JPS63213399A - 基板改造方法及びその構造 - Google Patents

基板改造方法及びその構造

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JPS63213399A
JPS63213399A JP4604587A JP4604587A JPS63213399A JP S63213399 A JPS63213399 A JP S63213399A JP 4604587 A JP4604587 A JP 4604587A JP 4604587 A JP4604587 A JP 4604587A JP S63213399 A JPS63213399 A JP S63213399A
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清隆 瀬山
村瀬 曄生
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 基板改造方法及びその構造であって、基板の内層に改造
用パターンを設けることにより基板の表面層の改造用パ
ッドを廃止し、且つ改造作業を基板の表面から行うよう
に構成し、ディスクリートワイヤの使用を廃し、基板の
実装密度の向上と、改造作業の作業性の向上、基板の性
能の向上及び改造の自動化への対応を可能とする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は改造を予定した基板及びその改造方法に関する
もので、さらに詳しく言えば、高密度な多端子素子の基
板実装と改造作業の自動化を可能とする改造用構造及び
改造方法に関するものである。
プリント基板の実装密度が高密度化されるとともに、素
子の高集積化も一層進み、従って素子に設けられる入出
力端子のビン数も顕著に増加する傾向にある。
多端子素子としては、ペアチップやパッケージ等各種の
形式のものを使用し得るが、例えばLSIパッケージで
は、PGACPIN  GRIDARRAY)タイプ、
即ちパッケージの底面に多数の入出力端子をマトリクス
状に配置してなるタイプとすることにより、プリント基
板の高密度実装によって小さく限られたパンケージサイ
ズの中で多数の入出力端子を設けることができる。
ところで、一般にプリント基板、特に内部に信号配線を
有する多層プリント基板のパターン配線を形成した後に
、当該パターン配線の誤りが発見された場合や、当該プ
リント基板の製造不良によりショート等の障害がある場
合には、回路変更ないし基板の修復のために改造を行う
か、または当該プリント基板を廃棄しなければならず、
いずれをとるかは経済性に従うが、上記のようにプリン
ト基板の高密度実装化と素子の高集積化が進むに連れて
改造の必要性と経済性が増大している。
そこで、改造作業の作業性や適応範囲の拡大のために、
一般に基板の改造は、当該基板の製造の際に予め設けて
おいた改造用構造を使用して行うようになっている。
この改造用構造は総ての素子についていずれの端子を含
む回路部分の改造にも対応可能であることが望ましいの
で、基板の実装密度が高くなり且つ入出力端子のピン数
が増加するに連れて、改造用構造も増大且つ複雑化する
ことになり、その結果改造用構造及び改造方法のいかん
によっては、基板の製造コストや実装密度及び改造性に
大きな影響が生じることとなる。
また、基板ないしシステムの製造等の完全自動化のため
には、基板の改造作業も自動化の要求に対応可能である
ことを要する。
以上を要するに、基板への素子の高密度実装化と性能及
び改造性の向上、更には自動化を可能とする基板改造方
法及び改造用構造が要望されている。
〔従来の技術〕
従米盗遺 基板改造を予定した従来の多端子素子実装構造としては
、例えば第12図(A)及び第12図(B)に示すよう
に、素子及び基板の改造性を考慮して、基板内配線パタ
ーン5は基板10表面層2に設けた多数の改造用パッド
71を経由して素子端子バッド3に接続させるようにな
っている。
第12図(A)及び第12図(B)において、基板1に
搭載される素子6はパッケージの底面に多数の素子端子
7を配置してなるPGAタイプであり、基板1の表面層
2には素子端子7の上記配置に対応する配置で多数の素
子端子バッド3が設けてある。
基板1の表面N2において、素子6の投影エリア外であ
って各素子端字パッド3に近接した位置には、それぞれ
素子端子バッド3に1対1対応する多数の改造用バ・ノ
ド71及び基板内部接続■rAバッド73が設けてある
各素子端子バッド3とこれに対応する改造用パッド71
とは、基板1の内層4に配線した改造用パッド引き出し
パターン70により接続してある。
また、各改造用パッド71とこれに対応する基板内部接
続VIAバッド73とは、基板1の表面層2に配線した
改造時カントパターン72により接続してある。
74は、基板内部接続VIAパッド73と基板内配線パ
ターン5とを接続する基板内部接[VIAである。
従]し贋友 第12図(C)及び第12図(D)は、上記第12図(
A)及び第12図(B)の従来構造を初期状態として、
従来方法により改造を行った場合の改造後の基板を例示
する。
第12図(A)及び第12図(B)において、改造があ
る場合には、当該改造部分における基板内部接[VIA
バッド73と改造用バ・ノド71との間の改造時カット
パターン72をカットして、当該改造用バッド71を含
む任意の位置で改造用ワイヤ75により新たな配線を行
う。
従来法±少去嘉 従来方式によると、多端子素子の周囲に端子数に等しい
数の改造用パッド71を予め設けてお(から、素子のビ
ン数が多くなればなるほど、改造用パッド71も増えて
素子の周囲に何重にも設けなければならず、従って、素
子実装密度が低下し、基板の大型化による基板コストの
上昇を招くという欠点がある。
また、従来方式によると、各素子端子パッド3と改造用
パッド71とを基板内部配線として改造用パッド引き出
しパターン70により結んでいるから、改造用パッド引
き出しパターン70は多端子素子の端子数に等しい数だ
け必要であり、且つ改造用パッド引き出しパターン70
は素子6の投影エリア及びその周囲の近接エリアに集中
的に配線されている。
従って、素子のビン数が多くなればなるほど、改造用パ
ッド引き出しパターン70を配線すべき基板内の層数が
多層となる。
従って、基板1の全体の層数が増加し、この点において
も基板コストが上昇するという欠点がある。
また、多端子素子のビン数が多くなると、改造用パッド
71を設けておくべき基板1の表面層2のエリアが、素
子6の周囲の外方に拡大するから、改造用パッド引き出
しパターン70の長さが長くなり、且つ素子間の配線パ
ターン長も長くなる。
その結果配線ディレーが増加して、基板の性能の低下を
招くという欠点がある。
更に、従来方式によると、改造の際に改造用ワイヤ75
を使用するから、基板の冷却方式として冷却機構を素子
の上方スペースに設ける場合には、改造用ワイヤ75が
揺れたり冷却効率が低下することを防止するために、改
造用ワイヤ75の固定処理を行うことが必要であり、改
造作業の作業性が劣るという欠点がある。
また、基板1の表面層に対して改造用ワイヤ75を布線
しなければならないから、この布線作業の自動化が困難
であり、従って、改造作業のコスト高及び効率低下を来
すという欠点がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この従来方式では素子の各端子毎に改造用パッドを予設
しておく構造をとるから、素子の高密度実装が妨げられ
、基板コストの上昇と性能の低下を招くという問題点が
ある。
また従来の改造方法では改造用ワイヤの布線作業を行う
から、改造作業の作業性が劣り、自動化に対応できない
という問題点がある。
本発明は、このような点に鑑みて創作されたもので、改
造用パッド及び改造用ワイヤを使用しないで改造を行う
ことにより素子の高密度実装及び高性能で基板コストの
低下及び改造作業の自動化が可能な基板改造方法及びそ
の構造を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
゛告J法の構成 第1図から第3図までは本発明の原理を示す斜視図であ
る。
第1図から第3図までにおいて、本発明の基板改造方法
は次の3手順からなっている。
第1の手順は、基板1の表面層2に設けてある改造対象
の素子端子パッド3と、これに接続してある基板内配線
パターン5との間をカットする手順である。
第2の手順は、当該素子端子バッド3を、基板1の内層
4に予設してある改造用パターン2゜に接続する手順で
ある。
第3の手順は、改造により配線する必要があル改造用パ
ターン20同士を接続し、またはこの改造用パターン2
0の不要部分51をカットする手順である。
なお、−の改造対象部分において、上記第1、第2、第
3の各手順を行う時間的順序は任意である。
ヰ 浩 構壱の構 本発明の基板改造用構造は、改造用パターンが一層であ
る場合と多層である場合がある。
第1図から第3図まで、特に第1図(A)及び第2図(
A)において、改造用パターンが1層である場合の本発
明の基板改造用構造は次の各要件(a)、(b)、(c
)を具備した素子端子パッド3、基板内配線パターン5
及び改造用パターン20からなっている。
(a)  素子端子パッド3は、それぞれ素子6の素子
端子7を接続するために基板1の表面層2に設けてある
(b)  上記基板内配線パターン5は、各素子端子パ
ッド3に対して、改造用パッドを介することなく接続し
てある。
(C)  上記改造用パターン20は、基板1の内層4
の一層に予設してある。
更に゛、この基板改造用構造は、次の各要件(d)、(
e)、(f)をそれぞれ具備した改造時カット用位置1
0、改造用パターン接続用位置30及び改造用パターン
カット位置50を、基板1の表面層2に有している。
(d)  上記改造時カット用位置IOは、改造時に上
記基板内配線パターン5と素子端子パッド3との接続を
カントするための位置である。
(e)  上記改造用パターン接続用位置30は、改造
時に素子端子パッド3から改造用パターン20に至る接
続用VIA31を形成するための位置である。
(f)  上記改造用パターンカット位置50は、改造
時に改造用パターン20の不要部分51をカントするた
めの位置である。
次ぎに、第1図から第3図まで、特に第1図(A)及び
第3図(A)において、改造用パターンが多層である場
合の本発明の基板改造用構造は、上記各要件(a)、(
b)または次の要件(e′)を具備した素子端子パッド
3、基板内配線パターン5及び改造用パターン2OA、
20B、…・からなっている。
(e′) 上記改造用パターン20A、20B1…・は
、基板lの内層4の多層に予設してある。
更に、この基板改造用構造は、上記要件(d)または次
の各要件(e′)、(f′)、(g’)を具備した改造
時カット用位置10、改造用パターン接続用位置30、
改造用パターンカット位置50及びチャネル乗り替え用
VIA形成位置40を、基板1の表面層2に有している
(e′) 上記改造用パターン接続用位置30は、改造
時に素子端子パッド3から改造用パターン20A、20
B、…・のいずれかに至る接続用VIA31を形成する
ための位置である。
(f′) 上記改造用パターンカット位置50は、改造
時に改造用パターン20A、20B、  …・の不要部
分51をカットするための位置である。
(g)  上記チャネル乗り替え用VIA形成位置40
は、改造時に基板1の表面層2から、多層の改造用パタ
ーン20A、20B、…・のうち互いに接続すべき2層
の改造用パターンの両方に至るチャネル乗り替え用VI
A41を形成するための位置である。
〔作用〕
6 法の 本発明の方法により基板改造を行うには、改造対象の素
子端子パッド3と基板内配線パターン5との接続をカッ
トするとともに、素子端子パッド3を改造用パターン2
0.20A、20B、  …・に接続し、配線の必要あ
る改造用パターン20.20A、20B5 …・の相互
接続またはカットを行う。
このような一連の作業により、改造前に構成されていた
素子端子パッド3と当該基板内配線パターン5とを含む
回路を廃して、素子端子パッド3と当該改造用パターン
20.20A、20B、…・とを含む任意の回路に改造
することができる。
この方法によりば、改造用パターン20.20A、20
B、…・を電気的に整合されるように設計して基板1の
内層4に予め配置しておき、改造時にこれらの改造用パ
ターン20,20A。
20B…・を選択・組み合わせて使用するから、改造用
のディスクリートワイヤとしてツインワイヤや同軸ワイ
ヤ等を使用する必要がない。従って、改造作業の自動化
が容易である。
また、このようにして改造された基板にはディスクリー
トワイヤが布線されていないから、ディスクリートワイ
ヤが冷却作用の妨げとなったり冷却作用によりディスク
リートワイヤが移動・振動する等の恐れがなく、ワイヤ
固定処理を含めて布線作業が全く不要となり、改造作業
の作業性が優れている。
告  陶゛告の 本発明の構造を適用した基板lは、表面層2の素子端子
パッド3と基板内配線パターン5とを、改造用パッドを
介することなく直接に接続してあるから、素子の投影エ
リアの周囲に、素子端子パッド3と基板内配線パターン
5とを接続するパッド等を配置するためのエリアを確保
する必要がなく、従って、基板の高密度実装化が可能で
ある。
また、改造用パッドを設けないから、素子端子パッド3
と改造用パッドを配線するパターン及びそのパターンの
ための配線層も不要である。
従って、基板層数が減少し、素子間の配線も短くなり、
ひいては配線ディレーが減少する結果基板の高性能化と
コスト低減が可能である。
本発明によれば、改造用パターンの暦数を1層として基
板層数の可及的な減少を図ることもでき、または、改造
用パターンの層数を多層として複雑且つ多数箇所の改造
作業への適応性を向上することもできる。
本発明の構造を適用した基板について改造を行うには、
改造対象となる素子端子パッド3に対応する改造時カッ
ト用位置10にてカット作業を行う。
次ぎに、改造用パターン接続用位置30にて、素子端子
パッド3から改造用パターン20.20A、20B、…
・に至る接続用VIA31を形成する。
更に、改造により配線する必要がある改造用パターン2
0A、20B同士に対応するチャネル乗り替え用VIA
形成位置40にて、接続用VIA41を形成して、両改
造用パターン20A、20Bを互いに接続し、且つ配線
の不要な改造用パターン20.2OA、20B、…・間
の改造用パターンカット位W50にて、カット作業を行
う。
以上により素子端子パッド3から基板内配線パターン5
を通る回路部分が廃され、素子端子パッド3から改造用
パターン20.2OA、20B、…・を通る新たな任意
の配線に改造することができる。
この構造による改造作業は、ディスクリートワイヤを使
用する必要がないとともに、基板1の表面層2に有する
各位置10.30,50.40に対する作業を行えばよ
いから、作業性が優れており、且つ完全自動化に対応可
能である。
〔実施例〕
龜の 第4図から第11図までは本発明の実施例であって、そ
のうち第4図から第7図まで並びに第8図(A)、第9
図(A)、第10図(A)、第11図(A)は主として
実施例の構造を示す。
この実施例の構造は、基板1の表面層2に配置したL1
パターンと、改造用パターン層として2層の内層にそれ
ぞれ配置したL2パターン及びL3パターン、並びに他
の基板内配線パターンを有する。
この基板1に実装される素子6は、PGAタイプのもの
である。
上記し1パターンは、素子6のマトリクス状の素子端子
7の配置に対応してマトリクス状に配置した多数の素子
端子パッド3と、各素子端子パッド3から延長している
改造時カット用バッド11と、各素子端子パッド3から
多数延長している改造用パターン接続用パッド32と、
隣合う素子6の間隙に対応する位置に配置した多数のL
1チャネル乗り替え用導通VIA形成用パッド42とを
有する。
このL1パターンにおいて、上記改造時カット用位置1
0は該改造時カット用パッド11に位置している。
また、改造用パターン接続用パッド32には、改造用パ
ターン接続用位置30として貫通穴がドーナツ状に形成
してある。
各L1チャネル乗り替え用導通VIA形成用パッド42
には、チャネル乗り替え用導通VIA形成位置40とし
て貫通穴がドーナツ状に形成してある。
上記し2パターンは、直交座標軸の一方の軸をなす例え
ばX軸の改造用パターン2OAと、L1パターンの上記
改造用パターン接続用パッド32に対応する位置で該改
造用パターン20Aに接続してあり且つ改造用パターン
接続用パッド32の貫通穴よりも大径の導通VIA形成
用パッド33Aと、上記し1チャネル乗り替え用導通V
IA形成用パッド42に対応する位置で該改造用パター
ン2OAに接続してあるL2チャネル乗り替え用導通V
IA形成用パフド43Aと、L1パターンの上記改造時
カット用パッド11に基板内配線パターン導通用VIA
12を介して接続してある基板内配線パターン導通用パ
ッド13とを存する。
このL2パターンにおいて、L2チャネル乗り替え用導
通VIA形成用パッド43Aには、チャネル乗り替え用
導通VIA形成位置44Aとして、上記チャネル乗り替
え用導通VIA形成位置40の貫通穴よりも小径の貫通
穴が形成してある。
上記し3パターンは、直交座標軸の他方の軸をなす例え
ばY軸の改造用パターン20Bと、L1パターンの上記
改造用パターン接続用パッド32に対応する位置で該改
造用パターン20Bに接続してある導通VIA形成用パ
ッド33Bと、上記し1チャネル乗り替え用導通VIA
形成用パッド42及びL2チャネル乗り替え用導通VI
A形成用パッド43Aの双方に対応する位置で該改造用
パターン20Bに接続してあるL3チャネル乗り替え用
導通VIA形成用パッド43Bと、L2パターンの上記
基板内配線パターン導通用パッド13に基板内配線パタ
ーン導通用VIA14を介して接続してある基板内配線
パターン導通用パッド15とを有する。
この基板内配線パターン導通用パッド15には、基板内
配線パターン導通用VIA16を介して、基板内配線パ
ターン4のバッド17が接続してある。
この実施例は以上の構造であるから、改造前には、素子
6の素子端子7は、素子端子パッド3、改造時カット用
パッド11、基板内配線パターン導通用VrA12、基
板内配線パターン導通用パッド13、基板内配線パター
ン導通用VIA14、基板内配線パターン導通用パッド
15並びに基板内配線パターン導通用VIA16を介し
て、基板内配線パターン4のパッド17に導通しており
、且つL1改造用パターン及びL2改造用パターンは素
子端子パッド3に導通していない状態となっている。
1本はb111貧引匹 第8図から第11図までは主として実施例の基板改造方
法を示し、第8図(A)、第9図(A)、第10図(A
)、第11図(A)は改造の初期状態を示す。
改造の際には、まず、改造対象である素子端子パッド3
の改造時カット用位置10において改造時カット用パッ
ド11を、パッドのカットに適する波長のレーザ光にて
カットするとともに、当該素子端子パッド3から延長し
ているいずれかの改造用パターン接続用パッド32に設
けた改造用パターン接続用位置30の貫通穴から基板破
壊用の波長のレーザ光を照射することにより、改造用パ
ターン接続用パッド32からL2パターンまたはL3パ
ターンの導通VIA形成用パフド33Aまたは33Bに
至るVIA用穴34を形成する(第8図(B)及び第9
図(B))。
なお第8図(B)及び第9図(B)において、VIA用
穴34は、L3パターンを対象として設けた場合を例示
してある。
また第9図(B)において改造により構成すべき配線方
向は、矢印60で示す方向である場合を例示してある。
VIA用穴34を形成したことによりT分岐となったし
2改造用パターン20Bのうち、上記配線方向60によ
り決定する不要部分51は、レーザカットによって分離
を行う。
次ぎにこのVIA用穴34に半田ボール35または半田
ペーストを充填する(第8図(C))。
この半田ボール35に対してレーザ光を照射することに
より、再融解した後、接続用VIA31を形成する(第
8図(D)及び第9図(C)’)。
以上のようにして改造対象の素子端子パッド3に、改造
用パターンの例としてL3改造用パターン20Bを接続
することができる。
改造作業により相互に接続すべき2つの素子6が、同一
のL3改造用パターン20Bに対応する位置にある場合
には、これらの素子端子パッド3のそれぞれについて上
記のようにL3改造用パターン20Bへの接続作業を行
えばよい。
素子端子パッド3にL2改造用パターン20Aを接続す
る場合も同様の作業を行う。
改造作業により相互に接続すべき2つの素子6が同一の
L2改造用パターン20Aに対応する位置にある場合に
も、L3改造用パターン20Bについて上記に説明をし
た作業と同様である。
改造作業により相互に接続すべき2つの素子6が、X軸
及びY軸にずれた位置にある場合には、上記のように素
子6にL2改造用パターン20AまたはL3改造用パタ
ーン20Bを接続する作業にに加えて、第10図及び第
11図に基づいて以下に説明をする改造用パターンチャ
ネル乗り替えの作業を行う。
第10図(A)及び第11図(A)は初期状態であり、
矢印60は3様の配線方向を例示する。
まず、改造により接続すべき改造用パターン20Aと改
造用パターン20Bとが交差するチャネル乗り替え位置
に位置しているL1チャネル乗り替え用導通VIA形成
用バフド42の″チャネル乗り替え用導通VIA形成位
置40に、基板破壊用の波長のレーザ光を照射すること
により、このL1チャネル乗り替え用導通VIA形成用
パッド42からL2チャネル乗り替え用導通VIA形成
用パッド43Aのチャネル乗り替え用導通VIA形成位
置44Aを通じてL3チャネル乗り替え用導通VIA形
成用パッド43Bに至るVIA用穴45.46を形成す
るとともに、上記配線方向60により決定する改造用パ
ターン20A、20Bの不要部分51について、レーザ
カットによる分離を行う(第10図(B)、第11図(
B))。
次ぎにこのVIA用穴45.46に半田ボール47また
は半田ペーストを充填する(第10図(C))。
この半田ボール47に対してレーザ光を照射することに
より、再融解した後、チャネル乗り替え用導通VIA4
1を形成する(第1O図(D)及び第11図(C))。
以上によりL2改造用パターン20AからL3改造用パ
ターン20Bへ、またはL3改造用パターン20Bから
し2改造用パターン2OAへの乗り替えのための接続配
線が行われる。
の   ・六 この実施例では、素子端子パッド部の改造作業を行うこ
とにより、または素子端子パッドの改造作業と改造用パ
ターンチャネル乗り替え部の改造作業とを組合せて行う
ことにより、任意の素子端子パッド間の改造を容易に行
うことができる。
しかも、各作業は、レーザ光によるパターンカットと、
レーザ光によるVIA用大の形成と、このVIA用穴へ
の半田ボール等の充填及びレーザ光の照射によるVIA
の形成とを組合せた作業であるから、これら一連の作業
を自動化することも容易である。
これらの改造作業において、レーザ光は、その種類、強
度、波長を変えることにより、基板1のメタルと絶縁層
を選択的に破壊し得る。
そこで、L1パターンにおいて、改造用パターン接続用
パッド32及びL1チャネル乗り替え用導通VIA形成
用バッド42がそれぞれドーナツ状であるから、上記レ
ーザ光の照射によって基板の絶縁層を直接破壊すること
ができ、且つ、このドーナツ状を改造の自動化の際の目
合わせとすることができる。
レーザ光の照射位置に対応する改造用パターン20A、
20Bには導通VIA形成用パッド33A、33B、L
2チャネル乗り替え用導通vrA形成用バッド43A1
並びにL3チャネル乗り替え用導通VIA形成用パッド
43Bが設けてあるから、基板の製造時の各層の位置ず
れないし改造時のレーザ光の照射位置の位置ずれに対す
る補正が可能であり、且つ各改造用パターン20A、2
0Bの下部に位置している絶縁層をレーザ光の照射によ
り破壊しないためのバリヤとすることができる。
更に、L1チャネル乗り替え用導通VIA形成用バッド
42には、これに対応するL2チャネル乗り替え用導通
VIA形成用パッド43Aの貫通穴よりも大径の貫通穴
の明いたドーナツ状となっているから、上記のようにレ
ーザ光の照射による選択破壊を容易化するとともに、改
造作業の自動化の際の目合わせとなし得ることに加えて
、当該改造用パターン接続部における導通VIAの形成
時に、チャネル乗り替え用導通VIA41と各改造用パ
ターン20A、20Bとの接続部を太き(して、接続の
確実化を図ることができる。
改造作業の一部として、改造用パターン20A、20B
に生じたT分岐等によって生じたその不要部分51をカ
ットするから、電気的制約に対応可能であり、且つ各チ
ャネルの利用率を高めることができる。
この実施例の基板は、表面層のパターンとしてLlパタ
ーンと、基板内配線パターンの他に、L2及びL3の改
造用パターン層を設けるから、素子端子パッド3に改造
用ディスクリートワイヤを付けるための改造用パッドを
設けずに、表面層への素子の高密度実装が可能であると
ともに、改造のために2層を要するだけである。従って
、基板層数の減少と素子間の配線の短縮による配線ディ
レーの減少が可能である。その結果基板の高性能化及び
基板コストの低減が可能である。
本発明の改造方法により、ディスクリートワイヤを使用
せずに素子の高密度実装及び高密度改造が可能である。
〔発明の効果〕
以上述べてきたように、本発明によれば、簡易な構成で
、基板の内層に予設した改造パターンを利用してディス
クリートワイヤの布線を要せずに、且つ素子の周囲に改
造用パッドを配置する必要なく改造を行うから、改造作
業の自動化、基板の高性能化並びに、基板の高密度実装
及びコスト低減が可能であって、実用的には極めて有用
である。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)は本発明による素子端子パッド部の改造方
法及びその構造の原理において、改造前の構造を示す斜
視図、 第1図(B)は第1図(A)の原理による改造後の構造
を示す斜視図、 第2図(A)は本発明による一層の改造用パターン同士
の接続方法及びその構造の原理において、改造前の構造
を示す斜視図、 第2図(B)は第2図(A)の原理による改造後の構造
を示す斜視図、 第3図(A)は本発明による多層の改造用パターン同士
の接続方法及びその構造の原理において、改造前の構造
を示す斜視図、 第3図(B)は第3図(A)の原理による改造後の構造
を示す斜視図、 第4図は本発明の実施例によるパターン構造を示す断面
図、 第5図は第4図の構造のうちL1パターンを示す説明図
、 第6図は第4図の構造のうちL2パターンを示す説明図
、 第7図は第4図の構造のうちL3パターンを示す説明図
、 第8図(A)から(D)まではそれぞれ第4図の構造を
使用して素子端子パッド部の改造を行う方法の実施例に
おける各手順を示す断面図、第9図(A)から(C)ま
ではそれぞれ第8図(A)、(B)、(D)の各手順に
おけるパターンを示す斜視図、 第10図(A)から(D)まではそれぞれ第4図の構造
を使用して改造用パターンチャネル乗り替え部の改造を
行う方法の実施例における各手順を示す断面図、 第11図(A)から(C)まではそれぞれ第10図(A
)、(B)、(D)の各手順におけるパターンを示す斜
視図、 第12図(A)は従来構造の断面図、 第12図(B)は第12図(A)の平面図、第12図(
C)は従来方法により第12図(A)の基板を改造した
後の構造を示す断面図、第12図(D)は第12図(C
)の平面図である。 第1図から第3図までにおいて、 1は基キ反、 2は基板の表面層、 3は素子端子パッド、 4は基板の内層、 5は基板内配線パターン、 6は素子、 7は素子端子、 lOは改造時カット用位置、 20.20A、20B、  …・はそれぞれ改造用パタ
ーン、 30は改造用パターン接続用位置、 31は素子端子パッドと改造用パターンとの接続用VI
A、 40はチャネル乗り替え用VIA形成位置、41はチャ
ネル乗り替え用VTA、 50は改造用パターンカット位置、 51は改造用パターンの不要部分である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板(1)の表面層(2)に設けてある素子端子
    パッド(3)と、該素子端子パッド(3)に接続してあ
    る基板内配線パターン(5)との間をカットする手順と
    、 該基板(1)の内層(4)に予設してある改造用パター
    ン(20)に該素子端子パッド(3)を接続する手順と
    、 改造により配線すべき改造用パターン(20)同士を接
    続しまたは改造用パターン(20)の不要部分(51)
    をカットする手順とからなる基板改造方法。
  2. (2)素子(6)の素子端子(7)を接続するために基
    板(1)の表面層(2)に設けてある素子端子パッド(
    3)と、 該素子端子パッド(3)に対して改造時切断されるパタ
    ーンを介して接続してある基板内配線パターン(5)と
    、 該基板(1)の内層(4)に予設してあり、改造時、素
    子端子パッド(3)と接続される改造用パターン(20
    )とからなることを特徴とする基板改造用構造。
  3. (3)素子(6)の素子端子(7)を接続するために基
    板(1)の表面層(2)に設けてある素子端子パッド(
    3)と、 該素子端子パッド(3)に対して改造用パッドを介する
    ことなく接続してある基板内配線パターン(5)と、 該基板(1)の内層(4)に予設してある複数層の改造
    用パターン(20A、20B、…)とからなり、 該基板(1)の表面層(2)には、 改造時に該基板内配線パターン(5)と該素子端子パッ
    ド(3)との接続をカットするための改造時カット用位
    置(10)と、 改造時に該素子端子パッド(3)から該改造用パターン
    (20A、20B、…)のいずれかに至る接続用VIA
    (31)を形成するための改造用パターン接続用位置(
    30)と、 改造時に該基板(1)の表面層(2)から、互いに接続
    すべき任意の2層の改造用パターン(20A、20B)
    の両方に至るチャネル乗り替え用VIA(41)を形成
    するためのチャネル乗り替え用VIA形成位置(40)
    と、 改造時に該改造用パターン(20A、20B、…)の不
    要部分(51)をカットするための改造用パターンカッ
    ト位置(50)とを有することを特徴とする基板改造用
    構造。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04132292A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Nec Corp ポリイミド樹脂多層配線基板
US5541814A (en) * 1993-10-08 1996-07-30 Quick Technologies Ltd. Personalizable multi-chip carrier including removable fuses
US5923539A (en) * 1992-01-16 1999-07-13 Hitachi, Ltd. Multilayer circuit substrate with circuit repairing function, and electronic circuit device

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