JPS6323318A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPS6323318A JPS6323318A JP62088717A JP8871787A JPS6323318A JP S6323318 A JPS6323318 A JP S6323318A JP 62088717 A JP62088717 A JP 62088717A JP 8871787 A JP8871787 A JP 8871787A JP S6323318 A JPS6323318 A JP S6323318A
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- reticle
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は投影露光装置、特に半導体製造分野でレチクル
（フォトマスク）に形成されているパターンをウェハに
投影露光する装置に関する。
（フォトマスク）に形成されているパターンをウェハに
投影露光する装置に関する。
半導体素子（例えばＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等）の製造
過程では、レチクル（）オドマスク）に形成されている
微細なパターンを半導体ウェハにウェハ上に欠陥を発生
させることなく正確に投影露光することが要求される。
過程では、レチクル（）オドマスク）に形成されている
微細なパターンを半導体ウェハにウェハ上に欠陥を発生
させることなく正確に投影露光することが要求される。
このようなＧｔｎ光を可能にする装置の一例としては、
例えばステッパと呼ばれる投影露光装置が知られている
。
例えばステッパと呼ばれる投影露光装置が知られている
。
ステッパはレチクル上の１〜数個のマスクパターンを所
定の縮小率でウェハ上に投影し、ステップアンドリピー
ト（Ｐ！り返し）′Ｈ光によりウェハ全面にパターンを
配列して焼付けている。
定の縮小率でウェハ上に投影し、ステップアンドリピー
ト（Ｐ！り返し）′Ｈ光によりウェハ全面にパターンを
配列して焼付けている。
ところで、レチクル（フォトマスク）のパターン部以外
の領域には焼付は光が透過しないようにクローム等が蒸
着されている。これはパターン部以外の領域を焼付は光
が通過し、この焼付は光がウェハを露光すると、ウェハ
上のパターン部に何等かの欠陥が発生する恐れがあるか
らである。特に、ステッパではパターン部以外の領域を
通過してきた焼付は光はウェハ上で隣接して投影焼付け
されるパターンに有害な露光を与えることになり、その
パターンに重大な欠陥を発生させてしまう。しかし、レ
チクルの蒸着面にはピンホールや何等かの損傷がある場
合がある。
の領域には焼付は光が透過しないようにクローム等が蒸
着されている。これはパターン部以外の領域を焼付は光
が通過し、この焼付は光がウェハを露光すると、ウェハ
上のパターン部に何等かの欠陥が発生する恐れがあるか
らである。特に、ステッパではパターン部以外の領域を
通過してきた焼付は光はウェハ上で隣接して投影焼付け
されるパターンに有害な露光を与えることになり、その
パターンに重大な欠陥を発生させてしまう。しかし、レ
チクルの蒸着面にはピンホールや何等かの損傷がある場
合がある。
このため、従来より、ウェハ上に有害な焼付は光が到達
しないように焼付は光の照明光路中に遮光手段を設ける
ことが提案されてはいるが、実用的に充分なものではな
かった。
しないように焼付は光の照明光路中に遮光手段を設ける
ことが提案されてはいるが、実用的に充分なものではな
かった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、その目
的は例えばレチクルのような第１物体に形成されている
パターンを例えばウェハのような第２物体に正確に、且
つ欠陥を発生させることなく投影露光することのできる
投影露光装置を提供することにある。
的は例えばレチクルのような第１物体に形成されている
パターンを例えばウェハのような第２物体に正確に、且
つ欠陥を発生させることなく投影露光することのできる
投影露光装置を提供することにある。
この目的を達成するために、本発明は光源からの光で第
１物体に形成されているパターンを第２物体に投影露光
するための照明光路中に、前記光源からの光を遮断する
ための、前記パターンに対応する開口を有する遮光手段
を前記第１物体の厚みに対応して前記照明光路の光軸方
向に移動するように配置することを要旨としている。
１物体に形成されているパターンを第２物体に投影露光
するための照明光路中に、前記光源からの光を遮断する
ための、前記パターンに対応する開口を有する遮光手段
を前記第１物体の厚みに対応して前記照明光路の光軸方
向に移動するように配置することを要旨としている。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の投影露光装置（例えばステッパ）の照
明系の一例を示すもので、この照明系によりレチクル２
２の下側の面Ｂに形成された回路用パターン２２ａが焼
付は光で照明される。なお、この図では示していないが
、レチクル２２の下方には順に縮小投影レンズとウェハ
が配置されている。
明系の一例を示すもので、この照明系によりレチクル２
２の下側の面Ｂに形成された回路用パターン２２ａが焼
付は光で照明される。なお、この図では示していないが
、レチクル２２の下方には順に縮小投影レンズとウェハ
が配置されている。
超高圧水銀灯などの光源ｉｔの近傍には光源１１から放
射された光束を有効に集光するための楕円鏡１２が配置
され、次いで光路に沿って順に、赤外光の大部分を透過
し紫外光を反射するためのコールドミラー１３、光束の
配光特性を均一にするためのインテグレータ１４、反射
ｆｉ１５、コンデンサレンズ１６、反射鏡１７、遮光装
置１８、コンデンサレンズ１９、反射鏡２０、コンデン
サレンズ２１、レチクル２２が配置されている。反射鏡
１５．１７．２０はそれぞれ光軸を直角に折曲げて照明
系を小型化するためのものであり、コンデンサレンズ１
６は光源１１からの光を集光して、遮光装置１８の遮光
面Ａを均一に照明するためのものである。
射された光束を有効に集光するための楕円鏡１２が配置
され、次いで光路に沿って順に、赤外光の大部分を透過
し紫外光を反射するためのコールドミラー１３、光束の
配光特性を均一にするためのインテグレータ１４、反射
ｆｉ１５、コンデンサレンズ１６、反射鏡１７、遮光装
置１８、コンデンサレンズ１９、反射鏡２０、コンデン
サレンズ２１、レチクル２２が配置されている。反射鏡
１５．１７．２０はそれぞれ光軸を直角に折曲げて照明
系を小型化するためのものであり、コンデンサレンズ１
６は光源１１からの光を集光して、遮光装置１８の遮光
面Ａを均一に照明するためのものである。
第３図は遮光装置１８の斜視図である。この遮光装置１
８は第１図に示すごとくコンデンサレンズ１９、２１に
より、その遮光する面Ａがレチクル２２のパターン面Ｂ
と共役な関係になるように配置されている。また、遮光
装置１８は不図示の遮光装置駆動機構により、レチクル
２２の回路用パターン部２２ａ、もしくはレチクル２２
の下方に配置されている露光を受けるウェハ（不図示）
との回転方向の位置合わせのために、レチクル２２の回
転に連動して第２図（ａ）に矢印で示す回転（θ）方向
に回動可能であり、更にレチクル２２を他のガラス等の
透明部の厚さが異なるレチクルに取替え、屈折力が変化
した場合に、上記の共役な関係を維持するために、第１
図に矢印で示す光軸方向に移動可能である。
８は第１図に示すごとくコンデンサレンズ１９、２１に
より、その遮光する面Ａがレチクル２２のパターン面Ｂ
と共役な関係になるように配置されている。また、遮光
装置１８は不図示の遮光装置駆動機構により、レチクル
２２の回路用パターン部２２ａ、もしくはレチクル２２
の下方に配置されている露光を受けるウェハ（不図示）
との回転方向の位置合わせのために、レチクル２２の回
転に連動して第２図（ａ）に矢印で示す回転（θ）方向
に回動可能であり、更にレチクル２２を他のガラス等の
透明部の厚さが異なるレチクルに取替え、屈折力が変化
した場合に、上記の共役な関係を維持するために、第１
図に矢印で示す光軸方向に移動可能である。
第３図に戻って遮光装置１８の構成を説明する、
と、基板３０上には、モータ３１、モータ３１
の回転軸にそれぞれ固定されて回転可能な送りネジ部３
２、モータ３１及び送りネジ部３２の回転により所定方
向（図示矢印方向）に移動可能な送りナツト部３３、及
び送りナツト部３３上に固定され、かつ鋭利な側縁部（
エツジ）３４ａを有する遮光板３４がそれぞれ４組配置
され、４個の側縁部３４ａにより矩形の開口部３５を構
成する。この開口部３５の面は遮光装置１８の遮光面Ａ
と同一面上にある。なお、第３図がらも明らかな如く、
４枚の遮光板３４のうち第１及び第２遮光板の移動方向
と第３及び第４遮光板の移動方向はそれぞれ同じである
が、第１及び第２遮光板の移動方向に対する第３及び第
４遮光板の移動方向は異なっている。また、第１及び第
２遮光板に対して第３及び第４遮光板は同一面側に配置
されている。４つのモータ３１は各遮光板３４ごとに独
存して設けられている。
と、基板３０上には、モータ３１、モータ３１
の回転軸にそれぞれ固定されて回転可能な送りネジ部３
２、モータ３１及び送りネジ部３２の回転により所定方
向（図示矢印方向）に移動可能な送りナツト部３３、及
び送りナツト部３３上に固定され、かつ鋭利な側縁部（
エツジ）３４ａを有する遮光板３４がそれぞれ４組配置
され、４個の側縁部３４ａにより矩形の開口部３５を構
成する。この開口部３５の面は遮光装置１８の遮光面Ａ
と同一面上にある。なお、第３図がらも明らかな如く、
４枚の遮光板３４のうち第１及び第２遮光板の移動方向
と第３及び第４遮光板の移動方向はそれぞれ同じである
が、第１及び第２遮光板の移動方向に対する第３及び第
４遮光板の移動方向は異なっている。また、第１及び第
２遮光板に対して第３及び第４遮光板は同一面側に配置
されている。４つのモータ３１は各遮光板３４ごとに独
存して設けられている。
第１図において、光源１１より放射された光束は、光学
素子＋２，１：Ｊ、＋４．１５．１６．１７の順に反射
、屈折し、遮光装置１８の面Ａを均一に照明する。遮光
装置１８の開口部３５の外側に照射された光束は、４つ
の遮光板３４によりけられ、開口部３５を通過した光束
は、第１図において点線で示す如く、レチクル２２のパ
ターン面Ｂを照明する。ここで遮光装置１８の遮光面Ａ
とレチクル２２のパターン面Ｂとは、光学的に共役な関
係に配置されているので、遮光装置１８の開口部３５の
縁部は、第２図（ｂ）に点線で示すようにパターン面Ｂ
上に鮮明な輪郭で投影され、レチクル２２の回路用パタ
ーン部２２ａの外側の領域を完全に遮光することができ
る。
素子＋２，１：Ｊ、＋４．１５．１６．１７の順に反射
、屈折し、遮光装置１８の面Ａを均一に照明する。遮光
装置１８の開口部３５の外側に照射された光束は、４つ
の遮光板３４によりけられ、開口部３５を通過した光束
は、第１図において点線で示す如く、レチクル２２のパ
ターン面Ｂを照明する。ここで遮光装置１８の遮光面Ａ
とレチクル２２のパターン面Ｂとは、光学的に共役な関
係に配置されているので、遮光装置１８の開口部３５の
縁部は、第２図（ｂ）に点線で示すようにパターン面Ｂ
上に鮮明な輪郭で投影され、レチクル２２の回路用パタ
ーン部２２ａの外側の領域を完全に遮光することができ
る。
更に、遮光装置１８の開口部３５の領域及び位置は、こ
の照明系が装備される投影露光装置、例えばステッパの
電子処理部から、レチクル２２の大きさにより出される
信号により４つのモータ３１のそれぞれが所定の回転を
し、各モータ３１の軸に連結されている４つの送りネジ
３２により４つの送りナツト３３がそれぞれ所定方向に
移動し、従って４つの遮光板３４のそれぞわが各モータ
３Ｉによって該信号に応じた位置へ移動することにより
、光軸と直角方向に変化することができる。このような
４枚の遮光板３４の移動、調整は各遮光板３４ごとに設
けられているモータ３１によって同時に行うことも可能
である。
の照明系が装備される投影露光装置、例えばステッパの
電子処理部から、レチクル２２の大きさにより出される
信号により４つのモータ３１のそれぞれが所定の回転を
し、各モータ３１の軸に連結されている４つの送りネジ
３２により４つの送りナツト３３がそれぞれ所定方向に
移動し、従って４つの遮光板３４のそれぞわが各モータ
３Ｉによって該信号に応じた位置へ移動することにより
、光軸と直角方向に変化することができる。このような
４枚の遮光板３４の移動、調整は各遮光板３４ごとに設
けられているモータ３１によって同時に行うことも可能
である。
これらにより、レチクル２２の回路用パターン部２２ａ
の領域に合致した照明が可能となる。即ち、照明系の行
動照射範囲内で、電気的処理により、レチクル２２に対
する遮光の寸法、形状、位置を無段階に選択することが
できる。また、第４図（ａ）に示す如く、遮光装置１８
に凹形等の異なる形状の遮光板３４ｂを２枚取り付けた
り、或いは、第４図（ｂ）に示す如く、４枚の遮光板３
４の外に同様な遮光板３４ｃを新たに附加すれば、レチ
クル２２の矩形でない回路用パターンも投影露光するこ
とができる。この照明系を装備したステッパでは、焼付
を行うに際し、レチクル２２内に回路パターンとテスト
パターンを混在させ、回路パターンの焼付を行う時には
テストパターン部を遮光して回路パターン部だけに焼付
光を照射し、逆にテストパターンの焼付を行う時には回
路パターン部を遮光してテストパターン部だけに焼付光
を与えることも可能となる。
の領域に合致した照明が可能となる。即ち、照明系の行
動照射範囲内で、電気的処理により、レチクル２２に対
する遮光の寸法、形状、位置を無段階に選択することが
できる。また、第４図（ａ）に示す如く、遮光装置１８
に凹形等の異なる形状の遮光板３４ｂを２枚取り付けた
り、或いは、第４図（ｂ）に示す如く、４枚の遮光板３
４の外に同様な遮光板３４ｃを新たに附加すれば、レチ
クル２２の矩形でない回路用パターンも投影露光するこ
とができる。この照明系を装備したステッパでは、焼付
を行うに際し、レチクル２２内に回路パターンとテスト
パターンを混在させ、回路パターンの焼付を行う時には
テストパターン部を遮光して回路パターン部だけに焼付
光を照射し、逆にテストパターンの焼付を行う時には回
路パターン部を遮光してテストパターン部だけに焼付光
を与えることも可能となる。
第５図（ａ） 、 （ｂ）は第３図の遮光装置１８の遮
光板３４と同様な目的の遮光板１を有する投影露光装置
（例えばステッパ）の概略構成を示している。これらの
図において、２はレチクル、３はレチクルステージ、４
は投影レンズ、５はウェハであり、遮光板１はレチクル
２に形成された回路用パターン２ａの損傷を防止するた
めに、第５図（ａ）ではレチクル２の上側で光軸方向に
ａ、また、第５図（ｂ）ではレチクル２の下側で光軸方
向にｂの距離をおいて配置されている。従って、遮光板
１はレチクル２のパターン２ａをウェハ５に焼付けるた
めの光の照明光路をけらないようにするために、第５図
（ａ）ではパターン２ａの領域からＣ１また、第５図（
ｂ）ではパターン２ａの＠域からｄの距離だけその先端
１ａが離れるようにセットすることが必要となっている
。
光板３４と同様な目的の遮光板１を有する投影露光装置
（例えばステッパ）の概略構成を示している。これらの
図において、２はレチクル、３はレチクルステージ、４
は投影レンズ、５はウェハであり、遮光板１はレチクル
２に形成された回路用パターン２ａの損傷を防止するた
めに、第５図（ａ）ではレチクル２の上側で光軸方向に
ａ、また、第５図（ｂ）ではレチクル２の下側で光軸方
向にｂの距離をおいて配置されている。従って、遮光板
１はレチクル２のパターン２ａをウェハ５に焼付けるた
めの光の照明光路をけらないようにするために、第５図
（ａ）ではパターン２ａの領域からＣ１また、第５図（
ｂ）ではパターン２ａの＠域からｄの距離だけその先端
１ａが離れるようにセットすることが必要となっている
。
以上の如く、本発明によれば、照明系の照明範囲（遮光
範囲）を決定する遮光手段を照明光路の光軸方向にも移
動可能とし、第１物体の厚みが変化するような場合にも
遮光手段の遮光面と第１物体のパターン面の光学的な共
役■１係を維持可能としているので、余分な焼付は光に
１２１されることなく、例えばレチクルのような第１物
体に形成されているパターンを例えばウェハのような第
２物体に正確に、且つ欠陥が発生することなく投影露光
することができる。
範囲）を決定する遮光手段を照明光路の光軸方向にも移
動可能とし、第１物体の厚みが変化するような場合にも
遮光手段の遮光面と第１物体のパターン面の光学的な共
役■１係を維持可能としているので、余分な焼付は光に
１２１されることなく、例えばレチクルのような第１物
体に形成されているパターンを例えばウェハのような第
２物体に正確に、且つ欠陥が発生することなく投影露光
することができる。
第１図は本発明の投影露光装置の一実施例の要部を示す
図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本実施例の遮光装置、
レチクルの端面をそれぞれ示す図、第３図は遮光装置を
詳細に示す斜視図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は遮光装
置の変形例を示す図、第５図（ａ） 、 （ｂ）はそれ
ぞれ遮光装置を有する投影露光装置の例を示す図である
。 １８・・・・・・遮光装置 ２２・・・・・・レチクル ３４・・・・・・遮光板 ３５・・・・・・開［１部 Ａ・・・・・・遮光面 Ｂ・・・・・・レチクルの回路用パターン面第１図 第２図（ａ） 第２図（ｂ） 第５図（ａ） 第５図（ｂ）
図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本実施例の遮光装置、
レチクルの端面をそれぞれ示す図、第３図は遮光装置を
詳細に示す斜視図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は遮光装
置の変形例を示す図、第５図（ａ） 、 （ｂ）はそれ
ぞれ遮光装置を有する投影露光装置の例を示す図である
。 １８・・・・・・遮光装置 ２２・・・・・・レチクル ３４・・・・・・遮光板 ３５・・・・・・開［１部 Ａ・・・・・・遮光面 Ｂ・・・・・・レチクルの回路用パターン面第１図 第２図（ａ） 第２図（ｂ） 第５図（ａ） 第５図（ｂ）
Claims (1)
- （１）光源からの光で第１物体に形成されているパター
ンを第２物体に投影露光するための照明光路中に、前記
光源からの光を遮断するための前記パターンに対応する
開口を有する遮光手段を前記第１物体の厚みに対応して
前記照明光路の光軸方向に移動するように配置したこと
を特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088717A JPS6323318A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088717A JPS6323318A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 投影露光装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152474A Division JPS6045252A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 投影露光装置の照明系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6323318A true JPS6323318A (ja) | 1988-01-30 |
| JPH0142130B2 JPH0142130B2 (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=13950655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088717A Granted JPS6323318A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439281U (ja) * | 1990-08-01 | 1992-04-02 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5433425U (ja) * | 1977-08-06 | 1979-03-05 | ||
| JPS55129333A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Hitachi Ltd | Scale-down projection aligner and mask used for this |
| JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
| JPS56105635A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-22 | Optimetrix Corp | Front surface illuminator for semiconductor wafer |
| JPS5843518A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Nec Corp | 投影露光装置 |
| JPS5845533U (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-26 | 株式会社日立製作所 | 照度分布測定装置 |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845533B2 (ja) * | 1978-01-23 | 1983-10-11 | 三豊特殊工事株式会社 | 地下連続壁掘削用グラブバケツト |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP62088717A patent/JPS6323318A/ja active Granted
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0142130B2 (ja) | 1989-09-11 |
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