JPS63164331A - フイルムキヤリヤリ−ド - Google Patents
フイルムキヤリヤリ−ドInfo
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- JPS63164331A JPS63164331A JP61312030A JP31203086A JPS63164331A JP S63164331 A JPS63164331 A JP S63164331A JP 61312030 A JP61312030 A JP 61312030A JP 31203086 A JP31203086 A JP 31203086A JP S63164331 A JPS63164331 A JP S63164331A
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- JP
- Japan
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- lead
- leads
- ring
- film carrier
- stress
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 108090001005 Interleukin-6 Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子の電極とフィルムリードとを一括接
合し、実装するフィルムキャリヤ方式のリードの構造に
関するもので、信頼性の高い実装体を提供するものであ
る。
合し、実装するフィルムキャリヤ方式のリードの構造に
関するもので、信頼性の高い実装体を提供するものであ
る。
従来の技術
デバイス、機器の著じるしい発展に伴ないICi。
LSI等の半導体素子のパッケージングも進展してきた
。これらデバイス、機器を小型、薄型に実装する有力な
手段としてフィルムキャリヤ方式がある。
。これらデバイス、機器を小型、薄型に実装する有力な
手段としてフィルムキャリヤ方式がある。
この方式は第4図に見られる様に厚さ100〜126μ
mのポリイミド、エポキシ等の長尺のテープ1に半導体
素子を搭載する開孔部いわゆるデバイス孔2を形成し、
Ou箔をエツチング加工して形成したり−ド3が、前記
デバイス孔2に突出した状態に配置されている。
mのポリイミド、エポキシ等の長尺のテープ1に半導体
素子を搭載する開孔部いわゆるデバイス孔2を形成し、
Ou箔をエツチング加工して形成したり−ド3が、前記
デバイス孔2に突出した状態に配置されている。
一方、半導体素子4の電極上にはOr −CuやTi−
P(1等の多層金属膜を被着せしめ、この上に例えばム
U等の金属突起5を形成しである。前記半導体素子4の
金属突起6とリード3との接合は、一括して行なわれ、
例えばリード3上にSnめっき処理が施こされ、金属突
起5が金で構成されるならば、先ず、半導体素子4上の
金属突起6とリード3とを位置合せし、ボンディングツ
ールで加圧、加熱(ツール温度:3oO〜36o′C9
加圧カニ1o〜sol/リード)することによシムU・
Snの合金を形成し、一度に接合が完了することになる
。
P(1等の多層金属膜を被着せしめ、この上に例えばム
U等の金属突起5を形成しである。前記半導体素子4の
金属突起6とリード3との接合は、一括して行なわれ、
例えばリード3上にSnめっき処理が施こされ、金属突
起5が金で構成されるならば、先ず、半導体素子4上の
金属突起6とリード3とを位置合せし、ボンディングツ
ールで加圧、加熱(ツール温度:3oO〜36o′C9
加圧カニ1o〜sol/リード)することによシムU・
Snの合金を形成し、一度に接合が完了することになる
。
発明が解決しようとする問題点
この方式は非常に小型、薄型に適した実装方式であるが
、フィルムテープ1が機械的応力や熱。
、フィルムテープ1が機械的応力や熱。
湿度等のストレスを受けるため、テープ1のデバイス孔
2が第5図のようにコーナ一部が著しるしく2′のごと
く引張られた形に変形してしまう。
2が第5図のようにコーナ一部が著しるしく2′のごと
く引張られた形に変形してしまう。
このために半導体素子4の金属突起5に接合されている
リード3は、この変形のためにリード3の強度以上のス
トレスを受け、ついには6のごとく切断されてしまうこ
とがあった。この事故は、特にデバイス孔の変形量の大
きいコーナ一部に多発するものであった。
リード3は、この変形のためにリード3の強度以上のス
トレスを受け、ついには6のごとく切断されてしまうこ
とがあった。この事故は、特にデバイス孔の変形量の大
きいコーナ一部に多発するものであった。
問題点を解決するための手段
本発明の構成はデバイス孔内に存在するリードの一部輪
状もしくは弧状領域を形成させて、デバイス孔の変形に
よりリードが受けるストレスを積極的に吸収せんとする
ものである。
状もしくは弧状領域を形成させて、デバイス孔の変形に
よりリードが受けるストレスを積極的に吸収せんとする
ものである。
作用
リードに引張力が働らくと、輪状および弧状の領域が、
その引張力に応じて、伸びる様に構成されているので、
リードが切断される事がない。
その引張力に応じて、伸びる様に構成されているので、
リードが切断される事がない。
実施例
本発明の実施例を第1図で説明する。テープ1上に設け
たデバイス孔2に突出し、半導体素子4の金属突起6と
接合されたリード1oは、一部に輪状の領域11を有し
ている。すなわち、デバイス孔2の端部と、金属突起6
との接合部との間で、巾広で、との巾広のほぼ中心に開
孔が設けである輪状のリードが構成されている。この輪
状領域11のリードは、デバイス孔のコーナ一部附近の
みに設けても良いし、リードピッチの寸法に余裕があれ
ば、全リードに形成しても良い。特にデバイス孔のコー
ナ一部分はテープのストレスにょシ、よシ一層変形しや
すいので、輪状のリードはコーナー領域のリードに形成
した方が、より効果的となる。
たデバイス孔2に突出し、半導体素子4の金属突起6と
接合されたリード1oは、一部に輪状の領域11を有し
ている。すなわち、デバイス孔2の端部と、金属突起6
との接合部との間で、巾広で、との巾広のほぼ中心に開
孔が設けである輪状のリードが構成されている。この輪
状領域11のリードは、デバイス孔のコーナ一部附近の
みに設けても良いし、リードピッチの寸法に余裕があれ
ば、全リードに形成しても良い。特にデバイス孔のコー
ナ一部分はテープのストレスにょシ、よシ一層変形しや
すいので、輪状のリードはコーナー領域のリードに形成
した方が、より効果的となる。
第2図で実際にデバイス孔が熱、湿度や機械的ストレス
によって2′のごとく変形した状態についてのべる。テ
ープ1に応力(ストレス)が加わシブバイス孔が変形2
′すると半導体素子4の金属突起6と接合されているリ
ード11は、その応力の度合に比例して引張力が作用す
る。
によって2′のごとく変形した状態についてのべる。テ
ープ1に応力(ストレス)が加わシブバイス孔が変形2
′すると半導体素子4の金属突起6と接合されているリ
ード11は、その応力の度合に比例して引張力が作用す
る。
ところが、本発明のリードではリードの一部が輪状によ
っているため、リードに作用した応力はこの輪状の領域
11を引張り、第2図aのリード2oの如く変形する。
っているため、リードに作用した応力はこの輪状の領域
11を引張り、第2図aのリード2oの如く変形する。
例えば円形の輪状リードであったものは引張力によって
図のととく長孔状に変形し、伸びと、この力を吸収する
ことになシ、リードの切断は発生しない。
図のととく長孔状に変形し、伸びと、この力を吸収する
ことになシ、リードの切断は発生しない。
第2図すの如くの寸法、例えばリード幅1o。
μmで輪状領域の外寸法360μm、輪状のリードの幅
1oOμmであれば、このリードに応力を作用すると、
約260μm伸びて、その応力を吸収してくれた。すな
わち、この様なリード形状とすることによシ、テープが
変形しリードが250μm伸びてもリードの切断は発生
しないという事になる。
1oOμmであれば、このリードに応力を作用すると、
約260μm伸びて、その応力を吸収してくれた。すな
わち、この様なリード形状とすることによシ、テープが
変形しリードが250μm伸びてもリードの切断は発生
しないという事になる。
次にリードの巾広の領域の形状について第3図で詳述す
る。
る。
a図は既にのべた輪状のリードであるがb図はリードの
長手方向に対し輪が楕円状を有するものである。この様
な楕円状のリードでは、リードのピッチ間を広くしなけ
ればならないが、リードへの引張力に対し、伸び量を大
きく取る事ができる。
長手方向に対し輪が楕円状を有するものである。この様
な楕円状のリードでは、リードのピッチ間を広くしなけ
ればならないが、リードへの引張力に対し、伸び量を大
きく取る事ができる。
0図は弧状のものである。この構成では、リードピッチ
を更に狭く構成できる特徴がある。d図は輪状を斜め方
向に形成したものでインナーリードの方向とアクタ−リ
ードの方向が異なる。
を更に狭く構成できる特徴がある。d図は輪状を斜め方
向に形成したものでインナーリードの方向とアクタ−リ
ードの方向が異なる。
また6図は、輪状部分が千鳥状に構成されたもので、リ
ードピッチを狭くすることができる。この場合、輪状部
分が弧状であっても良い。
ードピッチを狭くすることができる。この場合、輪状部
分が弧状であっても良い。
以上の実施例では、フィルムテープは所定寸法に打抜か
れて、回路基板上に搭載した状態を説明していないが、
実際には、フィルムキャリヤは回路基板上に半田づけや
共晶合金で、セラミックあるいはガラエポ基板上に搭載
され、この時に発生する応力によって、インナーリード
が破断するものである。この様にフィルムキャリヤを所
定寸法に打抜き、回路基板上に搭載しても良いものであ
る。
れて、回路基板上に搭載した状態を説明していないが、
実際には、フィルムキャリヤは回路基板上に半田づけや
共晶合金で、セラミックあるいはガラエポ基板上に搭載
され、この時に発生する応力によって、インナーリード
が破断するものである。この様にフィルムキャリヤを所
定寸法に打抜き、回路基板上に搭載しても良いものであ
る。
またリードの形状や配列は、微妙な設計上、変えうるも
のであるから、第3図の例にこだわらないものである。
のであるから、第3図の例にこだわらないものである。
発明の効果
以上のように本発明によればインナーリードに加わる応
力をリード自体が、リードの剛性に対し無理なく伸び、
応力を吸収できるから、信頼性の高い実装を実現できる
ものである。
力をリード自体が、リードの剛性に対し無理なく伸び、
応力を吸収できるから、信頼性の高い実装を実現できる
ものである。
第1図a、bは本発明の一実施例のフィルムテープへの
半導体素子の実装状態の平面図、断面図、第2図aは第
1図のテープに応力が加わった状態の平面図、第2図す
はリードの輪状領域の平面図、第3図IL −6はリー
ドの輪状領域の他の例を示す平面図、第4図a、bは従
来のテープへの実装状態の平面図、断面図、第5図は第
4図のテープに応力が加わった状態の平面図である。 1・・・・・・フィルムキャリヤ、2・・・・・・デバ
イス孔、4・・・・・・半導体素子、10・・・・・・
リード、11・・・・・・輪状リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図 第3図 ((L)
(bン(C)
tcLノ第4図
半導体素子の実装状態の平面図、断面図、第2図aは第
1図のテープに応力が加わった状態の平面図、第2図す
はリードの輪状領域の平面図、第3図IL −6はリー
ドの輪状領域の他の例を示す平面図、第4図a、bは従
来のテープへの実装状態の平面図、断面図、第5図は第
4図のテープに応力が加わった状態の平面図である。 1・・・・・・フィルムキャリヤ、2・・・・・・デバ
イス孔、4・・・・・・半導体素子、10・・・・・・
リード、11・・・・・・輪状リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図 第3図 ((L)
(bン(C)
tcLノ第4図
Claims (3)
- (1)樹脂テープに開孔部が形成され、前記開孔部に突
出し、半導体素子の電極と接合される導体リードを有す
るフィルムキャリヤの前記導体リードにおいて、少なく
とも前記開孔部のコーナ領域の前記導体リードの一部が
輪状もしくは弧状に形成されたことを特徴とするフィル
ムキャリヤリード。 - (2)導体リードに形成した輪状部もしくは弧状部が開
孔部の辺方向に千鳥状に配設される特許請求の範囲第1
項記載のフィルムキャリヤリード。 - (3)導体リードの幅と輪状部もしくは弧状部の領域の
導体リードの幅がほぼ同一寸法である特許請求の範囲第
1項記載のフィルムキャリヤリード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61312030A JPS63164331A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フイルムキヤリヤリ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61312030A JPS63164331A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フイルムキヤリヤリ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63164331A true JPS63164331A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18024374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61312030A Pending JPS63164331A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フイルムキヤリヤリ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63164331A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01270241A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
EP0456066A2 (en) * | 1990-05-08 | 1991-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor chip mounted inside a device hole of a film carrier |
DE10303455A1 (de) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312030A patent/JPS63164331A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01270241A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
EP0456066A2 (en) * | 1990-05-08 | 1991-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor chip mounted inside a device hole of a film carrier |
DE10303455A1 (de) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
DE10303455B4 (de) * | 2003-01-29 | 2007-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
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