JPS63188139A - Method for correcting molybdenum silicide mask - Google Patents
Method for correcting molybdenum silicide maskInfo
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体装置の製造に用いられるマスクに存
在する欠陥の修正方法に関し、特にモリブデンシリサイ
ド（以下、Ｍａｉｌと称する）マスクに存在する欠損欠
陥を修正する方法に関するものである。Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for repairing defects present in a mask used in the manufacture of semiconductor devices, and particularly relates to a method for repairing defects present in a molybdenum silicide (hereinafter referred to as "Mail") mask. It concerns a method of correcting defects.
［従来の技ｖＦＩ］
半導体装置の微細化・高密度化が進むにつれて、半導体
装置の製造に使用されるマスクとして金属クロムをパタ
ーン材とするハードマスクが広く使用されており、たと
えば特開昭５７−１５７２４７号公報、特開昭５７−１
５７２４９号公報に示されている。使用されるマスクと
しては、マスクに存在する欠陥は半導体素子の製造歩留
りに大きく影ｖＪｖるものであり、無欠陥マスクが望ま
しい。[Conventional Technique vFI] As semiconductor devices become smaller and more dense, hard masks using metallic chromium as a pattern material are widely used as masks for manufacturing semiconductor devices. -157247 Publication, JP-A-57-1
This is shown in Japanese Patent No. 57249. As for the mask used, it is desirable to use a defect-free mask, since defects present in the mask greatly affect the manufacturing yield of semiconductor devices.
しかし、通常のマスク製造工程で無欠陥マスクが得られ
る確率は極めて低く、数個の欠陥を含む場合が多い、し
たがって無欠陥マスクを得るには、マスク製造模これら
の欠陥を何らかの方法で修正する必要がある。However, the probability of obtaining a defect-free mask in the normal mask manufacturing process is extremely low, and it often contains several defects. Therefore, in order to obtain a defect-free mask, these defects must be corrected in some way during the mask manufacturing process. There is a need.
上述のようなりＯムーハードマスクにおいては、クロム
の黒点が残る残留欠陥と、クロム膜にピンホールが発生
する欠損欠陥との２４１類の欠陥が存在する。これらの
うち、残留欠陥は欠陥部にレーザ光を照射して残留クロ
ムを蒸発させることにより、簡単に修正され得る。一方
、欠損欠陥の修正は、クロムのリフトオフ法と呼ばれる
以下の工程を備えた方法で可能である。In the Omu hard mask as described above, there are 241 types of defects, including residual defects in which black spots of chromium remain and defective defects in which pinholes occur in the chromium film. Among these, residual defects can be easily repaired by irradiating the defective portion with laser light to evaporate residual chromium. On the other hand, the defect can be corrected by a method called a chromium lift-off method that includes the following steps.
（ａ ） マスク全面上にポジ型フォトレジストを塗
布して、フォトレジスト膜を形成する工程。(a) A step of coating a positive photoresist on the entire surface of the mask to form a photoresist film.
（ｂ） 欠損欠陥を含む箇所にスポット状の光を照射
する工程。(b) A step of irradiating a spot-like light onto a location containing a defect.
（Ｃ） 上記フォトレジスト膜に現像処理を施すこと
により、上記欠損欠陥箇所をフォトレジスト膜から露出
する工程。(C) A step of exposing the defective portion from the photoresist film by subjecting the photoresist film to a development process.
（ｄ ） 上記フォトレジスト脱表面および上記露出
箇所に金属クロムを蒸着法またはスパッタ法により堆積
する工程。(d) A step of depositing metallic chromium on the photoresist removed surface and the exposed areas by vapor deposition or sputtering.
（ｅ） 上記フォトレジスト膜をはく離することによ
り、その表面に堆積した金属クロムをも除去し、上記露
出箇所すなわち欠損欠陥箇所に堆積した金属クロムのみ
を残す工程（クロムのリフトオフ工程）。(e) A step of peeling off the photoresist film to also remove the metal chromium deposited on its surface, leaving only the metal chromium deposited in the exposed areas, that is, the defective areas (chromium lift-off process).
この方法では、結果的に欠損欠陥箇所のみに金属クロム
を堆積することにより欠陥を修正する。In this method, the defect is repaired by depositing metallic chromium only on the defective location.
［発明が解決しようとする問題点〕
しかし、この堆積した金属りＯムと、現像処理後の露出
されたガラス基板表面との密着性が悪いため、欠損欠陥
箇所に堆積した金属クロムがマスク洗浄等の作業工程に
おいて、はく離してしまうという欠点があった。[Problems to be solved by the invention] However, because the adhesion between the deposited metal chromium and the exposed glass substrate surface after the development process is poor, the metal chromium deposited on the defective parts is removed by mask cleaning. It has the disadvantage that it peels off during the process.
そこで、上記問題点を解決する手段として、ＭｎＳ２を
マスク材料に用いる方法が考えられる。Therefore, as a means to solve the above problems, a method using MnS2 as a mask material can be considered.
これは、ガラス基板中の８１と、マスク材料としてのＭ
ｏ１ｌ中の８１とが有効に結合して接着強度の強いもの
が得られることを利用するものである。This consists of 81 in the glass substrate and M as the mask material.
This method takes advantage of the fact that 81 in o1l is effectively bonded to obtain a product with strong adhesive strength.
しかし、Ｍｏ５ｔは高融点であるため、抵抗加熱や電子
ビーム（ＥＢ）によるＩｌｌ法では安定な膜形成は困難
である。一方、スパッタ法によれば安定なＭｏ８ｔ膜が
形成される。そこで上述のような欠損欠陥箇所の修正方
法として示された工程（ｄ）においてスパッタ法によっ
てＭａｉｌを堆積する。ところが、形成されたＭａｉｌ
膜は段着部に対するカバーレッジが良いために、次工程
（ｅ）におけるＭｏ５ｔのリフトオフが困難である。す
なわち従来から用いられているリフトオフ工程、溶媒中
に浸漬させる方法を用いる上では、Ｍｏ５ＩＩＩＨの段
差部に対するカバーレッジが良いために、その下地であ
るフォトレジスト膜の溶解・はく離が困難である。実際
にスパッタ法で商品名ＡＺ−１３５０のポジ型レジスト
を用いてフォトレジスト膜を形成し、その上にＭｏ５ｔ
を堆積させて、その後それをアセトン中に［１させると
、フォトレジスト族とともに剥離されるＭｏ５ｉｌ１５
１の除去に３０分以上の時間を要した。However, since Mo5t has a high melting point, it is difficult to form a stable film using the Ill method using resistance heating or electron beam (EB). On the other hand, a stable Mo8t film is formed by sputtering. Therefore, in step (d) shown as a method for repairing the above-described defective portion, Mail is deposited by sputtering. However, the created Mail
Since the film has good coverage of the stepped portion, it is difficult to lift off the Mo5t in the next step (e). That is, when using the conventionally used lift-off process or immersion method in a solvent, it is difficult to dissolve and peel off the underlying photoresist film because the Mo5IIIH has good coverage of the stepped portion. In fact, a photoresist film was formed using a positive resist with the trade name AZ-1350 using a sputtering method, and Mo5t was deposited on top of it.
After depositing it in acetone [1], Mo5il15 is stripped off along with the photoresist family.
It took more than 30 minutes to remove No. 1.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、堆１ａＭｏｓｉのリフトオフを容易にし、
かつ、堆ｆｌ１Ｍｏｓｉとガラス！ｆｉ＆表面との密着
も良好であるＭｏ５ｔマスクの廐正方法を提供すること
を目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it facilitates the lift-off of the pile 1aMosi.
And glass with fl1Mosi! It is an object of the present invention to provide a method for attaching a Mo5t mask that has good adhesion to the fi & surface.
［ｍ照点を解決するための手段］
この発明に従ったＭｏ５ｔマスクの修正方法は、以下の
工程を備える。[Means for solving m illumination points] A method for modifying a Mo5t mask according to the present invention includes the following steps.
（ａ ） Ｍｏ ８１マスク全面上にフォトレジスト
膜を形成する工程。(a) Step of forming a photoresist film on the entire surface of the Mo 81 mask.
（ｂ） 修正すべき欠損欠陥を含む箇所を上記フォト
レジスト膜から露出する工程。(b) A step of exposing a portion containing a defect to be corrected from the photoresist film.
（Ｃ） 上記露出箇所をエツチングする工程。(C) Step of etching the exposed areas.
（ｄ） 上記フォトレジスト膜表面および上記露出箇
所にスパッタ法でＭａｉｌを堆積する工程。(d) Depositing Mail on the surface of the photoresist film and the exposed portions by sputtering.
（ｅ ） 上記フォトレジストの軟化点温度で上記Ｍ
ｏ５ｔマスク全体の熱処理をする工程。(e) The above M at the softening point temperature of the above photoresist
Process of heat treating the entire o5t mask.
＜Ｘ 上記フォトレジスト膜、および上記フォトレジ
スト膜表面に堆積したＭｏ５ｔを除去する工程（ＭｏＳ
ｉのリフトオフ）。<X Step of removing the photoresist film and Mo5t deposited on the surface of the photoresist film (MoS
i liftoff).
［作用］
この発明においては、フォトレジスト膜表面、および欠
損欠陥部をフォトレジスト膜から露出した箇所にＭｏ５
ｔを堆積した後に、フォトレジストの軟化点温度でマス
ク全体の熱処理を行なっている。この熱処理後、Ｍｏ５
ｌのリフトオフを行なっている。熱処理が施されると、
フォトレジスト膜は容易にはく離され得る。したがって
フォトレジスト膜表面に堆積したＭａｉｌ はフォトレ
ジスト膜とともに容易に短時間で除去され得る。また堆
積したＭａｉｌはガラス基板との密着性が良いので、マ
スク洗浄のときにもはく離し難い。[Function] In this invention, Mo5 is applied to the surface of the photoresist film and the defective portions exposed from the photoresist film.
After depositing the photoresist, the entire mask is heat-treated at the softening point temperature of the photoresist. After this heat treatment, Mo5
Lift-off of 1 is being carried out. After heat treatment,
Photoresist films can be easily peeled off. Therefore, the mail deposited on the surface of the photoresist film can be easily removed together with the photoresist film in a short time. Further, since the deposited Mail has good adhesion to the glass substrate, it is difficult to peel off when cleaning the mask.
［実施例］
１１図は、この発明の実施例におけるＭｏ８ｔマスクの
修正方法を示した工程図である。[Example] FIG. 11 is a process diagram showing a method for repairing an Mo8t mask in an example of the present invention.
第１図に示すように、この発明の実施例は以下の工程か
らなる。As shown in FIG. 1, the embodiment of this invention consists of the following steps.
（１） Ｍｏ５ｔマスク全面上にフォトレジスト膜を
形成する。この実施例では商品名ＡＺ−１３５０のポジ
型フォトレジストを塗布している。(1) A photoresist film is formed on the entire surface of the Mo5t mask. In this example, a positive type photoresist having the trade name AZ-1350 is applied.
Ｍｏ５ｌマスクに存在する欠損欠陥を含む箇所を上記フ
ォトレジスト膜から露出する工程は、この実施例では（
２）および（３）の工程からなっている。In this example, the step of exposing the portion containing the defect existing in the Mo5l mask from the photoresist film is (
It consists of steps 2) and (3).
（２） 欠陥部にスポット状の光を照射する。(2) Irradiate a spot of light onto the defective part.
（３） Ｉ像処理をする。(3) Perform I-image processing.
この実施例では、フォトレジストとしてポジ型フォトレ
ジストを使用しているので、欠陥部のみにスポット状の
光を照射した後現像処理を施すことにより、欠陥部をフ
ォトレジスト膜から露出させている。In this example, since a positive type photoresist is used as the photoresist, the defective portion is exposed from the photoresist film by irradiating only the defective portion with a spot of light and then performing a development process.
（４） 露出箇所を軽くエツチングする。(4) Lightly etch the exposed areas.
（５） フォトレジスト膜表面および露出箇所にスパッ
タ法でＭｏ８ｔを堆積する。(5) Deposit Mo8t on the photoresist film surface and exposed areas by sputtering.
（６） フォトレジストの軟化点温度でＭｏ５１マスク
全体の熱処理をする。この実施例では窒素雰囲気中にて
熱処理を行なっている。(6) Heat-treat the entire Mo51 mask at the softening point temperature of the photoresist. In this example, heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere.
（７） フォトレジスト膜をはく離する。このとき、フ
ォトレジスト膜表面に堆積したＭｏ８ｔも除去される（
Ｍｏｓｔのリフトオフ）、この実施例では溶媒としてア
セトンが入れられた超音波槽の中でこの処理を行なって
いる。(7) Peel off the photoresist film. At this time, Mo8t deposited on the surface of the photoresist film is also removed (
In this example, this process is carried out in an ultrasonic bath containing acetone as a solvent.
上述のように、熱処理（６）後フォトレジスト膜のはく
離（７）、すなわちＭｏ５ｔのリフトオフを行なうと、
リフトオフが容易に短時間で達成され脣る。As mentioned above, when the photoresist film is peeled off (7) after the heat treatment (6), that is, the Mo5t is lifted off,
Lift-off is easily achieved in a short time.
スパッタ法で形成されたＭｏ５ｌｌＩはカバーレッジが
良いため、リフトオフが困難である。リフトオフはＭｏ
５ＩＩＩｉの下地であるフォトレジスト躾カ溶媒に溶解
することによってなされる。そのためには溶媒が７オト
レジスト膜へ容易に拡散されなければならない。Since Mo5llI formed by sputtering has good coverage, lift-off is difficult. Lift off is Mo
This is done by dissolving the underlying photoresist of 5IIIi in a solvent. For this purpose, the solvent must be easily diffused into the 7-otoresist film.
第２図は、５“角の石英ガラス板上に商品名ＡＺ−１３
５０の７オトレジストを８０ｏｎ−の膜厚で塗布し、そ
の上にスパッタ法でＭｏ８ｔＩＩを形成した模、アセト
ンの入れられた超音波洗浄器の中でＭｏ５ｌｌＩのリフ
トオフを行なりた実験結果を示すグラフである。このグ
ラフは、Ｍｏ５ＩＩ！のりフトオフ時間と、Ｍｏ５ｌｌ
Ｉを形成したときのスパッタ条件の１つであるＡｒガス
流量との関係を示している。これによると、Ａｒガス流
量またはＡ「気圧によってＭｏ５１１ｇのリフトオフに
要する時間が大きく変化している。Ａ「気圧が２５ｓＴ
Ｏｒｒ付逝でスパッタ法によって形成されたＭｏ５ＩＩ
Ｉは、リフトオフが極めて困難で、除去されるのに２０
分以上の時間がかかっている。一方、Ａ「気圧は５ｍＴ
ｏｒｒｔ’形成されたＭｏ５ｔ膜は７分程度で除去され
ており、本実験の中で最もリフトオフに適した条件で形
成されている。Figure 2 shows the product name AZ-13 on a 5" square quartz glass plate.
A graph showing the experimental results of applying a 50:7 photoresist to a film thickness of 80 on-, forming Mo8tII on it by sputtering, and performing lift-off of Mo5llI in an ultrasonic cleaner containing acetone. It is. This graph is Mo5II! Nori lift off time and Mo5ll
It shows the relationship with the Ar gas flow rate, which is one of the sputtering conditions when forming I. According to this, the time required for lift-off of Mo511g changes greatly depending on the Ar gas flow rate or the atmospheric pressure.
Mo5II formed by sputtering with Orr
I is extremely difficult to lift off and takes 20 minutes to remove.
It's taking more than a minute. On the other hand, A: “The atmospheric pressure is 5 mT.
The Mo5t film formed at orrt' was removed in about 7 minutes, and was formed under conditions most suitable for lift-off in this experiment.
Ｍｏ５ｌｌｌのリフトオフに要する時間は、リフトオフ
前の熱処理の実施によって影響される。第３図は、上述
の結果により同様にＡ「気圧５ｍＴＯｒ「でスパッタ法
によって膜厚１４０ｎｓのＭｏ５１膜を形成し、超音波
洗浄器中でＭａｉｌ膜のリフトオフな行なう前に熱処理
を施した実験結果を示すグラフである。このとき商品名
ＡＺ−１３５０のフォトレジスト膜厚は８００ ｎｍ、
熱処理時間は１５分としている。このグラフは、Ｍｏ５
ＩＩＩＩのりフトオフ時間と熱処理ｍ度との関係を示し
ている。また、グラフにおいて実線は実験ｆｉｌ（Ｏ印
）の外挿を示している。これによると、Ｍｏ５ＩＩｌの
リフトオフ時間を短縮する熱処理温度は１４０℃付近で
あることがわかる。この濃度は本実験で用いた商品名Ａ
Ｚ−１３５０の７オトレジストの軟化点に相当する。フ
ォトレジストの軟化点温度で熱処理を１５分間行なえば
、Ｍｏ ８１ ＩＩのリフトオフが１分程度という短時
間で達成され得る。The time required for lift-off of Mo5lll is influenced by the implementation of heat treatment before lift-off. Figure 3 shows the results of an experiment in which a Mo51 film with a thickness of 140 ns was formed by sputtering at an atmospheric pressure of 5 mTor, and heat-treated before lift-off of the Mail film in an ultrasonic cleaner. This is a graph showing that the photoresist film thickness of product name AZ-1350 is 800 nm,
The heat treatment time was 15 minutes. This graph shows Mo5
It shows the relationship between the lift-off time of III and the degree of heat treatment. Further, in the graph, the solid line indicates the extrapolation of the experiment fil (marked with O). According to this, it can be seen that the heat treatment temperature for shortening the lift-off time of Mo5III is around 140°C. This concentration is the product name A used in this experiment.
This corresponds to the softening point of Z-1350 7 otoresist. If heat treatment is performed for 15 minutes at the softening point temperature of the photoresist, lift-off of Mo 81 II can be achieved in a short time of about 1 minute.
ざらに１１４図は、上述の結果により同様にＡ「ガス流
１１０ｃｍ”／）Ｉｎ （標準伏皿）でスパッタ法Ｓ
ＣＪ：ｚＴ１１厚１００ｎ−のＭｏ５ｌｌＩを゛形成し
、温度１４０℃で熱処理を流した後、周波数２７ｋＨ２
で超音波洗浄器中でＭａｘｉｌｌａのりフトオフを行な
った実験結果を示すグラフである。このグラフは、Ｍｏ
５ｌ１１１のリフトオフ時間と温度１４０℃での熱処理
時間との関係を示している。熱処理時間が１５分におい
て明らかにリフトオフ時間が最小になっている。また、
この実験結果によると温度１４０℃で熱処理を施すと熱
処理時間にかかわらずリフトオフ時間が７分以内である
。Figure 114 shows the sputtering process using A (standard flat plate) with a gas flow of 110 cm/) In (standard dish) based on the above results.
CJ: zT11 100n-thick Mo5llI was formed, heat treated at a temperature of 140°C, and then heated at a frequency of 27kHz2.
2 is a graph showing the results of an experiment in which Maxilla glue was lifted off in an ultrasonic cleaner. This graph shows Mo
The relationship between the lift-off time of 5l111 and the heat treatment time at a temperature of 140°C is shown. The lift-off time is clearly at its minimum at a heat treatment time of 15 minutes. Also,
According to the experimental results, when heat treatment is performed at a temperature of 140° C., the lift-off time is within 7 minutes regardless of the heat treatment time.
この発明は以上の本願発明者等の実験結果に縫づいてな
されたものである。ＭＯ８Ｉマスクの修正方法において
スパッタ法で堆積されたＭｏＳｉ膜のりフトオフを容易
にする条件としては、フォトレジストの軟化点温度での
熱処理後Ｍｏ５ｌｉｌのリフトオフを行なうことである
。この条件のときリフトオフが７分以内で達成できる。This invention has been made based on the above experimental results by the inventors of the present application. In the MO8I mask repair method, a condition for facilitating lift-off of the MoSi film deposited by sputtering is to carry out lift-off of Mo5lil after heat treatment at the softening point temperature of the photoresist. Under these conditions, lift-off can be achieved within 7 minutes.
ざらにＭｏ５ｌ膜の形成されるスパッタ条件としてはＡ
ｒ気圧５ａＴｏｒｒが好ましく、熱処理時間として１５
分間が茄ましい、またＭＯ８Ｉマスク全面上に７オトレ
ジスト膜を形成するとき、フォトレジストとしてポジ型
を用いるのが望ましい、ポジ型フォトレジストを用いる
と、欠損欠陥箇所を露出する工程で、欠損欠陥箇所のみ
にスポット状の光を照射すればよい。The sputtering conditions for forming a rough Mo5l film are A.
The atmospheric pressure is preferably 5 aTorr, and the heat treatment time is 15
Also, when forming a photoresist film on the entire surface of the MO8I mask, it is desirable to use a positive type photoresist. It is sufficient to irradiate a spot of light only to the location.
なお、修正に用いられたＭＯ８ＩＩＩは欠損欠陥箇所を
遮光する必要がある。そこで、上述のようにリフトオフ
が容易なスパッタ条件で堆積したＭｏ５ｌｌＩの光学１
１度を測定した結果を第５図に示す、このグラフは光学
濃度とＭｏ５Ｉｌｌ厚との関係を示す。これによると、
膜厚が１０ｏｎ−で３゜０以上の光学濃度を示し、リフ
トオフによって修正された箇所のＭｏ５ｌｌＩは実用的
な遮光特性を示している。Note that the MO8III used for repair needs to shield the defective portion from light. Therefore, optical 1 of Mo5llI deposited under sputtering conditions that facilitate lift-off as described above.
The results of the 1 degree measurement are shown in FIG. 5. This graph shows the relationship between the optical density and the Mo5Ill thickness. according to this,
At a film thickness of 10 on-, it exhibits an optical density of 3° or more, and Mo5llI at the portion corrected by lift-off exhibits practical light-shielding properties.
またスパッタ法で堆積したＭｏ５ｉ膜は蒸着法で堆積し
た膜に比較して結晶粒が緻密であるため、機械的強度や
基板との密着性にも優れている。Furthermore, since the Mo5i film deposited by sputtering has denser crystal grains than the film deposited by vapor deposition, it has excellent mechanical strength and adhesion to the substrate.
Ｅｒａｍの効果］
以上のように、この発明によれば、フォトレジストの軟
化点温度での熱処理後、ＭＯ８ＩＩＩのリフトオフを行
なうので、リフトオフ時間が短縮される。このため、リ
フトオフ時間が実用的な時間となる。したがって、農産
に適したＭ ＯＳ Ｉマスクの修正方法であり、容易に
無欠陥マスクを得ることができる。Effect of Eram] As described above, according to the present invention, lift-off of MO8III is performed after heat treatment at the softening point temperature of the photoresist, so the lift-off time is shortened. Therefore, the lift-off time becomes a practical time. Therefore, this is a method of repairing an MOS I mask suitable for agricultural production, and a defect-free mask can be easily obtained.
第１図は、この発明の実施例であるＭａｉｌマスクの修
正方法の工程図である。
第２図は、Ｍｏ５１ｍ１が形成されるスパッタ条件の１
つであるＡｒガスｍｅとＭｏ１ｌ膜のリフトオフ時間と
の関係を示すグラフである。
第３図は、熱処理時間を１５分にしたときの熱処［７１
１度とＭｏ５ＩＩＩのリフトオフ時間との関係を示すグ
ラフである。
第４図は、前処ｍ温度を１４０℃にしたときの熱処理時
間とＭＯ８Ｉｊｌのリフトオフ時間との関係を示すグラ
フである。
第５図は、修正用Ｍｏ５ＩＩＩＩの膜厚と光学濃度との
関係を示すグラフである。FIG. 1 is a process diagram of a mail mask repair method according to an embodiment of the present invention. Figure 2 shows one of the sputtering conditions for forming Mo51m1.
3 is a graph showing the relationship between Ar gas me and the lift-off time of the Mo1l film. Figure 3 shows the heat treatment [71
It is a graph showing the relationship between 1 degree and the lift-off time of Mo5III. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the heat treatment time and the lift-off time of MO8Ijl when the pretreatment temperature is 140°C. FIG. 5 is a graph showing the relationship between the film thickness of Mo5III for correction and the optical density.
Claims (4)
シリサイド膜を形成したモリブデンシリサイドマスクに
存在する欠損欠陥を修正するための方法であって、 前記モリブデンシリサイドマスク全面上にフォトレジス
ト膜を形成する工程と、 前記欠損欠陥を含む箇所を前記フォトレジスト膜から露
出する工程と、 前記露出箇所をエッチングする工程と、 前記フォトレジスト膜表面および前記露出箇所にスパッ
タ法でモリブデンシリサイドを堆積する工程と、 前記フォトレジストの軟化点温度で前記モリブデンシリ
サイドマスク全体の熱処理をする工程と、前記フォトレ
ジスト膜、および前記フォトレジスト膜表面に堆積した
モリブデンシリサイドを除去する工程とを備えたモリブ
デンシリサイドマスクの修正方法。(1) A method for correcting defects existing in a molybdenum silicide mask in which a molybdenum silicide film is formed in a predetermined area on a glass substrate, the method comprising forming a photoresist film on the entire surface of the molybdenum silicide mask. a step of exposing a portion including the defect from the photoresist film; a step of etching the exposed portion; and a step of depositing molybdenum silicide on the surface of the photoresist film and the exposed portion by sputtering. A method for repairing a molybdenum silicide mask, comprising: heat-treating the entire molybdenum silicide mask at the softening point temperature of the photoresist; and removing molybdenum silicide deposited on the photoresist film and the surface of the photoresist film. .
の範囲第１項記載のモリブデンシリサイドマスクの修正
方法。(2) The method for repairing a molybdenum silicide mask according to claim 1, wherein the photoresist is of a positive type.
が５ｍＴｏｒｒであるスパッタ法で形成される、特許請
求の範囲第１項または第２項記載のモリブデンシリサイ
ドマスクの修正方法。(3) The method for repairing a molybdenum silicide mask according to claim 1 or 2, wherein the deposited molybdenum silicide is formed by sputtering at an argon pressure of 5 mTorr.
が、１５分間である、特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれかに記載のモリブデンシリサイドマスクの修
正方法。(4) Claims 1 to 3, wherein the heat treatment time at the softening point temperature of the photoresist is 15 minutes.
A method for modifying a molybdenum silicide mask as described in any of the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2071387A JPH061371B2 (en) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | How to repair molybdenum silicide mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2071387A JPH061371B2 (en) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | How to repair molybdenum silicide mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188139A true JPS63188139A (en) | 1988-08-03 |
| JPH061371B2 JPH061371B2 (en) | 1994-01-05 |
Family
ID=12034791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2071387A Expired - Lifetime JPH061371B2 (en) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | How to repair molybdenum silicide mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061371B2 (en) |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP2071387A patent/JPH061371B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061371B2 (en) | 1994-01-05 |
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