JPS63219568A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPS63219568A JPS63219568A JP5455087A JP5455087A JPS63219568A JP S63219568 A JPS63219568 A JP S63219568A JP 5455087 A JP5455087 A JP 5455087A JP 5455087 A JP5455087 A JP 5455087A JP S63219568 A JPS63219568 A JP S63219568A
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- conductive film
- transparent conductive
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- jig
- sputtering
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、基板上に透明導電膜をスパッタリングによっ
て安定に形成する方法に関するものである。
て安定に形成する方法に関するものである。
従来の技術
例えば薄膜ＫＬ表示素子はストライプ状の透明電極群が
形成されたガラス板上に第１の絶縁膜を介してＫＬ （
ｉｕｅｃｔｒｏ ｈｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃａ）発光層
を形成し、さらにその上に第２の絶縁膜を形成し、その
上に上記透明電極群と直交するようにストライプ状の背
面電極群を設けた構成になっている。
形成されたガラス板上に第１の絶縁膜を介してＫＬ （
ｉｕｅｃｔｒｏ ｈｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃａ）発光層
を形成し、さらにその上に第２の絶縁膜を形成し、その
上に上記透明電極群と直交するようにストライプ状の背
面電極群を設けた構成になっている。
上記透明電極群は透明導電膜を形成し、写真蝕刻法を用
いて形成される。透明導電膜は、直流スパッタリング法
で形成される。第３図に示すようにペルジャー１２内に
対向させて設置されたカソード電極１６及びアノード電
極１３を有するスパッタリング装置が用いられる。透明
導電膜が被着される基板１４はアノード電極１３上に、
被着面をカソード電極１６に向けて搭載され、両電極１
３．１６間に所定の直流電圧を印加し、カソード電極１
６上に搭載された透明導電膜を形成するためのターゲッ
ト１６をスパッタすることによシ、基板１４上に透明導
電膜が形成される。
いて形成される。透明導電膜は、直流スパッタリング法
で形成される。第３図に示すようにペルジャー１２内に
対向させて設置されたカソード電極１６及びアノード電
極１３を有するスパッタリング装置が用いられる。透明
導電膜が被着される基板１４はアノード電極１３上に、
被着面をカソード電極１６に向けて搭載され、両電極１
３．１６間に所定の直流電圧を印加し、カソード電極１
６上に搭載された透明導電膜を形成するためのターゲッ
ト１６をスパッタすることによシ、基板１４上に透明導
電膜が形成される。
基板１４を第２図を用いてさらに詳しく説明すると、基
板７は治具８により保持され、基板７上の透明導電膜９
の形成範囲１ｏは、治具８の切欠範囲１１に制御される
。そして、治具８は透明導電膜９と接触する構造になっ
ている。
板７は治具８により保持され、基板７上の透明導電膜９
の形成範囲１ｏは、治具８の切欠範囲１１に制御される
。そして、治具８は透明導電膜９と接触する構造になっ
ている。
発明が解決しようとする問題点
第２図のような治具８を用いてスパッタリングを行ない
、基板Ｔ上に透明導電膜９を形成すると、スパッタリン
グ中に透明導電膜９の一部に樹枝状の膜破壊が発生する
。
、基板Ｔ上に透明導電膜９を形成すると、スパッタリン
グ中に透明導電膜９の一部に樹枝状の膜破壊が発生する
。
このように、透明導電膜の一部に樹枝状の膜破壊が発生
する原因としては、次のようなことが考えられる。すな
わち、スパッタリングにより基板上に透明導電膜を形成
中にチャージアップされた基板上の透明導電膜と通常ア
ース電位の基板を保持する治具との間でアーク放電が発
生する。これによって、アーク放電が発生した箇所に樹
枝状の膜破壊が発生し、薄膜ＩＣＬ表示素子の透明電極
としての機能を果さなくなる。
する原因としては、次のようなことが考えられる。すな
わち、スパッタリングにより基板上に透明導電膜を形成
中にチャージアップされた基板上の透明導電膜と通常ア
ース電位の基板を保持する治具との間でアーク放電が発
生する。これによって、アーク放電が発生した箇所に樹
枝状の膜破壊が発生し、薄膜ＩＣＬ表示素子の透明電極
としての機能を果さなくなる。
本発明は、上記従来のスパッタリングによる透明導電膜
の形成中に発生する基板上の透明導電膜の樹枝状膜破壊
現象を解決することを目的とするものである。
の形成中に発生する基板上の透明導電膜の樹枝状膜破壊
現象を解決することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
基板上に透明導電膜をスパッタリングによって形成する
方法において、基板を保持する治具が基板上に形成中の
透明導電膜と電気的に短絡しないような構造にする。
方法において、基板を保持する治具が基板上に形成中の
透明導電膜と電気的に短絡しないような構造にする。
作用
上記特徴を有する基板を保持する治具を用いて、基板上
に透明導電膜をスパッタリングによって形成する方法に
おいて、基板上に形成中の透明導電膜と基板を保持する
治具間のアーク放電の発生は防止できることとなり、基
板上の透明導電膜の樹枝状破壊は防止できる。
に透明導電膜をスパッタリングによって形成する方法に
おいて、基板上に形成中の透明導電膜と基板を保持する
治具間のアーク放電の発生は防止できることとなり、基
板上の透明導電膜の樹枝状破壊は防止できる。
実施例
第１図は本発明にかかる透明導電膜の形成法の一実施例
である。スパッタリングによって、基板１上に透明導電
膜４は形成され、透明導電膜４の形成範囲６は治具２の
切欠範囲６に制御される。
である。スパッタリングによって、基板１上に透明導電
膜４は形成され、透明導電膜４の形成範囲６は治具２の
切欠範囲６に制御される。
基板１は治具２上の突起物３によって支持される。
支持箇所は透明導電膜４の形成範囲６外とし、突起物３
は透明導電膜４と接触してはならない。また、治具２全
体も透明導電膜４と接触しないようにする。治具２．突
起物３の材質は、導電性物質あるいは絶縁性物質のどち
らでも問題はない。
は透明導電膜４と接触してはならない。また、治具２全
体も透明導電膜４と接触しないようにする。治具２．突
起物３の材質は、導電性物質あるいは絶縁性物質のどち
らでも問題はない。
上記のような基板を保持する治具で透明導電膜の形成を
行なえば、スパッタリング中に基板上の透明導電膜がチ
ャージアップされても基板を保持する治具との間でアー
ク放電は発生せず、これによって、基板上の透明電極膜
の樹枝状破壊現象の発生は防止できる。
行なえば、スパッタリング中に基板上の透明導電膜がチ
ャージアップされても基板を保持する治具との間でアー
ク放電は発生せず、これによって、基板上の透明電極膜
の樹枝状破壊現象の発生は防止できる。
ところで、第２図において治具８の材質を絶縁性物質と
し、治具８と形成中の透明導電膜９間のアーク放電の発
生を防止するということも考えられるがこの場合、膜形
成中治具８にも透明導電膜が付着し、結果としてアーク
放電が発生し、透明導電膜９の樹枝状破壊現象の発生は
防止できなかった。
し、治具８と形成中の透明導電膜９間のアーク放電の発
生を防止するということも考えられるがこの場合、膜形
成中治具８にも透明導電膜が付着し、結果としてアーク
放電が発生し、透明導電膜９の樹枝状破壊現象の発生は
防止できなかった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、基板上に透明導電膜をス
パッタリングによって形成する方法において、基板を保
持する治具が基板上に形成中の透明導電膜と電気的に短
絡しないような構造にすれば、透明導電膜の樹枝状破壊
現象はなくなり、薄膜ＩＣＬ表示素子の透明電極として
の機能を果す。
パッタリングによって形成する方法において、基板を保
持する治具が基板上に形成中の透明導電膜と電気的に短
絡しないような構造にすれば、透明導電膜の樹枝状破壊
現象はなくなり、薄膜ＩＣＬ表示素子の透明電極として
の機能を果す。
第１図（ｉＬ）は本発明にかかる透明導電膜形成方法の
一実施例の平面図、第１図（ｂ）はその人−ム断面図、
第２図（叫は従来の透明導電膜形成方法の平面図、第２
図（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図、第３図はスパッタリング
装置の概略図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・治具、４・・・・
・・透明導電膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
基 抜 ２−治具 （ｂ） ７−基 扶 第２図 ８−治具 ＬＱ） （ｂ）
一実施例の平面図、第１図（ｂ）はその人−ム断面図、
第２図（叫は従来の透明導電膜形成方法の平面図、第２
図（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図、第３図はスパッタリング
装置の概略図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・治具、４・・・・
・・透明導電膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
基 抜 ２−治具 （ｂ） ７−基 扶 第２図 ８−治具 ＬＱ） （ｂ）
Claims (1)
- 基板上に透明導電膜をスパッタリングによって形成する
方法において、基板を保持する治具が基板上に形成中の
透明導電膜と電気的に短絡しない構造を有する透明導電
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5455087A JPS63219568A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5455087A JPS63219568A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63219568A true JPS63219568A (ja) | 1988-09-13 |
Family
ID=12973792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5455087A Pending JPS63219568A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63219568A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322064U (ja) * | 1989-07-11 | 1991-03-06 | ||
| US6555233B2 (en) | 1999-11-24 | 2003-04-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Mask for sputtering |
| WO2021046003A1 (en) | 2019-09-02 | 2021-03-11 | The Procter & Gamble Company | Absorbent article |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP5455087A patent/JPS63219568A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322064U (ja) * | 1989-07-11 | 1991-03-06 | ||
| US6555233B2 (en) | 1999-11-24 | 2003-04-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Mask for sputtering |
| WO2021046003A1 (en) | 2019-09-02 | 2021-03-11 | The Procter & Gamble Company | Absorbent article |
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