JPS63220435A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ等による光学的書込み記録に適した光
学情報記録媒体に関し、詳しくは光ディスク及び光カー
ドなどに用いつる改善された光学記録媒体に関するもの
である。

［従来の技術］ 一般に、光ディスク或いは光カードは、基体の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可１戯な小さな
、例えば、約ｌＩＬピットをらせん状又は円形または直
線状のトラック形態にして高密度情報を記憶することが
できる。この様なディスク或はカードに情報を書込むに
は、レーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、こ
のレーザ光線が照射された表面のみがビットを形成し、
このビットをらせん状又は円形もしくは直線状のトラッ
クの形態で形成する。レーザ感応層は、レーザ・エネル
ギーを吸収して光学的に検出可能なビットを形成できる
。例えば、ヒートモート記録方式ではレーザ感応層は熱
エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解により小
さな四部（ビット）を形成できる。また、別のヒートモ
ード記録方式では、照射されたレーザ・エネルギーの吸
収により、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有す
るビットを形成できる。

この光ディスクおよび光カートに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査しビットが形成された部
分とビットが形成されていない部分の光学的変化を読み
取ることによって検出される０例えば光ディスクや光カ
ードの場合、レーザ光がトラックに沿って走査され、デ
ィスクやカートにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによって、モニターされる。ビットが形成さ
れている部分は、レーザ光の反射は低くなりフォトディ
テクターの出力は小さくなる。一方、ビットが形成され
ていない部分は、反射が充分になされ、フォトディテク
ターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクＳよび光カートなどに用いる光学情
報記録媒体として、これまでアルミニウム、金蒸着膜な
どの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルルＭ膜やカルコ
ゲナイド系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いた
ものが提案されている。これらの薄膜は、保存性が悪い
、分解能が低い、記録密度が低い、コスト高になるなど
の欠点を有する。

また、最近になって比較的長波長の光で物性変化し得る
有機色素薄膜を記録層に用いることが提案されている。

この有機色素薄膜は、上記欠点を除去するものであるか
、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機色素は、熟およ
び光に対して安定性が低いなどの問題点がある。これら
の点を含めて、記録材料に用いられる有機色素としては
次のような性質が必要とされる。即ち、 １、　ｌｌｉ性かないこと ２、８０Ｄｎａ付近に吸収を持ち、吸光係数が大きいこ
と ３、有機溶剤に対する溶解性が良いこと４、薄膜状態で
８００ｎ■付近で大きな反射率を持つこと ５、薄膜状態で結品化しにくいこと ６、紫外及び可視光安定性があること ７、熱的安定性があること ８、対湿安定性があること ９、合成が容易であること 茅が挙げられる。

また、これらの性山を満足する色素として、例えばアズ
レニウム塩抜を有する色素か提案されている。

従来使われてきた無機化合物と比べてこの様なアズレニ
ウム塩抜を有する有機色素の利点は１．の毒性がないこ
と、３．の溶解性の良さ等が挙げられるが、一方、記録
感度が良いにもかかわらず、高エネルギーで書き込みを
行なってもそれ程ＣＮ値が上昇しないという問題がある
。

他方、光記録媒体において、基板と記録層との接着性の
向上、基板に対する耐溶剤性効果、反射率の向上、記録
層の保存安定性の向上などの目的で下引層を設けること
が種々報告されている。下引層の材料としては、ポリア
ミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン樹
脂などの高分子材料やシランカップリング剤、無機化合
物として、璽ｇＦｔ＊　ｓｉｏ、　ＴｉＯ□、２口０．
　ＴｉＮ、　ＳｉＮなどや、Ｚｎ、　Ｃｕ、　Ｓ、　Ｎ
ｉ、　Ｃｒ、　Ｓｅなどの金属類が知られている。

しかし、これ等の下引層は前記の接着性の向上、耐溶剤
性等を目的とするものであり、高いＣＮ値（ＳＮ（＋ｉ
’ｉ）を得る効果のある下引層は現在あまり知られてい
ない。

例えば、特開昭６１−１１２９２号公報には、ＣＮ値を
向上させる下引層として、ケイ素系縮合物が報告されて
いる。しかし、この下引層の最適膜厚は８０〜１２０人
と極めて薄く、内外周差での膜厚ムラに対してＣＮ値が
大幅に変動し、製造上の制御が問題となる。また膜厚が
５００人をこえるとトラッキングエラー信号が得られな
いという問題がある。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は上記実状に鑑みてなされたものであり、その主
たる目的は、アズレニウム系色素を含有する記録層を有
する、高いＣＮ値を得ることの出来る光記録媒体を提供
することを目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ 即ち、本発明は、基板上にアクリル変性ケイ素縮合物か
らなる下引層を設け、該下引層の上に有機系光記録材料
を含有する記録層を積層してなることを特徴とする光記
録媒体である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の上記の目的は、具体的には、基板上にアクリル
変性ケイ素縮合物からなる下引き層を形成し、その上に
アズレニウム塩抜を有するアズレニウム系色素からなる
記録層を形成することにより達成することがてきる。

具体的には、記録感度も良く、低エネルギー光の書き込
みでＣＮ値が急激に上昇する特性を有するが、高エネル
ギー光での書き込みに対するＣＮ値か十分に上昇しない
欠点をもつアズレニウム系色素を含有する記録層を設け
た光記録媒体において、下引層として、上記のアクリル
変性ケイ素縮合物を用いることにより高エネルギー光の
書き込みでも高いＣＮ値を得ることを回部にしたもので
ある。

本発明において用いられる下引層は、一部アクリル樹脂
で置換されたケイ素化合物を縮合させたアクリル変性ケ
イ素縮合物の皮膜からなる。本発明における「アクリル
樹脂」、「アクリル変性」はアクリル酸、アクリル酸エ
ステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル類を指し
、これ等のホモポリマーあるいはこれ等のコポリマーの
他に。

これ等のアクリル系単量体と共重合し得るスチレン、酢
酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の他の
ビニル系単量体との共重合物でも良い。

この様なケイ素化合物としては、例えば特開昭６０−８
４３６６号公報に記載されているメチルジメトキシシリ
ル化ポリブチルメタクリル酸とポリシロキサンとの縮合
物等が利用てきる。

ケイ素に置換されているアクリル樹脂の分子量は、好ま
しくは５００〜３００００程度、より好ましくは１００
０〜１ｓｏｏｏ程度である。

また、下引層に釡まれる樹脂成分は、通常０．１〜９０
重量％、好ましくは５〜６０重量％である。

この様なアクリル変性ケイ素化合物はエタノール、イソ
プロパツールやブタノールなどのアルコール、酢酸アル
キルなどのエステル類、芳香族炭化水素中で安定して存
在し、保存性もよく、一般的なスピナー塗布、浸漬法、
スプレー塗布、マイヤーバー塗布、ブレート塗布、ロー
ラー塗布、カーテンｐ！Ｉｉ布などの塗布法を用いて成
膜することができる。

下引層の膜厚は５０人〜ｌＯμ■、好ましくは１００人
〜４０００人が望ましく、プリグループの深さを越える
膜厚でもトラッキングエラーの原因やノイズが増大する
ようなことがない。この様にして、基板上に設けられた
下引層は、膜厚のバラツキによるＣＮ差が少なく、プリ
グループの深さ以上の膜厚でもトラッキングエラー信号
がとれるという非常に良好な特性がある。

また１本発明における下引層は、ＣＮ値を向上させると
いう特性の他に、耐溶剤性能がある。例えば、インジェ
クション又はコンプレッション法により得られた基板上
に塗布した場合、記録層形成の際の溶剤を自由に選択で
きるという利点かある。

本発明において、記録層に含有されている有機系光記録
材料としては、アズレニウム塩抜な有するアズレニウム
化合物がもちいられる。

特に、前述のアズレニウム塩化合物は、下記一般式［Ｉ
］、［ＩＩ］又は［ｍｌによって表わされることができ
る。

一般式［Ｉ］ 一般式［■Ｉ Ｒ。

一般式［ｍｌ （但し、一般式［Ｉ］、［ＩＩ］および［ｍｌにおいて
＊　Ｒ１＋　Ｒ２ｓ　Ｒ３ｅ　Ｒ４＊　ＲＩＩ＋　Ｒ６
＋およびＲ７は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有
機残基を表わし、又はｈとＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ８ｌと
Ｒ４、しとＲｓ、　　ＲｓとＲａｇよびＲ６とＲ７の組
合せのうち少なくとも１つの組合せで置換又は未置換の
縮合環を形成してもよい、Ａは２価の有機残基を表わし
、ｚｅはアニオン残基を表わす、） 一般式に３いて、　Ｒ１−Ｒ７は、水素原子、ハロゲン
原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有機
残基を表わす。１価の有機残基としては、広範なものか
ら選択することができるが、特にアルキル基（メチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ
−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、
２−エチルヘキシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ
基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）
、置換もしくは未置換のアリール基（フェニル、トリル
、キシリル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エト
キシフェニル、クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメ
チルアミノフェニル。

α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしくは未置
換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニルエチル、２
−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベンジル、２−
ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシベン
ジル、ニトロベンジル）、アシル２５ｉ（アセチル、プ
ロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、トリオ
イル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど）、置換
もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ、ジ
エチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベ
ンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換スチリル！
Ｓｉ（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルア
ミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシス
チリル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、ニ
トロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基又は
置換もしくは未置換アリールアゾ基（フェニルアゾ、α
−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノフ
ェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、ニトロフェニルアゾ
、メトキシフェニルアゾ、　トリルアゾなど）を挙げる
ことができる。

又、Ｒ８とＲｓ、　　ＲｚとＲ３，Ｒ３とＲ４，Ｒ４と
ＲＳ、　ＲｓとＲ６およびＲ６とＲ７の組合せのうち、
少なくとも１つの組合せて置換又は未置換の縮合環を形
成してもよい、縮合環としては５員、６員、または７員
環の縮合環であり、芳香族環（ベンゼン、ナフタレン、
クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベンゼン、エ
チルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼンな
ど）、複素環（フラン環、ベンゾフラン環、ピロール環
、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、チアゾール
環など）、脂肪族環（ジメチレン、トリメチレン、テト
ラメチレンなど）が挙げられる　ｚｅはアニオン残基を
表わす。

Ａは、２重結合によって結合した２価の有機残基を表わ
す。

かかるＡを含む本発明に用いられる色素の具体的な例と
しては、下記の一般式（１）〜（ｌりで表わされるもの
を挙げることかできる。但し、式中のｑｏは下記のアズ
レニウム塩抜を示し、式中の００を除く右辺かＡを示し
ている。

アズレニウム塩抜（ｑｏ） Ｒ。

Ｒ鴨 一般式 式中、ＩＩｌ〜Ｒ７は前記で定義したものと同一の定義
を有する。

Ｒ。

■５ 式中、Ｒ３−Ｒ７は前記て定義したものと同一の定義を
有する。

式中、Ｒ′１〜Ｒ１７は、水素原子、ハロゲン原子（塩
素原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有機残基を表
わす、１価の有機残基としては、広範なものから選択す
ることができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル
、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチ
ルヘキシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換も
しくは未置換の７リール基（フェニル、トリル、キシリ
ル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェ
ニル、クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミ
ノフェニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換
もしくは未置換の７ラルキル２１ｓｉ（ベンジル、２−
フェニルエチル、２−７エニルー１−メチルエチル、ブ
ロモベンジル、２−ブロモフェニルエチル、メチルベン
ジル、メトキシベンジル、ニトロベンジル）、アシル基
（アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベン
ゾイル、トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイ
ルなど）、置換もしくは未置換アミノ基（アミン、ジメ
チルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセ
チルアミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未
置換スチリル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、
ジエチルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、
メトキシスチリル、エトキシスチリル、メチルスチリル
など）、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シ
アノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ基（フェニ
ルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−す７チルアゾ、ジメチ
ルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、ニトロフ
ェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾなど）
を挙げることかで゛きる。

又、Ｒ’ｌ　　とＲ’２＋　Ｒ’２とＲ’３．　Ｒ’３
とＲ’ｓ　、　Ｒ’ｓとＲ’ｓ、　Ｒ’ｓとＲ’６およ
びＲ’６　とＲ’７の組合せのうち、少なくとも１つの
組合せで置換又は未置換の縮合環を形成してもよい、ｌ
ａ合環としては５員。

６員または７員環の縮合環であ°す、芳香族環（ベンゼ
ン、ナフタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メ
チルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エ
トキシベンゼンなど）、複素環（フラン環、ベンゾフラ
ン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、キノリ
ン環、チアゾール環など）、脂肪族環（ジメチレン、ト
リメチレン、テトラメチレンなど）が挙げられる。

又、Ｑ″′で示すアズレニウム地核と前記式（３）にお
ける右辺のアズレン塩抜とは対称であってもよ〈又は非
対称であってもよい、ｚ′３は、前記で定義したものと
同一の定義を有する。　Ｒ８は、水素原子、ニトロ基、
シアノ基、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブ
チルなど）又はアリール基（フェニル、トリル、キシリ
ルなど）を表わし、ｎは０、ｌ又は２の整数を表わす。

式中、　Ｒ１−Ｒ１およびＺｏは前記で定義したものと
同一の定義を有する。

式中、ＲＩ〜Ｒ７、Ｒ’＋　〜Ｒ’ｙ　オＪ：　ヒＺ’
ハ前記テ定義したものと同一の定義を有する。

Ｚ′″ 式中、又はピリジン、チアゾール、ベンゾチアゾール、
ナフトチアゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール
、ナフトオキサゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾ
ール、ナフトイミダゾール、２−キノリン、４−キノリ
ン、イソキノリン又はインドールなどの含窒素複素環を
完成するに必要な非金属金子群を表わし、かかる複素環
には、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）
、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど
）、アリール、＋！　（フェニル、トリル、キシリルな
ど）などによって置換されていてもよい、　Ｒｑはアル
キル基（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）、置
換アルキル基（２−ヒドロキシエチル、２−メトキシエ
チル、２−二トキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、
３−メトキシプロピル、３−エトキシプロピル、３−ク
ロロプロピル、３−ブロモプロピル、３−カルボキシプ
ロピルなど）、環式アルキル基（シクロヘキシル、シク
ロプロピル）、アリル、アラルキル基（ベンジル、２−
フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−７エニル
ブチル、α−ナフチルメチル、β−ナフチルメチル）、
置換アラルキル基（メチルベンジル、エチルベンジル、
ジメチルベンジル、トリメチルベンジル、クロロベンジ
ル、ブロモベンジルなど）、アリール基（フェニル、ト
リル、キシリル、α−ナフチル、β−ナフチル）又は置
換アリール基（クロロフェニル、ジクロロフェニル、ト
リクロロフェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル
、ジメ）＋ジフェニル。

アミノフェニル、ニトロフェニル、ヒドロキシフェニル
など）を表わす０ｍは０又は１の整数を表わし、　ｚ”
は前記で定義したものと同一の定義を有する。

（７）　　　　　Ｑ”＝　ＣＨ−ＲＩＧ式中、Ｒｌｏは
置換又は未置換の７リール基（フェニル、トリル、キシ
リル、　ビフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル、ア
ンドラリル、ピレニル、メトキシフェニル、ジメトキシ
フェニル、トリメトキシフェニル、エトキシフェニル、
ジェトキシフェニル、クロロフェニル、ジクロロフェニ
ル、トリクロロフェニル、ブロモフェニル、ジブロモフ
ェニル、トリブロモフェニル、エチルフェニル、ジエチ
ルフェニル、ニトロフェニル、アミノフェニル、ジメチ
ルアミノフェニル、ジエチルアミノフェニル、ジベンジ
ルアミノフェニル、ジプロピルアミノフェニル、モルホ
リノフェニル、ピペリジニルフェニル、ピペラジノフェ
ニル、ジフェニルアミノフェニル、アセチルアミノフェ
ニル、ベンゾイルアミノフェニル、アセチルフェニル、
ベンゾイルフェニル、シアノフェニルなど）を表わし　
ｚｅは前記で定義したちのと同一の定義を有する。

（８）　　　　　Ｑ″′＝　ＣＨ−Ｒ１＋ｅ 式中、Ｒ１＋　はフラン、チオフェン、ベンゾフラン、
チオナフテン、ジベンゾフラン、カルバゾール、フェノ
チアジン、フェノキサジン、ピリジンなどの複素環から
誘導された１価の複素環基を表わし、Ｚ″′は前記で定
義したものと同一の定義を有する。

（９）　　　　　　Ｑ”＝　ＣＨ−ＣＨ＝　Ｃ−Ｒｈ。

式中、　ＲＩ２は水素原子、アルキル基（メチル、エチ
ル、プロピル、ブチルなど）又は置換もしくは未置換の
アリール基（フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル
、エチルフェニル、クロロフェニル、メトキシフェニル
、エトキシフェニル、ニトロフェニル、アミノフェニル
、ジメチルアミノフェニル、ジエチルアミノフェニル、
アセチルアミノフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル
、アントラリル、ピレニルなど）を表わす＊　Ｒｈｏお
よびｚｅは、前記で定義したものと同一の定義を有する
。

（１０）　　　　　　Ｑ・＝ＣＨ−Ｃｓ　Ｃ−ＲＩＧｅ 式中、　ＲＩＯおよびｚｅは前記で定義したものと同一
の定義を有する。

式中、×２は置換されてもよいビラン、チアピラン、セ
レナビラン、ベンゾピラン、ベンゾチアピラン、ベンゾ
セレナビラン、ナフトピラン、ナフトチアピラン又はナ
フトセレナピランを完成するに必要な原子群を示す、β
は０又はｌの整数である。Ｙは、硫黄原子、酸素原子又
はセレン原子を表わす＊　Ｒ１：およびＩ？＋４は、水
素原子、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチ
ルなど）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プａボ
キシ、ブトキシなど）、置換もしくは未置換のアリール
基（フェニル、トリル、キシリル、クロロフェニル、ビ
フェニル、メトキシフェニルなど）、置換もしくは未置
換のスチリル基（スチリル、ｐ−メチルスチリル、０−
クロロスチリル、ｐ−メトキシスチリルなど）、置換も
しくは未置換の４−フェニル、３−ブタジェニル基（４
−フェニル１．３−ブタジェニル、４−　（ｐ−メチル
フェニル）−１，３−ブタジェニルなど）又は置換もし
くは未置換の複素環基（キノリル、ピリジル、カルバゾ
リル、フリルなど）を表わす、Ｚｏはアニオン残基であ
る。

又、式中の７ニオン残基ｚ０は、塩化物イオン、臭化物
イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼン
スルホン酸塩イオン、Ｐ−）ルエンスルホン酸塩イオン
、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル
硫酸塩イオン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラ
フェニルホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオ
ン、ベンゼンスルフィン１ｖＪｉ！イオン、酢酸塩イオ
ン、トリフルオロ酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオ
ン、安息香酸塩イオン、シュウ酸塩イオン、コハク酸塩
イオン、マロン＃塩イオン、オレイン酸塩イオン、ス、
テアリン酸塩イオン、クエンｍｋｌＪイオン、−木素二
リンｉ％ｉ　Ｉｉ！イオン、二水素−リン酸塩イオン、
ペンタクロロスズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオ
ン、フルオロスルホン酸塩イオン、トリフルオロメタン
スルホン酸塩イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸塩イ
オン、モリブデン酸塩イオン、タングステン酸塩イオン
、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イオンなどの陰イオ
ンを表わす。

このような色素は一般に８００ｎｍ付近に吸光係数の大
きい吸収ピークを有し、また有機溶剤に対する溶解性も
良く、耐光性かあり、光学情報記録媒体として、優れた
ものである。

次に、本発明で使用される色素の具体例を挙げる。

前記一般式（１）で−わされる化合物の例ＣＨ！　　　
　　　　　　ＣＨ。

（３）。

ＣＨ３Ｇ）！３ 前記一般式（２）で表わされる化合物のしＨ３ ＣＨｓ ＣＨ３ ＣＨ３ＣＨ３ 前記一般式（４）で表わされる化合物の例（３１）　　
　　　　　　　　　　　　　　ＣＨ３２１ｅ ２ＣＩ！Ｏａ８ ８Ｆａ　ｅ １ｅ Ｃ）１３　　　　Ｃｌ０ａ　” １；Ｈ３ Ｃ２Ｈ５ ■ 前記一般式（３）で表わされる化合物の例Ｈ３ しＨ３ ＣＨ３ＢＦａ。

一般式（１）および（２）で表わされる化合物は、アン
ゲバンテ・ケミ（Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ　ｃｈｅｍｉｅ
）　７８巻。

Ｎｏ、２０．　ｐ、９３７（１９８８年）に記載されて
いる様にアズレン化合物とスクワリック酸又はクロコン
酸と適当な溶媒中で反応させることによって容易に得る
ことが出来る。

一般式（３）で表わされる化合物において、ｎ＝ｏの化
合物はジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエティ
−（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｈｅ＋５ｉｃａ
ｌＳｏｃｉｅｔｙ）、　Ｐ、５０１　（１９６０年）に
記載されているｌ−フォルミルーアズレン化合物とアズ
レン化合物とを強酸存在下で適当な溶媒中で加熱するこ
とによるか、またはジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・
ソサイエティ−（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｈ
ｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）、　Ｐ、１７２４〜Ｐ、
１７コ０　（１９６１年）記載の様に１−エトキシメチ
レンアズレニウム塩化合物とアズレン化合物とを適当な
溶媒中で混合することによるか、あるいは、ジャーナル
・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエテイー（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）
、　Ｐ、３５９　（１９６１年）記載の様に２−ヒドロ
キシメチレンシクロヘキサノンとアズレン化合物とを強
酸存在下で適当な溶媒中で加熱することによって得られ
る。一般式（３）において、ｎ＝１及びｎ＝２の化合物
は、ジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエテ４−
　（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅｃｈｅ＋５ｉｃａｌ
　５ｏｃｉｅｔｙ）、　Ｐ、３５９１〜Ｐ、３５９２　
（１９６１年）に記載されている様にアズレン化合物と
マロンジアルデヒド類又はグルタコンジアルデヒド類と
を強酸存在下で適当な溶媒中で混合することによって得
られる。

一般式（４）で表わされる化合物は、ジャーナル・オブ
・ザ・ケミカル・ソサイエティー（Ｊｏｕｒｎａ　１ｏ
ｆ　ｔｈｅ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）、　
Ｐ、３Ｓ８８　（１９６１年）に記載されている様に強
酸存在下アズレン化合物とグリオキザールとを適当な溶
媒中で加熱することによって容易に得られる。

一般式（５）で表わされる化合物は、ジャーナル・オブ
・ザ・ケミカル・ソサイエティ−（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ
　ｔｈｅ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）、　Ｐ
、５０１　（１９５０年）に記載されている様に強酸存
在下で１．３−シフオルミルアズレン化合物とアズレン
化合物とを適当な溶媒中で加熱することにより得られる
。

一般式（６）で表わされる化合物は、ジャーナル・オブ
・ザ・ケミカル・ソサイエティ−（Ｊｏｕｒｎａ　１ｏ
ｆ　　ｔｈｅ　　ｃｈｅｍｉｃａｌ　　５ｏｃｉｅｔｙ
）、　　Ｐ、１６３〜Ｐ、１６７（１９６１年）に記載
されている様に１−７オルミルアズレン化合物と活性メ
チル基を有する複素環４級アンモニウム塩化合物とを適
当な溶媒中で加熱することにより得られる。

一般式（７）、　（８）、　（９）および（ｌＯ）で表
わされる化合物は、ジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・
ソサイエテイ−（Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　ｔｈｅ　
　ｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）、　Ｐ、１１１０
〜Ｐ、１ｌ１７　（１９５８年）、ジャーナル・オブ・
ザ・ケミカル・ソサイエテイー（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ
　ｔｈｅ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）、　Ｐ
、４９４〜Ｐ、５０１（１９６０年）及びジャーナル・
オブ・ザ・ケミカル・ソサイエテイ−（Ｊｏｕｒｎａｌ
　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）、
　Ｐ、３５７９〜Ｐ、３５９コ（１９６１年）に記載さ
れている様にアズレン化合物と対応するアルデヒド化合
物とを強酸の存在下適当な溶媒中で混合することによっ
て得られる。

一般式（１１）で表わされる化合物は、ｌ−フォルミル
ーアズレン化合物と一般式（１２）て表わされる化合物
とを溶媒中で反応させることにより得られる。

式中Ｘ２．　Ｙ　、　Ｒ，３，ＲＩ４．　Ｚｏ及び１２
　ハ前記”ｔ’　定ｊ！したものと同一の定義を有する
。

この様なアズレニウム系染料は結晶化しやすく、反射率
が経時変化し記録できなくなる場合がある。この様な結
晶化防止のために金属キレート化合物を含有させること
が効果的であり、耐久性のある光記録媒体を得ることが
できる。使用されるキレート化合物は中心金属がＺｎ、
　Ｃｕ、　Ｎｉ、　Ｇｏ。

Ｍｎ、　Ｐｄ、　Ｚｒ等の遷移金属類が好ましい。

使用出来るキレート化合物の具体例を以下に挙げる。

ｌ）下記式で示されるチオサリチルアルドキシム系 １１％は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アリ
ール基でもう一方のＲ１，３と結合しても良い、Ｒ８６
はアルキル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ基又は
ベンゾ縮合系基な表わし、中心金属ＭはＣｕ、　Ｎｉ、
　Ｇｏ又はＰｄを表わす。

具体例、Ｎｏ、　　　　Ｉｔｓ　　　、Ｒ＋ａ　　　　
ＭＭ−１−１０１Ｉ　　　　　ＨＣｕ Ｍ−１−２０ｔｌ　　　　　ＨＮ１ Ｍ−１−：ｌ　　　　Ｈ４−Ｃａ１ｌｓ　　　　Ｎ１Ｍ
−１−４Ｃｄ１ｓ　　　　５−Ｃｊｉ’　　　　ＮｆＭ
−１−５ｉ−Ｃ：＋ＩＮ、ＨＣ。

Ｍ−１−６ｎ−Ｃａ１ｌ：＋　　　４−Ｃ１１３Ｎ！Ｍ
−１−７１−Ｃｓ１ｌ＋：＋　　　４−ＣＩＩ３　　　
　Ｐｄ１ｉｅ−１−８Ｃ６１１Ｓ　　　　ＨＮｉ繭−Ｉ
Ｊ　　　　Ｈ５，６−（：６Ｈ４Ｎ１Ｍ−１−１０−Ｃ
１ｌ□−４−ＮＯｘ　　　　Ｎ　＋２）下記式で示され
るサリチルアルドキシム系ＲＩ７は水素原子、水酸基、
アルキル基、アリール基でもう一方のＲＩ７　と結合し
ても良い、Ｒ１８は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、ニトロ基又はベンゾ縮合系基を表わし１ＭはＣｕ、
旧、　Ｃｏ又はＰｄを表わす。

具体例、Ｎｏ、　　　　Ｒ１７Ｒ１８ＭＭ−２−Ｉ　　
　　ＨＨＣｕ Ｍ−２−２ＣＨ３Ｈ旧 Ｌ２−３　　　０Ｈ５−０２Ｒ５Ｃｕ Ｍ−２−４Ｃ２Ｈ５５−Ｃ２Ｈ５旧 Ｍ−２−５Ｃ３Ｈ７４−ＣＲＮ１ Ｍ−２−８（ＣＨ２）ＳＣＨ３４−ＣＨ３旧Ｍ−２−７
（Ｃ）Ｉｚ）＋＋ＣＨ３５，１３−Ｃ６Ｈａ　　　Ｎｉ
ト２−８　　１−Ｃ３Ｈ７５，８−Ｃ６Ｈｉ　　　Ｃ。

Ｍ−２−９０Ｈ４−０３Ｒ７Ｃ。

Ｍ−２−１００ＨＨＰｄ Ｍ−２−１１−ＣＨ２−４−ＮＯ２１ Ｍ−２−１２−ＣＨ２−４−ＮＯ２Ｃｕ３）チオアセト
チオフェノン系 Ｒ１９はアルキル基、アリール基、Ｒ２０は水素原子、
ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ニトロ基又は
ベンゾ縮合系基を表わし、ＭはＣｕ、旧又はＰｄを表わ
す。

具体例、　Ｎｏ、　　　　Ｒ１９Ｒ２０ＭＭ−３−Ｉ　
ＣＨ３Ｈ旧 Ｍ−３−２ＣｚＨｓ　　　　　　４−ＣＨ３旧Ｍ−３−
３、ＣｂＨｓ　　４−Ｃ２Ｒ５旧Ｍ−３−４４’−（Ｃ
Ｈ３）ｚＮ−Ｃ６Ｈｎ−Ｈ旧Ｍ−３−５４’−Ｃ１’−
Ｃ６）＋４−　　　４−ＣＨ３１Ｍ−３−８、０１３４
−ＧＨ３Ｐｄ Ｍ−３−７ＣｚＨｓ　　　　　　４−ＣＲＰｄＭ−３−
８ＣＨ３４−ＮＯ２Ｎ１ Ｍ−３−９ＣｂＨｓ　　　　　　Ｃ６Ｈ５Ｎｉ４）アセ
トチオフェノン系 Ｒ２１はアルキル基、アリール基、Ｒ２２は水素原子、
ハロゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系基を表わし
、ＭはＣｕ、Ｎｉ、又はＰｄを表わす。

具体例、Ｎｏ、　　　　Ｒ７ｌＲ２２ＭＭ−４−Ｉ　　
　　Ｃ８３ＨＣｕ Ｎ−４−２、Ｃ２Ｈ５４−Ｃ１ｈ　　　　ＣｕＭ−４−
３０Ｈ３Ｈ旧 Ｍ−４−４Ｃ３Ｈ７４−ＣＨｓ　　　　ＮｆＬ４−５　
（ＣＨ２）５ＣＨ３ＣｂＨ５旧Ｍ−４−８（ＣＨ２ｈＣ
ｌｈ　　　　Ｃ６Ｈ５Ｎ１Ｍ−４−７ＣｚＨｓ　　　　
５，８−ＣｂＨｓ　　　Ｎ１Ｍ−４−８Ｃ）１３ＨＰｄ Ｍ−４−９（Ｃｔ（２）ｓｃＨ３４−Ｃ１２Ｐｄ５）オ
キシキサンチオン系 Ｒ２３は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表わ
し１ＭはＣｕ又はＸｉを表わす。

具体例、　Ｎｏ、　　　　Ｒ２３Ｍ Ｍ−５−Ｉ　　　　ＨＣｕ Ｍ−５−２ＨＮｉ Ｎ−５−３４−ＣＨ３Ｎｉ ６）ピロメコン酸系 Ｒ２４は水素原子、又はアルキル基を表わし、ＭはＣｕ
、　Ｎｉ　、　Ｇｏ又はＭｎを表わす。

具体例、　Ｎｏ、　　　　Ｒ２４Ｍ Ｍ−６−Ｉ　　　　　　　ＨＭｎ Ｘ−６−２ＨＸ１ Ｎ−８−３２−０２）１５　　　　　　　　Ｎ　＋７）
ビス・ジチオニッケル系 Ｒ２５１Ｒ２６は、置換ないし非置換のアルキル基、ア
シル基又はアリール基またはＲ２５，Ｒ２６で芳香族環
を形成しても良い０ＭはＣｕ、旧、　Ｇｏ又はＰｄを表
わす、この場合、Ｍは負電荷を持ち、カウンタ・カチオ
ンを持っても良い。

Ｎｏ、　　　　Ｒ２５Ｒ２６Ｍ Ｍ−７−Ｉ　　　　Ｃ６Ｈ５Ｃ６Ｈ５ＣｕＭ−７−２Ｃ
ａＨｓ　　　　　　Ｃ６Ｈ５Ｎ１Ｍ−７−３ｐ−ＣＣ２
Ｈｓ）２Ｎ４：６Ｈａ　　　ＣｂＨｓ　　　　Ｘ１Ｍ−
７−４ｐ−（ＣＨ３）２Ｎ−Ｃ６Ｈ４Ｃ６Ｈ５旧Ｍ−７
−５Ｇ！（３Ｇｏ　　　　　　ＣＴｏ　ＣＯＮ　１Ｍ−
７−８−ＣＨ婁ＣＨ−ＣＨ−ＣＨ−Ｎ　１Ｍ−７−１１
−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ−ＣＨ−Ｃ。

８）メルカプトベンゾアゾール系 Ｒ２Ｆはイオウ原子、置換ないし非置換の７ミノ基、酸
素原子又はチオケトン基、Ｒ２Ｂは水素原子、アルキル
基、ハロゲン原子又はアミン基を表わし１ＭはＺｎ、Ｃ
ｕ又はＮｉを表わす。

Ｎｏ、　　　　　　　Ｒ２７Ｒ２８Ｍ Ｍ−８−１０ＨＺｎ Ｍ−８−２０５−ＣＨ３Ｚｎ Ｍ−８−３Ｓ　　　　　　　　　　ＨＮ１Ｍ−８−４３
５−ＣＲＮ１ Ｍ−８−５Ｓ　　　　　　　　　５−ＣＨ３Ｎ１Ｍ−８
−６３４−ＣＨ３旧 Ｍ−８−７５５−（ＣＨ５）２Ｎ　　　旧Ｍ−８−８Ｎ
ＨＨ旧 Ｍ−８−９ＮＨ５−ＣＨ３旧 Ｍ−８−１０ＮＣＨ３ＨＮｉ ＭＪ−１１ＮＨ８−Ｃ２Ｈ５旧 Ｍ−８−１２−Ｃ−Ｓ　　　　　Ｈ旧 ９）ヒドロキサム酸系 Ｒ２９はアルキル基、アリール基又はスチリル基を表わ
し１ＭはＣｕ、旧、又はＧｏを表わす。

Ｎｏ、　　　　　　Ｒ２９Ｍ Ｍ−９−Ｉ　　　　　　Ｃ３Ｈ７Ｃｕ Ｍ−９−２ＣｂＨ５Ｎ１ Ｍ−９−３０６）１５ＣＩ−ＣＩ−Ｎ１Ｍ−９−４（：
Ｒ−ＣｂＨａＣＨ−ＣＨ−旧ｌＯ）ビスシクロペンタジ
ェン系 Ｒ３０は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アシル
基又はアリール基を表わし、Ｍは旧又はＺｒを表わす。

Ｎｏ、　　　　Ｒ３０Ｍ　　　　Ｘ Ｍ−１０−Ｉ　　　　　Ｈ旧　　　　−Ｍ−１０−２Ｈ
Ｚｒ　　　　（Ｉ！ Ｍ−１０−３ＣＨ３ＣＯ旧　　　　− Ｍ−１０−４Ｃ１２旧　　　　− Ｍ−１０−５Ｃ３Ｈ７Ｎｉ　　　　− １１）ニトロソヒドロキシルアミン系 Ｒ３１はアルキル基又はアリール基、ＭはＣｕ、旧又は
Ｇｏを表わす。

Ｎｏ、　　　　Ｒ３１Ｍ Ｍ−１１−Ｉ　　　Ｃ３Ｈ７Ｃｕ Ｍ−１１−２０３Ｈ７旧 Ｍ−１１−３ｐ−（ＣＨ３）２Ｎ−Ｃ６Ｈ５−ＣｕＭ−
１１−４ｐ−（ＣＨ３）２Ｎ−Ｃ６Ｈ４−旧１２）ジオ
キシム系 Ｒ３２，Ｒ３３はアルキル基又はアリール基、ＭはＮｉ
を表わす。

Ｎｏ、　　　　　　　Ｒ３２Ｒ３３Ｍ に−ｔ２−Ｉ　　　　　　ＣＨ３ＣＨ３Ｎｉに−１２−
２Ｃ２Ｈ５Ｃ２Ｈ５Ｎ１ Ｍ−１２−３Ｃ６Ｈ５Ｃ６Ｈ５Ｘ１ １３）グリオキシム系 ０、　０ ・、Ｈ／ ’Ｒ３４，Ｒ３Ｓはアルキル基、アミノ基、アリ−・ル
基又はフラン基、又はＲｓａ　とＲ３Ｓで脂環式化合物
を形成しても良い０Ｍは旧を表わす。

Ｎｏ、　　　Ｒ３４Ｒ３５ Ｍ−１３−Ｉ　　　ＮＨ２ＮＨ２ に−１３−２ＣｂＨ５Ｃ６Ｈ５ Ｍ−１３−４−ＣＨ２ＣＨ２−−ＣＨ２ＣＨ２−（Ｒ３
４とＲ３５は結合して環を形成）Ｍ−１３−５ＣＨ３０
８３ Ｍ−１３−８Ｇ２８５　　　　　　Ｃ２）１５１４）下
記式で示される化合物 Ｒ３６，Ｒ３７は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル
基でＸはｍ素原子又は硫黄原子、Ｍは旧を表わす。

Ｎｏ、　　　　　Ｒ３６Ｒ３７Ｘ Ｍ−１４−Ｉ　　　　ＨＨ０ Ｍ−１４−２５−Ｃ）１３ｍ−ＣＨ３０Ｍ−１４−３４
−ＣＨ３ｌｌｌ−ＣＨ３０Ｍ−１４−４５−ＣＩ　　　
　ｐ−ＣＩ！０Ｍ−１４−５ＨＨ５ Ｍ−１４−６５−ＣＨ３ｍ−ＣＨ３５ Ｎ−１４−７４−Ｃ１ｈ　　　　　　　ｍ−Ｃ２Ｈ５Ｓ
Ｍ−１４−８５−ＣＩ　　　　Ｐ−Ｃ２Ｒ５５１５）下
記式で示される化合物 Ｒ３８，Ｒ３９は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子
又はニトロ基、Ｘは酸素原子又は硫黄原子、ＭはＮｉ、
　Ｙ”は４級アンモニウムカチオンを表わす。

Ｎｏ、　　　　Ｒ３８Ｒ３９Ｘ Ｍ−１５−１３−ＣＨｚ　　　　　Ｈ０Ｍ−１５−２３
−ＣＲ４−Ｃｌ３０ Ｍ−１５−３４−ＮＯ２４−ＣＨ３０ Ｍ−１５−４Ｈ４−ＣＨ３５ Ｍ−１５−５３−８０２４−（ｄ　Ｈｓ　　　　５Ｒ４
ｏはアミ７基、ＭはＣｕ、旧、Ｃｏ又はＰｄを表わす。

Ｎｏ　、　　　　　Ｒａ　ｏ　　　　　　　ＭＭ−ＩＥ
ｉ−１（Ｃａ８日）２Ｎ　　　　旧Ｍ−１６−２（Ｃｓ
Ｈ＋　１）２Ｎ　　　　旧１７）アントラニル酸系 Ｒ４１は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基。

アシル基、ニトロ基又はアルコキシル基、ＭはＺｎ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ又はＧＯを表わす。

Ｎｏ、　　　　Ｒ４１Ｍ Ｍ−１７−Ｉ　　　　ＨＣｕ Ｍ−１７−２４−ＣＲＮ　１ Ｍ−１７−３４−ＮＯ２Ｘ１ Ｍ−１７−４５−ＣＨ３Ｎｉ このような金属キレート化合物と色素を組み合わせるこ
とにより、保存安定性を改良することが出来るとともに
、高いＣ／Ｎ値を得ることが出来る。このような金属キ
レート化合物は記録層を形成する記録材料全量に対し１
〜６０重量％程度、好ましくは５〜４０重量％、さらに
好ましくは１０〜３０重量％含有されることが望ましい
。

また、上記アズレン系色素以外にシアニン系色素、フタ
ロシアニン系色素、ビリリウム系色素、ポリメチン系色
素、ナフトキノン系色素等を使用しても良い。

また、色素、金属キレート化合物以外に他種の色素およ
びバインダーを混合しても良い、好適なバ、インダーと
しては、広範な樹脂から選択することができる。具体的
にはニトロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロ
ース、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸
セルロース、ミリスチン酸セルロース、パルミチン酸セ
ルロース、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・酪醜
セルロースなどのセルロースエステル類、メチルセルロ
ース、エチルセルロース、プロピルセルロース、ブチル
セルロースなどのセルロースエーテル類、ポリスチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−
ブタジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコ
ポリマー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコ
ポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共
重合樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリレート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸
、ポリメタクリル酸、ポリアクリル′アミド１．ポリア
クリロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテ
レフタレートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−
イソプロピリデン、ジフェニレン−ニー１．４−シクロ
ヘキシレンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレン
ジオキシ−３，３′−フェニレンチオカーボネート）、
ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボ
ネートーコーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソ
プロピリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，
４’−５ｅｃ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）
、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカー
ボネート−ブロック−オキシエチレン）などのボリアリ
レート樹脂類、或はポリアミド類、ポリイミド類、エポ
キシ樹脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類
などを用いることができる。

塗工の際に使用できる有機溶剤は１分散状態とするか、
あるいは非晶質状態とするかによって異なってくるが、
一般には、メタノール、エタノール、イソプロパツール
などのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミ
ド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロロホルム、
塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリク
ロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類、ある
いはベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン、アニソールなどの芳香族類など
を用いることかできる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレートコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。

基板としては、ガラス、ポリアミド、ポリエステル、ポ
リオレフィン、ポリカーボネート、エポキシ、ポリイミ
ド、ポリメチルメタクリレート等が使用される。

［作用］ 本発明の光記録媒体は、基板上にアクリル変性ケイ素縮
合物からなる下引層を設け、該下引層の上に有機系光記
録材料を含有する記録層を積層してなるので、　ＣＮ値
を向上させることかできる。

前記下引層な設けることによりＣＮ値が゛向上する原因
は定かではないが、以下の４点が考えられる。即ち、記
録層が記録時に半導体レーザー光を吸収し、加熱分解あ
るいは加熱溶融してピットが形成されるが、ビット形成
は基板側の材質の硬度が低い（軟い）もの程容易であり
、硬くなればＣＮ値が取れないという傾向がある。した
がって、（１）本発明における下引層はケイ素縮合物で
あるが、アクリル樹脂により変性されているため熱可塑
性を有し、ＣＮ値が大きくなる。

（２ｉ）下引層による濡れ性が変り、濡れ角度が大きく
なったためにビットが出来やすくなり、　ＣＮ値が大き
くなる。

（３）基板表面の荒れが、下引層によりなくなり、ノイ
ズレベルが低下したためにＣＮ値が向上する。

（４）プリグループの端面が鋭角的に変化しているのが
、下引層を設けることによりこの変化がなだらかになり
、良好なピットを形成することが出来る。

［実施例］ 、　以下１本発明の実施例をあげ詳細に説明する。

実施例１〜３ 紫外線硬化樹脂て深さ８００人のプリグループを設けた
、直径１３０　ａｍ、内径１５１１Ｉのアクリルディス
ク基板」二に、アクリル樹脂成分２５ｗｔ％のポリメタ
クリル酸ブチルで変性したアクリル変性シソケート化合
物を用いて、膜厚４０００人のアクリル変性ケイ素縮合
物の下引き層を形成した。その後、下記第１表に示す膜
厚８００〜１０００人の記録層を所定溶媒を用いて形成
した。

このようにして得られた記録媒体の基板側から、８３０
ｎｓ＋の半導体レーザー光を用いて、記録周波数３ＭＩ
Ｉｚ、回転数１８００ｒｐｍ　、読み出しパワー０．５
　ｍＷて、記録パワーを順次変化させ、書き込み、読み
出しを行い、その読み出し波形をスペクトル解析により
ＣＮ値（単位ｄＢ）を測定した。その結果を第２表に示
す。

実施例４〜６ 下引層のアクリル樹脂成分をメタクリル醜ブチルとメタ
クリル酸メチル共重合体１０ｗｔ％に変化させ、膜厚を
６００人にした以外は、前記実施例１と同様にしてＣＮ
値を測定した。その結果を第２表に示す。

比較例１〜４ 下引層の形成していない前記実施例１と同様の基板を用
いた以外は、前記実施例１と同様にしてＣＮ値を測定し
た。その結果を第２表に示す。

第　　１　　表 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、下引層としては
アクリル変性ケイ素縮合物を用いることにより、スレッ
シュホールドの良いアズレニウム系色素の特徴を生かし
て、さらに高いＣＮ値か得られる光記録媒体を提供する
ことができる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にアクリル変性ケイ素縮合物からなる下引
   層を設け、該下引層の上に有機系光記録材料を含有する
   記録層を積層してなることを特徴とする光記録媒体。
2. （２）有機系光記録材料が下記一般式［ I ］、［II］
   又は［III］で表わされる化合物である特許請求の範囲
   第１項記載の光記録媒体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］、［II］および［III］において
   、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、
   およびＲ＿７は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有
   機残基を表わし、又はＲ＿１とＲ＿２、Ｒ＿２とＲ＿３
   、Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４とＲ＿５、Ｒ＿５とＲ＿６お
   よびＲ＿６とＲ＿７の組合せのうち少なくとも１つの組
   合せで置換又は未置換の縮合環を形成してもよい。Ａは
   ２価の有機残基を表わし、Ｚ＾■はアニオン残基を表わ
   す。）
3. （３）有機系光記録材料が下記一般式［ I ］、［II］
   又は［III］で表わされる化合物と金属キレート化合物
   とからなる特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］、［II］および［III］において
   、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５Ｒ＿６、お
   よびＲ＿７は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機
   残基を表わし、又はＲ＿１とＲ＿２、Ｒ＿２とＲ＿３、
   Ｒ＿３とＲ＿４、Ｒ＿４とＲ＿５、Ｒ＿５とＲ＿６およ
   びＲ＿６とＲ＿７の組合せのうち少なくとも１つの組合
   せで置換又は未置換の縮合環を形成してもよい。Ａは２
   価の有機残基を表わし、Ｚ＾■はアニオン残基を表わす
   。）
4. （４）金属キレート化合物がＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、
   Ｍｎ、Ｐｄ又はＺｒの金属キレートである特許請求の範
   囲第３項記載の光記録媒体。