JPS63229765A - 赤外線検知器 - Google Patents
赤外線検知器Info
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- JPS63229765A JPS63229765A JP62064685A JP6468587A JPS63229765A JP S63229765 A JPS63229765 A JP S63229765A JP 62064685 A JP62064685 A JP 62064685A JP 6468587 A JP6468587 A JP 6468587A JP S63229765 A JPS63229765 A JP S63229765A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
赤外線検知器内に設けられた配線基板上の配線パターン
や検知器基板の側面より検知素子に入射する迷光を無く
するため、配線基板および検知器基板に迷光を透過しな
いセラミックや石英ガラス材を用いるとともに、配線基
板内に配線パターンを埋設した構成とし、迷光を遮断し
て検知素子のモジユレーション・トランスファー・ファ
ンクション(以後MTFと記す)を改善するとともに、
赤外線検知器の製造の簡略化を図っている。
や検知器基板の側面より検知素子に入射する迷光を無く
するため、配線基板および検知器基板に迷光を透過しな
いセラミックや石英ガラス材を用いるとともに、配線基
板内に配線パターンを埋設した構成とし、迷光を遮断し
て検知素子のモジユレーション・トランスファー・ファ
ンクション(以後MTFと記す)を改善するとともに、
赤外線検知器の製造の簡略化を図っている。
本発明は3μI11〜5μm帯に感度を有する赤外線検
知器に関し、特に迷光による影響を無くしてMTFをよ
くするとともに、製造のの簡略化を行うように改良され
た赤外線検知器に関するものである。
知器に関し、特に迷光による影響を無くしてMTFをよ
くするとともに、製造のの簡略化を行うように改良され
た赤外線検知器に関するものである。
赤外線撮像装置において、鮮明な撮像画像を得るために
は、赤外線検知器の迷光による影響をなくしてMTFを
良くする必要があり、そのための種々の方策が提案され
ている。
は、赤外線検知器の迷光による影響をなくしてMTFを
良くする必要があり、そのための種々の方策が提案され
ている。
第2図は従来の赤外線検知器の側断面図、第3図は従来
の赤外線検知器の動作を説明するための図である。
の赤外線検知器の動作を説明するための図である。
第2図において、従来の赤外線検知器は、外筒1と内筒
2と外筒1の上面に設けられた透過窓3とにより真空容
器を形成しており、透過窓3に対向する内筒2の真空容
器面にサファイアの検知器基板9を設け、該検知器基板
9の上面に金属膜10を蒸着し、該金属膜10上に接着
材11を介して検知素子5を設け、真空容器内を真空と
して外部温度が検知素子5に伝導することを遮断すると
ともに、内筒2の内部を液体窒素、循環冷却器、ガス冷
却器(J−T冷却)等で冷却し、検知素子5を所定の温
度にしている。
2と外筒1の上面に設けられた透過窓3とにより真空容
器を形成しており、透過窓3に対向する内筒2の真空容
器面にサファイアの検知器基板9を設け、該検知器基板
9の上面に金属膜10を蒸着し、該金属膜10上に接着
材11を介して検知素子5を設け、真空容器内を真空と
して外部温度が検知素子5に伝導することを遮断すると
ともに、内筒2の内部を液体窒素、循環冷却器、ガス冷
却器(J−T冷却)等で冷却し、検知素子5を所定の温
度にしている。
また、検知器基板90両側にセラミックの配線基板12
を設け、両配線基板12の上面に配線パターン7を形成
している。
を設け、両配線基板12の上面に配線パターン7を形成
している。
検知素子5は、外部より透過窓3を透過して入射する赤
外線光(実線で示す)を検知して電気信号に変換し、リ
ード線6と配線パターン7を介して外部出力端8より外
部に取出している。
外線光(実線で示す)を検知して電気信号に変換し、リ
ード線6と配線パターン7を介して外部出力端8より外
部に取出している。
3μm〜5μm帯に感度を有する赤外線検知器にサファ
イア基板を用いると、第3図の点線で示すように、3μ
m〜5μm帯の迷光が基板側面から透過し、サファイア
基板の裏面よりの反射光が検知素子5に入射し、検知器
5のMTFを低下せしめる。
イア基板を用いると、第3図の点線で示すように、3μ
m〜5μm帯の迷光が基板側面から透過し、サファイア
基板の裏面よりの反射光が検知素子5に入射し、検知器
5のMTFを低下せしめる。
そこで、サファイア基板の裏面よりの反射光が検知器素
子5に入射することを遮断するために基板の上面に金属
膜10を蒸着した後、その後の工程でこの金属膜が侵さ
れないよう金属膜上に絶縁膜を形成し、その上に接着剤
11を介して検知器素子5を透過窓3に対向して固定し
ている。
子5に入射することを遮断するために基板の上面に金属
膜10を蒸着した後、その後の工程でこの金属膜が侵さ
れないよう金属膜上に絶縁膜を形成し、その上に接着剤
11を介して検知器素子5を透過窓3に対向して固定し
ている。
上記の赤外線検知器において、検知器基板9上への金属
膜10の形成に時間がかかり、赤外線検知器の製造効率
をわるくしている。
膜10の形成に時間がかかり、赤外線検知器の製造効率
をわるくしている。
また、第3図の鎖線で示すように、外部より入射した迷
光が配線基板12の上面に形成された配線パターン7に
反射して検知素子5に入射し、MTFをわるくする。
光が配線基板12の上面に形成された配線パターン7に
反射して検知素子5に入射し、MTFをわるくする。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、検知
素子に検知器基板の側面を透過して入射する迷光や配線
パターンに反射して入射する迷光を遮断し、高いMTF
が得られるとともに、製造が容易となる赤外線検知器を
提供することを目的としている。
素子に検知器基板の側面を透過して入射する迷光や配線
パターンに反射して入射する迷光を遮断し、高いMTF
が得られるとともに、製造が容易となる赤外線検知器を
提供することを目的としている。
検知器基板および配線基板をセラミックまたは石英ガラ
スで形成するとともに、配線パターンを配線基板面内に
埋設して形成する構成としている。
スで形成するとともに、配線パターンを配線基板面内に
埋設して形成する構成としている。
セラミックまたは石英ガラスは3μI11〜5μm帯の
赤外光を透過しない性質を有している。これを利用して
検知器基板と配線基板にセラミックまたは石英ガラスを
用いることによって検知器基板の側面より入射する迷光
が基板内を透過することがなくなり、迷光による検知素
子への影響をなくしている。
赤外光を透過しない性質を有している。これを利用して
検知器基板と配線基板にセラミックまたは石英ガラスを
用いることによって検知器基板の側面より入射する迷光
が基板内を透過することがなくなり、迷光による検知素
子への影響をなくしている。
第1図は本発明の一実施例の赤外線検知器の要部側断面
図を示している。
図を示している。
第1図に示すように、一実施例の赤外線検知器は、セラ
ミックまたは石英ガラスから成る検知器基板9にセラミ
ックまたは石英ガラスを用い、該検知器基板9上に検知
素子5を透過窓3に対向して形成している。
ミックまたは石英ガラスから成る検知器基板9にセラミ
ックまたは石英ガラスを用い、該検知器基板9上に検知
素子5を透過窓3に対向して形成している。
また、配線基板12にセラミックまたは石英ガラスを用
い、配線パターン7を配線基板12の内部に埋設して形
成するとともに、その一端を接続する端子13を配線基
板12上に設け、該端子13と検知素子5のリード線6
とを接続し、検知素子5の出力信号をリード線6と端子
13と配線パターン7と外部出力端8を介して外部に取
出すようにしている。
い、配線パターン7を配線基板12の内部に埋設して形
成するとともに、その一端を接続する端子13を配線基
板12上に設け、該端子13と検知素子5のリード線6
とを接続し、検知素子5の出力信号をリード線6と端子
13と配線パターン7と外部出力端8を介して外部に取
出すようにしている。
外部より検知器基板9の側面に入射する3μm〜5μm
帯の迷光は、セラミックまたは石英ガラスを透過しない
ために検知器基板9の側面で遮断され、3μm〜5μm
帯で感度を有する検知素子5への影響がなくなる。
帯の迷光は、セラミックまたは石英ガラスを透過しない
ために検知器基板9の側面で遮断され、3μm〜5μm
帯で感度を有する検知素子5への影響がなくなる。
また、従来例で述べた検知器基板9上に金属膜10を形
成する工程が省けるとともに、セラミックまたは石英ガ
ラスの検知器基Fi9上に検知素子5を形成することは
容易であり、赤外線検知器の製造が効率化される。
成する工程が省けるとともに、セラミックまたは石英ガ
ラスの検知器基Fi9上に検知素子5を形成することは
容易であり、赤外線検知器の製造が効率化される。
一方、外部より配線基板12の上面に入射した3μl1
1〜5μm帯の迷光はセラミックまたは石英ガラスで遮
断され、内部に埋設された配線パターン7からの反射が
なくなり、検知素子5への迷光による影響がなくなる。
1〜5μm帯の迷光はセラミックまたは石英ガラスで遮
断され、内部に埋設された配線パターン7からの反射が
なくなり、検知素子5への迷光による影響がなくなる。
以上説明したように本発明によれば、赤外線検知器の検
知器基板および配線基板にセラミックまたは石英ガラス
を用い、また配線基板の内部に配線パターンを埋設して
形成することによって迷光による検知素子への影3をな
くしてMTFをよくするとともに、製造の効率化を可能
とする。
知器基板および配線基板にセラミックまたは石英ガラス
を用い、また配線基板の内部に配線パターンを埋設して
形成することによって迷光による検知素子への影3をな
くしてMTFをよくするとともに、製造の効率化を可能
とする。
第1図は本発明の一実施例の赤外線検知器の要部側断面
図、 第2図は従来の窒素冷却型赤外線検知器の側断面図、 第3図は従来の赤外線検知器の動作を説明するための図
である。 図において、1は外筒、2は内筒、3は透過窓、5は検
知素子、6はリード線、7は配線パターン、8は外部出
力端、9は検知器基板、1oは金属膜、11は接着剤、
12は配線基板、13は端子を示してぃμ49象禮に市
側跡向図 第2図 宅ゲjF、−矛715乳4p妃大スジ1欠イ下6jLす
]す1r=h−図第3図
図、 第2図は従来の窒素冷却型赤外線検知器の側断面図、 第3図は従来の赤外線検知器の動作を説明するための図
である。 図において、1は外筒、2は内筒、3は透過窓、5は検
知素子、6はリード線、7は配線パターン、8は外部出
力端、9は検知器基板、1oは金属膜、11は接着剤、
12は配線基板、13は端子を示してぃμ49象禮に市
側跡向図 第2図 宅ゲjF、−矛715乳4p妃大スジ1欠イ下6jLす
]す1r=h−図第3図
Claims (1)
- (1)透過窓(3)に対向して設けられた検知器基板(
9)上に検知素子(5)を形成するとともに、前記検知
器基板の両側面に配線パターン(7)が形成された配線
基板(12)を備え、かつ該配線基板(12)端子(1
3)と前記検知素子(5)とをリード線(6)で接続し
た3〜5μm帯に感度を有する赤外線検知器において、 前記検知器基板(9)および配線基板(12)をセラミ
ックまたは石英ガラスで形成するとともに、前記配線パ
ターン(7)を前記配線基板に埋設して形成したことを
特徴とする赤外線検知器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62064685A JPS63229765A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62064685A JPS63229765A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 赤外線検知器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63229765A true JPS63229765A (ja) | 1988-09-26 |
Family
ID=13265256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62064685A Pending JPS63229765A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 赤外線検知器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63229765A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0447201A2 (en) * | 1990-03-13 | 1991-09-18 | Nec Corporation | Photoelectric converter module |
WO2008149928A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
WO2008149930A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
WO2008149941A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
WO2008149940A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
WO2008149948A1 (ja) | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
JP2009069016A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 分光モジュール |
JP2009069012A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 分光モジュール |
JP2009069017A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 分光モジュール |
US8031336B2 (en) | 2007-06-08 | 2011-10-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscope |
JP2012037533A (ja) * | 2011-11-18 | 2012-02-23 | Hamamatsu Photonics Kk | 分光モジュール |
US8368885B2 (en) | 2007-06-08 | 2013-02-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscopic module |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62064685A patent/JPS63229765A/ja active Pending
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US8031336B2 (en) | 2007-06-08 | 2011-10-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscope |
WO2008149940A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
WO2008149948A1 (ja) | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
JP2008304385A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 分光モジュール |
JP2008304379A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 分光モジュール |
WO2008149928A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
TWI451072B (zh) * | 2007-06-08 | 2014-09-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Spectral module |
EP2075555A4 (en) * | 2007-06-08 | 2014-01-01 | Hamamatsu Photonics Kk | SPECTROSCOPIC MODULE |
EP2048484A1 (en) * | 2007-06-08 | 2009-04-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscopic module |
EP2075555A1 (en) * | 2007-06-08 | 2009-07-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscopic module |
WO2008149941A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | 分光モジュール |
CN105606215A (zh) * | 2007-06-08 | 2016-05-25 | 浜松光子学株式会社 | 分光模块 |
US8477306B2 (en) | 2007-06-08 | 2013-07-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscope |
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EP2048484A4 (en) * | 2007-06-08 | 2014-01-01 | Hamamatsu Photonics Kk | SPECTROSCOPIC MODULE |
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