JPS63193549A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63193549A JPS63193549A JP2655987A JP2655987A JPS63193549A JP S63193549 A JPS63193549 A JP S63193549A JP 2655987 A JP2655987 A JP 2655987A JP 2655987 A JP2655987 A JP 2655987A JP S63193549 A JPS63193549 A JP S63193549A
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- resin
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ケース内にチップを樹脂封止する半導体装置
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
従来、この種の方法によって製造された半導体装置は第
２図に示すように構成されている。これを同図に基づい
て説明すると、同図において、符号ｌで示すものは両側
に開口する筒体２およびこの筒体の一側を閉塞する放熱
板３からなるケース、４はこのケース１内に収納されか
つ前記放熱板３に半田等のろう材によって取り付けられ
た絶縁基板、５．６および７はこの絶縁基板４上に接合
され先端部がケース外に露呈する外部電極端子、８はこ
れら外部電極端子５〜７のうち中央部の外部電極端子ε
上に接合された半導体チップ、９はこの半導体チップ８
と前記外部電極端子５．７とを接続するアルミワイヤで
ある。なお、１０はこのアルミワイヤおよび前記半導体
チップ８を封止するシリコーン（液体）等のゲル状樹脂
、１１はこのゲル状樹脂ＩＯの上方に供給されるエポキ
シ系のモールド樹脂である。
２図に示すように構成されている。これを同図に基づい
て説明すると、同図において、符号ｌで示すものは両側
に開口する筒体２およびこの筒体の一側を閉塞する放熱
板３からなるケース、４はこのケース１内に収納されか
つ前記放熱板３に半田等のろう材によって取り付けられ
た絶縁基板、５．６および７はこの絶縁基板４上に接合
され先端部がケース外に露呈する外部電極端子、８はこ
れら外部電極端子５〜７のうち中央部の外部電極端子ε
上に接合された半導体チップ、９はこの半導体チップ８
と前記外部電極端子５．７とを接続するアルミワイヤで
ある。なお、１０はこのアルミワイヤおよび前記半導体
チップ８を封止するシリコーン（液体）等のゲル状樹脂
、１１はこのゲル状樹脂ＩＯの上方に供給されるエポキ
シ系のモールド樹脂である。
次に、このように構成された半導体装置の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
先ず、ケース１内の絶縁基板４上に外部電極端子５〜７
を接合する０次に、これら外部電極端子５〜７のうち外
部電極端子６に半導体チップ８を接合した後、この半導
体チップ８と外部電極端子５．７とをアルミワイヤ９に
よって接続する。そして、ディスペンサ（図示せず）に
よってケース１内にゲル状樹脂１０．モールド樹脂１１
を順次供給し、半導体チップ８およびアルミワイヤ９を
樹脂封止する。
を接合する０次に、これら外部電極端子５〜７のうち外
部電極端子６に半導体チップ８を接合した後、この半導
体チップ８と外部電極端子５．７とをアルミワイヤ９に
よって接続する。そして、ディスペンサ（図示せず）に
よってケース１内にゲル状樹脂１０．モールド樹脂１１
を順次供給し、半導体チップ８およびアルミワイヤ９を
樹脂封止する。
このようにして半導体装置を製造することができる。
ところで、従来の半導体装置の製造方法においては、半
導体チップ８およびアルミワイヤ９を樹脂封止するに際
し、ケース１内に溶融軟化したゲル状樹脂１０を常温下
で供給することにより行うため、ゲル状樹脂１０がケー
ス１内に流動してその必要供給量を多くしていた。この
結果、半導体装置の使用によって外部電極端子５〜７等
の部品に悪影響を与え、半導体装置に対する信頼性が低
下するという問題があった。
導体チップ８およびアルミワイヤ９を樹脂封止するに際
し、ケース１内に溶融軟化したゲル状樹脂１０を常温下
で供給することにより行うため、ゲル状樹脂１０がケー
ス１内に流動してその必要供給量を多くしていた。この
結果、半導体装置の使用によって外部電極端子５〜７等
の部品に悪影響を与え、半導体装置に対する信頼性が低
下するという問題があった。
すなわち、半導体装置の使用、不使用によってゲル状樹
脂１０の熱膨張、収縮が交互に繰り返されると、これら
熱膨張力および熱収縮力がモールド樹脂１１を介して外
部電極端子５〜７等の部品に作用するからである。
脂１０の熱膨張、収縮が交互に繰り返されると、これら
熱膨張力および熱収縮力がモールド樹脂１１を介して外
部電極端子５〜７等の部品に作用するからである。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
チップおよびワイヤを樹脂封止するに場合にゲル状樹脂
の必要供給量を少なくすることができ、もって信頼性の
高い半導体装置を得ることができる半導体装置の製造方
法を提供するものである。
チップおよびワイヤを樹脂封止するに場合にゲル状樹脂
の必要供給量を少なくすることができ、もって信頼性の
高い半導体装置を得ることができる半導体装置の製造方
法を提供するものである。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップお
よびワイヤを樹脂封止するに際してゲル状樹脂を高温に
加熱するものである。
よびワイヤを樹脂封止するに際してゲル状樹脂を高温に
加熱するものである。
本発明においては、ゲル状樹脂の硬化を速やかに進行さ
せることができる。
せることができる。
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法によって製
造された半導体装置を示す断面図で、同図において第２
図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。同図において、符号２１で示すゲル状樹
脂は、前記ケース１内に供給されており、前記半導体チ
ップ８および前記アルミワイヤ９を封止するように構成
されている。このゲル状樹脂２１の供給量は前記ゲル状
樹脂１０の供給量より少ない量である。
造された半導体装置を示す断面図で、同図において第２
図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。同図において、符号２１で示すゲル状樹
脂は、前記ケース１内に供給されており、前記半導体チ
ップ８および前記アルミワイヤ９を封止するように構成
されている。このゲル状樹脂２１の供給量は前記ゲル状
樹脂１０の供給量より少ない量である。
次に、このように構成された半導体装置の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
先ず、ケース１内の絶縁基板４上に外部電極端子５〜７
を接合する０次に、これら外部電極端子５〜７のうち外
部電極端子６に半導体チップ８を接合した後、この半導
体チップ８と外部電極端子５．７とをアルミワイヤ９に
よって接続する。そして、ディスペンサ（図示せず）に
よってケース１内にゲル状樹脂２１．モールド樹脂１１
を順次供給し、半導体チップ８およびアルミワイヤ９を
樹脂封止する。この場合、すなわち半導体チップ８およ
びワイヤ９を樹脂封止するに際して、ゲル状樹脂２１を
高温（約１５０℃）に加熱する。
を接合する０次に、これら外部電極端子５〜７のうち外
部電極端子６に半導体チップ８を接合した後、この半導
体チップ８と外部電極端子５．７とをアルミワイヤ９に
よって接続する。そして、ディスペンサ（図示せず）に
よってケース１内にゲル状樹脂２１．モールド樹脂１１
を順次供給し、半導体チップ８およびアルミワイヤ９を
樹脂封止する。この場合、すなわち半導体チップ８およ
びワイヤ９を樹脂封止するに際して、ゲル状樹脂２１を
高温（約１５０℃）に加熱する。
このようにして、本発明の半導体装置を製造することが
できる。
できる。
したがって、本発明の半導体装置の製造方法によれば、
樹脂封止時に高温加熱によってゲル状樹脂２１の硬化を
速やかに進行させることができるから、それだけその必
要供給量を少なくすることができる。
樹脂封止時に高温加熱によってゲル状樹脂２１の硬化を
速やかに進行させることができるから、それだけその必
要供給量を少なくすることができる。
以上説明したように本発明によれば、ワイヤおよびチッ
プを樹脂封止するに際してゲル状樹脂を高温に加熱する
ことにより、ゲル状樹脂の硬化を速やかに進行させるこ
とができる。したがって、ゲル状樹脂の必要供給量を少
なくすることができるから、半導体装置の使用、不使用
によってに外部電極端子等の部品に作用するゲル状樹脂
の熱膨張力、熱収縮力を小さくすることができ、信頼性
の高い半導体装置を確実に得ることができる。
プを樹脂封止するに際してゲル状樹脂を高温に加熱する
ことにより、ゲル状樹脂の硬化を速やかに進行させるこ
とができる。したがって、ゲル状樹脂の必要供給量を少
なくすることができるから、半導体装置の使用、不使用
によってに外部電極端子等の部品に作用するゲル状樹脂
の熱膨張力、熱収縮力を小さくすることができ、信頼性
の高い半導体装置を確実に得ることができる。
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法によって製
造された半導体装置を示す断面図、第２図は従来の製造
方法によって製造された半導体装置を示す断面図である
。 １・・・・ケース、４・・・・絶縁基板、５〜７・・・
・外部電極端子、８・・・・半導体チップ、９・・・・
アルミワイヤ、１１・・・・モールド樹脂、２１・・・
・ゲル状樹脂。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図
造された半導体装置を示す断面図、第２図は従来の製造
方法によって製造された半導体装置を示す断面図である
。 １・・・・ケース、４・・・・絶縁基板、５〜７・・・
・外部電極端子、８・・・・半導体チップ、９・・・・
アルミワイヤ、１１・・・・モールド樹脂、２１・・・
・ゲル状樹脂。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図
Claims (1)
- ケース内の絶縁基板上に接合された外部電極端子と半導
体チップとをワイヤによって接続し、このワイヤおよび
前記半導体チップをゲル状樹脂によって封止した後、こ
のゲル状樹脂の上方にモールド樹脂を供給する半導体装
置の製造方法において、前記半導体チップおよび前記ワ
イヤを樹脂封止するに際し、前記ゲル状樹脂を高温に加
熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2655987A JPS63193549A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2655987A JPS63193549A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193549A true JPS63193549A (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=12196889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2655987A Pending JPS63193549A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63193549A (ja) |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP2655987A patent/JPS63193549A/ja active Pending
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