JPS6319265A - 帯電方法 - Google Patents
帯電方法Info
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- JPS6319265A JPS6319265A JP61162079A JP16207986A JPS6319265A JP S6319265 A JPS6319265 A JP S6319265A JP 61162079 A JP61162079 A JP 61162079A JP 16207986 A JP16207986 A JP 16207986A JP S6319265 A JPS6319265 A JP S6319265A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/308—Semiconductor cathodes, e.g. cathodes with PN junction layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/22—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
- G03G15/32—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head
- G03G15/321—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head by charge transfer onto the recording material in accordance with the image
- G03G15/323—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head by charge transfer onto the recording material in accordance with the image by modulating charged particles through holes or a slit
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、帯電方法、特に、固体電子線発生装置を用い
た帯電方法に関するものである。
た帯電方法に関するものである。
(従来の技術)
従来、この袖の固体電子線発生装置は、例えば、特公昭
54−30274号公報、特開昭54−111272号
公報(米国特許第4゜259.678号明細書)、特開
昭56−15529号公報(米国特許第4,303.9
30号明細書)、あるいは、特開昭57−38528号
公報等に開示されている。
54−30274号公報、特開昭54−111272号
公報(米国特許第4゜259.678号明細書)、特開
昭56−15529号公報(米国特許第4,303.9
30号明細書)、あるいは、特開昭57−38528号
公報等に開示されている。
また、この種の帯電方法として、従来、例えば電子写真
法等において広く実用化されている方法は、コロナ帯電
器を利用する帯電方法であり、電子写真プロセスにおい
ては、例えば感光体等の再帯電部材に−様な表面電位を
与えるような帯電方法が一般的であった。
法等において広く実用化されている方法は、コロナ帯電
器を利用する帯電方法であり、電子写真プロセスにおい
ては、例えば感光体等の再帯電部材に−様な表面電位を
与えるような帯電方法が一般的であった。
また、例えば米国特許第4.155.093号明細占に
開示されている帯電方法は、放電を利用した帯′北方法
を用いて、可帯電部材表面に、遊択的に帯電する方法で
あった。
開示されている帯電方法は、放電を利用した帯′北方法
を用いて、可帯電部材表面に、遊択的に帯電する方法で
あった。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記のような従来の帯電方法にあっては
、例えば、前記第1例のコロナ帯電器を利用する方法は
、再帯電部材上に−様な表面電位を与えることはできる
が、任意の帯電パターンを形成することができず、また
、面記第2例の放電を利用する帯電方法は、帯電装置の
特性上から、可帯電部材表面の複数の部位に、同■2f
に異なる表面電位を付与することは不可「)シであった
。
、例えば、前記第1例のコロナ帯電器を利用する方法は
、再帯電部材上に−様な表面電位を与えることはできる
が、任意の帯電パターンを形成することができず、また
、面記第2例の放電を利用する帯電方法は、帯電装置の
特性上から、可帯電部材表面の複数の部位に、同■2f
に異なる表面電位を付与することは不可「)シであった
。
本発明は、以上のような局面にかんがみてなされたもの
で、従来にはなかった全く新しい機能を備えた帯電方法
を提供することにより、超高粒細な任意の帯電パターン
が1:すられると共に、各ドツト毎に帯電量を制御可能
とすることを目的としている。
で、従来にはなかった全く新しい機能を備えた帯電方法
を提供することにより、超高粒細な任意の帯電パターン
が1:すられると共に、各ドツト毎に帯電量を制御可能
とすることを目的としている。
このため、本発明においては、複数個の電子線源を備え
た固体電子線発生手段より流出した電子線を、可帯電部
材表面に照射して帯電する帯°1゛ニ方法において、前
記固体電子線発生手段が、電子レンズを構成する複数組
の電極を設け、これら電極に印加する電圧をそれぞれ独
立に変化させるようにすることにより、前記目的を達成
しようとするものである。
た固体電子線発生手段より流出した電子線を、可帯電部
材表面に照射して帯電する帯°1゛ニ方法において、前
記固体電子線発生手段が、電子レンズを構成する複数組
の電極を設け、これら電極に印加する電圧をそれぞれ独
立に変化させるようにすることにより、前記目的を達成
しようとするものである。
以上のような帯電方法によれば、再帯電部材上の任意の
帯電パターンを形成することができ、また、ドツト単位
で帯電量の制御が可能となる。
帯電パターンを形成することができ、また、ドツト単位
で帯電量の制御が可能となる。
(実施例〕
以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図ないし第4図は、本発明の実施例に使用した帯電
装置を示すもので、本発明の実施例に使用した帯電装置
を示すもので、第1図は、基板の平面図、第2図は表面
板の平面図、第3図および第4図はそれぞれ第1図のX
−X線およびY−Y線断面矢視図である。
装置を示すもので、本発明の実施例に使用した帯電装置
を示すもので、第1図は、基板の平面図、第2図は表面
板の平面図、第3図および第4図はそれぞれ第1図のX
−X線およびY−Y線断面矢視図である。
(構成)
第1〜4図において、SUは、各電子線源EBI、EB
2.EB3.・・・・・・の本体である基板であり、本
実施例においては、n形のシリコン基板を用いてイル。
2.EB3.・・・・・・の本体である基板であり、本
実施例においては、n形のシリコン基板を用いてイル。
%X1.EX2.EX3. ・−−−−−は、X方向の
選択を行う各X電極であり、これら各X電極は、それぞ
れ、高ドープn影領域HDI、HD2.HD3. ・・
・・・・に接続されている。また、EYは電極であり、
各X電極と同様、そわぞれ接点領域を介して、高トープ
p形通路PPに接続されている。各X電極EXI。
選択を行う各X電極であり、これら各X電極は、それぞ
れ、高ドープn影領域HDI、HD2.HD3. ・・
・・・・に接続されている。また、EYは電極であり、
各X電極と同様、そわぞれ接点領域を介して、高トープ
p形通路PPに接続されている。各X電極EXI。
EX2.EX3.・・・・・・とY電極EYとは、X−
Yマトリックスを構成しており、その各交点に各電子線
源EBI、EB2.EB3.・・・・・・が形成されて
いる。
Yマトリックスを構成しており、その各交点に各電子線
源EBI、EB2.EB3.・・・・・・が形成されて
いる。
基板SU上には、絶縁層ILを介して引出し電J!PE
1a、PE1b;PE2a、PE2b;PE3a、PE
3b;・・・・・・が配設されている。また、基板SU
と相対向し、所定の厚さのスペーサを介して、薄板であ
る表面板FPが配設ざね、表面板FP上には、各加速電
極AEが配設されると共に、各電子線源EBI、EB2
.EB3.・・・・・・より流出した電子e−(第3図
)が照射される部位は、電子透過性部材が用いられて、
いわゆる“電子窓”を形成している。電子窓の材料とし
ては、Ni等の金属薄膜や、BN、SiCのフィルムが
適当である。
1a、PE1b;PE2a、PE2b;PE3a、PE
3b;・・・・・・が配設されている。また、基板SU
と相対向し、所定の厚さのスペーサを介して、薄板であ
る表面板FPが配設ざね、表面板FP上には、各加速電
極AEが配設されると共に、各電子線源EBI、EB2
.EB3.・・・・・・より流出した電子e−(第3図
)が照射される部位は、電子透過性部材が用いられて、
いわゆる“電子窓”を形成している。電子窓の材料とし
ては、Ni等の金属薄膜や、BN、SiCのフィルムが
適当である。
基板SUと表面板FPとの間の空間は、電子を所望のエ
ネルギーに加速するために真空とする必要があるが、こ
の圧力は、通常10−S〜10−9Torr程度である
ことが望ましい。このような圧力を維持し得るよう、基
板SUと表面板FPとを気密封止すると共に、通常、電
子管は使用されるバリウムゲッタを封入すると、さらに
真空気密性が向上する。
ネルギーに加速するために真空とする必要があるが、こ
の圧力は、通常10−S〜10−9Torr程度である
ことが望ましい。このような圧力を維持し得るよう、基
板SUと表面板FPとを気密封止すると共に、通常、電
子管は使用されるバリウムゲッタを封入すると、さらに
真空気密性が向上する。
(動作)
つぎに、以上のような構成において、各X電極EX1.
EX2.EX3.−−−・−と、Y電極EYとの間に、
各電子線源EBI、EB2.EB3.−・・・・・のp
−n接合部で、電子なだれ増倍作用(アバランシェ・マ
ルチプリケーション)が生ずるような電圧VCを印加し
、引出し電極PE 1 a。
EX2.EX3.−−−・−と、Y電極EYとの間に、
各電子線源EBI、EB2.EB3.−・・・・・のp
−n接合部で、電子なだれ増倍作用(アバランシェ・マ
ルチプリケーション)が生ずるような電圧VCを印加し
、引出し電極PE 1 a。
PEI b’; PE2a、PE2b ; PE3a。
P E 3 b ;−−−−−−ニ、ある大きさく7)
??E圧V、(ただしVp>Vc)を与えることによ
り、各電子線源。
??E圧V、(ただしVp>Vc)を与えることによ
り、各電子線源。
EBI、EB2.EB3.・・・・・・と各Y電極EY
とはX−Yマトリックスを構成しているため、上記各X
電極と各Y電極とを、それぞt′L適当に選択すること
により、任意の電子線源EB1.EB2゜EB3.・・
・・・・より電子を取出すことができる。
とはX−Yマトリックスを構成しているため、上記各X
電極と各Y電極とを、それぞt′L適当に選択すること
により、任意の電子線源EB1.EB2゜EB3.・・
・・・・より電子を取出すことができる。
例えば、X電極EXとY電極EYとの間に電圧VCを印
加すれば、電子線源EB2より電子が流出する。つぎに
、加速電極AEに所定の電圧を印加しておくことにより
、各電子線源EBより流出した電子は、所望のエネルギ
ーまで加速され、表面板FPの各′ζ電子窓透過する。
加すれば、電子線源EB2より電子が流出する。つぎに
、加速電極AEに所定の電圧を印加しておくことにより
、各電子線源EBより流出した電子は、所望のエネルギ
ーまで加速され、表面板FPの各′ζ電子窓透過する。
例えば、電子窓として、厚さlμlのSiCを用いた場
合、各加速電極AEに25kvの電圧を印加することに
より、90%の電子をこの帯電装置の外に取出すことが
できる。
合、各加速電極AEに25kvの電圧を印加することに
より、90%の電子をこの帯電装置の外に取出すことが
できる。
本実施例においては、引出し電極Pεが、電子レンズを
構成している。すなわち、各引出し電極PE1aとPE
1b;PE2aとPE2b:PE3aとPE3b、・・
・・・・は、それぞれ対を成しており、各組の対の7に
極に電位勾配を持たせることにより、各゛電子線fiE
Bより円形状に流出する電子線を、ある範囲内で歪ませ
たり、偏向させたり、あるいはそれらの双方を行い、所
望通りに、はぼ−点に収束させることができる。
構成している。すなわち、各引出し電極PE1aとPE
1b;PE2aとPE2b:PE3aとPE3b、・・
・・・・は、それぞれ対を成しており、各組の対の7に
極に電位勾配を持たせることにより、各゛電子線fiE
Bより円形状に流出する電子線を、ある範囲内で歪ませ
たり、偏向させたり、あるいはそれらの双方を行い、所
望通りに、はぼ−点に収束させることができる。
第5図は、上述のような各引出し電極PE対のレンズ作
用を、模式的に示した説明図である。引出し電極PE1
aに印加する電圧を■P l +電極PE1bに印加す
る電圧を(■2.+△V)とすると、△v=Ovの場合
は、(八)図に示すように、電子線源FBIより流出す
る電子線は、はぼ平行となる。また、△■の値を適当に
設定することにより、CB)図に示すように、誘電体ド
ラムDR(後述第6図)上の実質的に一点に収束させる
ことができる。すなわち、△■の値を変えることにより
、ドラムDR上に照射される電子線のスポット径が変る
ので、ドラムDR上の表面電荷密度を制御することがで
きる。
用を、模式的に示した説明図である。引出し電極PE1
aに印加する電圧を■P l +電極PE1bに印加す
る電圧を(■2.+△V)とすると、△v=Ovの場合
は、(八)図に示すように、電子線源FBIより流出す
る電子線は、はぼ平行となる。また、△■の値を適当に
設定することにより、CB)図に示すように、誘電体ド
ラムDR(後述第6図)上の実質的に一点に収束させる
ことができる。すなわち、△■の値を変えることにより
、ドラムDR上に照射される電子線のスポット径が変る
ので、ドラムDR上の表面電荷密度を制御することがで
きる。
(応用例)
第6図に、前述の帯電装置MEBを、AIの円筒E D
上に、例え4’zpET(ポリエチレンテレフタート)
等の誘電体層を積層した誘電体ドラムDRに、X方向軸
を円筒釉線に平行にドラムDRに対向して配設して、ド
ラムDR表面を帯電させる場合の、例えば電子写真プロ
セス応用の斜視図を示す。
上に、例え4’zpET(ポリエチレンテレフタート)
等の誘電体層を積層した誘電体ドラムDRに、X方向軸
を円筒釉線に平行にドラムDRに対向して配設して、ド
ラムDR表面を帯電させる場合の、例えば電子写真プロ
セス応用の斜視図を示す。
誘電体ドラムDRを回転させながら、各X電極EXI、
EX2.EX3.−−・−・を、任意に選択することに
より、ドラムD、R上に所望の帯電パターンを形成する
ことができる。また、各電子線源EBごとに、各引出し
電iPEに印加する電圧を設定するための:し制御手段
を設けて、ドツト単位で帯電量を制御することができる
。
EX2.EX3.−−・−・を、任意に選択することに
より、ドラムD、R上に所望の帯電パターンを形成する
ことができる。また、各電子線源EBごとに、各引出し
電iPEに印加する電圧を設定するための:し制御手段
を設けて、ドツト単位で帯電量を制御することができる
。
(他の実施例)
前記実施例においては、電子線源EBとして、p−n接
合の電子なだれ増倍作用を利用する形式の素子を用いた
か、本発明原理においては、電子流出機構自体は本質的
なものではなく、したがって、電子線源として、他の公
知のp−n接合の負仕事関数(ネガティブ・ワーク・フ
ァンクション)を用いたものや電界放出(フィールド・
エミッション)形等の固体電子線源を用いても、同様の
効果が1:ンらねる。
合の電子なだれ増倍作用を利用する形式の素子を用いた
か、本発明原理においては、電子流出機構自体は本質的
なものではなく、したがって、電子線源として、他の公
知のp−n接合の負仕事関数(ネガティブ・ワーク・フ
ァンクション)を用いたものや電界放出(フィールド・
エミッション)形等の固体電子線源を用いても、同様の
効果が1:ンらねる。
また、面記実施例において用いた帯電装置は、各引出し
電極PEにレンズ機能を持たせているが、各加速電極A
Eに電子レンズの機能を持たせても、本発明原理の帯電
方法を実現することができる。
電極PEにレンズ機能を持たせているが、各加速電極A
Eに電子レンズの機能を持たせても、本発明原理の帯電
方法を実現することができる。
(実施例の効果)
以上の各実施例による帯電方法においては、再帯電部材
上に任意の帯電パターンを形成することができ、また、
このように形成された帯電パターンを電子写真プロセス
における静電潜像とし、トナー等の現像剤を融着させる
ことによって調色し、占通紙に転写することによりハー
ドコピーも可能となる。また、特に、ドツト単位で帯電
量の制御が可能なため、理想的な画像階調記録が得られ
る。
上に任意の帯電パターンを形成することができ、また、
このように形成された帯電パターンを電子写真プロセス
における静電潜像とし、トナー等の現像剤を融着させる
ことによって調色し、占通紙に転写することによりハー
ドコピーも可能となる。また、特に、ドツト単位で帯電
量の制御が可能なため、理想的な画像階調記録が得られ
る。
さらにまた、各実施例の固定電子線発生装置は、いわゆ
る半導体プロセスによって製造されるので、各電子線源
を高密度に集積することができるため、電子写真プロセ
スに応用すれば、従来にない超高精密記録が実現できる
。
る半導体プロセスによって製造されるので、各電子線源
を高密度に集積することができるため、電子写真プロセ
スに応用すれば、従来にない超高精密記録が実現できる
。
(発明の効果)
以上、説明してきたように、本発明の帯電方法によれば
、再帯電部材上に、任意の帯電パターンを形成すること
ができ、かつ、ドツト単位で帯電量のルJ御が可能とな
った。
、再帯電部材上に、任意の帯電パターンを形成すること
ができ、かつ、ドツト単位で帯電量のルJ御が可能とな
った。
第1〜4図は、本発明の実施例に使用した帯電装置に係
り、第1図は基板の平面図、第2図は表面板の平面図、
第3図および第4図は、それぞれ第1図のX−X線およ
びY−Y線断面矢視図、第5図(A) 、 CB)は、
本実施例の引出し電極のレンズ作用説明図、第6図は、
本発明の一実施形悪斜視図である。 su :2!板 EBI、CB2.CB3.−=・=:電子線源EXI、
EX2.EX3.−−−・−: x電極EY:Y電極 PEfa、PEl’b;PE2a、PE2b;PE3a
、PE3b :−−−−:引出し電極AE=加速電極 FP:表面板(8板) DR:誘電体ドラム(再帯電部材χ 第 2 図 Aε 埠1国のX−X!!断面処視図 第3図 第4図
り、第1図は基板の平面図、第2図は表面板の平面図、
第3図および第4図は、それぞれ第1図のX−X線およ
びY−Y線断面矢視図、第5図(A) 、 CB)は、
本実施例の引出し電極のレンズ作用説明図、第6図は、
本発明の一実施形悪斜視図である。 su :2!板 EBI、CB2.CB3.−=・=:電子線源EXI、
EX2.EX3.−−−・−: x電極EY:Y電極 PEfa、PEl’b;PE2a、PE2b;PE3a
、PE3b :−−−−:引出し電極AE=加速電極 FP:表面板(8板) DR:誘電体ドラム(再帯電部材χ 第 2 図 Aε 埠1国のX−X!!断面処視図 第3図 第4図
Claims (2)
- (1)複数個の電子線源を備えた固体電子線発生手段よ
り流出する電子線を、可帯電部材表面に照射して該表面
を帯電する帯電方法であって、前記固体電子線発生手段
が、電子レンズを構成する複数組の電極を備え、該複数
組の電極に印加する電圧をそれぞれ独立に変化させるこ
とにより、前記可帯電部材表面に付与される電荷を制御
することを特徴とする帯電方法。 - (2)前記固体電子線発生手段は、複数個の電子線源を
その上に配設した基板と対向して所定間隔で薄板を設け
、かつ、該薄板と前記基板との間の空間が実質的に真空
となるよう封止された固体電子線発生手段であって、前
記薄板の一部を電子透過性部材により構成すると共に、
該薄板上に電極を配設し、前記電子線源と該電極間に所
定値の電圧を印加し、該電子線源より流出した電子を加
速して前記固体電子線発生装置外に取出すようにしたも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
帯電方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61162079A JPS6319265A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 帯電方法 |
US07/183,517 US4858062A (en) | 1986-06-04 | 1988-04-14 | Charging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61162079A JPS6319265A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 帯電方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6319265A true JPS6319265A (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=15747685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61162079A Pending JPS6319265A (ja) | 1986-06-04 | 1986-07-11 | 帯電方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6319265A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007279722A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Xerox Corp | 金属被覆付有孔マトリクス内にナノストラクチャを設けた直接帯電装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5615529A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-14 | Philips Nv | Semiconductor device and method of fabricating same |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61162079A patent/JPS6319265A/ja active Pending
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