JPS63238580A - Ｘ線光量測定装置 - Google Patents
Ｘ線光量測定装置Info
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- JPS63238580A JPS63238580A JP7180487A JP7180487A JPS63238580A JP S63238580 A JPS63238580 A JP S63238580A JP 7180487 A JP7180487 A JP 7180487A JP 7180487 A JP7180487 A JP 7180487A JP S63238580 A JPS63238580 A JP S63238580A
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- ray
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- rays
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Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線ビームの光量測定装置に関し、特に、Ｘ線
露光におけるＸ線強度全測定する光量測定装置に関する
。
露光におけるＸ線強度全測定する光量測定装置に関する
。
（従来の技術）
従来から、シンクロトン放射によるＳＯＲ光を用いて半
導体ウェハーに微細加工を施す技術が知られている。こ
の際、 ＳＯＲ光の強度全知ることにより、半導体ウェ
ハーへのＳＯＲ光の照射量を決定している。即ち、半導
体ウェハーの微細加工において、半導体ウェハーに照射
されるＳＯＲ光の強度を知ることが不可欠である。
導体ウェハーに微細加工を施す技術が知られている。こ
の際、 ＳＯＲ光の強度全知ることにより、半導体ウェ
ハーへのＳＯＲ光の照射量を決定している。即ち、半導
体ウェハーの微細加工において、半導体ウェハーに照射
されるＳＯＲ光の強度を知ることが不可欠である。
従来、 ＳＯＲ光の強度を知る際には、シンクロトロン
の蓄積電子ビームの電流値と観測されるＳＯＲ光の強度
とが一対一に対応していると仮定して。
の蓄積電子ビームの電流値と観測されるＳＯＲ光の強度
とが一対一に対応していると仮定して。
ＳＯＲ光強度を求めるか、あるいは、 ＳＯＲ光を完全
に遮断してＳＯＲ光の強度全求めている。
に遮断してＳＯＲ光の強度全求めている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、 ＳＯＲ元ｕ １ ｍ ｒａｄ以下の極めて
狭いバンドで放射されるから、実際には電子ビームの位
置により光ビームの強度が時間的に変動してしまい、従
って、前述の仮定によりＳＯＲ光の強度を正確に求める
ことができない。一方、 ＳＯＲＯＲ完全完全断してし
まうと、 ＳＯＲ光を利用できないという問題点がある
。
狭いバンドで放射されるから、実際には電子ビームの位
置により光ビームの強度が時間的に変動してしまい、従
って、前述の仮定によりＳＯＲ光の強度を正確に求める
ことができない。一方、 ＳＯＲＯＲ完全完全断してし
まうと、 ＳＯＲ光を利用できないという問題点がある
。
（問題点を解決するための手段）
本発明による光量測定装置は、Ｘ線ビームを透過すると
ともにＸ線ビームの一部と光電変換を行うＸ線光電膜と
、Ｘ線ビームが通過する通路が規定され、Ｘ線光電膜か
ら放出される光電子を補獲する光電子捕獲手段とを有し
、光電子捕獲手段によって補獲された電子の量に基づい
てＸ線ビームの光量を測定するようにしたことを特徴と
している。
ともにＸ線ビームの一部と光電変換を行うＸ線光電膜と
、Ｘ線ビームが通過する通路が規定され、Ｘ線光電膜か
ら放出される光電子を補獲する光電子捕獲手段とを有し
、光電子捕獲手段によって補獲された電子の量に基づい
てＸ線ビームの光量を測定するようにしたことを特徴と
している。
（実施例）
以下本発明に実施例によって説明する。
第１図全参照して、シンクロトロン放射によるＳＯＲ光
の通路には９元電子放出薄膜１が配置され。
の通路には９元電子放出薄膜１が配置され。
この光電子放出薄膜１の後段には、 ＳＯＲ光の通路を
規定する円筒形状のアノード２が配設されている。この
アノード２の後側にはＸ線露光装置３が配置されている
。
規定する円筒形状のアノード２が配設されている。この
アノード２の後側にはＸ線露光装置３が配置されている
。
光電子放出薄膜１とアノード２には図示のように高電圧
発生装置４により直流高電圧が印加されている。一方ア
ノード２には増幅器（プリアンプ）５が接続されて一＠
力このプリアンプ５は判別器（ディスクリミネータ）６
に接続されている。
発生装置４により直流高電圧が印加されている。一方ア
ノード２には増幅器（プリアンプ）５が接続されて一＠
力このプリアンプ５は判別器（ディスクリミネータ）６
に接続されている。
Ｘ線ビームは光電子放出薄膜１によって一部吸収されて
、光電子に変換されるが、大半のＸ線ビームは光電子放
出薄板１を透過する。つまり、光電子放出薄膜１はＸ線
ビームの大半が透過する膜厚であり、しかも光電子全放
出し易い物質である。
、光電子に変換されるが、大半のＸ線ビームは光電子放
出薄板１を透過する。つまり、光電子放出薄膜１はＸ線
ビームの大半が透過する膜厚であり、しかも光電子全放
出し易い物質である。
光電子放出薄膜１から放出された光電子はアノード２に
集められ、この結果、アノード２から光電子放出薄膜１
に向う電流が流れる。この電流の大きさは光電子放出薄
膜１から放出される光電子に比例する。つまり、Ｘ線ビ
ームの光量に比例する。
集められ、この結果、アノード２から光電子放出薄膜１
に向う電流が流れる。この電流の大きさは光電子放出薄
膜１から放出される光電子に比例する。つまり、Ｘ線ビ
ームの光量に比例する。
アノード２に補獲された電子、即ち、アノード２の出力
電流は例えば、積分器として作用するプリアンプ（積分
型プリアンプ）５に入力され、露光期間中積分される。
電流は例えば、積分器として作用するプリアンプ（積分
型プリアンプ）５に入力され、露光期間中積分される。
この結果はディスクリミネータ６に入力されて、光量が
判別される。つ葦り。
判別される。つ葦り。
ディスクリミネータ６は必要とする露光量に達したこと
をプリアンプ５に蓄積された荷電量で知る。
をプリアンプ５に蓄積された荷電量で知る。
一方、光量の時間的変動を測定する場合には、アノード
２の出力を微分型のプリアンプに結合して。
２の出力を微分型のプリアンプに結合して。
微分型のプリアンｆ５の出力によりディスクリミネータ
６は時間的変動を記録する。
６は時間的変動を記録する。
光電子放出薄膜１を透過したＸ線ビームはアノード２に
規定された通路を通ってＸ線露光装置４に至る。
規定された通路を通ってＸ線露光装置４に至る。
ところで、光電子放出薄膜１からの放出光電子量が少な
い場合には、第２図に示すように１元電子放出薄膜１と
アノード２との間には環状のダイノード７が配置され、
光電子放出薄膜１からの光電子をダイノード７に衝突さ
せて、二次電子を放出しつつ二次電子を増倍させ、この
二次電子をアノード２で受けるようにすればよい。なお
、この場合１元電子放出薄膜１を透過したＸ線ビームは
ダイノード７及びアノード２で規定される通路を通って
Ｘ＠露光装置に至る なお、Ｘ線ビームの通路（Ｘ線ビームライン）は通常高
真空中に置かれるが、この通路に気体を充填してもよく
、この場合には、気体による電子増倍作用を利用するこ
とができる。
い場合には、第２図に示すように１元電子放出薄膜１と
アノード２との間には環状のダイノード７が配置され、
光電子放出薄膜１からの光電子をダイノード７に衝突さ
せて、二次電子を放出しつつ二次電子を増倍させ、この
二次電子をアノード２で受けるようにすればよい。なお
、この場合１元電子放出薄膜１を透過したＸ線ビームは
ダイノード７及びアノード２で規定される通路を通って
Ｘ＠露光装置に至る なお、Ｘ線ビームの通路（Ｘ線ビームライン）は通常高
真空中に置かれるが、この通路に気体を充填してもよく
、この場合には、気体による電子増倍作用を利用するこ
とができる。
また１例えば１元電子放出薄膜として、厚さ１０μｍの
カーボン膜を用いた場合＝ ６５０ ＭｅＶの’を子ビ
ームで軌道半径５０ｃｒｎのシンクロトロンからのＳＯ
Ｒ光は、エネルギーにして約５７％が透過する。同様に
厚さ２μｍのカーボン膜では約８０チが透過する。例え
ば、３００ｍＡの蓄積電予電することが可能である。
カーボン膜を用いた場合＝ ６５０ ＭｅＶの’を子ビ
ームで軌道半径５０ｃｒｎのシンクロトロンからのＳＯ
Ｒ光は、エネルギーにして約５７％が透過する。同様に
厚さ２μｍのカーボン膜では約８０チが透過する。例え
ば、３００ｍＡの蓄積電予電することが可能である。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、Ｘ線ビームを遮断
することなく、即ち、Ｘ線ビームを透過させて、Ｘ線ビ
ームの光量全測定できるから、Ｘ線露光の際、定量的に
露光を行うことができる。
することなく、即ち、Ｘ線ビームを透過させて、Ｘ線ビ
ームの光量全測定できるから、Ｘ線露光の際、定量的に
露光を行うことができる。
第１図は本発明によるＸ蔵元量測定装置の一実施例全概
略的に示す図、第２図は本発明によるＸ線光量測定装置
の他の実施例の要部を概略的に示す図である。 １・・・光電子放出薄膜、２・・・アノード、３・・・
Ｘ線露光装置、４・・・高電圧発生装置、５・・・プリ
アンプ。 ６・・・ディスクリミネータ、７・・・ダイノード。 第１図 第２図
略的に示す図、第２図は本発明によるＸ線光量測定装置
の他の実施例の要部を概略的に示す図である。 １・・・光電子放出薄膜、２・・・アノード、３・・・
Ｘ線露光装置、４・・・高電圧発生装置、５・・・プリ
アンプ。 ６・・・ディスクリミネータ、７・・・ダイノード。 第１図 第２図
Claims (1)
- １、Ｘ線ビームを透過するとともに該Ｘ線ビームの一部
と光電変換を行うＸ線光電膜と、前記透過したＸ線ビー
ムが通過する通路が規定され、前記Ｘ線光電膜から放出
される光電子を捕獲する光電子捕獲手段とを有し、該光
電子捕獲手段によって捕獲された電子の量に基づいて前
記Ｘ線ビームの光量を測定するようにしたことを特徴と
するＸ線光量測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7180487A JPS63238580A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Ｘ線光量測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7180487A JPS63238580A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Ｘ線光量測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63238580A true JPS63238580A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13471119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7180487A Pending JPS63238580A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Ｘ線光量測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63238580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382984A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-04-08 | General Electric Co <Ge> | Ｘ線露出制御用集束多素子検出器 |
| JP2004508544A (ja) * | 2000-08-31 | 2004-03-18 | ザ ユニバーシティ オブ アクロン | 撮像のための電子増倍管を備えた多密度多原子番号検出器媒体 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7180487A patent/JPS63238580A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382984A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-04-08 | General Electric Co <Ge> | Ｘ線露出制御用集束多素子検出器 |
| JP2004508544A (ja) * | 2000-08-31 | 2004-03-18 | ザ ユニバーシティ オブ アクロン | 撮像のための電子増倍管を備えた多密度多原子番号検出器媒体 |
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