JPH10256117A - Resist treating method - Google Patents
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- JPH10256117A JPH10256117A JP5448597A JP5448597A JPH10256117A JP H10256117 A JPH10256117 A JP H10256117A JP 5448597 A JP5448597 A JP 5448597A JP 5448597 A JP5448597 A JP 5448597A JP H10256117 A JPH10256117 A JP H10256117A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板の表面
に複数のフォトレジスト層を形成するプロセスの中で使
用されるレジスト処理方法に関する。The present invention relates to a resist processing method used in a process for forming a plurality of photoresist layers on the surface of a substrate to be processed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】フォトレジストを利用した被処理基板の
処理プロセスの一つとして、被処理基板の表面に下層フ
ォトレジスト膜を形成し、この下層フォトレジスト膜の
表面に金属層を形成し、この金属層の表面に上層フォト
レジスト膜を形成するというプロセス（以下、「多層レ
ジストプロセス」と言う。）がある。2. Description of the Related Art As one of processing processes of a substrate to be processed using a photoresist, a lower photoresist film is formed on the surface of the substrate to be processed, and a metal layer is formed on the surface of the lower photoresist film. There is a process of forming an upper photoresist film on the surface of a metal layer (hereinafter, referred to as a “multilayer resist process”).
【０００３】このような多層のレジスト構造を形成する
多層レジストプロセスの場合、ベーク処理されていない
下層フォトレジスト膜に金属層を形成すると、金属層形
成の際にフォトレジストからアウトガスが発生し、気泡
による亀裂等が生じて良好な金属層を形成することがで
きない。In the case of a multi-layer resist process for forming such a multi-layer resist structure, if a metal layer is formed on a lower photoresist film that has not been baked, outgas is generated from the photoresist when the metal layer is formed, and bubbles are generated. Cracks, etc., and a good metal layer cannot be formed.
【０００４】そこで、従来の多層レジストプロセスにお
いては、金属層を形成する前に予め下層フォトレジスト
膜に対して高温（例えば２５０℃）のハードベーク処理
を施していた。Therefore, in a conventional multi-layer resist process, a high-temperature (for example, 250 ° C.) hard bake treatment is performed on a lower photoresist film before forming a metal layer.
【０００５】そして、多層レジストプロセスの最終プロ
セスにおいて、下層フォトレジスト膜及び上層フォトレ
ジスト膜は所定の処理によって剥離される。[0005] In the final process of the multilayer resist process, the lower photoresist film and the upper photoresist film are peeled off by a predetermined process.
【０００６】また、多層のレジスト構造を形成するプロ
セスの１つとして、配線間における低誘電率を達成でき
るエアーブリッジプロセスがある。このエアーブリッジ
プロセスにおいては、下層フォトレジスト膜の表面に金
属層を形成する前に、下層フォトレジスト膜に対して予
め所定のホールパターンが形成される。このホールパタ
ーンは、金属層形成時のステップカバーレッジを考慮し
て順テーパ形状に形成される。As one of the processes for forming a multilayer resist structure, there is an air bridge process that can achieve a low dielectric constant between wirings. In this air bridge process, before forming a metal layer on the surface of the lower photoresist film, a predetermined hole pattern is formed in the lower photoresist film in advance. This hole pattern is formed in a forward tapered shape in consideration of the step coverage when forming the metal layer.
【０００７】そして、順テーパ形状のホールパターンを
形成した後に、上記多層レジストプロセスと同様に下層
フォトレジスト膜に対して高温のハードベーク処理が実
施され、これによって金属層形成時の下層フォトレジス
ト膜からのアウトガスの抑制を図っていた。After the forward tapered hole pattern is formed, a high-temperature hard bake treatment is performed on the lower photoresist film in the same manner as in the above-described multilayer resist process, thereby forming the lower photoresist film when forming the metal layer. Outgassing from the plant.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した多
層レジストプロセス又はエアーブリッジプロセスにおい
て下層フォトレジスト膜に対して高温のハードベーク処
理を実施すると、下層フォトレジスト膜が完全に焼き固
められた状態となってしまう。このため、最終プロセス
において下層フォトレジスト膜を剥離しようとしても、
完全に焼き固められた下層フォトレジスト膜を良好に剥
離することが極めて困難であった。However, when a high-temperature hard bake treatment is performed on the lower photoresist film in the above-described multilayer resist process or air bridge process, the lower photoresist film becomes completely baked. turn into. For this reason, even if you try to remove the lower photoresist film in the final process,
It was extremely difficult to satisfactorily peel off the completely baked lower photoresist film.
【０００９】さらに、エアーブリッジプロセスの場合に
は、ハードベーク処理を施すことによって、図４（ａ）
に示した被処理基板７表面の下層フォトレジスト膜８に
形成された順テーパ形状のホールパターンが、図４
（ｂ）に示したようにボウィング形状へと変化してしま
う。このため、ハードベーク処理後に下層フォトレジス
ト膜８の表面に金属層を形成するとステップカバーレッ
ジの不良が発生し、図５に示したように金属層９の段切
れ状態、或いは段部での膜厚不足による高抵抗状態が生
じてしまうという問題があった。Further, in the case of the air bridge process, a hard bake treatment is performed to obtain a structure shown in FIG.
The forward tapered hole pattern formed in the lower photoresist film 8 on the surface of the substrate 7 shown in FIG.
The shape changes to the bowing shape as shown in FIG. For this reason, if a metal layer is formed on the surface of the lower photoresist film 8 after the hard bake treatment, a defective step coverage occurs, and as shown in FIG. There is a problem that a high resistance state occurs due to insufficient thickness.
【００１０】そこで、本発明の目的は、多層レジストプ
ロセス又はエアーブリッジプロセスの最終プロセスにお
ける下層フォトレジスト膜の剥離性を向上させることが
できるレジスト処理方法を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a resist processing method capable of improving the peelability of a lower photoresist film in a final process of a multilayer resist process or an air bridge process.
【００１１】また、本発明の他の目的は、エアーブリッ
ジプロセスにおける金属層のステップカバーレッジを向
上させることができるレジスト処理方法を提供すること
にある。It is another object of the present invention to provide a resist processing method capable of improving the step coverage of a metal layer in an air bridge process.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明によ
るレジスト処理方法は、被処理基板の表面に下層フォト
レジスト膜を形成し、この下層フォトレジスト膜の表面
に金属層を形成し、この金属層の表面に上層フォトレジ
スト膜を形成する多層レジストプロセスの中で使用され
るレジスト処理方法において、前記被処理基板の表面に
形成された前記下層フォトレジスト膜に対して、そのレ
ジスト感度及び剥離性を低下させない加熱条件の下で加
熱処理する工程と、加熱処理後の前記下層フォトレジス
ト膜に対して紫外線を照射してキュアリングを施す工程
と、を備えていることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a resist processing method comprising: forming a lower photoresist film on a surface of a substrate to be processed; forming a metal layer on the surface of the lower photoresist film; In a resist processing method used in a multilayer resist process for forming an upper photoresist film on a surface of a metal layer, the resist sensitivity and peeling of the lower photoresist film formed on the surface of the substrate to be processed are reduced. A step of performing a heat treatment under heating conditions that do not lower the property, and a step of irradiating the lower photoresist film after the heat treatment with ultraviolet rays to perform curing.
【００１３】請求項２記載の発明によるレジスト処理方
法は、被処理基板の表面に下層フォトレジスト膜を形成
し、この下層フォトレジスト膜に所定パターンを形成
し、所定パターンが形成された前記下層フォトレジスト
膜の表面に金属層を形成し、この金属層の表面に上層フ
ォトレジスト膜を形成するエアーブリッジプロセスの中
で使用されるレジスト処理方法において、所定パターン
が形成された前記下層フォトレジスト膜に対して、その
レジスト感度及び剥離性を低下させない加熱条件の下で
加熱処理する工程と、加熱処理後の前記下層フォトレジ
スト膜に対して紫外線を照射してキュアリングを施す工
程と、を備えていることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a resist processing method, comprising: forming a lower photoresist film on a surface of a substrate to be processed; forming a predetermined pattern on the lower photoresist film; Forming a metal layer on the surface of the resist film, in the resist processing method used in the air bridge process of forming an upper photoresist film on the surface of the metal layer, the lower photoresist film having a predetermined pattern formed on the lower photoresist film On the other hand, a step of performing a heat treatment under a heating condition that does not reduce the resist sensitivity and the releasability, and a step of irradiating the lower photoresist film after the heat treatment with ultraviolet rays to perform curing. It is characterized by being.
【００１４】請求項３記載の発明によるレジスト処理方
法は、前記下層フォトレジスト膜はノボラック系のポジ
型フォトレジストで形成されており、前記加熱処理工程
における加熱条件は、処理温度が約１１０℃であり、処
理時間が約１０分間以上であることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the resist processing method, the lower photoresist film is formed of a novolak-based positive photoresist, and the heating condition in the heat treatment step is such that the treatment temperature is about 110 ° C. Yes, the processing time is about 10 minutes or more.
【００１５】請求項４記載の発明によるレジスト処理方
法は、前記下層フォトレジスト膜の厚さは約１．５μｍ
以上であることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the resist processing method, wherein the lower photoresist film has a thickness of about 1.5 μm.
It is characterized by the above.
【００１６】請求項５記載の発明によるレジスト処理方
法は、前記紫外線の波長は２９０ｎｍ以下であることを
特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the resist processing method, the wavelength of the ultraviolet light is 290 nm or less.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】第１実施形態 以下、本発明の第１実施形態によるレジスト処理方法に
ついて図１を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION First Embodiment Hereinafter will be described with reference to FIG. 1 for resist processing method according to the first embodiment of the present invention.
【００１８】本実施形態によるレジスト処理方法は、被
処理基板の表面に下層フォトレジスト膜を形成し、この
下層フォトレジスト膜の表面に金属層を形成し、この金
属層の表面に上層フォトレジスト膜層を形成する多層レ
ジストプロセスの中で使用されるものである。In the resist processing method according to the present embodiment, a lower photoresist film is formed on the surface of a substrate to be processed, a metal layer is formed on the surface of the lower photoresist film, and an upper photoresist film is formed on the surface of the metal layer. It is used in a multilayer resist process for forming layers.
【００１９】また、本実施形態によるレジスト処理方法
は、ＧａＡｓウェハーの表面に被加工膜（例えばＳｉＯ
2 ）が形成された被処理基板を多層レジストプロセスで
処理する際に使用されるものである。Further, the resist processing method according to the present embodiment uses a film to be processed (for example, SiO 2) on the surface of a GaAs wafer.
This is used when the substrate to be processed formed in 2 ) is processed by a multilayer resist process.
【００２０】図１（ａ）において符号１は被処理基板を
示しており、この被処理基板１の表面には、厚さ約２μ
ｍの下層フォトレジスト膜２が形成されている。ここ
で、下層フォトレジスト膜２には、ヘキスト社製のノボ
ラック系のポジ型フォトレジストＡＺ１５００が使用さ
れている。In FIG. 1A, reference numeral 1 denotes a substrate to be processed, and the surface of the substrate 1 has a thickness of about 2 μm.
m lower photoresist film 2 is formed. Here, as the lower photoresist film 2, a novolak-based positive photoresist AZ1500 manufactured by Hoechst is used.
【００２１】そして、図１（ａ）に示した被処理基板１
表面の下層フォトレジスト膜２に対して、本実施形態の
レジスト処理方法による処理を下記の如く実施する。Then, the substrate 1 to be processed shown in FIG.
The lower photoresist film 2 on the surface is subjected to the processing according to the resist processing method of the present embodiment as follows.
【００２２】まず初めに、図１（ｂ）に示したように、
下層フォトレジスト膜２を有する被処理基板１を、１１
０℃に設定されたホットプレート（図示せず）の上に載
置し、大気中において１０分間のベーク処理を実施す
る。このベーク処理の前記加熱条件は、下層フォトレジ
スト膜２のレジスト感度及び剥離性を低下させない条件
である。First, as shown in FIG.
The substrate 1 having the lower photoresist film 2 is
It is placed on a hot plate (not shown) set at 0 ° C., and a baking process is performed in the atmosphere for 10 minutes. The heating conditions for this baking treatment are conditions that do not decrease the resist sensitivity and the peelability of the lower photoresist film 2.
【００２３】次に、図１（ｃ）に示したように、ベーク
処理後の下層フォトレジスト膜２に対して、全面にわた
って紫外線を６分間照射し、下層フォトレジスト膜２の
キュアリングを実施する。ここで、本実施形態で使用さ
れる紫外線は、２９０ｎｍ又はそれよりも短い波長を有
する遠紫外線（ＤＥＥＰ−ＵＶ光）である。Next, as shown in FIG. 1C, the lower photoresist film 2 after the baking treatment is irradiated with ultraviolet rays for 6 minutes over the entire surface, and the lower photoresist film 2 is cured. . Here, the ultraviolet light used in the present embodiment is far ultraviolet light (DEEP-UV light) having a wavelength of 290 nm or shorter.
【００２４】なお、本発明によるレジスト処理方法で使
用される紫外線はＤＥＥＰ−ＵＶ光に限られることはな
く、下層フォトレジスト膜の種類に応じて適宜最適な波
長の紫外線を選択することができる。The ultraviolet light used in the resist processing method according to the present invention is not limited to DEEP-UV light, and an ultraviolet light having an optimal wavelength can be appropriately selected according to the type of the lower photoresist film.
【００２５】上述したように下層フォトレジスト膜２に
対して紫外線を照射してキュアリングを施すと、レジス
ト表面層において架橋反応が起こり、後述する金属層３
（図１（ｄ）参照）の形成の際に、下層フォトレジスト
膜２からのアウトガスの発生を防止することができる。
また、従来のレジスト処理方法のような高温ベーク処理
は行っていないので、処理後の下層フォトレジスト膜２
は良好な剥離性を有している。When curing is performed by irradiating the lower photoresist film 2 with ultraviolet rays as described above, a cross-linking reaction occurs in the resist surface layer, and a metal layer 3 described later is formed.
In forming (see FIG. 1D), outgassing from the lower photoresist film 2 can be prevented.
In addition, since the high-temperature bake processing as in the conventional resist processing method is not performed, the lower photoresist film 2 after the processing is not used.
Has good peelability.
【００２６】上記の如く本実施形態のレジスト処理方法
によって下層フォトレジスト膜２の処理を実施したら、
次に、ＤＣマグネトロン型スパッタリング装置（図示せ
ず）を用いて、図１（ｄ）に示したように下層フォトレ
ジスト膜２の表面にタングステン膜からなる金属層３を
形成する。具体的には、スパッタリング装置の出力を
０．３ｋＷとし、Ａｒガスの流量を４０ｓｃｃｍとし、
処理時間を５０秒として、５００〓のタングステン膜を
形成する。When the lower photoresist film 2 is processed by the resist processing method of the present embodiment as described above,
Next, using a DC magnetron type sputtering device (not shown), a metal layer 3 made of a tungsten film is formed on the surface of the lower photoresist film 2 as shown in FIG. Specifically, the output of the sputtering apparatus was set to 0.3 kW, the flow rate of Ar gas was set to 40 sccm,
A processing time of 50 seconds is used to form a 500 ° tungsten film.
【００２７】ここで、下層フォトレジスト膜２は本実施
形態のレジスト処理方法によって既に処理されているの
で、金属層（タングステン膜）３の形成の際に下層フォ
トレジスト膜２からアウトガスが発生することがない。
このため、形成された金属層３には気泡による亀裂等が
存在せず、そのモホロジーも良好である。Here, since the lower photoresist film 2 has already been processed by the resist processing method of the present embodiment, outgas is generated from the lower photoresist film 2 when the metal layer (tungsten film) 3 is formed. There is no.
For this reason, the formed metal layer 3 does not have cracks or the like due to bubbles, and has a good morphology.
【００２８】次に、金属層３の表面に上層フォトレジス
ト膜（図示せず）を形成し、この上層フォトレジスト膜
に所定のパターンを形成し、しかる後、ドライエッチン
グ処理によって金属層３、下層フォトレジスト膜２、下
地ＳｉＯ2 へと随時パターンを転写する。Next, an upper photoresist film (not shown) is formed on the surface of the metal layer 3, a predetermined pattern is formed on the upper photoresist film, and thereafter, the metal layer 3 and the lower layer are formed by dry etching. The pattern is transferred to the photoresist film 2 and the underlying SiO 2 as needed.
【００２９】そして、多層レジストプロセスの最終プロ
セスとして、不要となった上層フォトレジスト膜及び下
層フォトレジスト膜２の剥離処理を実施する。具体的に
は、酸素プラズマとエチレングリコールモノメチルエー
テルアセテートのボイルによってフォトレジストを剥離
する。すると、上層フォトレジスト膜及び下層フォトレ
ジスト膜２が完全に除去される。Then, as a final process of the multilayer resist process, a peeling process of the unnecessary upper and lower photoresist films 2 is performed. Specifically, the photoresist is stripped by oxygen plasma and a boil of ethylene glycol monomethyl ether acetate. Then, the upper photoresist film and the lower photoresist film 2 are completely removed.
【００３０】以上述べたように本実施形態によるレジス
ト処理方法によれば、下層フォトレジスト膜２に対し
て、レジスト感度及び剥離性を低下させない条件で加熱
処理した後、紫外線によるキュアリングを施すようにし
たので、金属層３の形成の際に下層フォトレジスト膜２
からアウトガスが発生することを防止できるばかりでな
く、多層レジストプロセスの最終プロセスにおいて不要
な下層フォトレジスト膜２を完全に剥離除去することが
できる。As described above, according to the resist processing method according to the present embodiment, the lower photoresist film 2 is subjected to a heat treatment under conditions that do not decrease the resist sensitivity and the releasability, and then cured by ultraviolet rays. When the metal layer 3 is formed, the lower photoresist film 2
Not only can prevent outgassing from occurring, but also can completely remove and remove unnecessary lower photoresist film 2 in the final process of the multilayer resist process.
【００３１】第２実施形態 次に、本発明の第２実施形態によるレジスト処理方法に
ついて図２及び図３を参照して説明する。Second Embodiment Next, a resist processing method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００３２】本実施形態によるレジスト処理方法は、被
処理基板の表面に下層フォトレジスト膜を形成し、この
下層フォトレジスト膜に所定パターンを形成し、所定パ
ターンが形成された下層フォトレジスト膜の表面に金属
層を形成し、この金属層の表面に上層フォトレジスト膜
を形成するエアーブリッジプロセスにおいて使用される
ものである。In the resist processing method according to the present embodiment, the lower photoresist film is formed on the surface of the substrate to be processed, a predetermined pattern is formed on the lower photoresist film, and the surface of the lower photoresist film on which the predetermined pattern is formed is formed. This is used in an air bridge process for forming a metal layer on the surface of the metal layer and forming an upper photoresist film on the surface of the metal layer.
【００３３】また、本実施形態によるレジスト処理方法
は、ＧａＡｓウェハーの表面に被加工膜（例えばＡｕ、
Ｗ）が形成された被処理基板をエアーブリッジプロセス
で処理する際に使用されるものである。Further, the resist processing method according to the present embodiment uses a film to be processed (for example, Au,
This is used when the substrate to be processed on which W) is formed is processed by an air bridge process.
【００３４】図２（ａ）において符号１は被処理基板を
示しており、この被処理基板４の表面には、厚さ約４μ
ｍの下層フォトレジスト膜５が形成されている。ここ
で、下層フォトレジスト膜５には、上記第１実施形態の
場合と同様にヘキスト社製のノボラック系のポジ型フォ
トレジストＡＺ１５００が使用されている。In FIG. 2A, reference numeral 1 denotes a substrate to be processed, and the surface of the substrate to be processed 4 has a thickness of about 4 μm.
m lower photoresist film 5 is formed. Here, as the lower photoresist film 5, a novolak-based positive photoresist AZ1500 made by Hoechst is used as in the case of the first embodiment.
【００３５】そして、下層フォトレジスト膜５を有する
被処理基板４は、１２０℃に設定されたホットプレート
（図示せず）の上に載置され、大気中において２分間の
プリベーク処理を施される。The substrate 4 having the lower photoresist film 5 is placed on a hot plate (not shown) set at 120 ° C., and subjected to a pre-baking process in the air for 2 minutes. .
【００３６】次に、下層フォトレジスト膜５に順テーパ
を有するレジストパターンを形成するために、図２
（ｂ）に示したように下層フォトレジスト膜５に対して
波長４３６ｎｍの紫外線を所定パターンで露光する。こ
こで、露光時の焦点位置をレジスト膜のボトム側へデフ
ォーカスし、このデフォーカス量はマイナス５μｍ程度
であり、露光量は４６０ｍｊ／ｃｍ2 である。Next, in order to form a resist pattern having a forward taper on the lower photoresist film 5, FIG.
As shown in (b), the lower photoresist film 5 is exposed to ultraviolet rays having a wavelength of 436 nm in a predetermined pattern. Here, the focus position at the time of exposure is defocused to the bottom side of the resist film, the defocus amount is about minus 5 μm, and the exposure amount is 460 mj / cm 2 .
【００３７】次に、下層フォトレジスト膜５を有する被
処理基板４を、多摩化学社製のＡＤ１０、アルカリ濃度
２．３８％の有機アルカリ水溶液（成分テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド）中に１分間浸漬し、静
止現像処理を実施する。すると、図２（ｃ）に示したよ
うに、下層フォトレジスト膜５には、レジスト膜厚４μ
ｍ、ホール径２μｍの順テーパを有するエアーブリッジ
プロセス用のレジストパターンが形成される。Next, the substrate to be processed 4 having the lower photoresist film 5 is immersed for 1 minute in an aqueous solution of an organic alkali having an alkali concentration of 2.38% (component tetramethylammonium hydroxide), AD10 manufactured by Tama Chemical Co., Ltd. And a static development process is performed. Then, as shown in FIG. 2C, the lower photoresist film 5 has a resist film thickness of 4 μm.
A resist pattern for the air bridge process having a forward taper with a hole diameter of 2 μm is formed.
【００３８】次に、図２（ｃ）に示した被処理基板４表
面の下層フォトレジスト膜５に対して、本実施形態のレ
ジスト処理方法による処理を下記の如く実施する。Next, the lower photoresist film 5 on the surface of the substrate 4 shown in FIG. 2C is subjected to the processing according to the resist processing method of the present embodiment as follows.
【００３９】まず初めに、図２（ｄ）に示したように、
所定パターンの下層フォトレジスト膜５を有する被処理
基板４を、１１０℃に設定されたホットプレート（図示
せず）の上に載置し、大気中において１０分間のベーク
処理を実施する。このベーク処理の前記加熱条件は、下
層フォトレジスト膜５のレジスト感度及び剥離性を低下
させない条件であり、また、下層フォトレジスト膜５の
順テーパ形状のホールパターンが変形を起こさない条件
である。First, as shown in FIG. 2D,
The substrate 4 having the lower photoresist film 5 having a predetermined pattern is placed on a hot plate (not shown) set at 110 ° C., and a baking process is performed in the air for 10 minutes. The heating conditions for the baking treatment are conditions that do not lower the resist sensitivity and the strippability of the lower photoresist film 5 and that do not cause deformation of the forward tapered hole pattern of the lower photoresist film 5.
【００４０】次に、図２（ｅ）に示したように、ベーク
処理後の下層フォトレジスト膜５に対して、全面にわた
って紫外線を６分間照射し、下層フォトレジスト膜５の
キュアリングを実施する。ここで、本実施形態で使用さ
れる紫外線は、２９０ｎｍ又はそれよりも短い波長を有
する遠紫外線（ＤＥＥＰ−ＵＶ光）である。Next, as shown in FIG. 2E, the lower photoresist film 5 after the baking process is irradiated with ultraviolet rays for 6 minutes over the entire surface, and the lower photoresist film 5 is cured. . Here, the ultraviolet light used in the present embodiment is far ultraviolet light (DEEP-UV light) having a wavelength of 290 nm or shorter.
【００４１】なお、本発明によるレジスト処理方法で使
用される紫外線はＤＥＥＰ−ＵＶ光に限られることはな
く、下層フォトレジスト膜の種類に応じて適宜最適な波
長の紫外線を選択することができる。The ultraviolet light used in the resist processing method according to the present invention is not limited to DEEP-UV light, and an ultraviolet light having an optimum wavelength can be appropriately selected according to the type of the lower photoresist film.
【００４２】上述したように下層フォトレジスト膜５に
対して紫外線を照射してキュアリングを施すと、レジス
ト表面層において架橋反応が起こり、後述する金属層６
（図２（ｆ）参照）の蒸着の際に、下層フォトレジスト
膜５からのアウトガスの発生を防止することができる。
また、従来のレジスト処理方法のような高温ベーク処理
は行っていないので、処理後の下層フォトレジスト膜５
は良好な剥離性を有しており、また、上述したように順
テーパ形状のホールパターンが維持されている。When curing is performed by irradiating the lower photoresist film 5 with ultraviolet rays as described above, a cross-linking reaction occurs in the resist surface layer, and a metal layer 6 described later is formed.
At the time of vapor deposition (see FIG. 2F), generation of outgas from the lower photoresist film 5 can be prevented.
In addition, since the high-temperature bake processing as in the conventional resist processing method is not performed, the lower photoresist film 5 after the processing is not used.
Has good releasability, and a forward tapered hole pattern is maintained as described above.
【００４３】上記の如く本実施形態のレジスト処理方法
によって下層フォトレジスト膜５の処理を実施したら、
次に、図２（ｆ）に示したように、所定パターンを有す
る下層フォトレジスト膜５をマスクとして、電子ビーム
蒸着装置（図示せず）を用いて金（Ａｕ）を蒸着して金
属層６を形成する。具体的には、１５〓／秒のＡｕ蒸着
レートに応じて電子ビーム蒸着装置のパワーを可変して
制御し、約３．５分間の蒸着処理によって約３０００〓
のＡｕ膜を形成する。As described above, when the lower photoresist film 5 is processed by the resist processing method of the present embodiment,
Next, as shown in FIG. 2F, using the lower photoresist film 5 having a predetermined pattern as a mask, gold (Au) is vapor-deposited using an electron beam vapor deposition device (not shown) to form a metal layer 6. To form Specifically, the power of the electron beam evaporator is variably controlled according to the Au deposition rate of 15 ° / sec, and about 3000 ° C. by the deposition process for about 3.5 minutes.
Is formed.
【００４４】ここで、下層フォトレジスト膜５は本実施
形態のレジスト処理方法によって既に処理されているの
で、Ａｕ膜の蒸着の際に下層フォトレジスト膜５からア
ウトガスが発生することがない。このため、形成された
Ａｕ膜には気泡による亀裂等が存在せず、そのモホロジ
ーも良好である。Here, since the lower photoresist film 5 has already been processed by the resist processing method of the present embodiment, no outgas is generated from the lower photoresist film 5 during the deposition of the Au film. For this reason, the formed Au film has no cracks due to bubbles or the like, and has a good morphology.
【００４５】また、下層フォトレジスト膜５には、図３
の（ａ）に示したように順テーパ形状のホールパターン
が正確に形成されているので、図３の（ｂ）に示したよ
うに良好なステップカバーレッジの金属層６が形成され
る。Further, the lower photoresist film 5 has a structure shown in FIG.
Since the forward tapered hole pattern is accurately formed as shown in FIG. 3A, the metal layer 6 having good step coverage is formed as shown in FIG. 3B.
【００４６】次に、金属層６の表面に上層フォトレジス
ト膜（図示せず）を形成し、所定の処理を実施する。Next, an upper photoresist film (not shown) is formed on the surface of the metal layer 6, and a predetermined process is performed.
【００４７】そして、エアーブリッジプロセスの最終プ
ロセスにおいて、不要となった下層フォトレジスト膜５
の剥離処理が実施されるが、下層フォトレジスト膜５は
良好な剥離性を有しているので完全に除去される。In the final process of the air bridge process, the lower photoresist film 5 which is no longer needed
Is performed, the lower photoresist film 5 is completely removed because it has good peelability.
【００４８】以上述べたように本実施形態によるレジス
ト処理方法によれば、下層フォトレジスト膜５に対し
て、レジスト感度及び剥離性を低下させない条件で加熱
処理した後、紫外線によるキュアリングを施すようにし
たので、金属層６の蒸着の際に下層フォトレジスト膜５
からアウトガスが発生することを防止できるばかりでな
く、エアーブリッジプロセスの最終プロセスにおいて不
要な下層フォトレジスト膜５を完全に剥離除去すること
ができる。As described above, according to the resist processing method according to the present embodiment, after the lower photoresist film 5 is subjected to a heat treatment under conditions that do not lower the resist sensitivity and the strippability, it is cured by ultraviolet rays. When the metal layer 6 is deposited, the lower photoresist film 5
Not only can prevent outgassing from occurring, but also can completely remove and remove unnecessary lower photoresist film 5 in the final process of the air bridge process.
【００４９】また、本実施形態によるレジスト処理方法
によれば、金属層６を蒸着する際には、下層フォトレジ
スト膜５に順テーパ形状のホールパターンが正確に形成
されているので、段切れ等のない良好なステップカバー
レッジの金属層６を形成することができる。In addition, according to the resist processing method of the present embodiment, when the metal layer 6 is deposited, the hole pattern having the forward tapered shape is accurately formed in the lower photoresist film 5, so that a step breakage or the like occurs. It is possible to form the metal layer 6 having a good step coverage without a defect.
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上述べたように本発明によるレジスト
処理方法によれば、下層フォトレジスト膜に対して、レ
ジスト感度及び剥離性を低下させない条件で加熱処理し
た後、紫外線によるキュアリングを施すようにしたの
で、下層フォトレジスト膜表面に金属層を形成する際に
下層フォトレジスト膜からアウトガスが発生することが
なく、しかも、最終プロセスにおいて不要な下層フォト
レジスト膜を除去する際に、この下層フォトレジスト膜
を完全に剥離除去することができる。As described above, according to the resist processing method of the present invention, after the lower photoresist film is subjected to a heat treatment under conditions that do not reduce the resist sensitivity and the releasability, it is cured by ultraviolet rays. Therefore, no outgas is generated from the lower photoresist film when forming the metal layer on the surface of the lower photoresist film, and when removing the unnecessary lower photoresist film in the final process, the lower photoresist film is removed. The resist film can be completely removed.
【００５１】また、本発明によるレジスト処理方法によ
れば、エアーブリッジプロセスにおいて、所定のホール
パターンが正確に形成された下層フォトレジスト膜に対
して金属膜を形成することができるので、段切れ等のな
い良好なステップカバーレッジの金属層を形成すること
ができる。Further, according to the resist processing method of the present invention, in the air bridge process, a metal film can be formed on a lower photoresist film on which a predetermined hole pattern has been accurately formed. And a metal layer having good step coverage without defects can be formed.
【図１】本発明の第１実施形態によるレジスト処理方法
を多層レジストプロセスに使用した場合の工程の一部を
示した工程図。FIG. 1 is a process diagram showing a part of the process when a resist processing method according to a first embodiment of the present invention is used for a multilayer resist process.
【図２】本発明の第２実施形態によるレジスト処理方法
をエアーブリッジプロセスに使用した場合の工程の一部
を示した工程図。FIG. 2 is a process diagram showing a part of a process when a resist processing method according to a second embodiment of the present invention is used for an air bridge process.
【図３】本発明の第２実施形態によるレジスト処理方法
をエアーブリッジプロセスに使用した場合の金属層蒸着
前後の被処理基板及び下層フォトレジスト膜の状態を示
した図。FIG. 3 is a view showing the state of a substrate to be processed and a lower photoresist film before and after metal layer deposition when a resist processing method according to a second embodiment of the present invention is used for an air bridge process.
【図４】従来のレジスト処理方法によるレジスト処理前
後の被処理基板及び下層フォトレジスト膜の状態を示し
た図。FIG. 4 is a view showing a state of a substrate to be processed and a lower photoresist film before and after resist processing by a conventional resist processing method.
【図５】従来のレジスト処理方法によって処理された被
処理物に金属層を蒸着した状態を示した図。FIG. 5 is a diagram showing a state in which a metal layer is deposited on an object to be processed processed by a conventional resist processing method.
１、４ 被処理基板 ２、５ 下層フォトレジスト膜 ３、６ 金属層 1, 4 Substrate to be processed 2, 5 Lower photoresist film 3, 6 Metal layer
Claims (5)
を形成し、この下層フォトレジスト膜の表面に金属層を
形成し、この金属層の表面に上層フォトレジスト膜を形
成する多層レジストプロセスの中で使用されるレジスト
処理方法において、 前記被処理基板の表面に形成された前記下層フォトレジ
スト膜に対して、そのレジスト感度及び剥離性を低下さ
せない加熱条件の下で加熱処理する工程と、 加熱処理後の前記下層フォトレジスト膜に対して紫外線
を照射してキュアリングを施す工程と、を備えているこ
とを特徴とするレジスト処理方法。1. A multi-layer resist process for forming a lower photoresist film on a surface of a substrate to be processed, forming a metal layer on the surface of the lower photoresist film, and forming an upper photoresist film on the surface of the metal layer. In the resist processing method used in the above, a step of performing a heat treatment on the lower photoresist film formed on the surface of the substrate to be processed under a heating condition that does not reduce the resist sensitivity and the releasability; Irradiating ultraviolet rays to the lower photoresist film after the treatment to cure the lower photoresist film.
を形成し、この下層フォトレジスト膜に所定パターンを
形成し、所定パターンが形成された前記下層フォトレジ
スト膜の表面に金属層を形成し、この金属層の表面に上
層フォトレジスト膜を形成するエアーブリッジプロセス
の中で使用されるレジスト処理方法において、 所定パターンが形成された前記下層フォトレジスト膜に
対して、そのレジスト感度及び剥離性を低下させない加
熱条件の下で加熱処理する工程と、 加熱処理後の前記下層フォトレジスト膜に対して紫外線
を照射してキュアリングを施す工程と、を備えているこ
とを特徴とするレジスト処理方法。2. A lower photoresist film is formed on a surface of a substrate to be processed, a predetermined pattern is formed on the lower photoresist film, and a metal layer is formed on a surface of the lower photoresist film on which the predetermined pattern is formed. In a resist processing method used in an air bridge process of forming an upper photoresist film on the surface of the metal layer, the resist sensitivity and the releasability of the lower photoresist film on which a predetermined pattern is formed are determined. A resist processing method, comprising: a step of performing a heat treatment under heating conditions that do not lower the temperature; and a step of irradiating ultraviolet rays to the lower photoresist film after the heat treatment to perform curing.
のポジ型フォトレジストで形成されており、 前記加熱処理工程における加熱条件は、処理温度が約１
１０℃であり、処理時間が約１０分間以上であることを
特徴とする請求項１又は請求項２に記載のレジスト処理
方法。3. The lower photoresist film is formed of a novolak-based positive photoresist, and the heating condition in the heat treatment step is as follows.
3. The method according to claim 1, wherein the temperature is 10 [deg.] C. and the processing time is about 10 minutes or more.
５μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項
３のいずれか一項に記載のレジスト処理方法。4. The thickness of the lower photoresist film is about 1.
The method according to claim 1, wherein the thickness is 5 μm or more.
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項
に記載のレジスト処理方法。5. The method according to claim 1, wherein the wavelength of the ultraviolet light is 290 nm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5448597A JPH10256117A (en) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | Resist treating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5448597A JPH10256117A (en) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | Resist treating method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256117A true JPH10256117A (en) | 1998-09-25 |
Family
ID=12971960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5448597A Pending JPH10256117A (en) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | Resist treating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256117A (en) |
-
1997
- 1997-03-10 JP JP5448597A patent/JPH10256117A/en active Pending
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