JPS6322609Y2 - - Google Patents
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- JPS6322609Y2 JPS6322609Y2 JP1984134028U JP13402884U JPS6322609Y2 JP S6322609 Y2 JPS6322609 Y2 JP S6322609Y2 JP 1984134028 U JP1984134028 U JP 1984134028U JP 13402884 U JP13402884 U JP 13402884U JP S6322609 Y2 JPS6322609 Y2 JP S6322609Y2
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- photocathode
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/84—Traps for removing or diverting unwanted particles, e.g. negative ions, fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/501—Imaging and conversion tubes including multiplication stage
- H01J2231/5013—Imaging and conversion tubes including multiplication stage with secondary emission electrodes
- H01J2231/5016—Michrochannel plates [MCP]
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は光電陰極を有する入力窓と、電子光学
系と、チヤネルプレート形増倍器と、出力窓とを
具える像増強管装置に関するものである。
系と、チヤネルプレート形増倍器と、出力窓とを
具える像増強管装置に関するものである。
このような形式の像増強管装置は米国特許第
3868536号明細書から既知である。しかし、そこ
に記載された像増強管では、なおチヤネルプレー
ト形増倍器で放出されたイオンの一部が光電陰極
に到達すると共に増倍器のチヤネルプレートの入
力面に入射する光電子のランデイング角度が相当
変化し、これにより正しい像形成が乱れる恐れが
ある。
3868536号明細書から既知である。しかし、そこ
に記載された像増強管では、なおチヤネルプレー
ト形増倍器で放出されたイオンの一部が光電陰極
に到達すると共に増倍器のチヤネルプレートの入
力面に入射する光電子のランデイング角度が相当
変化し、これにより正しい像形成が乱れる恐れが
ある。
本考案の目的はこれらの欠点を軽減せんとする
ものである。
ものである。
本考案による像増強管装置は、光電陰極を有す
る入射窓と、チヤネルプレート形増倍器と、出射
窓と、前記チヤネル形増倍器に支持され前記光電
陰極に向けて延在する入力電極、及び光電陰極と
前記チヤネルプレート入力電極との間に位置する
円筒状の中間電極を有する電子光学系とを具え、
前記円筒状中間電極が、光電陰極に近い側が一層
狭くなる載る截頭円錐部の光電陰極と対向する端
部において前記円筒状入力電極の開口よりも一層
狭い開口を有する端部とを具え、この中間電極を
入力電極に対して正極性となるようにバイアスし
たことを特徴とするものである。
る入射窓と、チヤネルプレート形増倍器と、出射
窓と、前記チヤネル形増倍器に支持され前記光電
陰極に向けて延在する入力電極、及び光電陰極と
前記チヤネルプレート入力電極との間に位置する
円筒状の中間電極を有する電子光学系とを具え、
前記円筒状中間電極が、光電陰極に近い側が一層
狭くなる載る截頭円錐部の光電陰極と対向する端
部において前記円筒状入力電極の開口よりも一層
狭い開口を有する端部とを具え、この中間電極を
入力電極に対して正極性となるようにバイアスし
たことを特徴とするものである。
本考案によれば、このように光電陰極、中間電
極及びチヤネルプレート形増倍器の入力電極を配
置し、これら電極に適当な電位を与えることによ
り、即ち前記入力電極の電位を中間電極の電位よ
りも低くすると共に、中間電極の形状を光電陰極
に近い側を狭い方の端部とする截頭円錐部を有す
る円筒状にすることにより、チヤネルプレートか
ら光電陰極に到達するイオンを殆ど或は全つたく
なくすることができ、増倍器の入力電極で反射さ
れた電子の略々全部を中間に配置した截頭円錐部
を有する円筒状中間電極で捕獲することができる
と共に、光電子を増倍器のチヤネルプレートの周
縁部に至るまで一層均一なランデイング角度で入
射させることができ、チヤネルプレート形増倍器
の入力面に歪みなく画像を形成することができ
る。
極及びチヤネルプレート形増倍器の入力電極を配
置し、これら電極に適当な電位を与えることによ
り、即ち前記入力電極の電位を中間電極の電位よ
りも低くすると共に、中間電極の形状を光電陰極
に近い側を狭い方の端部とする截頭円錐部を有す
る円筒状にすることにより、チヤネルプレートか
ら光電陰極に到達するイオンを殆ど或は全つたく
なくすることができ、増倍器の入力電極で反射さ
れた電子の略々全部を中間に配置した截頭円錐部
を有する円筒状中間電極で捕獲することができる
と共に、光電子を増倍器のチヤネルプレートの周
縁部に至るまで一層均一なランデイング角度で入
射させることができ、チヤネルプレート形増倍器
の入力面に歪みなく画像を形成することができ
る。
図面につき本考案を説明する。
第1図は本考案の像増強管の一実施例を示し、
本例の像増強管の外匣1に光フアイバより成る入
力窓3と、出力窓4と、円筒管壁部5とを設け
る。入力窓3の凹状の内壁6に光電陰極7を設け
る。像増強管の反対側端部近くにチヤネルプレー
ト形増倍器8を設け、そのプレートには入力面9
と出力面10を設ける。前記光電陰極7とこのチ
ヤネルプレート形増倍器8との間に、円筒状中間
電極11を設け、その光電陰極に近い方の部分を
截頭円錐形とする共に截頭円錐部の端部の開口を
後述する円筒状入力電極12の開口よりも狭くす
る。チヤネルプレート形増倍器8の入力面9の近
くに円筒状の入力電極12を設ける。この入力電
極12はチヤネルプレート形増倍器の入力面に設
ける通常のチヤネル入力電極と一体に形成するの
が好適である。普通用いられる光電陰極1の導電
率はそれらを電子光学系の電極と認め得る程度に
なつている。また、電極と認めることができない
場合は、測定しようとする放射線に対して透明な
付加電極を設けることができる。出力窓4の内側
には発光層13を設ける。外匣1の頂部14に、
例えば溶接やシール止めによりリング15を固着
する。このリング15の端面16は本願人の出願
に係るオランダ国特許願第7702261号(特開昭53
−110270号)明細書に開示されているように基準
面として機能する。
本例の像増強管の外匣1に光フアイバより成る入
力窓3と、出力窓4と、円筒管壁部5とを設け
る。入力窓3の凹状の内壁6に光電陰極7を設け
る。像増強管の反対側端部近くにチヤネルプレー
ト形増倍器8を設け、そのプレートには入力面9
と出力面10を設ける。前記光電陰極7とこのチ
ヤネルプレート形増倍器8との間に、円筒状中間
電極11を設け、その光電陰極に近い方の部分を
截頭円錐形とする共に截頭円錐部の端部の開口を
後述する円筒状入力電極12の開口よりも狭くす
る。チヤネルプレート形増倍器8の入力面9の近
くに円筒状の入力電極12を設ける。この入力電
極12はチヤネルプレート形増倍器の入力面に設
ける通常のチヤネル入力電極と一体に形成するの
が好適である。普通用いられる光電陰極1の導電
率はそれらを電子光学系の電極と認め得る程度に
なつている。また、電極と認めることができない
場合は、測定しようとする放射線に対して透明な
付加電極を設けることができる。出力窓4の内側
には発光層13を設ける。外匣1の頂部14に、
例えば溶接やシール止めによりリング15を固着
する。このリング15の端面16は本願人の出願
に係るオランダ国特許願第7702261号(特開昭53
−110270号)明細書に開示されているように基準
面として機能する。
第1図に示す実施例では、光電陰極7を導電性
壁部20及び導線21を経て電源23に接続し、
中間電極11を導線22を経て電源23と電源2
5との接続点に接続する。電源23は光電陰極に
対して正の電位(例えば4.5kV)を中間電極11
に与える。入力電極12はチヤネルプレート形増
倍器の入力面9に設けられたチヤネル入力電極と
電気的に一体にし、導線24を経て電源25と電
源26との接続点に接続する。電圧源25は中間
電極11に対して負の電位(例えば1kV)を入力
電極12に与える。チヤネルプレート形増倍器8
の出力面10に設けられる出力電極(図示せず)
は導線27を経て電源26と電源28との接続点
に接続し、入力電極12に対して正の電位をこの
出力電極に与える。電源28は導線27と29を
経てチヤネルプレート形増倍器の出力電極と出力
窓窓4との間に出力窓4を正とする電圧を与え
る。実際の像増強管では、チヤネルプレート形増
倍器8上に光電子の像を結像させるに要する諸電
位は普通共通電源からとつている。その主たる理
由は、こうすれば如何なる電圧変動も全部の電位
に比例的に影響し、電位の電子光学的調整の乱れ
を相当小さくできるからである。
壁部20及び導線21を経て電源23に接続し、
中間電極11を導線22を経て電源23と電源2
5との接続点に接続する。電源23は光電陰極に
対して正の電位(例えば4.5kV)を中間電極11
に与える。入力電極12はチヤネルプレート形増
倍器の入力面9に設けられたチヤネル入力電極と
電気的に一体にし、導線24を経て電源25と電
源26との接続点に接続する。電圧源25は中間
電極11に対して負の電位(例えば1kV)を入力
電極12に与える。チヤネルプレート形増倍器8
の出力面10に設けられる出力電極(図示せず)
は導線27を経て電源26と電源28との接続点
に接続し、入力電極12に対して正の電位をこの
出力電極に与える。電源28は導線27と29を
経てチヤネルプレート形増倍器の出力電極と出力
窓窓4との間に出力窓4を正とする電圧を与え
る。実際の像増強管では、チヤネルプレート形増
倍器8上に光電子の像を結像させるに要する諸電
位は普通共通電源からとつている。その主たる理
由は、こうすれば如何なる電圧変動も全部の電位
に比例的に影響し、電位の電子光学的調整の乱れ
を相当小さくできるからである。
順次の諸電極の形状と電位は像増強管の光軸3
0にそつて延在する電位分布が第2図に曲線40
で示すような形となるように選定する。このグラ
フに関連電極その他の部品の位置に第1図と同じ
参照番号を夫々付してある。
0にそつて延在する電位分布が第2図に曲線40
で示すような形となるように選定する。このグラ
フに関連電極その他の部品の位置に第1図と同じ
参照番号を夫々付してある。
上述した実施例のような幾何的構造及び電位分
布に決定することより以下の利点が得られる。
布に決定することより以下の利点が得られる。
中間電極11を入力電極12の電位に対して一
層高い電位となるようにバイアスしているから、
このバイアスによつて光電効果に悪影響を及ぼす
ことなくチヤネルプレート形増倍器8に対する光
電子のランデイング速度を適切に調整することが
でき、この結果増倍器における二次電子放出を最
適なものとすることができると共にチヤネルプレ
ート増倍器に対する入射光電子のランデイング角
度の変動をより一層低減することができる。特
に、周辺部におけるランデイング角度の変動が低
減されるので歪のない均一な画像を形成すること
ができる。
層高い電位となるようにバイアスしているから、
このバイアスによつて光電効果に悪影響を及ぼす
ことなくチヤネルプレート形増倍器8に対する光
電子のランデイング速度を適切に調整することが
でき、この結果増倍器における二次電子放出を最
適なものとすることができると共にチヤネルプレ
ート増倍器に対する入射光電子のランデイング角
度の変動をより一層低減することができる。特
に、周辺部におけるランデイング角度の変動が低
減されるので歪のない均一な画像を形成すること
ができる。
光電子がチヤネルプレート形増倍器に入射する
際に生ずる不所望なイオン並びにチヤネルプサー
ト形増倍器で反射された電子は、入力電極と中間
電極との間に形成される電界によつて中間電極方
向に加速され、中間電極によつて速やかに捕獲さ
れる。この結果、これらイオンや反射電子が増倍
器の付近に浮遊して空間電荷を形成することがな
くなり、一層画像歪みのない均一な画像を形成す
ることができ、全長が高さ8cm程度の小さい増倍
管によつて高い像倍率を達成することができる。
また、截頭円錐部の光電陰極と対向する端部の開
口を小さいものとしているから、不所望なイオン
や反射電子が中間電極によつて確実に捕獲され、
光電陰極の損傷を防止することができる。
際に生ずる不所望なイオン並びにチヤネルプサー
ト形増倍器で反射された電子は、入力電極と中間
電極との間に形成される電界によつて中間電極方
向に加速され、中間電極によつて速やかに捕獲さ
れる。この結果、これらイオンや反射電子が増倍
器の付近に浮遊して空間電荷を形成することがな
くなり、一層画像歪みのない均一な画像を形成す
ることができ、全長が高さ8cm程度の小さい増倍
管によつて高い像倍率を達成することができる。
また、截頭円錐部の光電陰極と対向する端部の開
口を小さいものとしているから、不所望なイオン
や反射電子が中間電極によつて確実に捕獲され、
光電陰極の損傷を防止することができる。
本考案は上述した実施例だけに限定されず種々
の変形が可能である。例えば、光電陰極上にシン
チレーシヨン層を形成することができる。この型
式の像増強管装置は光フアイバの出力窓を形成す
ることができ、一方入射窓には光フアイバ窓を形
成しなくてもよい。
の変形が可能である。例えば、光電陰極上にシン
チレーシヨン層を形成することができる。この型
式の像増強管装置は光フアイバの出力窓を形成す
ることができ、一方入射窓には光フアイバ窓を形
成しなくてもよい。
第1図は本考案の像増強管の一実施例を示す断
面図、第2図は斯かる像増強管の電位分布曲線を
示す説明図である。 1……外匣、3……入力窓、4……出力窓、5
……円筒管壁、6……凹状内壁、7……光電陰
極、8……チヤネルプレート形増倍器、9……入
力面、10……出力面、11……中間電極、12
……入力電極、13……発光層。
面図、第2図は斯かる像増強管の電位分布曲線を
示す説明図である。 1……外匣、3……入力窓、4……出力窓、5
……円筒管壁、6……凹状内壁、7……光電陰
極、8……チヤネルプレート形増倍器、9……入
力面、10……出力面、11……中間電極、12
……入力電極、13……発光層。
Claims (1)
- 光電陰極を有する入射窓と、チヤネルプレート
形増倍器と、出射窓と、前記チヤネル形増倍器に
支持され前記光電陰極に向けて延在する入力電
極、及び光電陰極と前記チヤネルプレート入力電
極との間に位置する円筒状の中間電極を有する電
子光学系とを具え、前記円筒状中間電極が、光電
陰極に近い側が一層狭くなる截頭円錐部と、この
截頭円錐部の光電陰極と対向する端部において前
記円筒状入力電極の開口よりも一層狭い開口を有
する端部とを具え、この中間電極を入力電極に対
して正極性となるようにバイアスしたことを特徴
とする像増強管装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE7702262,A NL178922C (nl) | 1977-03-03 | 1977-03-03 | Beeldversterkerbuis. |
NL7702262 | 1977-03-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6065964U JPS6065964U (ja) | 1985-05-10 |
JPS6322609Y2 true JPS6322609Y2 (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=19828094
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2167278A Pending JPS53109470A (en) | 1977-03-03 | 1978-02-28 | Image intensifying tube |
JP1984134028U Granted JPS6065964U (ja) | 1977-03-03 | 1984-09-05 | 像増強管装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2167278A Pending JPS53109470A (en) | 1977-03-03 | 1978-02-28 | Image intensifying tube |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4286148A (ja) |
JP (2) | JPS53109470A (ja) |
AU (1) | AU514278B2 (ja) |
CA (1) | CA1101917A (ja) |
DE (1) | DE2807194C2 (ja) |
ES (1) | ES467463A1 (ja) |
FR (1) | FR2382765A1 (ja) |
GB (1) | GB1566852A (ja) |
NL (1) | NL178922C (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL178286C (nl) * | 1977-03-03 | 1986-02-17 | Philips Nv | Beeldversterkerbuis in een omhulling met verend materiaal. |
NL177160C (nl) * | 1977-10-24 | 1985-08-01 | Philips Nv | Roentgenbeeldversterkerbuis. |
JPS6056341A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-04-01 | Hamamatsu Photonics Kk | イメ−ジ管およびその製造方法 |
JPH07118294B2 (ja) * | 1987-02-13 | 1995-12-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
US4967089A (en) * | 1987-11-19 | 1990-10-30 | Honeywell Inc. | Pulsed optical source |
NL8901306A (nl) * | 1989-05-25 | 1990-12-17 | Philips Nv | Helderheidsversterkerbuis met richtmerk. |
US5212590A (en) * | 1989-05-25 | 1993-05-18 | U.S. Philips Corp. | Brightness intensifier tube with alignment marker |
US5883466A (en) * | 1996-07-16 | 1999-03-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube |
US7408173B2 (en) * | 2005-06-15 | 2008-08-05 | Wesam Khalil | Cold electron emitter |
JP2007073529A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Applied Materials Israel Ltd | イメージインテンシファイア装置および方法 |
US9425030B2 (en) * | 2013-06-06 | 2016-08-23 | Burle Technologies, Inc. | Electrostatic suppression of ion feedback in a microchannel plate photomultiplier |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3407324A (en) * | 1967-06-21 | 1968-10-22 | Electro Mechanical Res Inc | Electron multiplier comprising wafer having secondary-emissive channels |
US3708673A (en) * | 1971-06-10 | 1973-01-02 | Machlett Lab Inc | Image intensifier tube |
GB1361006A (en) * | 1971-08-02 | 1974-07-24 | Mullard Ltd | Electron multipliers |
GB1368753A (en) * | 1972-05-19 | 1974-10-02 | Mullard Ltd | Electron multiplers |
US3868536A (en) * | 1971-10-18 | 1975-02-25 | Varian Associates | Image intensifier tube employing a microchannel electron multiplier |
US4095136A (en) * | 1971-10-28 | 1978-06-13 | Varian Associates, Inc. | Image tube employing a microchannel electron multiplier |
-
1977
- 1977-03-03 NL NLAANVRAGE7702262,A patent/NL178922C/xx not_active IP Right Cessation
-
1978
- 1978-02-20 DE DE2807194A patent/DE2807194C2/de not_active Expired
- 1978-02-23 CA CA297,631A patent/CA1101917A/en not_active Expired
- 1978-02-28 JP JP2167278A patent/JPS53109470A/ja active Pending
- 1978-02-28 GB GB7875/78A patent/GB1566852A/en not_active Expired
- 1978-02-28 AU AU33680/78A patent/AU514278B2/en not_active Expired
- 1978-03-01 ES ES467463A patent/ES467463A1/es not_active Expired
- 1978-03-02 FR FR7805984A patent/FR2382765A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-07-23 US US06/059,826 patent/US4286148A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-09-05 JP JP1984134028U patent/JPS6065964U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU514278B2 (en) | 1981-01-29 |
FR2382765B3 (ja) | 1980-11-07 |
JPS53109470A (en) | 1978-09-25 |
US4286148A (en) | 1981-08-25 |
NL178922B (nl) | 1986-01-02 |
JPS6065964U (ja) | 1985-05-10 |
ES467463A1 (es) | 1978-11-01 |
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