JPS63185815A - ＬｕＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＬｕＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63185815A JPS63185815A JP1891987A JP1891987A JPS63185815A JP S63185815 A JPS63185815 A JP S63185815A JP 1891987 A JP1891987 A JP 1891987A JP 1891987 A JP1891987 A JP 1891987A JP S63185815 A JPS63185815 A JP S63185815A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物であるＬｕＧａＺｎ２Ｏ５で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物であるＬｕＧａＺｎ２Ｏ５で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”０３）ｎＦｅ”Ｏ（ｎは整数を示
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｚＯ４、ＹｂｔＦｅ３０）、Ｙｂ１Ｆｅ４０＋
。及びＹｂｎＰｅ５ｏ＋ｆｆの六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、 ｓＮ＋ Ｆｅｄ、 ｓ層、 Ｆｅ、０
□、３層の単位格子内における層数を示する層状構造を
持つ化合物である。
。及びＹｂｎＰｅ５ｏ＋ｆｆの六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、 ｓＮ＋ Ｆｅｄ、 ｓ層、 Ｆｅ、０
□、３層の単位格子内における層数を示する層状構造を
持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯａ） ｌ、ＦｅＯの化学式におい
て、ｎ＝２に相当し、ｙｂ”の代わりにＬｕ”を、Ｆｅ
”の代わりにＧａ３°を、Ｆｅ”の代わりにＺｎ！″を
置きかえて得られた新規な化合物を提供するにある。
て、ｎ＝２に相当し、ｙｂ”の代わりにＬｕ”を、Ｆｅ
”の代わりにＧａ３°を、Ｆｅ”の代わりにＺｎ！″を
置きかえて得られた新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＬｕＧａＺｎ２Ｏ５で示される化合物は、イオ
ン結晶モデルではＬｕ３４（Ｇａ’Ｊ＊、Ｚｎ２４ ）
Ｚｎｔ＊Ｏｓ”−として記載され、その構造はＬｕＯ＋
、ｓ層、（Ｇａ”。
ン結晶モデルではＬｕ３４（Ｇａ’Ｊ＊、Ｚｎ２４ ）
Ｚｎｔ＊Ｏｓ”−として記載され、その構造はＬｕＯ＋
、ｓ層、（Ｇａ”。
Ｚｎ２“）（ｈ、ｓ層およびＺｎＯ層の積層によって形
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。Ｚｎ”“イオンの半数はＧａ”と共に（
Ｇａ” ＋ Ｚｎ” ）（ｈ、ｓＪＩを作り、残りの半
数はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。Ｚｎ”“イオンの半数はＧａ”と共に（
Ｇａ” ＋ Ｚｎ” ）（ｈ、ｓＪＩを作り、残りの半
数はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。
ａ ＝３．３６５ ± ０．００１ （人）ｃ ＝
２２．５０ ± ０．０１ （人）この化合物の
面指数（ｈｋ６）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値
、ｄｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強
度（１％）を示すと、表−２の通りである。
２２．５０ ± ０．０１ （人）この化合物の
面指数（ｈｋ６）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値
、ｄｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強
度（１％）を示すと、表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは加熱に
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｌ
ｕ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対２の割
合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中
、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよびＧａが各々３価イ
オン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元
雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｌ
ｕ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対２の割
合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中
、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよびＧａが各々３価イ
オン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元
雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発？Ｉ質が加熱により金属酸化物を得る化合物として
は、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙
げられる。
は、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙
げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｌｕ、 Ｇａ、及びＺｎの割合が原
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよ
びＧａが各々３価イオン状ＭＩ Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
びＧａが各々３価イオン状ＭＩ Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷す
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＬｕＧａＺｎ２Ｏ５化合物の粉末は無色であり
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、１、ｕＯ，，５
層、 （Ｇａ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ ｍ、およびＺｎＯ層
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、１、ｕＯ，，５
層、 （Ｇａ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ ｍ、およびＺｎＯ層
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化ルテチウム（ＬＬＩＺＯ３
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚ
Ｏ＋）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
をモル比で１対１対４０割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約３０分開扉合し、平均粒径数μ
ｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し
、１３００℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ
３日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで
急速に冷却した。得られた試料はＬｕＧａＺｎ２０５単
−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｊり
、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１，％）を測定
した。その結果は表−２の通りであった。
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚ
Ｏ＋）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
をモル比で１対１対４０割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約３０分開扉合し、平均粒径数μ
ｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し
、１３００℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ
３日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで
急速に冷却した。得られた試料はＬｕＧａＺｎ２０５単
−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｊり
、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１，％）を測定
した。その結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ ＝３．３６５ ±０．００１ （人）ｃ ＝２
２．０５ ±０．０１ （人）であった。
２．０５ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ ｌ）よ
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
（人））と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長部 高
信 雄 手 続 補 正 書 昭和４２年 デ月７７日 １ 事件の表示 昭和６２年特許願第０１８９１９号 ２ 発明の名称 ＬｕＧａＺｎ２０５で示される大方晶系の層状構造を有
する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発補正 ５ 補正の対象 別紙 （１）明細書第１０頁３行から４行［て有用な・・・・
効果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供する。
信 雄 手 続 補 正 書 昭和４２年 デ月７７日 １ 事件の表示 昭和６２年特許願第０１８９１９号 ２ 発明の名称 ＬｕＧａＺｎ２０５で示される大方晶系の層状構造を有
する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発補正 ５ 補正の対象 別紙 （１）明細書第１０頁３行から４行［て有用な・・・・
効果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供する。
」と訂正する。
：）
す
Claims (2)
- （１）ＬｕＧａＺｎ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは
加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｌｕ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対２
の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大
気中、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよびＧａが各々３
価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない
還元雰囲気中で加熱することを特徴とするＬｕＧａＺｎ
＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891987A JPS63185815A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | ＬｕＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891987A JPS63185815A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | ＬｕＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185815A true JPS63185815A (ja) | 1988-08-01 |
| JPH0314778B2 JPH0314778B2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=11985021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1891987A Granted JPS63185815A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | ＬｕＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63185815A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP1891987A patent/JPS63185815A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0314778B2 (ja) | 1991-02-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |