JPS63193549A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63193549A JPS63193549A JP2655987A JP2655987A JPS63193549A JP S63193549 A JPS63193549 A JP S63193549A JP 2655987 A JP2655987 A JP 2655987A JP 2655987 A JP2655987 A JP 2655987A JP S63193549 A JPS63193549 A JP S63193549A
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- resin
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ケース内にチップを樹脂封止する半導体装置
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
従来、この種の方法によって製造された半導体装置は第
2図に示すように構成されている。これを同図に基づい
て説明すると、同図において、符号lで示すものは両側
に開口する筒体2およびこの筒体の一側を閉塞する放熱
板3からなるケース、4はこのケース1内に収納されか
つ前記放熱板3に半田等のろう材によって取り付けられ
た絶縁基板、5.6および7はこの絶縁基板4上に接合
され先端部がケース外に露呈する外部電極端子、8はこ
れら外部電極端子5〜7のうち中央部の外部電極端子ε
上に接合された半導体チップ、9はこの半導体チップ8
と前記外部電極端子5.7とを接続するアルミワイヤで
ある。なお、10はこのアルミワイヤおよび前記半導体
チップ8を封止するシリコーン(液体)等のゲル状樹脂
、11はこのゲル状樹脂IOの上方に供給されるエポキ
シ系のモールド樹脂である。
2図に示すように構成されている。これを同図に基づい
て説明すると、同図において、符号lで示すものは両側
に開口する筒体2およびこの筒体の一側を閉塞する放熱
板3からなるケース、4はこのケース1内に収納されか
つ前記放熱板3に半田等のろう材によって取り付けられ
た絶縁基板、5.6および7はこの絶縁基板4上に接合
され先端部がケース外に露呈する外部電極端子、8はこ
れら外部電極端子5〜7のうち中央部の外部電極端子ε
上に接合された半導体チップ、9はこの半導体チップ8
と前記外部電極端子5.7とを接続するアルミワイヤで
ある。なお、10はこのアルミワイヤおよび前記半導体
チップ8を封止するシリコーン(液体)等のゲル状樹脂
、11はこのゲル状樹脂IOの上方に供給されるエポキ
シ系のモールド樹脂である。
次に、このように構成された半導体装置の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
先ず、ケース1内の絶縁基板4上に外部電極端子5〜7
を接合する0次に、これら外部電極端子5〜7のうち外
部電極端子6に半導体チップ8を接合した後、この半導
体チップ8と外部電極端子5.7とをアルミワイヤ9に
よって接続する。そして、ディスペンサ(図示せず)に
よってケース1内にゲル状樹脂10.モールド樹脂11
を順次供給し、半導体チップ8およびアルミワイヤ9を
樹脂封止する。
を接合する0次に、これら外部電極端子5〜7のうち外
部電極端子6に半導体チップ8を接合した後、この半導
体チップ8と外部電極端子5.7とをアルミワイヤ9に
よって接続する。そして、ディスペンサ(図示せず)に
よってケース1内にゲル状樹脂10.モールド樹脂11
を順次供給し、半導体チップ8およびアルミワイヤ9を
樹脂封止する。
このようにして半導体装置を製造することができる。
ところで、従来の半導体装置の製造方法においては、半
導体チップ8およびアルミワイヤ9を樹脂封止するに際
し、ケース1内に溶融軟化したゲル状樹脂10を常温下
で供給することにより行うため、ゲル状樹脂10がケー
ス1内に流動してその必要供給量を多くしていた。この
結果、半導体装置の使用によって外部電極端子5〜7等
の部品に悪影響を与え、半導体装置に対する信頼性が低
下するという問題があった。
導体チップ8およびアルミワイヤ9を樹脂封止するに際
し、ケース1内に溶融軟化したゲル状樹脂10を常温下
で供給することにより行うため、ゲル状樹脂10がケー
ス1内に流動してその必要供給量を多くしていた。この
結果、半導体装置の使用によって外部電極端子5〜7等
の部品に悪影響を与え、半導体装置に対する信頼性が低
下するという問題があった。
すなわち、半導体装置の使用、不使用によってゲル状樹
脂10の熱膨張、収縮が交互に繰り返されると、これら
熱膨張力および熱収縮力がモールド樹脂11を介して外
部電極端子5〜7等の部品に作用するからである。
脂10の熱膨張、収縮が交互に繰り返されると、これら
熱膨張力および熱収縮力がモールド樹脂11を介して外
部電極端子5〜7等の部品に作用するからである。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
チップおよびワイヤを樹脂封止するに場合にゲル状樹脂
の必要供給量を少なくすることができ、もって信頼性の
高い半導体装置を得ることができる半導体装置の製造方
法を提供するものである。
チップおよびワイヤを樹脂封止するに場合にゲル状樹脂
の必要供給量を少なくすることができ、もって信頼性の
高い半導体装置を得ることができる半導体装置の製造方
法を提供するものである。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップお
よびワイヤを樹脂封止するに際してゲル状樹脂を高温に
加熱するものである。
よびワイヤを樹脂封止するに際してゲル状樹脂を高温に
加熱するものである。
本発明においては、ゲル状樹脂の硬化を速やかに進行さ
せることができる。
せることができる。
第1図は本発明に係る半導体装置の製造方法によって製
造された半導体装置を示す断面図で、同図において第2
図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。同図において、符号21で示すゲル状樹
脂は、前記ケース1内に供給されており、前記半導体チ
ップ8および前記アルミワイヤ9を封止するように構成
されている。このゲル状樹脂21の供給量は前記ゲル状
樹脂10の供給量より少ない量である。
造された半導体装置を示す断面図で、同図において第2
図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。同図において、符号21で示すゲル状樹
脂は、前記ケース1内に供給されており、前記半導体チ
ップ8および前記アルミワイヤ9を封止するように構成
されている。このゲル状樹脂21の供給量は前記ゲル状
樹脂10の供給量より少ない量である。
次に、このように構成された半導体装置の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
先ず、ケース1内の絶縁基板4上に外部電極端子5〜7
を接合する0次に、これら外部電極端子5〜7のうち外
部電極端子6に半導体チップ8を接合した後、この半導
体チップ8と外部電極端子5.7とをアルミワイヤ9に
よって接続する。そして、ディスペンサ(図示せず)に
よってケース1内にゲル状樹脂21.モールド樹脂11
を順次供給し、半導体チップ8およびアルミワイヤ9を
樹脂封止する。この場合、すなわち半導体チップ8およ
びワイヤ9を樹脂封止するに際して、ゲル状樹脂21を
高温(約150℃)に加熱する。
を接合する0次に、これら外部電極端子5〜7のうち外
部電極端子6に半導体チップ8を接合した後、この半導
体チップ8と外部電極端子5.7とをアルミワイヤ9に
よって接続する。そして、ディスペンサ(図示せず)に
よってケース1内にゲル状樹脂21.モールド樹脂11
を順次供給し、半導体チップ8およびアルミワイヤ9を
樹脂封止する。この場合、すなわち半導体チップ8およ
びワイヤ9を樹脂封止するに際して、ゲル状樹脂21を
高温(約150℃)に加熱する。
このようにして、本発明の半導体装置を製造することが
できる。
できる。
したがって、本発明の半導体装置の製造方法によれば、
樹脂封止時に高温加熱によってゲル状樹脂21の硬化を
速やかに進行させることができるから、それだけその必
要供給量を少なくすることができる。
樹脂封止時に高温加熱によってゲル状樹脂21の硬化を
速やかに進行させることができるから、それだけその必
要供給量を少なくすることができる。
以上説明したように本発明によれば、ワイヤおよびチッ
プを樹脂封止するに際してゲル状樹脂を高温に加熱する
ことにより、ゲル状樹脂の硬化を速やかに進行させるこ
とができる。したがって、ゲル状樹脂の必要供給量を少
なくすることができるから、半導体装置の使用、不使用
によってに外部電極端子等の部品に作用するゲル状樹脂
の熱膨張力、熱収縮力を小さくすることができ、信頼性
の高い半導体装置を確実に得ることができる。
プを樹脂封止するに際してゲル状樹脂を高温に加熱する
ことにより、ゲル状樹脂の硬化を速やかに進行させるこ
とができる。したがって、ゲル状樹脂の必要供給量を少
なくすることができるから、半導体装置の使用、不使用
によってに外部電極端子等の部品に作用するゲル状樹脂
の熱膨張力、熱収縮力を小さくすることができ、信頼性
の高い半導体装置を確実に得ることができる。
第1図は本発明に係る半導体装置の製造方法によって製
造された半導体装置を示す断面図、第2図は従来の製造
方法によって製造された半導体装置を示す断面図である
。 1・・・・ケース、4・・・・絶縁基板、5〜7・・・
・外部電極端子、8・・・・半導体チップ、9・・・・
アルミワイヤ、11・・・・モールド樹脂、21・・・
・ゲル状樹脂。 代 理 人 大 岩 増 雄第1図 第2図
造された半導体装置を示す断面図、第2図は従来の製造
方法によって製造された半導体装置を示す断面図である
。 1・・・・ケース、4・・・・絶縁基板、5〜7・・・
・外部電極端子、8・・・・半導体チップ、9・・・・
アルミワイヤ、11・・・・モールド樹脂、21・・・
・ゲル状樹脂。 代 理 人 大 岩 増 雄第1図 第2図
Claims (1)
- ケース内の絶縁基板上に接合された外部電極端子と半導
体チップとをワイヤによって接続し、このワイヤおよび
前記半導体チップをゲル状樹脂によって封止した後、こ
のゲル状樹脂の上方にモールド樹脂を供給する半導体装
置の製造方法において、前記半導体チップおよび前記ワ
イヤを樹脂封止するに際し、前記ゲル状樹脂を高温に加
熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2655987A JPS63193549A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2655987A JPS63193549A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63193549A true JPS63193549A (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=12196889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2655987A Pending JPS63193549A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63193549A (ja) |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP2655987A patent/JPS63193549A/ja active Pending
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