JPS63232447A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63232447A JPS63232447A JP6613687A JP6613687A JPS63232447A JP S63232447 A JPS63232447 A JP S63232447A JP 6613687 A JP6613687 A JP 6613687A JP 6613687 A JP6613687 A JP 6613687A JP S63232447 A JPS63232447 A JP S63232447A
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- protective film
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- electrode wiring
- wiring
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に表面保護膜を有する半
導体装置に関する、 〔従来の技術〕 従来、この種の半導体装置は、第3図(a)の平面図に
示すように、半導体基板11上に被着形成した電極配線
12の上に、表面保護膜14く酸化膜、チッ化膜など)
を被覆した構造になっている。
導体装置に関する、 〔従来の技術〕 従来、この種の半導体装置は、第3図(a)の平面図に
示すように、半導体基板11上に被着形成した電極配線
12の上に、表面保護膜14く酸化膜、チッ化膜など)
を被覆した構造になっている。
かかる半導体装置は、第3図(b)のc−c’線断面図
に示すように、電極配線12の上の部分の表面保護膜1
4は凹凸のない平坦状構造となる。
に示すように、電極配線12の上の部分の表面保護膜1
4は凹凸のない平坦状構造となる。
しかしながら、上述した従来の半導体装置、特に樹脂封
止された大型パッケージ、大型チップにおいては、温度
サイクル、熱ショック等の熱応力試験を行ったとき樹脂
応力による表面保護膜の破壊(クラック)が起こり、電
極配線の断線、あるいは耐湿性の劣化をもたらすという
欠点がある。
止された大型パッケージ、大型チップにおいては、温度
サイクル、熱ショック等の熱応力試験を行ったとき樹脂
応力による表面保護膜の破壊(クラック)が起こり、電
極配線の断線、あるいは耐湿性の劣化をもたらすという
欠点がある。
本発明の目的は、かかる表面保護膜の破壊、あるいは電
極配線の断線、耐湿性の劣化という問題を解決しうる半
導体装置を提供することにある。
極配線の断線、耐湿性の劣化という問題を解決しうる半
導体装置を提供することにある。
従来の構造ではチップの有効活用のために半導体基板外
周部に電源配線又は接地配線などの広い部分が多い構造
となっている。しかしながら樹脂応力はむしろ中心より
もチップ外周部で大きなストレスとして加わり、外周部
の保護膜破壊を起している。
周部に電源配線又は接地配線などの広い部分が多い構造
となっている。しかしながら樹脂応力はむしろ中心より
もチップ外周部で大きなストレスとして加わり、外周部
の保護膜破壊を起している。
また、表面保護膜の下に比較的柔らかい配線材料がある
場合の破壊強度は平坦な膜よりデコボコがある方が強い
とされている。
場合の破壊強度は平坦な膜よりデコボコがある方が強い
とされている。
そこで、本発明の半導体装置は前記外周部の電源配線又
は接地配線などの広い部分の表面保護膜にデコボコを作
るために、前記配線に渭又は穴を設けるようにしたもの
である。
は接地配線などの広い部分の表面保護膜にデコボコを作
るために、前記配線に渭又は穴を設けるようにしたもの
である。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第一の実施例
を説明するための半導体装置の平面図およびA−A’線
の断面図である。
を説明するための半導体装置の平面図およびA−A’線
の断面図である。
第1図(a>に示すように、半導体基板1の5i02酸
化膜(図示省略)上に電極配線2となるアルミニウム金
属材料を被着し、エツチング等を行って複数の溝3を形
成する。この電極配線2は厚さ1〜1,5μm程度に形
成される。
化膜(図示省略)上に電極配線2となるアルミニウム金
属材料を被着し、エツチング等を行って複数の溝3を形
成する。この電極配線2は厚さ1〜1,5μm程度に形
成される。
しかる後、第1図(b)のA−A’線断面図に示すよう
に、基板1上の電極配線2を含み厚さ1μmの表面保護
M4を被覆する。
に、基板1上の電極配線2を含み厚さ1μmの表面保護
M4を被覆する。
このように、溝3を有する電極配線2上に表面保護膜4
を形成すると、この表面保護膜4に凹凸が形成されるな
め、熱応力等が生じても表面保護膜4の破壊を防ぎ、ひ
いては電極配線の断線等も防ぐことができる。
を形成すると、この表面保護膜4に凹凸が形成されるな
め、熱応力等が生じても表面保護膜4の破壊を防ぎ、ひ
いては電極配線の断線等も防ぐことができる。
尚、この溝3は半導体基板1の隅の広い部分に形成され
るため、複数本設けることにより、表面保護膜4にきめ
細かく凹凸を形成することができる。
るため、複数本設けることにより、表面保護膜4にきめ
細かく凹凸を形成することができる。
第2図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第二の実施例
を説明するための半導体装置の平面図およびB−B’線
断面図である。
を説明するための半導体装置の平面図およびB−B’線
断面図である。
第2図(a>に示すよに、半導体基板1上の配線材料2
にパターンニングされた穴5を形成する。
にパターンニングされた穴5を形成する。
しかる後、第2図(b)に示すように、B−B′線断面
図のように表面保護膜4を被覆する。
図のように表面保護膜4を被覆する。
これにより、前記第一の実施例−と同様に表面保護膜4
に凹凸が形成される。
に凹凸が形成される。
以上の実施例においては、溝および穴の形状について説
明したが、その他各種変形されたスリット等のパターン
を形成しても、同様に表面保護膜に凹凸を形成できるこ
とは言うまでもない。
明したが、その他各種変形されたスリット等のパターン
を形成しても、同様に表面保護膜に凹凸を形成できるこ
とは言うまでもない。
以上説明したように、本発明の基板は隅の広い部分を用
いて表面保護膜に凹凸を形成するようにすることにより
、表面保護膜の破壊強度を向上させ、もって耐湿性の向
上および電極配線の断線防止を可能とする半導体装置を
得られる効果がある。その結果、半導体装置としての信
頼性が向上することは明らかである。
いて表面保護膜に凹凸を形成するようにすることにより
、表面保護膜の破壊強度を向上させ、もって耐湿性の向
上および電極配線の断線防止を可能とする半導体装置を
得られる効果がある。その結果、半導体装置としての信
頼性が向上することは明らかである。
第1図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第一の実施例
を説明するための半導体装置の平面図およびA−A’線
断面図、第2図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第二
の実施例を説明するための半導体装置の平面図およびB
−B’線断面図、第3図(a)、(b)はそれぞれ従来
の一例を説明するための半導体装置の平面図およびc−
c’線断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・電極配線、3・・・溝、
4・・・表面保護膜、5・・・穴。
を説明するための半導体装置の平面図およびA−A’線
断面図、第2図(a)、(b)はそれぞれ本発明の第二
の実施例を説明するための半導体装置の平面図およびB
−B’線断面図、第3図(a)、(b)はそれぞれ従来
の一例を説明するための半導体装置の平面図およびc−
c’線断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・電極配線、3・・・溝、
4・・・表面保護膜、5・・・穴。
Claims (1)
- 半導体基板表面の外周部に複数の溝もしくは穴のいず
れかを形成した配線と、この配線を含んで前記基板表面
を被覆する表面保護膜とを有し、前記溝もしくは穴によ
り前記表面保護膜に凹凸を形成するようにしたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6613687A JPS63232447A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6613687A JPS63232447A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63232447A true JPS63232447A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13307145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6613687A Pending JPS63232447A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63232447A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5633198A (en) * | 1994-05-11 | 1997-05-27 | United Microelectronics Corporation | Method of forming wiring with gaps in bend to improve electromigration resistance |
US5716888A (en) * | 1993-06-30 | 1998-02-10 | United Microelectronics Corporation | Stress released VLSI structure by void formation |
US5793098A (en) * | 1995-11-25 | 1998-08-11 | Nec Corporation | Package including conductive layers having notches formed |
US5888908A (en) * | 1992-04-30 | 1999-03-30 | Stmicroelectronics, Inc. | Method for reducing reflectivity of a metal layer |
JP2005051091A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Nec Kansai Ltd | 縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
US7129565B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-10-31 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
JP2020145279A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6613687A patent/JPS63232447A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5888908A (en) * | 1992-04-30 | 1999-03-30 | Stmicroelectronics, Inc. | Method for reducing reflectivity of a metal layer |
US5716888A (en) * | 1993-06-30 | 1998-02-10 | United Microelectronics Corporation | Stress released VLSI structure by void formation |
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US7129565B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-10-31 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
US7498659B2 (en) | 2002-03-15 | 2009-03-03 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
US7755169B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-07-13 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
US8507377B2 (en) | 2002-03-15 | 2013-08-13 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
JP2005051091A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Nec Kansai Ltd | 縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2020145279A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
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