号をCPU17で画像処
理し、試料Sを構成する相(分析)の判定表示を行う(
イ)3判定表示された相から定量分析を行う相(分析位
置)をライトペン20等によって指定する(つ)。指定
した相(分析位置)に試料Sを移動又は電子ビームを偏
向させて定量分析を行う。その定量分析の結果の表示・
記録を行う。
第1実施例ではカラー撮像管を使用することにより、あ
らゆる波長の光を一度に検出するようにしているが、分
光器と光検出器とによって各波長苺の検出信号を入手す
ることにより、試料を構成する相を分析しても同様の効
果が発揮される。
らゆる波長の光を一度に検出するようにしているが、分
光器と光検出器とによって各波長苺の検出信号を入手す
ることにより、試料を構成する相を分析しても同様の効
果が発揮される。
ト 効果
本発明によれば、カソードルミネッセンス光学系の分光
測定又はカラー撮像によって試料の分析位置の指定が容
易になり、分析位置設定が自動化されることにより、そ
の後の定量分析も含めてオンライン自動分析が可能とな
る。このことにより分析能率の大幅向上と分析精度への
個人差の影響を除去することが可能になった。
測定又はカラー撮像によって試料の分析位置の指定が容
易になり、分析位置設定が自動化されることにより、そ
の後の定量分析も含めてオンライン自動分析が可能とな
る。このことにより分析能率の大幅向上と分析精度への
個人差の影響を除去することが可能になった。
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図はCP I
Jのフローチャー1−である。 1・・電子銃、2・収束レンズ、3・・・対物レンズ、
E−電子銃から照射される電子ビーム、S・・・試料、
・1・・・試料ボルダ−15・・・試料ステージ、6・
・・ステージ駆動部、R・・X線、7・・・分光結晶、
8・・・スリッI・、9・・・X線検出器、10・・・
分光器駆動部、11・・凹面鏡、12・・凸面鏡、13
・・・45度ミラー、14 ・窓、15・・・レンズ、
16・・・カラー撮像管、17・・・・・中央制御装置
(CPU)、18・・・偏向回路、A・・分光器、B・
・・カソードルミネッセンス光学系。 第2図
Jのフローチャー1−である。 1・・電子銃、2・収束レンズ、3・・・対物レンズ、
E−電子銃から照射される電子ビーム、S・・・試料、
・1・・・試料ボルダ−15・・・試料ステージ、6・
・・ステージ駆動部、R・・X線、7・・・分光結晶、
8・・・スリッI・、9・・・X線検出器、10・・・
分光器駆動部、11・・凹面鏡、12・・凸面鏡、13
・・・45度ミラー、14 ・窓、15・・・レンズ、
16・・・カラー撮像管、17・・・・・中央制御装置
(CPU)、18・・・偏向回路、A・・分光器、B・
・・カソードルミネッセンス光学系。 第2図
Claims (1)
- 励起線で試料を励起し、励起された試料から放出される
光やX線等を用いて試料の組成及び構造の分析を行う荷
電粒子分析装置において、励起された試料から放出され
る光を分光・検出する手段と、同分光・検出手段で得ら
れた分光測光データと分析位置を記憶する手段と、同記
憶手段に記憶されたデータに基づき試料を移動させるか
又は励起線を偏向させる手段を設けたことを特徴とする
荷電粒子分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62080252A JPS63243855A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 荷電粒子分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62080252A JPS63243855A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 荷電粒子分析装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63243855A true JPS63243855A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13713122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62080252A Pending JPS63243855A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 荷電粒子分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63243855A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0615123A1 (en) * | 1992-09-28 | 1994-09-14 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for surface analysis |
US5594246A (en) * | 1994-04-11 | 1997-01-14 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for x-ray analyses |
US5877498A (en) * | 1992-09-28 | 1999-03-02 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for X-ray analyses |
JP2016191574A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | Jfeスチール株式会社 | 被膜損傷検知方法及び被膜損傷検知装置 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62080252A patent/JPS63243855A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0615123A1 (en) * | 1992-09-28 | 1994-09-14 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for surface analysis |
EP0615123A4 (en) * | 1992-09-28 | 1995-04-19 | Hitachi Ltd | SURFACE ANALYSIS METHOD AND DEVICE. |
US5481109A (en) * | 1992-09-28 | 1996-01-02 | Hitachi, Ltd. | Surface analysis method and apparatus for carrying out the same |
US5877498A (en) * | 1992-09-28 | 1999-03-02 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for X-ray analyses |
US5594246A (en) * | 1994-04-11 | 1997-01-14 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for x-ray analyses |
JP2016191574A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | Jfeスチール株式会社 | 被膜損傷検知方法及び被膜損傷検知装置 |
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