JPS63236716A - Production of tantalum halide - Google Patents
Production of tantalum halideInfo
- Publication number
- JPS63236716A JPS63236716A JP6809087A JP6809087A JPS63236716A JP S63236716 A JPS63236716 A JP S63236716A JP 6809087 A JP6809087 A JP 6809087A JP 6809087 A JP6809087 A JP 6809087A JP S63236716 A JPS63236716 A JP S63236716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum
- organic solvent
- extracted
- ions
- halide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 79
- -1 tantalum halide Chemical class 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 73
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 32
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000003209 petroleum derivative Substances 0.000 claims abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910001460 tantalum ion Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 claims description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 31
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract description 6
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 abstract 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 abstract 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002440 industrial waste Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical class Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNSMNVMLTJELDZ-UHFFFAOYSA-N Bis(2-chloroethyl)ether Chemical compound ClCCOCCCl ZNSMNVMLTJELDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 244000061354 Manilkara achras Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910004546 TaF5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 102220298895 rs1025502215 Human genes 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000029305 taxis Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はタンタルのハロゲン化物の製造方法に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a method for producing a tantalum halide.
［従来の技術・問題点］
タンタルのハロゲン化物を造る方法としては、一旦金属
タンタルを造り、次に、ハロゲンガスと接触させること
により、次式のようにタンタルのフッ化物や塩化物を得
ることが広く採用されている。[Conventional technology/problems] The method for producing tantalum halides is to first produce tantalum metal and then contact it with halogen gas to obtain tantalum fluoride or chloride as shown in the following formula. has been widely adopted.
Ｔ ａ＋ ２ 、５ Ｃ１２＝ Ｔ ａＣ１ｓＴａ＋
２ 、５ Ｆ ｚ →ＴａＦ ｓこのような従来法では
、まず金属を造り、再びこれをハロゲンガスと反応させ
てハロゲン化物を造るものであり、高価なタンタル金属
を出発原料とするために、コストが嵩み、しかも、収率
が低いという欠点があった。また、純度を向上させるた
めに、エレクトロンビームを採用しなければならない等
、エネルギー多消費型の製造方法であった。T a+ 2,5 C12= T aC1sTa+
2,5 F z → TaF sIn this conventional method, a metal is first produced and then reacted with a halogen gas to produce a halide.Since expensive tantalum metal is used as a starting material, the cost is low. It has the drawbacks of being bulky and having a low yield. Furthermore, in order to improve the purity, an electron beam must be used, making the manufacturing method energy-intensive.
［問題点を解決するための手段］
本発明のタンタルのハロゲン化物の製造方法は高価な金
属タンタルを出発原料としてタンタルのハロゲン化物を
造るものではなく、一般に天然に存在する鉱物資源例え
ばタンクライト、コロンバイト、ストルベライト、パイ
ロクロア、及び錫スラグ、ＴａＮｂＦｅ合金等のタンタ
ル含有原料からあるいは産業廃棄物例えばタンタルコン
デンサーのスクラップ及び超硬ロールのスクラップ等か
ら一挙に高純度のタンタルハロゲン化物を造る方法に関
するもので、従来法のように、゛溶媒抽出技術を利用し
て不純物を分離して生成したＫｚＴａｆ’ｙの結晶を造
る工程、次に、これを金属Ｎａを用いて金属タンタルを
造る工程及び製造された金属タンタルを原料として高温
下でハロゲンガスと反応させてタンタルのハロゲン化物
を造る工程からなるように工程が長くなるという欠点や
収率が低下するという欠点を克服するものである。[Means for Solving the Problems] The method for producing tantalum halide of the present invention does not produce tantalum halide using expensive metal tantalum as a starting material, but generally uses naturally occurring mineral resources such as tankite, A method for producing high-purity tantalum halides all at once from tantalum-containing raw materials such as columbite, struberite, pyrochlore, tin slag, and TaNbFe alloys, or from industrial waste such as tantalum capacitor scraps and cemented carbide roll scraps. Then, as in the conventional method, there is a step of separating impurities using solvent extraction technology to create crystals of KzTaf'y, then a step of using this to create tantalum metal using metallic Na, and a step of producing tantalum. This method overcomes the disadvantages of a long process and a decrease in yield, as it consists of a step of producing a tantalum halide by reacting tantalum metal as a raw material with halogen gas at high temperatures.
従って、本発明は主としてタンタルとニオブを含有し且
つ１種または２種以上の金属不純物イオンが共存するフ
ッ酸またはフッ酸と硫酸の混合液からのタンタルのハロ
ゲン化物の製造方法において、
（ａ）前記フッ酸またはフッ酸と硫酸の混合液にケトン
の群、中性りん酸エステルの群、アルキルアミンの群及
びアミドの群より選択された１種または２種以上の有機
溶媒であって、石油系炭化水素で希釈された有機溶媒（
Ａ）を接触させて前記フッ酸またはフッ酸と硫酸の混合
液中のタンタルを優先的に抽出し、次に、有機溶媒（Ａ
）を水またはＮ Ｈ３及びＨＦまたはに＋及びＨＦを含
有する水溶液と接触させることにより、有機溶媒（Ａ）
に抽出されたタンタルを前記水または水溶液側に逆抽出
すると共に有機溶媒（Ａ）を再生する第１工程；（ｂ）
逆抽出されたタンタルイオンを含有する水溶液にＮＨｌ
及びＮＨ，ＯＨまたはＫＯＨ及びＫＦを添加し、タンタ
ル、フッ素及びＮＨ，＋またはタンタル、フッ素及びに
＋を含有する沈澱物を造る第２工程；及び
（ｃ）第１工程で得られたタンタル含有抽出液あるいは
第２工程で造られた沈澱物に、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣＩ、Ｈ
Ｉ、ＨＢｒ及びＨＦの群より選択された１種または２種
以上の酸を添加し、沈澱物を溶解して溶液とし、Ｈ＋イ
オン濃度を調節した後、エステルの群、エーテルの群、
ケトンの群及びアルコールの群よりなる群から選択され
た１種または２種以上の有機溶媒（Ｂ）を接触させるこ
とにより、前記溶液中のタンタルイオンをハロゲン化金
属錯体として有機溶媒（Ｂ）に抽出し、次に、有機溶媒
（Ｂ）を常圧状態または減圧状態で加熱・蒸発あるいは
加熱・蒸留することにより有機溶媒（Ｂ）を再生すると
共にタンタルのハロゲン化物を製造する第３工程よりな
ることを特徴とするタンタルのハロゲン化物の製造方法
を提供するにある。Therefore, the present invention provides a method for producing a tantalum halide from hydrofluoric acid or a mixed solution of hydrofluoric acid and sulfuric acid mainly containing tantalum and niobium and in which one or more metal impurity ions coexist: (a) One or more organic solvents selected from the group of ketones, the group of neutral phosphoric acid esters, the group of alkyl amines, and the group of amides are added to the hydrofluoric acid or the mixture of hydrofluoric acid and sulfuric acid, and petroleum organic solvent diluted with hydrocarbon (
A) to preferentially extract tantalum in the hydrofluoric acid or a mixture of hydrofluoric acid and sulfuric acid, and then contact with an organic solvent (A
) with water or an aqueous solution containing N H3 and HF or N+ and HF.
A first step of back-extracting the tantalum extracted into the water or aqueous solution and regenerating the organic solvent (A); (b)
Add NHL to the aqueous solution containing back-extracted tantalum ions.
and (c) a tantalum-containing precipitate obtained in the first step by adding NH, OH or KOH and KF to produce a precipitate containing tantalum, fluorine and NH,+ or tantalum, fluorine and NH,+; H2SO4, HCI, H
After adding one or more acids selected from the group of I, HBr and HF, dissolving the precipitate into a solution and adjusting the H+ ion concentration, the ester group, the ether group,
By contacting one or more organic solvents (B) selected from the group consisting of ketones and alcohols, tantalum ions in the solution are converted into a metal halide complex and converted into an organic solvent (B). The third step consists of extracting and then regenerating the organic solvent (B) by heating/evaporating or heating/distilling the organic solvent (B) under normal pressure or reduced pressure and producing a tantalum halide. The present invention provides a method for producing a tantalum halide, which is characterized by the following.
［作 用］
タンクライト、コロンバイト、ストルベライト、パイロ
クロア、錫スラグ、ＴａＮｂＦｅ合金等のタンタル含有
原料あるいはタンタルコンデンサーのスクラップ及び超
硬ロールのスクラップよりＷを除去回収したタンタルを
含有する産業廃棄物等の固形物をＨＦ及びＨＦ＋Ｈ２Ｓ
Ｏ４の混酸で溶解して得られた主としてタンタルとニオ
ブを含有し且つ１種または２種以上の金属不純物イオン
（例えばＦｅ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｃｕ、Ｋ 、Ｎａ５Ｎ Ｈ４、Ｚｎ、 Ｍｏ、 Ｓ
ｉ、 ＡＩ、Ｃａ、Ｖ、Ｌｉ、Ｔｈ等）が共存している
フッ酸またはフッ酸と硫酸の混合液を、ケトンの群、中
性りん酸エステルの群、アルキルアミンの群及びアミド
の群よの選択された有機溶媒であって、石油系炭化水素
で希釈された有機溶媒（Ａ）と接触させて前記フッ酸ま
たはフッ酸と硫酸の混合液中のタンタルを優先的に抽出
し、他の金属イオンと分離する。次に、有機溶媒（Ａ）
に抽出されたＮｂ及び他の金属不純物の濃度が許容でき
ない場合には、有機溶媒（Ａ）を水またはＮ ＨｓとＨ
Ｆを含有する水溶液と接触させて、有機溶媒（Ａ）中に
共抽出されなＮｂ及び他の金属不純物等のタンタルイオ
ンより抽出分配比の小さい金属イオンを選択的に有機相
より水相に移行させる。次に、有機溶媒（Ａ）を水また
はＮＨ３及びＨＰまたはに＋及びＨＦを含有する水溶液
と接触させることにより有機溶媒（Ａ）に含有されるタ
ンタルを水溶液側に逆抽出すると共に有機溶媒（Ａ）を
再生する。以上の工程より本発明の第１工程はなる。[Action] Tantalum-containing raw materials such as tankite, columbite, struberite, pyrochlore, tin slag, TaNbFe alloy, or tantalum-containing industrial waste recovered by removing W from tantalum capacitor scrap and carbide roll scrap, etc. of solid matter in HF and HF+H2S
It contains mainly tantalum and niobium obtained by dissolving it in a mixed acid of O4, and contains one or more metal impurity ions (e.g. Fe, Mn, Ti, Sn, Sb, W, Ni, C).
o, Cu, K, Na5N H4, Zn, Mo, S
i, AI, Ca, V, Li, Th, etc.), or a mixture of hydrofluoric acid and sulfuric acid, are added to the ketone group, neutral phosphate ester group, alkyl amine group, and amide group. The tantalum in the hydrofluoric acid or the mixture of hydrofluoric acid and sulfuric acid is preferentially extracted by contacting the organic solvent (A) diluted with a petroleum-based hydrocarbon, and separates from metal ions. Next, organic solvent (A)
If the concentration of Nb and other metal impurities extracted in
By contacting with an aqueous solution containing F, metal ions having a lower extraction and distribution ratio than tantalum ions such as Nb and other metal impurities that are not co-extracted into the organic solvent (A) are selectively transferred from the organic phase to the aqueous phase. let Next, the organic solvent (A) is brought into contact with water or an aqueous solution containing NH3 and HP or HF and tantalum contained in the organic solvent (A) is back-extracted to the aqueous solution side, and the organic solvent (A ) to play. The above steps constitute the first step of the present invention.
本発明の第２工程は逆抽出されたタンタルイオンを含有
する水溶液にＮ Ｈ３及びＮＨ，ＯＨまたはＫＯＨ及び
ＫＦを添加して次式に示すようにＦ−イオンとＮＨ，＋
イオンまたはＦ−イオンとに＋イオンを含有する沈澱物
を造ることよりなる：ｐＨの低い領域での反応
ＨＴａＦｓ ４３ＮＨ４Ｆ→（ＮＨ４）３ＴＩＬＨＦＩ
↓９Ｈの高い領域での反応
ＨＴａＦｓ 十８２０＋ ３Ｎ＋１３→（ＮＨ＜＞２Ｔ
ａＯＦｓ↓十ＮＨ，Ｆ本発明方法の第３工程は第２工程
で造られた上記にその一例を示す沈澱物あるいは第１工
程で得られたタンタルイオンを含有する逆抽出液にＨ２
Ｓ Ｏ４、ＨＣｌ及びＨＦの群より選択された１種また
は２種以上の酸を加え、沈澱物を溶解して溶液とし、Ｈ
＋イオン濃度を調節した後、エステルの群、エーテルの
群、ケトンの群及びアルコールの群よりなる群から選択
された１種または２種以上の有機溶媒（Ｂ）を接触させ
ることにより、該溶媒中のタンタルイオンをハロゲン化
金属錯体として有機溶ｆｉ（Ｂ）に抽出し、次に、有機
溶媒（Ｂ）を常圧状態または減圧状態で加熱・蒸発ある
いは加熱・蒸留することにより有機溶媒（Ｂ）を再生す
ると共にタンタルのハロゲン化物を造ることよりなる。The second step of the present invention is to add NH3 and NH,OH or KOH and KF to the aqueous solution containing the back-extracted tantalum ions to form F− ions and NH, +
ions or F- ions and a precipitate containing + ions: Reaction in the low pH region HTaFs 43NH4F→(NH4)3TILHFI
↓Reaction in the high 9H region HTaFs 1820+ 3N+13→(NH<>2T
aOFs↓1NH,F The third step of the method of the present invention is to add H2 to the precipitate produced in the second step, an example of which is shown above, or to the tantalum ion-containing strip extract obtained in the first step.
One or more acids selected from the group of SO4, HCl and HF are added to dissolve the precipitate to form a solution, and H
+ After adjusting the ion concentration, by contacting one or more organic solvents (B) selected from the group consisting of esters, ethers, ketones, and alcohols, The tantalum ions inside are extracted as metal halide complexes into the organic solution fi(B), and then the organic solvent (B) is heated and evaporated or heated and distilled at normal pressure or reduced pressure to form the organic solvent (B). ) and producing tantalum halide.
ここでタンタルイオンを有機溶媒（Ｂ）に抽出した時に
、有機溶媒（Ｂ）中のＮｂ及び他の金属不純物の濃度が
許容できないものである場合には、上述の有機溶媒（Ａ
）と同様の操作によりＮｂ及び他の金属不純物を水相に
移行させる工程を適宜組み込むことができる。Here, when the tantalum ions are extracted into the organic solvent (B), if the concentration of Nb and other metal impurities in the organic solvent (B) is unacceptable,
) A step of transferring Nb and other metal impurities to the aqueous phase can be incorporated as appropriate.
タンタルとニオブを含有し且つ１種または２種以上の上
述したような金属不純物イオンが共存するＨＦまたはＨ
Ｆ ＋ Ｈ２Ｓ Ｏ４の混合液を、ケトンの群、中性り
ん酸エステルの群、アルキルアミンの群及びアミドの群
より選択された１種または２種以上の有機溶媒であって
、石油系炭化水素で希釈された有機溶媒（Ａ）と接触さ
せると、有機溶媒（Ａ）は前記ＨＦまたは混合液中のタ
ンタルイオンを次式に示すように優先的に抽出する。HF or H containing tantalum and niobium and in which one or more metal impurity ions as mentioned above coexist
The mixed solution of F + H2S O4 is treated with one or more organic solvents selected from the group of ketones, the group of neutral phosphoric acid esters, the group of alkylamines, and the group of amides, and a petroleum-based hydrocarbon. When brought into contact with the organic solvent (A) diluted with HF, the organic solvent (A) preferentially extracts tantalum ions in the HF or the mixture as shown in the following formula.
ＴａＦａ−＋ Ｈ”＋ ｎｏｒｇ＋ＨＴａＦｓ Ｈｎｏ
ｒｇ抽出分配比はＴａ＞Ｎｂであり、その他の金属イオ
ンは更に抽出分配比が小さく、Ｎｂの抽出分配比に比較
して１０−３である。TaFa-+ H”+ norg+HTaFs Hno
The rg extraction/distribution ratio is Ta>Nb, and the extraction/distribution ratio of other metal ions is even smaller, being 10 −3 as compared to the extraction/distribution ratio of Nb.
Ｎｂの抽出分配比はＨ２ＳＯ，濃度が高くなるに従って
Ｔａの抽出分配比に近似してくるので、Ｔａの抽出に際
してＨ２ＳＯ，濃度の調節が重要である。Since the extraction and distribution ratio of Nb approaches the extraction and distribution ratio of Ta as the H2SO concentration increases, it is important to adjust the H2SO concentration when extracting Ta.
次に、Ｔａを抽出・含有している有機溶媒（Ａ）を水ま
たはＮＨ３とＨＦを含有している水溶液と接触させるこ
とにより、有機溶媒に共抽出されているＮｂ及び他の金
属不純物の微量の金属イオンを選択的に有機相より水相
に移行させることができる。これは有機溶媒（Ａ）中の
Ｎｂ及び他の金属不純物の濃度が許容できない場合に行
なう必要がある工程であるが、上述のような原料を使用
する場合には通常行なう必要がある。Next, by contacting the organic solvent (A) containing and extracting Ta with water or an aqueous solution containing NH3 and HF, trace amounts of Nb and other metal impurities co-extracted into the organic solvent are extracted. metal ions can be selectively transferred from the organic phase to the aqueous phase. This is a necessary step if the concentration of Nb and other metal impurities in the organic solvent (A) is unacceptable, but it is usually necessary when using raw materials such as those mentioned above.
Ｔａとは異なり、Ｎｂ及び他の上述のような金属不純物
はＨ２ＳＯ，濃度によって大きく抽出分配比が変化する
性質を利用して、有機相の共抽出物質を除いた後に、有
機溶媒（Ａ）を再び水またはＮＨ３及びＨＦまたはに０
及びＨＦを含有する水溶液と接触させることによりタン
タルイオンを水相に逆抽出する。Unlike Ta, Nb and other metal impurities such as those mentioned above are removed by using the organic solvent (A) after removing the co-extractable substances in the organic phase, taking advantage of the property that the extraction distribution ratio changes greatly depending on the concentration of H2SO. Water or NH3 and HF or 0 again
The tantalum ions are back extracted into the aqueous phase by contacting with an aqueous solution containing and HF.
共抽出物の洗浄操作とＴａイオンの逆抽出操作は用いる
水溶液は同一であっても、接触させる時の流量比率ある
いはＮＨ，の混入比率を高めることによって水相側の遊
離ＨＦ濃度が変化し、その結果、タンタルの抽出分配比
が大きく変化することを利用するものである。Even though the same aqueous solution is used in the co-extract washing operation and the Ta ion back-extraction operation, the free HF concentration on the aqueous phase side changes by increasing the flow rate ratio during contact or the mixing ratio of NH. As a result, the extraction and distribution ratio of tantalum changes greatly.
ＨＴａＦ＠ −ｎＯｒｇ＋３ＮＨ４Ｆ４ （Ｎｕｎ）ｚ
ＴａＦｔ＋ＮＨ４ＨＦｚ ＋ ｎｏｒｇ水相に逆抽出さ
れたタンタルイオンはＮＨ３を添加することにより、次
式に示すように水酸化物に近いＮＨ，＋とＦ−イオンを
含有する沈澱物を生ずる。HTaF@ -nOrg+3NH4F4 (Nun)z
TaFt+NH4HFz+norg The tantalum ions back-extracted into the aqueous phase produce a precipitate containing NH,+ and F- ions, which are close to hydroxide, as shown in the following equation by adding NH3.
（８Ｂ＜）ｚＴａＦｔ ＋ ２ＮＨｓ 十ＨｚＯ−（Ｎ
Ｈｌ）ｔＴａＯＦｓ↓＋２ＮＨ，ＦＮＨ３を添加する前
に、大量の水を加え、水溶液中のＨＦ濃度を希薄にすれ
ば、タンタルイオンを水酸化物として沈澱させることが
できる。(8B<)zTaFt + 2NHs 1HzO-(N
If a large amount of water is added before adding Hl)tTaOFs↓+2NH, FNH3 to dilute the HF concentration in the aqueous solution, tantalum ions can be precipitated as hydroxide.
（ＮＨ＜）ｚＴａＦ７＋ ５ＮＩＩ３ ＋ ５Ｈ２０→
Ｔａ（ＯＲ）ｓ↓＋７ＮＨ４Ｆ次に、タンタル逆抽出液
及びタンタル含有沈澱物に、ＨＦ、ＨＩ 、ＨＢｒ、Ｈ
２ＳＯ４及びＨＣｌの中から選択される１種または２種
以上の酸を加えて沈澱物を溶解し且つＨ＋イオン濃度を
調節する。(NH<)zTaF7+ 5NII3 + 5H20→
Ta(OR)s↓+7NH4F Next, add HF, HI, HBr, H
One or more acids selected from 2SO4 and HCl are added to dissolve the precipitate and adjust the H+ ion concentration.
（ＮＨ４）ｚＴａＦｔ ＋ Ｈ２ＳＯ４→ＴａＦ５−”
（８１＜ ）ｚｓＯ＜ ＋ ＩＦ ＋ Ｈ”（ＮＨ４）
２ＴａＯＦｓ ＋ ＨＦ＋ ＨｚＳＯ＜＝ＴａＦｓ−＋
（ＮＨ４）ｚｓｏ＜＋ＩＩ、０＋Ｈ”
Ｔａ（０１１）ｓ＋ ６１１ＣＩ２→ＴａＣ４’ａ″″
＋５１１２０＋Ｈ”高濃度のタンタルハロゲン化錯イオ
ンを含有する水溶液に、エステルの群、エーテルの群、
ケトンの群及びアルコールの群よりなる群より選択され
た１種または２種以上の有機溶媒（Ｂ）を接触させるこ
とにより次°式に示すようにタンタルをハロゲン化金属
錯体として抽出することができる。(NH4)zTaFt + H2SO4→TaF5−”
(81<)zsO< + IF + H” (NH4)
2TaOFs + HF+ HzSO＜=TaFs−+
(NH4)zso＜+II, 0+H” Ta(011)s+ 611CI2→TaC4'a″″
+51120+H” In an aqueous solution containing a high concentration of tantalum halide complex ions, an ester group, an ether group,
By contacting one or more organic solvents (B) selected from the group consisting of ketones and alcohols, tantalum can be extracted as a metal halide complex as shown in the following formula: .
ＴａＦｉ−＋ｎ”＋ ｎＯｒｇ→ＨＴａＦｇ Ｈｎｏｒ
ｇＴａＣｌｓ−＋ Ｈ”＋ ｎＯｒｇ−＋ＨＴａＣ１，
・ｎＯｒｇ式中、Ｏｒｇとは含酸素有機溶媒を示し、エ
ステル、エーテル、ケトン及びアルコールの各群から選
択されるものである。TaFi-+n”+ nOrg→HTaFg Hnor
gTaCls-+ H"+ nOrg-+HTaC1,
-nOrg In the formula, Org represents an oxygen-containing organic solvent, and is selected from the group of esters, ethers, ketones, and alcohols.
次に、必要であれば、有機溶媒（Ｂ）を洗浄し、次に、
タンタルのハロゲン化金属錯体を抽出・含有する有機溶
媒（Ｂ）を常圧状態あるいは減圧状態で、加熱・蒸発ま
たは加熱・蒸留することにより次式に示すように有機溶
媒（Ｂ）を回収すると共にタンタルのハロゲン化物を造
ることができる。Next, if necessary, the organic solvent (B) is washed, and then
Extract the tantalum metal halide complex and recover the organic solvent (B) as shown in the following formula by heating and evaporating or heating and distilling the organic solvent (B) containing it under normal pressure or reduced pressure. Tantalum halides can be made.
また、加熱・蒸発あるいは加熱・蒸留を行なう前に、必
要に応じて、物理的に混入している水、抽出されている
Ｈ、Ｏを乾燥・除去することによりＴａＦ５及びＴａｃ
ｔｓに含有される酸素量を極めて微量に低下させること
ができる。In addition, before heating/evaporating or heating/distilling, TaF5 and Tac
The amount of oxygen contained in ts can be reduced to an extremely small amount.
加熱・蒸発及び加熱・蒸留の温度によって、含酸素有機
溶媒（Ｂ）の酸化を防止し且つ生成するハロゲン化物の
酸化を防止する目的のために、装置内を不活性ガスで充
満させることができる。Depending on the heating/evaporation and heating/distillation temperatures, the inside of the apparatus can be filled with an inert gas for the purpose of preventing oxidation of the oxygen-containing organic solvent (B) and preventing oxidation of the generated halide. .
本発明で出発原料となるタンタルとＮｂ、Ｆｅ、Ｍｎ、
Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｋ、Ｎ ａ
、 Ｎ Ｈｓ、Ｚｎ、 Ｍｏ、 Ｓｉ、 ＡＩ、Ｃａ、
■、Ｌｉ、Ｔｈ等の１種または２種以上の金属不純物イ
オンが共存する水溶液は次のようにして造られる。Tantalum, which is the starting material in the present invention, Nb, Fe, Mn,
Ti, Sn, Sb, W, Ni, Co, Cu, K, Na
, N Hs, Zn, Mo, Si, AI, Ca,
(2) An aqueous solution in which one or more metal impurity ions such as Li, Th, etc. coexist is prepared as follows.
−ａに、タンライト、コロンバイト、ストルベライト、
パイロクロア、錫スラグ及びＴａＮｂＦｅ合金のような
タンタル含有原料あるいはタンタルコンデンサーのスク
ラップ、不良品等の電子材料。-a, tanlite, columbite, struberite,
Tantalum-containing raw materials such as pyrochlore, tin slag and TaNbFe alloys, or electronic materials such as tantalum capacitor scraps and defective products.
廃棄物を、フッ酸単独及びフッ酸と硫酸あるいはフッ酸
と硝酸の如き混酸により溶解することにより遣ることが
できる。The waste can be disposed of by dissolving it in hydrofluoric acid alone or in a mixed acid such as hydrofluoric acid and sulfuric acid or hydrofluoric acid and nitric acid.
本発明で使用さ゛れる有機溶媒（Ａ）は次の群より選択
される。The organic solvent (A) used in the present invention is selected from the following group.
■ケトンの群：
Ｒ・〉Ｃ＝０
（式中、Ｒ及びＲ′はアルキル基またはアリール基を示
し、炭素原子数が３〜１８個のものが使用される）で表
されるケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン、メチルプロピルケトン及びその類似ケトン。■Group of ketones: Ketones represented by R. Isobutyl ketone, cyclohexanone, methylpropyl ketone and similar ketones.
■中性りん酸エステル：
（式中、Ｒは炭素原子数４〜１８個のアルキル基を表す
）。(2) Neutral phosphoric acid ester: (wherein, R represents an alkyl group having 4 to 18 carbon atoms).
■アルキルアミンの群：
ＲＮＨ−１Ｒ，ＮＨ−及びＲ，ＮＨ−（式中、Ｒはアル
キル基を表し、炭素原子数が４〜２４個のものが使用さ
れる）で表される第１級〜第３級アミン。■ Alkylamine group: RNH-1 Primary represented by R, NH- and R, NH- (wherein R represents an alkyl group, and those having 4 to 24 carbon atoms are used) ~Tertiary amine.
■アミドの群：
Ｒ−Ｃ−１１Ｈ２Ｒ−Ｎ−Ｃ−Ｃ１１３Ｒ−Ｎ−Ｃ−Ｃ
Ｈ２−Ｃ−Ｎ−ＲＩＩ ＩＩＩ Ｉｌ
ｌ ＩＩＩＯＲ’ＯＲ’ＯＯＲ’
（式中、Ｒはアルキル基を示し、炭素原子数が４〜２５
個のものが使用される）。■Amide group: R-C-11H2R-N-C-C113R-N-C-C
H2-C-N-RII III Il
l IIIOR'OR'OOR' (wherein, R represents an alkyl group, and the number of carbon atoms is 4 to 25
).
本発明方法に使用される有機溶媒（Ａ）の希釈剤は石油
系炭化水素であり、芳香族質のものも、脂肪族質のもの
も使用することができる。勿論、これらの混合物を使用
することもできる。有機溶媒（Ａ）すなわち抽出剤は上
述の各群から選択され、１種の場合も、２種以上を併用
する場合もあるが、これらの混合比は対象とする水溶液
の性状や不純物の種類とそれらの共存する割合によって
決定することができる。The diluent for the organic solvent (A) used in the method of the present invention is a petroleum hydrocarbon, and both aromatic and aliphatic diluents can be used. Of course, mixtures of these can also be used. The organic solvent (A), that is, the extractant, is selected from the above groups, and may be used alone or in combination of two or more, but the mixing ratio of these depends on the properties of the target aqueous solution and the types of impurities. It can be determined by the proportion of their coexistence.
抽出剤濃度も同様で、一般に２〜１００％（容蕾 積比）に調節して使用することができる。The extractant concentration is also similar, generally 2-100% (bud volume It can be used by adjusting the product ratio).
本発明で使用される有機溶媒（Ｂ）は次の群より選択さ
れる。The organic solvent (B) used in the present invention is selected from the following group.
■ケトンの群：
Ｒ・〉Ｃ＝○
（式中、Ｒ及びＲ′はアルキル基またはアリール基を示
し、炭素原子数が２〜１８個のものが使用される）で表
されるケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン、メチルプロピルケトン、メチルシクロヘキサノン
及びその類似ケトン。■Group of ketones: Ketones represented by R・〉C=○ (in the formula, R and R' represent an alkyl group or an aryl group, and those having 2 to 18 carbon atoms are used), methyl Isobutyl ketone, cyclohexanone, methylpropyl ketone, methylcyclohexanone and similar ketones.
■アミドの群：
（式中、Ｒはアルキル基を示し、炭素原子数が２〜１８
個のものが使用される）。■Amide group: (In the formula, R represents an alkyl group and has 2 to 18 carbon atoms.
).
■エステルの群：
りん酸エステル及び酢酸エステルから選択することがで
きる。■Ester group: Can be selected from phosphate esters and acetate esters.
■エーテルの群：
脂肪族単一エーテル、脂肪族混成エーテル、脂肪族不飽
和エーテル及び芳香族エーテルの中より選択することが
でき、ジイソアミルエーテル、ジエチルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテル、ジクロールエチルエーテル及びこ
れらと類似する形態のエーテルを含むものである。■Ether group: Can be selected from aliphatic single ether, aliphatic mixed ether, aliphatic unsaturated ether and aromatic ether, diisoamyl ether, diethyl ether, diisopropyl ether, dichloroethyl ether and these It contains ether in a similar form.
■アルコールの群：
炭素原子数４〜２２個の各種（ノルマル、第２、第３）
アルコールを使用することができる。■Alcohol group: Various types with 4 to 22 carbon atoms (normal, secondary, tertiary)
Alcohol can be used.
本発明で使用される副生ハロゲン化アンモニウムの固形
物を洗浄するための溶剤としては以下のものを挙げるこ
とができる。Examples of the solvent for washing the solid by-product ammonium halide used in the present invention include the following.
■石油系炭化水素系では、石油エーテル、石油ベンゼン
、ヘキソン等の沸点が１００℃以下で、表面張力が２０
℃で３０ダイン／ｃＩＩ以下のものが含まれる。■For petroleum hydrocarbons, the boiling point of petroleum ether, petroleum benzene, hexon, etc. is below 100℃, and the surface tension is 20℃.
Includes 30 dynes/cII or less at °C.
■芳香族炭化水素系では、ベンゼン等が使用される。■For aromatic hydrocarbons, benzene etc. are used.
本発明で使用される乾燥剤とは有機溶媒（Ｂ）に物理的
に混入している水及びタンタルのハロゲン化錯体と共に
抽出されたＨ、Ｏを除去し、乾燥するために使用するも
ので、無水芒硝、無水塩化カルシウム、無水硫酸マグネ
シウム、無水塩化マグネシウム、無水塩化カリウム、付
活アルミナ、過塩素酸マグネシウム、五酸化りん、無水
炭酸カリウム、酸化バリウム及び合成ゼオライト等のモ
レキュラーシーブを使用することができる。The desiccant used in the present invention is used to remove and dry H and O extracted together with water and tantalum halogenated complex physically mixed in the organic solvent (B). Molecular sieves such as anhydrous sodium sulfate, anhydrous calcium chloride, anhydrous magnesium sulfate, anhydrous magnesium chloride, anhydrous potassium chloride, activated alumina, magnesium perchlorate, phosphorus pentoxide, anhydrous potassium carbonate, barium oxide, and synthetic zeolite can be used. can.
本発明の任意工程である乾燥工程は有機溶媒（Ｂ）中に
物理的に混入している水及びタンタルのハロゲン化錯体
と共に抽出されたＨ２Ｏを除去して最終生成物であるタ
ンタルのハロゲン化物中の酸素含量を最低量まで減少さ
せるための工程である。しかし、ある程度の有機溶媒（
Ｂ）中に存在する水は常圧状態あるいは減圧状態での加
熱・蒸発あるいは加熱・蒸留工程で除去することもでき
る。The drying step, which is an optional step of the present invention, removes the water physically mixed in the organic solvent (B) and H2O extracted together with the tantalum halide complex to form the final product tantalum halide. It is a process for reducing the oxygen content of However, some organic solvents (
The water present in B) can also be removed by heating and evaporation at normal pressure or reduced pressure, or by a heating and distillation process.
なお、この乾燥工程は有機溶媒（Ｂ）を上述のような物
質と接触させるものであるために、水を除去する代わり
に若干の不純物が有機溶媒（Ｂ）中に混入する場合もあ
り、最終生成物であるタンタルのハロゲン化物において
、所望とされる酸素含有量並びに不純物含有量等により
必要に応じて行なうことができる。In addition, since this drying process brings the organic solvent (B) into contact with the above-mentioned substances, some impurities may be mixed into the organic solvent (B) instead of removing water. The treatment can be carried out as necessary depending on the desired oxygen content, impurity content, etc. in the tantalum halide product.
本発明で使用する不活・性ガスとはＮ、ガスまたはＡｒ
ガスであり、有機溶媒（Ｂ）を加熱・蒸発あるいは加熱
・蒸留する際に有機溶媒（Ｂ）の酸化を防止しなり、生
成したタンタルのハロゲン化物が変質しないように用い
ることができる。The inert gas used in the present invention is N, gas or Ar.
It is a gas and can be used to prevent oxidation of the organic solvent (B) when the organic solvent (B) is heated and evaporated or heated and distilled, and to prevent the generated tantalum halide from deteriorating.
また、ＮＨ，で中和する前に装置内の大気を追い出すた
めに、タンタルのハロゲン化物にアルカノールを添加す
ることもできる。An alkanol can also be added to the tantalum halide to purge the atmosphere from the apparatus before neutralization with NH.
以下、本発明方法を添付図に基づき説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではないことを理解されたい
。The method of the present invention will be explained below based on the accompanying drawings, but it should be understood that the present invention is not limited thereto.
第１図のフローシートは本発明操作の基本型を示す図で
あり、主としてＴａとＮｂを含み、１種または２種以上
の金属不純物のイオンを含有しているフッ酸単独または
フッ酸と硫酸との混合物をタンタルの抽出工程（Ａ）に
導き、有機溶媒（Ａ）と接触させることにより上述のフ
ッ酸または混合液中のタンタルをフッ化物錯体として抽
出する。The flow sheet of FIG. 1 is a diagram showing the basic type of operation of the present invention, and includes hydrofluoric acid alone or hydrofluoric acid and sulfuric acid containing mainly Ta and Nb and one or more metal impurity ions. The mixture is led to the tantalum extraction step (A) and brought into contact with the organic solvent (A) to extract the tantalum in the above-mentioned hydrofluoric acid or the mixture as a fluoride complex.
タンタルを抽出・含有する有機溶媒（Ａ）中には、Ｎｂ
、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｎｉ％Ｃｏ、Ｃ
ｕ、に、Ｎａ、ＮＨ，、Ｚｎ、 Ｍｏ、 Ｓｉ、 ＡＩ
、Ｃａ、Ｖ、Ｌｉ、Ｔｂ等の１種または２種以上の金属
不純物イオンも微量抽出され、これらの抽出量が許容で
きない場合には、これら金属不純物を選択的に洗浄する
洗浄工程（Ｂ）へ導き、水またはＮＨ，とより水相に不
純物金属イオンを移行せしめた後、該有機溶媒をタンタ
ルの逆抽出工程（Ｃ）に導き、水またはＮＨ，及びＨＦ
またはに＋及びＫＦを含有する水溶液（ロ）と接触させ
ることにより有機相よりタンタルのフッ化物錯体を水相
に移行せしめると共に有機溶媒を再生して再度タンタル
の抽出工程（Ａ）へ循環する６本発明方法の第１工程は
以上の工程よりなる。In the organic solvent (A) that extracts and contains tantalum, Nb
, Fe, Mn, Ti, Sn, Sb, W, Ni%Co, C
u, Ni, Na, NH,, Zn, Mo, Si, AI
A trace amount of one or more metal impurity ions such as , Ca, V, Li, Tb, etc. is also extracted, and if these extracted amounts are unacceptable, a cleaning step (B) is performed to selectively clean these metal impurities. After the impurity metal ions are transferred to the aqueous phase with water or NH, the organic solvent is introduced into the tantalum back extraction step (C), where water or NH and HF are introduced.
Alternatively, the tantalum fluoride complex is transferred from the organic phase to the aqueous phase by contacting with an aqueous solution (b) containing + and KF, and the organic solvent is regenerated and recycled to the tantalum extraction step (A) again. The first step of the method of the present invention consists of the above steps.
本発明方法の第２工程は水相中に移行せしめたタンタル
を中和・濾過工程（Ｄ）に導き、ＮＨ，ガス及びＮＨ，
ＯＨまたはＫＯＨ及びＫＦ（ハ）を添加することによっ
てタンタルとＮＨ，＋及びＨＦを含有する沈澱物が得ら
れる。In the second step of the method of the present invention, the tantalum transferred into the aqueous phase is led to the neutralization/filtration step (D), and NH, gas and NH,
By adding OH or KOH and KF(c), a precipitate containing tantalum, NH, + and HF is obtained.
次に、第１工程で得られたタンタルのフッ化物錯体を含
有する逆抽出液及び第２工程で得られたＮＨ，とＨＦを
含有するタンタルの沈澱物を溶解し、Ｈ＋イオン濃度を
調節する溶解・Ｈ＋イオン濃度調節工程（Ｅ）において
、Ｈ２ＳＯ，、ＨＢｒ、ＨＩ、ＨＣｌ及びＨＰの中から
選択された１種まロゲン化錯体を抽出する抽出工程（Ｆ
）において、エーテルの群、ケトンの群、アミドの群、
エステルの群及びアルコールの群からなる各群から選択
された１種または２種以上の抽出剤からなる有機溶媒（
Ｂ）と接触させること（こより、該溶液中のタンタルの
ハロゲン化錯体が有機溶媒（Ｂ）に抽出・含有される。Next, the reverse extraction solution containing the tantalum fluoride complex obtained in the first step and the tantalum precipitate containing NH and HF obtained in the second step are dissolved to adjust the H+ ion concentration. In the dissolution/H+ ion concentration adjustment step (E), an extraction step (F
), ether group, ketone group, amide group,
An organic solvent consisting of one or more extractants selected from each group consisting of the ester group and the alcohol group.
B) (Thus, the tantalum halogenated complex in the solution is extracted and contained in the organic solvent (B).
次に、有機溶媒を加熱・蒸発または加熱・蒸留工程（Ｇ
）に導き、必要によりＮ２、Ａｒガス（ポ）等を導入し
た常圧状態あるいは減圧状態で加熱・蒸発または加熱・
蒸留することにより、有機溶媒（Ｂ）を再生すると共に
タンタルの塩化物錯体及びタンタルのフッ化物錯体等の
タンタルのハロゲン化物（Ｈ）を製造することができる
。ここで、タンタルを抽出・含有する有機溶媒（Ｂ）中
にＮｂ及び他の金属不純物が許容できない濃度で存在す
る場合には、抽出工程（Ｆ）の後に適宜上述の洗浄工程
（Ｂ）を導入し、次に、加熱・蒸発または加熱・蒸留工
程（Ｇ）へ送ることができる。以上の工程より、本発明
方法の第３工程がなる。Next, the organic solvent is heated and evaporated or heated and distilled (G
), and heat/evaporate or heat/evaporate under normal pressure or reduced pressure by introducing N2, Ar gas (po), etc. as necessary.
By distilling, the organic solvent (B) can be regenerated and tantalum halides (H) such as tantalum chloride complexes and tantalum fluoride complexes can be produced. Here, if Nb and other metal impurities exist at an unacceptable concentration in the organic solvent (B) that extracts and contains tantalum, the above-mentioned cleaning step (B) is introduced as appropriate after the extraction step (F). Then, it can be sent to a heating/evaporation or heating/distillation step (G). The above steps constitute the third step of the method of the present invention.
第２図のフローシートはタンタルのハロゲン化物を造る
方法としては第１図のフローシートと同一であるが、第
３工程において、タンタルのハロゲン化錯体を抽出する
抽出工程（Ｆ）を出たタンタルを抽出・含有している有
機溶媒（Ｂ）を屹燥剤（へ）と接触させることよりなる
乾燥工程（Ｊ）が組み込まれたものである。The flow sheet in Figure 2 is the same as the flow sheet in Figure 1 as a method for producing tantalum halides, but in the third step, the tantalum that has passed through the extraction step (F) to extract the tantalum halide complex is A drying step (J) is incorporated, which comprises bringing the organic solvent (B) extracted and containing the organic solvent (B) into contact with a desiccant agent (H).
［実 施 例］ 以下に実施例を挙げ、本発明を更に説明する。[Example] The present invention will be further explained with reference to Examples below.
以下の試験に使用するＴａ含有液はタンクライトとコロ
ンバイトを混合してＨＦとＨ２ＳＯ４の混酸で溶解する
ことによって得られたものである。The Ta-containing liquid used in the following tests was obtained by mixing tankite and columbite and dissolving the mixture in a mixed acid of HF and H2SO4.
得られたＴａ含有液の組成を以下の第１表に記載する。The composition of the obtained Ta-containing liquid is listed in Table 1 below.
、亡（１
’、：１′人・′
第ニー１−−未一 （単位ｇ／１）Ｔａ２０ｓ
４９．６Ｎｂ２０５
８０．１Ｆｅ ８．
４Ｍｎ ６．ｌＴｉ
１．８Ｓｎ
Ｏ，６Ｓｂ
Ｏ，ＩＷ ０
．０４Ｓｉ ４．１Ａ
ｌ １．１ｌ−１２ＳＯ
４１５２，Ｏ
ＨＦ １２０．８上述のＴａ含
有液を使用し、抽出”Ａ ｒ＋Ｏ／ Ａ ＝１／１、振
どう時間５分間の同一条件を使用して第２表に示す４種
想の抽出剤を用いた場合の抽出分配比を求めた。得られ
た結果を以下の第２表に抽出分配比（ＤＮＥ）は次式に
よって算出される。, death (1', :1'人・' 1st knee--1st knee (unit: g/1) Ta20s
49.6Nb205
80.1Fe 8.
4Mn 6. lTi
1.8Sn
O,6Sb
O, IW 0
．． 04Si 4.1A
l 1.1l-12SO
4152, O HF 120.8 Using the above-mentioned Ta-containing liquid, extraction was performed using the same conditions of "A r + O / A = 1/1 and shaking time of 5 minutes" to extract the four types of extractants shown in Table 2. The extraction distribution ratio (DNE) was calculated using the following formula.The obtained results are shown in Table 2 below.
なお、Ｈ２ＳＯ，濃度が低下するに従い、Ｎｂ、Ｏ，の
抽出分配比は低下する。また、Ｔａ２０５濃度が低下す
ると、ＮｂｚＯｓの抽出分配比が大きくなる。Note that as the H2SO concentration decreases, the extraction and distribution ratio of Nb and O decreases. Furthermore, as the Ta205 concentration decreases, the NbzOs extraction and distribution ratio increases.
−金・のパ−
第２表に記載するように抽出された金属を含有する有機
溶媒を水または０．３モル／ＩＮＨ，Ｆ含有液と接触さ
せてＮｂ２ｏｓを選択的に除去する洗浄試験を行なった
。その結果を第３表に示す。-Gold Par- As shown in Table 2, a cleaning test was carried out in which Nb2os was selectively removed by contacting an organic solvent containing the extracted metal with water or a solution containing 0.3 mol/INH,F. I did it. The results are shown in Table 3.
実装置では、洗浄繰作を向流多段接触させるので、抽出
分配比の小さいＮｂｚＯｓ、Ｆｅ、 Ｍｎ、 Ｔｉ等の
不純物は水相に移り、有機相にはＴａｍｅｓのみが残留
する。In the actual device, since the cleaning process is carried out in multiple stages of countercurrent contact, impurities such as NbzOs, Fe, Mn, and Ti, which have a small extraction/distribution ratio, are transferred to the aqueous phase, and only Tames remains in the organic phase.
Ｔａ ・
次に、２．０モル／ＩＮＨ，Ｆ水溶液を上記有機相と接
触させることにより有機相のＴａ２０５を逆抽出させる
試験を行なった。その結果を第４表に記載する。Ta. Next, a test was conducted in which Ta205 in the organic phase was back extracted by contacting the organic phase with a 2.0 mol/INH,F aqueous solution. The results are shown in Table 4.
逆抽出終了液を１０％Ｎ Ｈｓ含有水溶液で中和し、得
られた沈澱物を乾燥し、分析し、得られた結果を以下の
第５表に示す、なお、第５表の分析結果が希望する製品
純度を満足しない場合には、再溶解して第２表及び第３
表の操作を１回以上反復することによりＴａの純度を向
上させることができる。The finished back extraction solution was neutralized with an aqueous solution containing 10% NHs, and the resulting precipitate was dried and analyzed. The results obtained are shown in Table 5 below. If the desired product purity is not met, re-melt and refer to Tables 2 and 3.
The purity of Ta can be improved by repeating the operations in the table one or more times.
第一−５−一退−（単位二重量％）
Ｔａｘｅｓ ７２．４ＮｂｚＯｓ
０．０２Ｆｅ ＜０．
００１
Ｍｎ ＜０．００１
Ｔｉ ＜０．００１
Ｓｎ ＜０．００１
Ｗ ＜０．００１
Ｓｉ ＜０．００１
Ａｔ’ ＜０．００１
ＮＨ，５，６
ＨＦ １２．６次に、Ｔａの逆
抽出液に８２Ｓ Ｏ４を添加し、Ｔ＆沈澱物にＨＣｌと
Ｈ２Ｓ Ｏ４を添加することにより第６表に記載する組
成をもつ溶液を調製し、第３工程のタンタルの塩化物及
びフッ化物製造試験用Ｉ料としな。1st-5-Retreat-(Unit duplex amount%) Taxes 72.4NbzOs
0.02Fe<0.
001 Mn <0.001 Ti <0.001 Sn <0.001 W <0.001 Si <0.001 At'<0.001 NH,5,6 HF 12.6 Next, in the Ta back extract A solution with the composition listed in Table 6 was prepared by adding 82S O4 and HCl and H2S O4 to the T& precipitate, and used as I material for the tantalum chloride and fluoride production test in the third step. Na.
展−」−」」（ｙ ／ ｌ ）
′ｌ
Ｎｂ２Ｏ５Ｏ，０８０，０４
Ｎ Ｈ４＋ ５２．０ １９
．２ＨＣｌ ２１４
．０′ Ｂ によるＴａ −
抽出には、１００％ジブチルエーテルと１００％メチル
イソブチルケトンを使用し、Ｏ／／１１：＝１１５、振
どう時間５分間の条件を使用した。抽出結果を第７表に
示す。Exhibition-"-""(y/l)'l Nb2O5O,080,04 NH4+ 52.0 19
．． 2HCl 214
．． For Ta − extraction with 0′ B, 100% dibutyl ether and 100% methyl isobutyl ketone were used, O//11:=115, and shaking time was 5 minutes. The extraction results are shown in Table 7.
［Ｕ−１（ｇ／ｌ）
使用した有機溶媒：メチルイソブチルゲトンＴａ２０５
ｎｂ２ｏ、 ｔｌＦ ｆｌｃ１１１２ｓＯ４有
機相 ８４ ＜０．００１ ４３．５ ＜Ｏ，ｉ
＜０．１水相 １０３ ０．０６ ９２．３ −
− ９１．７使用した有機溶媒ニジブチルエーテル
Ｔａ２０５ Ｎｂ２ｏ、 ＩＦ ＨＣｆｆｉ
Ｈ２ＳＯ４有機相 ６０．７ ＜０．００１ １．６
５７．８ ＜０．１水相 １３フ、６ ０．００４
９．８１５６．２１１０．４Ｆｅ、Ｍ３ Ｔｉ、Ｓｎ
、Ｓｂ、Ｗ、Ｓｉ、ＡＩ、Ｎｉ及びＺｎイオンの抽出量
はいずれも０．００１ ｇ／ｌ以下であった。万一、こ
れら不純物の抽出量が多い場合には、洗浄工程が必要と
なる。[U-1 (g/l) Organic solvent used: methyl isobutyl getone Ta205
nb2o, tlF flc1112sO4 organic phase 84 <0.001 43.5 <O,i
<0.1 Water phase 103 0.06 92.3 −
- 91.7 Organic solvent used Nidibutyl ether Ta205 Nb2o, IF HCffi
H2SO4 organic phase 60.7 <0.001 1.6
57.8 <0.1 Aqueous phase 13f, 6 0.004
9.8156.2110.4Fe, M3 Ti, Sn
, Sb, W, Si, AI, Ni, and Zn ions were extracted in amounts of 0.001 g/l or less. In the unlikely event that a large amount of these impurities are extracted, a washing step will be required.
上述の抽出試験では、Ｔａ以外の不純物金属イオン濃度
がいずれも０．００１ｇ／ｌ’以下の微量であったが、
不手際からＴａイオン以外の不純物イオンが抽出されて
しまった場合には、第１工程の洗浄工程（Ｂ）と同様に
水及びＮＨ４＋とＨＦの含有液と接触させることにより
選択的にＴａ以外の不純物金属イオンを水相に移行せし
めて、有機溶媒中にはＴａイオンのみを残留させる操作
を行なうことが必要となる。In the above extraction test, the concentrations of all impurity metal ions other than Ta were trace amounts of 0.001 g/l' or less;
If impurity ions other than Ta ions are extracted due to a mistake, impurity ions other than Ta can be selectively extracted by contacting with water and a liquid containing NH4+ and HF, as in the first cleaning step (B). It is necessary to perform an operation in which the metal ions are transferred to the aqueous phase and only Ta ions remain in the organic solvent.
■筑・ または口弧・ −
実験器内にＡｒガスを入れて大気を追い出してから加熱
・蒸発あるいは加熱・蒸留試験を行なった。得られた結
果を第８表に示す。■Chiku・or mouth arc・− Ar gas was put into the experimental device and the atmosphere was expelled, and then heating/evaporation or heating/distillation tests were performed. The results obtained are shown in Table 8.
［発明の効果コ
本発明方法によりタンタルのハロゲン化物を製造すれば
、従来法に比較して工程が簡素化され、原料の制限もな
くなり、省エネルギーな製造方法で、しかも高価な原料
を使用して造るものに劣らない良品質なタンタルのハロ
ゲン化物を造ることができる。このタンタルのハロゲン
化物は金属タンタル及びタンタルアルコキシドの製造等
の原料として使用することができる。[Effects of the invention] If tantalum halides are produced by the method of the present invention, the process will be simplified compared to the conventional method, there will be no restrictions on raw materials, and it will be an energy-saving production method that does not use expensive raw materials. We can produce tantalum halides of a quality that is as good as the products we produce. This tantalum halide can be used as a raw material for producing tantalum metal and tantalum alkoxide.
第１図は本発明操作の基本型を示すフローシートであり
、第２図は第１図に記載する基本型の操作に乾燥工程を
加えた操作を示すフローシートである。
図中：
Ａ・・・抽出工程；
Ｂ・・・洗浄工程；
Ｃ・・・逆抽出工程；
Ｄ・・・中和・濾過工程；
Ｅ２・、９客蚊、阿＋イオン涜麻附節丁程・Ｆ・・・抽
出工程；
Ｇ・・・加熱・蒸発または加熱・蒸留工程；ト■・・・
タンタルのハロゲン化物；
Ｊ・・・乾燥工程；
（イ）水またはＮＨ，とＨＦの混合液；（ロ）水または
ＮＨ，及びＨＦまたはに＋及びＫＦを含有する水溶液；
（ハ）ＮＨＴｈ及びＮ Ｈ、ＯＨまたはＫＯＨ及びＫＦ
。
（ニ） Ｈ２Ｓ Ｏ４、ＨＢｒ、ＨＩ 、ＨＣｌ及びＨ
Ｆの中から選択された１種または２種以上の酸；（ホ）
Ｎ２、Ａｒガス；
（へ）乾燥剤。
特許出願人 株式会社西村渡辺抽出研究所Ｎｂ袖出工程
へFIG. 1 is a flow sheet showing a basic type of operation of the present invention, and FIG. 2 is a flow sheet showing an operation in which a drying step is added to the basic type operation described in FIG. In the figure: A...extraction process; B...washing process; C...reverse extraction process; D...neutralization/filtration process; Processing/F: Extraction process; G: Heating/evaporation or heating/distillation process;
Tantalum halide; J...Drying step; (a) water or NH, and a mixture of HF; (b) water or NH, and HF or an aqueous solution containing + and KF; (c) NHTh and N H, OH or KOH and KF
. (d) H2S O4, HBr, HI, HCl and H
One or more acids selected from F; (E)
N2, Ar gas; (f) Desiccant. Patent applicant Nishimura Watanabe Extraction Institute Co., Ltd. Nb Sode process
Claims (1)
２種以上の金属不純物イオンが共存するフッ酸またはフ
ッ酸と硫酸の混合液からのタンタルのハロゲン化物の製
造方法において、 （ａ）前記フッ酸またはフッ酸と硫酸の混合液にケトン
の群、中性りん酸エステルの群、アルキルアミンの群及
びアミドの群より選択された１種または２種以上の有機
溶媒であって、石油系炭化水素で希釈された有機溶媒（
Ａ）を接触させて前記フッ酸またはフッ酸と硫酸の混合
液中のタンタルを優先的に抽出し、次に、有機溶媒（Ａ
）を水またはＮＨ＿３及びＨＦまたはＫ＾＋及びＨＦを
含有する水溶液と接触させることにより、有機溶媒（Ａ
）に抽出されたタンタルを前記水または水溶液側に逆抽
出すると共に有機溶媒（Ａ）を再生する第１工程；（ｂ
）逆抽出されたタンタルイオンを含有する水溶液にＮＨ
＿３及びＮＨ＿４ＯＨまたはＫＯＨ及びＫＦを添加し、
タンタル、フッ素及びＮＨ＿４＾＋またはタンタル、フ
ッ素及びＫ＾＋を含有する沈澱物を造る第２工程；及び （ｃ）第１工程で得られたタンタル含有抽出液あるいは
第２工程で造られた沈澱物に、Ｈ＿２ＳＯ＿４、ＨＣｌ
、ＨＩ、ＨＢｒ及びＨＦの群より選択された１種または
２種以上の酸を添加し、沈澱物を溶解して溶液とし、Ｈ
＾＋イオン濃度を調節した後、エステルの群、エーテル
の群、ケトンの群及びアルコールの群よりなる群から選
択された１種または２種以上の有機溶媒（Ｂ）を接触さ
せることにより、前記溶液中のタンタルイオンをハロゲ
ン化金属錯体として有機溶媒（Ｂ）に抽出し、次に、有
機溶媒（Ｂ）を常圧状態または減圧状態で加熱・蒸発あ
るいは加熱・蒸留することにより有機溶媒（Ｂ）を再生
すると共にタンタルのハロゲン化物を製造する第３工程
よりなることを特徴とするタンタルのハロゲン化物の製
造方法。 ２、第１工程で得られたタンタル含有逆抽出液あるいは
第２工程で造られた沈澱物に、フッ酸及び／または硫酸
を添加し、沈澱物を溶解し且つＨ＾＋イオンの濃度を調
節した後、第１工程及び第２工程の操作を１回以上反復
して得られるタンタルのハロゲン化物の純度を向上させ
る特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 ３、第３工程で得られたタンタルのハロゲン化錯体を抽
出含有している有機溶媒（Ｂ）を乾燥剤と接触させるこ
とにより物理的に含有している水及び抽出・含有してい
るＨ＿２Ｏを除去・乾燥する特許請求の範囲第１項記載
の製造方法。 ４、Ｎｂイオンまたは１種または２種以上の金属不純物
イオンの濃度に依存して、タンタルを抽出した有機溶媒
（Ａ）を、水またはＮＨ＿３とＨＦを含有する水溶液と
接触させて、有機溶媒（Ａ）中に共抽出された１種また
は２種以上の金属不純物イオンを選択的に有機相より水
相に移行させ、次に、逆抽出を行なう特許請求の範囲第
１項記載の製造方法。 ５、Ｎｂイオンまたは１種または２種以上の金属不純物
イオンの濃度に依存して、タンタルを抽出した有機溶媒
（Ｂ）を、水またはＮＨ＿３とＨＦを含有する水溶液と
接触させて、有機溶媒（Ｂ）中に共抽出された１種また
は２種以上の金属不純物イオンを選択的に有機相より水
相に移行させ、次に、加熱・蒸発または加熱・蒸留を行
なう特許請求の範囲第１項記載の製造方法。[Claims] 1. A method for producing a tantalum halide from hydrofluoric acid or a mixed solution of hydrofluoric acid and sulfuric acid containing mainly tantalum and niobium and in which one or more metal impurity ions coexist, (a) One or more organic solvents selected from the group of ketones, the group of neutral phosphoric acid esters, the group of alkylamines, and the group of amides are added to the hydrofluoric acid or the mixture of hydrofluoric acid and sulfuric acid. organic solvent diluted with petroleum hydrocarbon (
A) to preferentially extract tantalum in the hydrofluoric acid or a mixture of hydrofluoric acid and sulfuric acid, and then contact with an organic solvent (A
) with water or an aqueous solution containing NH_3 and HF or K^+ and HF.
) A first step of back-extracting the tantalum extracted into the water or aqueous solution side and regenerating the organic solvent (A); (b
) NH to the aqueous solution containing the back-extracted tantalum ions.
Add _3 and NH_4OH or KOH and KF,
A second step of producing a precipitate containing tantalum, fluorine and NH_4^+ or tantalum, fluorine and K^+; and (c) a tantalum-containing extract obtained in the first step or a precipitate produced in the second step. H_2SO_4, HCl
, HI, HBr, and HF are added to dissolve the precipitate to form a solution.
After adjusting the ion concentration, the above-mentioned The tantalum ions in the solution are extracted as metal halide complexes into an organic solvent (B), and then the organic solvent (B) is heated and evaporated or heated and distilled at normal pressure or reduced pressure to form an organic solvent (B). 1. A method for producing a tantalum halide, the method comprising a third step of regenerating tantalum halide and producing a tantalum halide. 2. Add hydrofluoric acid and/or sulfuric acid to the tantalum-containing back extract obtained in the first step or the precipitate produced in the second step to dissolve the precipitate and adjust the concentration of H^+ ions. 2. The manufacturing method according to claim 1, wherein the purity of the tantalum halide obtained is improved by repeating the first step and the second step one or more times. 3. By bringing the organic solvent (B) containing the tantalum halide complex obtained in the third step into contact with a drying agent, the physically contained water and extracted/contained H_2O are removed. The manufacturing method according to claim 1, which comprises removing and drying. 4. Depending on the concentration of Nb ions or one or more metal impurity ions, the organic solvent (A) from which tantalum was extracted is brought into contact with water or an aqueous solution containing NH_3 and HF to form an organic solvent (A). The manufacturing method according to claim 1, wherein the one or more metal impurity ions co-extracted in A) are selectively transferred from the organic phase to the aqueous phase, and then back-extracted. 5. Depending on the concentration of Nb ions or one or more metal impurity ions, the organic solvent (B) from which tantalum was extracted is brought into contact with water or an aqueous solution containing NH_3 and HF to extract the organic solvent (B). B) selectively transferring the one or more metal impurity ions co-extracted from the organic phase to the aqueous phase and then heating and evaporating or heating and distilling. Manufacturing method described.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6809087A JPS63236716A (en) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | Production of tantalum halide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6809087A JPS63236716A (en) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | Production of tantalum halide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236716A true JPS63236716A (en) | 1988-10-03 |
Family
ID=13363688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6809087A Pending JPS63236716A (en) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | Production of tantalum halide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63236716A (en) |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP6809087A patent/JPS63236716A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0328376B2 (en) | ||
| JPH085669B2 (en) | Method for producing high-grade titanium dioxide by the sulfate method | |
| JPS62256723A (en) | Purification of barium salt | |
| JP2023090706A (en) | Method for producing lithium hydroxide | |
| JP2023073299A (en) | Method for producing lithium hydroxide | |
| EP1877340B1 (en) | Methods of forming a cesium salt | |
| JPS6360104B2 (en) | ||
| JPH0615409B2 (en) | Recovery of vanadium valuables from ammonium bicarbonate solution using heat, sulfuric acid and ammonium sulfate | |
| CA1303815C (en) | Method for neutralization treatment of sulfuric acid containing iron ions | |
| WO2016209178A1 (en) | Recovering scandium and derivatives thereof from a leach solution loaded with metals obtained as a result of leaching lateritic ores comprising nickel, cobalt and scandium, and secondary sources comprising scandium | |
| US4051219A (en) | Method of preparing fluorine-free rare earth metal compounds from such compounds containing fluorine | |
| JP3369855B2 (en) | Method for producing high purity nickel aqueous solution | |
| JPS63235435A (en) | Manufacture of metallic tantalum | |
| EP0298763A2 (en) | Method for recovering titanium | |
| CA1073566A (en) | Process for treating an acid waste liquid | |
| JPS63236716A (en) | Production of tantalum halide | |
| RU2211871C1 (en) | Method of processing loparite concentrate | |
| US4992248A (en) | Method for neutralizing sulfuric acid containing zinc ion | |
| JPS63243231A (en) | Production of metallic niobium | |
| JPH0225841B2 (en) | ||
| JPS60260403A (en) | Manufacture of metallic sulfide | |
| EP0046973B1 (en) | Process for the production of high-purity iron oxide | |
| US3259456A (en) | Process for producing basic beryllium material of high purity | |
| WO1995016636A1 (en) | Recovery of spent catalyst | |
| JPS63242928A (en) | Production of niobium halide |