JPS63169540A - 原子吸光光度計の光温度制御装置 - Google Patents
原子吸光光度計の光温度制御装置Info
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- JPS63169540A JPS63169540A JP62000428A JP42887A JPS63169540A JP S63169540 A JPS63169540 A JP S63169540A JP 62000428 A JP62000428 A JP 62000428A JP 42887 A JP42887 A JP 42887A JP S63169540 A JPS63169540 A JP S63169540A
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/74—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using flameless atomising, e.g. graphite furnaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/60—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature
- G01J5/601—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature using spectral scanning
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/74—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using flameless atomising, e.g. graphite furnaces
- G01N2021/745—Control of temperature, heating, ashing
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- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はグラファイト１法による原子吸光光度計に係り
、特にその原子化部の温度を制御するために好適な光温
度制御装置に関する６ 〔従来の技術〕 グラファイト１法による原子吸光光度計においては、グ
ラファイトキュベツトからのエミッション光を監視し、
エミッション光の変化に応じてグラファイトキュベツト
への供給電流を変化して原子化温度を制御する光温度制
御装置が備えられている。この従来装置を示せば第２図
のとおりであり、グラファイトキュベツト４の外周に一
端を臨ませて配置されたオプティカルファイバ２１の他
端に対向してアレインセンサ２２などのエミッション光
の検知器が備えられる。
、特にその原子化部の温度を制御するために好適な光温
度制御装置に関する６ 〔従来の技術〕 グラファイト１法による原子吸光光度計においては、グ
ラファイトキュベツトからのエミッション光を監視し、
エミッション光の変化に応じてグラファイトキュベツト
への供給電流を変化して原子化温度を制御する光温度制
御装置が備えられている。この従来装置を示せば第２図
のとおりであり、グラファイトキュベツト４の外周に一
端を臨ませて配置されたオプティカルファイバ２１の他
端に対向してアレインセンサ２２などのエミッション光
の検知器が備えられる。
上記従来技術では、オプティカルファイバ２１の一端の
光取送口２１ａがグラファイトキュベツト４の近傍にあ
るために、常に高温にさらされ、試料・酸の蒸気や、キ
ュベツトの材料であるカーボン粉末の飛散により汚れ易
く、汚れると焼きついて落ちにくい欠点があった。そし
て長時間測定においては上記汚れの進行は、ｙＫ子化温
度の変化につながり、測定誤差の要因となっていた。ま
た、エミッション光を効率よく取込む都合上、オプテイ
カルファイバ２１の配置に苦慮する上に、コンタミネー
ションを防ぐための原子化部内の清掃などのメンテナン
スにオプティカルファイバ２１が邪魔となる欠点があっ
た。
光取送口２１ａがグラファイトキュベツト４の近傍にあ
るために、常に高温にさらされ、試料・酸の蒸気や、キ
ュベツトの材料であるカーボン粉末の飛散により汚れ易
く、汚れると焼きついて落ちにくい欠点があった。そし
て長時間測定においては上記汚れの進行は、ｙＫ子化温
度の変化につながり、測定誤差の要因となっていた。ま
た、エミッション光を効率よく取込む都合上、オプテイ
カルファイバ２１の配置に苦慮する上に、コンタミネー
ションを防ぐための原子化部内の清掃などのメンテナン
スにオプティカルファイバ２１が邪魔となる欠点があっ
た。
本発明の目的はグラファイトキュベツトから離れた原子
化部以外の場所でエミッション光を監視することにより
、上記欠点を除くことにある。
化部以外の場所でエミッション光を監視することにより
、上記欠点を除くことにある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
上記目的は、グラファイトキュベツトの内壁からのエミ
ッション光を受光することにより達成される。すなわち
、グラファイトキュベツトの内壁から放射されるエミッ
ション光の集光レンズと、この集光レンズを介してエミ
ッション光を受光する受光部とを備えることにより上記
目的が達成さ才しる 。
ッション光を受光することにより達成される。すなわち
、グラファイトキュベツトの内壁から放射されるエミッ
ション光の集光レンズと、この集光レンズを介してエミ
ッション光を受光する受光部とを備えることにより上記
目的が達成さ才しる 。
本発明によれば、グラファイトキュベツトの内壁から放
射されるエミッション光は集光レンズを通過し、原子化
部より離れた場所で受光されるため、受光部が熱や試料
などの影響を受けない。また分光器へ至るまでの広い範
囲に受光部を配置設定できるため、場所を方向に自由度
があり将来へ発展性もある。
射されるエミッション光は集光レンズを通過し、原子化
部より離れた場所で受光されるため、受光部が熱や試料
などの影響を受けない。また分光器へ至るまでの広い範
囲に受光部を配置設定できるため、場所を方向に自由度
があり将来へ発展性もある。
グラファイトキュベツト内壁の実際に原子化している部
位のエミッション光を受光するため、グラファイトキュ
ベツトの製作誤差などの影響を受けない精度の高い制御
をすることができる。
位のエミッション光を受光するため、グラファイトキュ
ベツトの製作誤差などの影響を受けない精度の高い制御
をすることができる。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
１図は原子吸光光度計の光学系の概略図であり、ホロー
カソードランプ１からの光はレンズ２で集光されて、電
極３，３によって保持された筒状のグラファイトキュベ
ツト４内を通過し、集光レンズ５により分光器７に導か
れて光電子増倍管９に至るよう構成されている。そして
高温のグラファイトキュベツト４内を通過する際に試料
の原子に吸収され、分光器７では目的原素の波長に選択
され、それが光電子増倍管９により検知されて前記吸収
量より濃度が求められる。
１図は原子吸光光度計の光学系の概略図であり、ホロー
カソードランプ１からの光はレンズ２で集光されて、電
極３，３によって保持された筒状のグラファイトキュベ
ツト４内を通過し、集光レンズ５により分光器７に導か
れて光電子増倍管９に至るよう構成されている。そして
高温のグラファイトキュベツト４内を通過する際に試料
の原子に吸収され、分光器７では目的原素の波長に選択
され、それが光電子増倍管９により検知されて前記吸収
量より濃度が求められる。
ここで前記集光レンズ５は光温度制御装置の一部として
グラファイトキュベツト４の内壁から放射されるエミッ
ション光θ（図中破線で示す）を集光しており、このエ
ミッション光ｅを光軸からそれて反射する反射板１１が
集光レンズ５と分光器７との間に配置されている。この
反射板１１は中央に前記ランプ光の通過孔を持ったリン
グ状をなし、この反射板１１で反射されたエミッション
光の焦点位置に、受光部としてのアレイセンサ２２が配
置されている。なお筒号６，８は目的の光線のみを通過
させるための入射スリットである。
グラファイトキュベツト４の内壁から放射されるエミッ
ション光θ（図中破線で示す）を集光しており、このエ
ミッション光ｅを光軸からそれて反射する反射板１１が
集光レンズ５と分光器７との間に配置されている。この
反射板１１は中央に前記ランプ光の通過孔を持ったリン
グ状をなし、この反射板１１で反射されたエミッション
光の焦点位置に、受光部としてのアレイセンサ２２が配
置されている。なお筒号６，８は目的の光線のみを通過
させるための入射スリットである。
このような構成では１図示省略した光温度制御装置によ
り、ゲラファイトキュベツト４への電流供給が制御され
るのであり、まず、原子化ステージが開始されると同時
に最大電流が供給され、グラファイトキュベツト４は加
熱発光する。そしてこのときのグラファイトキュベット
４内周のエミッション光が集光レンズ５２反射板１１を
経てアレイセンサ２２で受光され、その結果に基づいて
、グラファイトキュベツト４があらかじめ設定された温
度に対応する発光量を維持するよう電流供給が制御され
るのである。
り、ゲラファイトキュベツト４への電流供給が制御され
るのであり、まず、原子化ステージが開始されると同時
に最大電流が供給され、グラファイトキュベツト４は加
熱発光する。そしてこのときのグラファイトキュベット
４内周のエミッション光が集光レンズ５２反射板１１を
経てアレイセンサ２２で受光され、その結果に基づいて
、グラファイトキュベツト４があらかじめ設定された温
度に対応する発光量を維持するよう電流供給が制御され
るのである。
エミッション光は、第３図のようにオプティカルファイ
バ２１を経由して受光したり、第４図のように一部分の
光を受光するようにしてもよい。
バ２１を経由して受光したり、第４図のように一部分の
光を受光するようにしてもよい。
また、第５図や第６図のようにアレイセンサ２２′によ
って直接に受光してもよい。
って直接に受光してもよい。
以上述べたように本発明によれば、エミッション光の受
光部を原子化部であるグラファイトキュベツトより遠ざ
けて配置できるので、受光部は高熱や試料及び酸などの
影響を受けない。またグラファイトキュベツトの内壁か
ら放射されるエミッション光を受光しているので制御精
度が高い。さらに受光部は設置箇所や受光面積が変えら
れるので、感度を自由に選択できる。また原子化部近傍
に受光部がないことにより、原子化部を有効に利用でき
るなどの利点がある。
光部を原子化部であるグラファイトキュベツトより遠ざ
けて配置できるので、受光部は高熱や試料及び酸などの
影響を受けない。またグラファイトキュベツトの内壁か
ら放射されるエミッション光を受光しているので制御精
度が高い。さらに受光部は設置箇所や受光面積が変えら
れるので、感度を自由に選択できる。また原子化部近傍
に受光部がないことにより、原子化部を有効に利用でき
るなどの利点がある。
第１図は本発明の一実施例の原子吸光光度計の光学系の
概略図、第２図は従来の原子吸光光度計の光学系の概略
図、第３図から第６図までは本発明の他の実施例の要部
を示す概略図である。 １・・・ホローカソードランプ、３・・・電極、４・・
・グラファイトキュベツト、５・・・集光レンズ、７・
・・分光器、１１・・・反射板、２１・・・オプティカ
ルファイバ、茅ｓ７ ＃４９ 第５０ 第Δ目 ２２′
概略図、第２図は従来の原子吸光光度計の光学系の概略
図、第３図から第６図までは本発明の他の実施例の要部
を示す概略図である。 １・・・ホローカソードランプ、３・・・電極、４・・
・グラファイトキュベツト、５・・・集光レンズ、７・
・・分光器、１１・・・反射板、２１・・・オプティカ
ルファイバ、茅ｓ７ ＃４９ 第５０ 第Δ目 ２２′
Claims (1)
- １、グラフアイトキユベツトが発熱時に放射するエミッ
ション光を受光し、エミッション光の変化に応じてグラ
フアイトキユベツトへの供給電流を変えて原子化温度を
制御する原子吸光光度計の光温度制御装置において、上
記グラフアイトキユベツトの内壁から放射されるエミッ
ション光の集光レンズと、この集光レンズを介してエミ
ッション光を受光する受光部とを備えることを特徴とす
る原子吸光光度計の光温度制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62000428A JPS63169540A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 原子吸光光度計の光温度制御装置 |
| DE8787119390T DE3782928T2 (de) | 1987-01-07 | 1987-12-30 | Atomabsorptionsspektralphotometer. |
| EP87119390A EP0274134B1 (en) | 1987-01-07 | 1987-12-30 | Atomic absorption spectrophotometer |
| US07/140,715 US4890919A (en) | 1987-01-07 | 1988-01-04 | Atomic absorption spectrophotometer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62000428A JPS63169540A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 原子吸光光度計の光温度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169540A true JPS63169540A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11473540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62000428A Pending JPS63169540A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 原子吸光光度計の光温度制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4890919A (ja) |
| EP (1) | EP0274134B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63169540A (ja) |
| DE (1) | DE3782928T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000065738A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 原子吸光光度計 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2075238C1 (ru) * | 1993-04-02 | 1997-03-10 | Боденбзееверк Перкин-Элмер ГмбХ | Атомно-абсорбционный спектрофотометр |
| JPH0989763A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Hitachi Ltd | 原子吸光分光光度計 |
| DE19602801A1 (de) | 1996-01-26 | 1997-07-31 | Bodenseewerk Perkin Elmer Co | Verfahren und Vorrichtung zur Atomabsorptionsspektroskopie |
| JP3591271B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2004-11-17 | 株式会社日立製作所 | 原子吸光光度計 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4022534A (en) * | 1976-03-23 | 1977-05-10 | Kollmorgen Corporation | Reflectometer optical system |
| DE2627254C3 (de) * | 1976-06-18 | 1981-08-13 | Bodenseewerk Perkin-Elmer & Co GmbH, 7770 Überlingen | Verfahren zur Messung oder Regelung der Temperatur eines Graphitrohres |
| DE2718416C3 (de) * | 1977-04-26 | 1981-02-12 | Bodenseewerk Perkin-Elmer & Co Gmbh, 7770 Ueberlingen | Temperaturmeßvorrichtung für Graphitrohrküvetten |
| DE2903328C2 (de) * | 1979-01-29 | 1980-10-30 | Bodenseewerk Perkin-Elmer & Co Gmbh, 7770 Ueberlingen | Verfahren und Vorrichtung zur pyrometrischen Messung der Graphitrohrtemperatur in einer GraphitrohrkUvette |
| JPS5939697B2 (ja) * | 1979-04-02 | 1984-09-26 | 株式会社日立製作所 | 元素分析計用温度制御装置 |
| DE3408792A1 (de) * | 1984-03-10 | 1985-09-19 | Grün-Analysengeräte GmbH, 6330 Wetzlar | Vorrichtung zur pyrometrischen temperaturmessung |
-
1987
- 1987-01-07 JP JP62000428A patent/JPS63169540A/ja active Pending
- 1987-12-30 EP EP87119390A patent/EP0274134B1/en not_active Expired
- 1987-12-30 DE DE8787119390T patent/DE3782928T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-01-04 US US07/140,715 patent/US4890919A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000065738A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 原子吸光光度計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0274134A3 (en) | 1990-01-10 |
| US4890919A (en) | 1990-01-02 |
| EP0274134B1 (en) | 1992-12-02 |
| EP0274134A2 (en) | 1988-07-13 |
| DE3782928T2 (de) | 1993-04-22 |
| DE3782928D1 (de) | 1993-01-14 |
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