JPS63220605A - 高周波回路の調整方法 - Google Patents
高周波回路の調整方法Info
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- JPS63220605A JPS63220605A JP62054505A JP5450587A JPS63220605A JP S63220605 A JPS63220605 A JP S63220605A JP 62054505 A JP62054505 A JP 62054505A JP 5450587 A JP5450587 A JP 5450587A JP S63220605 A JPS63220605 A JP S63220605A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波、ミリ波などの高周波回路の調整方
法に関する。
法に関する。
従来の技術
高周波帯で使用されるマイクロストリップラインやスロ
ットライン等のマイクロ波回路はアルミナ、サファイヤ
等の基板上に導電膜（金、アルミニウム、銅など）を所
要パターンにエツチングすることにより形成される。そ
して、該マイクロ波伝送線路は、効率良く信号を伝える
ために線路の整合が必要であり、また他の回路素子（ト
ランジスタ、コンデンサ等）のバラツキによる回路特性
のズレを補正するために、該線路の修正が必要である。
ットライン等のマイクロ波回路はアルミナ、サファイヤ
等の基板上に導電膜（金、アルミニウム、銅など）を所
要パターンにエツチングすることにより形成される。そ
して、該マイクロ波伝送線路は、効率良く信号を伝える
ために線路の整合が必要であり、また他の回路素子（ト
ランジスタ、コンデンサ等）のバラツキによる回路特性
のズレを補正するために、該線路の修正が必要である。
従来は、該線路にスタブを並列に設けて調整を行ってい
る。第２図では従来のマイクロ波伝送線路の一例として
マイクロストリップラインに於ける該線路の調整方法を
表している。第２図に於て線路のインピーダンス整合を
行うには、並列スタブ２１をボンディングワイヤ２２で
接続することで等測的なスタブ長を延長することにより
実施している。すなわち該スタブ間を結ぶボンディング
ワイヤの長さ、接続位置、本数を変えることにより特性
の調整を行うものである。（例えば、特公昭５７−２３
４１号公ＦＡ”） Ｌかしながら、従来のこの方法で
は高度に熟練した技術者が顕微鏡で部品を見ながら、し
かも同時にモニタ用の測定器を見ながらボンディングワ
イヤを接続したり、また時にはボンディングワイヤを除
去しながら回路特性の調整を行っている。すなわち従来
の方法によれば、回路特性の調整に多大の時間を必要と
し、また高度な技術を持った熟練作業者の育成も必要で
あるという欠点を有している。例えば、２００本前後の
ボンディングワイヤを必要とするマイクロ波回路モジュ
ールに於ける調整には、熟練作業者が十数時間もかかっ
て行わなければならない。
る。第２図では従来のマイクロ波伝送線路の一例として
マイクロストリップラインに於ける該線路の調整方法を
表している。第２図に於て線路のインピーダンス整合を
行うには、並列スタブ２１をボンディングワイヤ２２で
接続することで等測的なスタブ長を延長することにより
実施している。すなわち該スタブ間を結ぶボンディング
ワイヤの長さ、接続位置、本数を変えることにより特性
の調整を行うものである。（例えば、特公昭５７−２３
４１号公ＦＡ”） Ｌかしながら、従来のこの方法で
は高度に熟練した技術者が顕微鏡で部品を見ながら、し
かも同時にモニタ用の測定器を見ながらボンディングワ
イヤを接続したり、また時にはボンディングワイヤを除
去しながら回路特性の調整を行っている。すなわち従来
の方法によれば、回路特性の調整に多大の時間を必要と
し、また高度な技術を持った熟練作業者の育成も必要で
あるという欠点を有している。例えば、２００本前後の
ボンディングワイヤを必要とするマイクロ波回路モジュ
ールに於ける調整には、熟練作業者が十数時間もかかっ
て行わなければならない。
発明が解決しようとする問題点
本発明は」二連のような従来のマイクロ波伝送線路の調
整方法の問題点に鑑みてなされたものであって、多くの
時間を必要とせず、しかも熟練作業者以外の者であって
も計測器を見ながら簡単な操作を行うことで、回路特性
の調整を可能にすることを目的としたものである。
整方法の問題点に鑑みてなされたものであって、多くの
時間を必要とせず、しかも熟練作業者以外の者であって
も計測器を見ながら簡単な操作を行うことで、回路特性
の調整を可能にすることを目的としたものである。
問題点を解決するための手段
本発明では上記問題点を解決するために、レーザ光、水
銀ライブ等の光励起による（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ ＤｅｐｏｓｉｔｉＯｎ 化学気相成
長法、以下ＣＶＤと略して記すものとする。）を用いて
マイクロ波回路に並列スタブを形成することによりｍｌ
ｌ整を可能にし、しかも調整に要する時間を大幅に短縮
し、作業をも簡単化したものである。
銀ライブ等の光励起による（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ ＤｅｐｏｓｉｔｉＯｎ 化学気相成
長法、以下ＣＶＤと略して記すものとする。）を用いて
マイクロ波回路に並列スタブを形成することによりｍｌ
ｌ整を可能にし、しかも調整に要する時間を大幅に短縮
し、作業をも簡単化したものである。
作用
来光明番よ上記のレーザ光、水銀ランプ等による光励起
ＣＶＤを用いた方法により、マイクロ波回路に並列スタ
ブを形成することによってｍ１ｉｌｌ整を可能とし、作
業時間の短縮および、作業内容の簡単化を図ることで従
来の問題点を解決する。
ＣＶＤを用いた方法により、マイクロ波回路に並列スタ
ブを形成することによってｍ１ｉｌｌ整を可能とし、作
業時間の短縮および、作業内容の簡単化を図ることで従
来の問題点を解決する。
実施例
以下本発明の一実施例に於ける光励起ＣＶＤによるマイ
クロ波回路の調整方法について、図面を参照しながら説
明する。第１図は、本発明を概略的に示す説明図である
。すなわち、光励起ＣＶＤは反応ガスに光によってエネ
ルギーを加えることにより化学的な反応を生じさせ、膜
を堆積させるものであるが、本発明では核膜の堆積によ
り、マイクロ波伝送線路の中心導体に付加する並列スタ
ブを形成し、回路特性を精度良く、しかも簡単に調整可
能としたものである。第１図において、光束１１、これ
はレーザ光、紫外光等の局所的に大きなエネルギーを与
えられるものであれば何でも良いが、調整したい個所、
すなわち並列スタブを形成すべき部分に照射し、ガスを
化学反応させて膜を堆積する。この時、同時に計測器に
より測定を行いながら、必要な回路特性が得られた時に
光の照射を止める。レーザ光などの照射はコンピュータ
制御の計測装置などを用いて行うために、瞬間的な光照
射の開始、中止が可能であるため、非常に精度良く要求
通りの回路特性を得ることができる。また、従来のよう
に熟練した技術者が顕微鏡を見ながら、ボンディングワ
イヤを付けたり外したりするような複雑な作業に長時間
費やすというようなこともなくなるのである。したがっ
て生産性も大幅に向」二することが期待できる。
クロ波回路の調整方法について、図面を参照しながら説
明する。第１図は、本発明を概略的に示す説明図である
。すなわち、光励起ＣＶＤは反応ガスに光によってエネ
ルギーを加えることにより化学的な反応を生じさせ、膜
を堆積させるものであるが、本発明では核膜の堆積によ
り、マイクロ波伝送線路の中心導体に付加する並列スタ
ブを形成し、回路特性を精度良く、しかも簡単に調整可
能としたものである。第１図において、光束１１、これ
はレーザ光、紫外光等の局所的に大きなエネルギーを与
えられるものであれば何でも良いが、調整したい個所、
すなわち並列スタブを形成すべき部分に照射し、ガスを
化学反応させて膜を堆積する。この時、同時に計測器に
より測定を行いながら、必要な回路特性が得られた時に
光の照射を止める。レーザ光などの照射はコンピュータ
制御の計測装置などを用いて行うために、瞬間的な光照
射の開始、中止が可能であるため、非常に精度良く要求
通りの回路特性を得ることができる。また、従来のよう
に熟練した技術者が顕微鏡を見ながら、ボンディングワ
イヤを付けたり外したりするような複雑な作業に長時間
費やすというようなこともなくなるのである。したがっ
て生産性も大幅に向」二することが期待できる。
発明の効果
本発明は上述の説明のように、マイクロ波伝送線路のパ
ターンを修正するにあたり、光励起ＣＶＤを用いること
によって回路特性が精度良く得られ、しかも簡単な作業
で実施できるため、生産性が大幅に向上することが認め
られる。また本発明は、マイクロ波回路などの高周波帯
で利用される部品ばかりでなく、他に高い精度を要求さ
れる電子部品にも応用が可能である。
ターンを修正するにあたり、光励起ＣＶＤを用いること
によって回路特性が精度良く得られ、しかも簡単な作業
で実施できるため、生産性が大幅に向上することが認め
られる。また本発明は、マイクロ波回路などの高周波帯
で利用される部品ばかりでなく、他に高い精度を要求さ
れる電子部品にも応用が可能である。
第１図は本発明による一実施例に於ける高周波回路の調
整方法を説明する説明図、第２図は従来の技術による高
周波回路の調整方法を示す説明図である。 １１・・・・・・光束、１２・・・・・・伝送線路とな
る中心導体、１３・・・・・・基板、１４・・・・・・
接地導体、２１・・・・・・並列スタブ、２２・・・・
・・ボンディングワイヤ。
整方法を説明する説明図、第２図は従来の技術による高
周波回路の調整方法を示す説明図である。 １１・・・・・・光束、１２・・・・・・伝送線路とな
る中心導体、１３・・・・・・基板、１４・・・・・・
接地導体、２１・・・・・・並列スタブ、２２・・・・
・・ボンディングワイヤ。
Claims (1)
- 高周波回路のパターン修正に際し、レーザ光、水銀ラ
ンプ等の光励起による化学気相成長法を用いて膜堆積を
行い、前記高周波回路に所要のパターンを付加すること
により回路特性の調整を行うことを特徴とする高周波回
路の調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054505A JPS63220605A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 高周波回路の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054505A JPS63220605A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 高周波回路の調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220605A true JPS63220605A (ja) | 1988-09-13 |
Family
ID=12972490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62054505A Pending JPS63220605A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 高周波回路の調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63220605A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120651A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Hitachi Ltd | Matching equipment |
| JPS5259551A (en) * | 1976-11-25 | 1977-05-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Micro-adjustment of ic circuit |
| JPS60216555A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60236215A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | Jeol Ltd | レ−ザｃｖｄ方法 |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP62054505A patent/JPS63220605A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120651A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Hitachi Ltd | Matching equipment |
| JPS5259551A (en) * | 1976-11-25 | 1977-05-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Micro-adjustment of ic circuit |
| JPS60216555A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60236215A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | Jeol Ltd | レ−ザｃｖｄ方法 |
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