JPS63163424A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツターアレイ等
の液晶素子に関し、更に詳しくは、スペーサー表面を光
散乱面にすることにより、光の利用効率を向上させると
ともに、液晶分子の配向欠陥をなくすことにより、表示
品位を改善した強誘電性液晶素子に関するものである。

（従来の技術） 従来の液晶素子としては、例えば、エム・シャット（Ｍ
、５ｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ、Ｈ
，ｅｌｆｒｉｃｈ）著“アプライド・フィジックス・レ
ターズ（“八ｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発
行）　、　Ｐ、１２７〜＋２８の“ボルテージ・ディペ
ンダント・オプティカル・アクティビティ−・オブ・ア
・ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリスタル°
′（”Ｖｏｌｔａｇｅ　　Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ　　Ｏｐ
ｔ、１ｃａｌ　　八ｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａＴｗ
ｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓ
ｔａｌ”）に示されたツィステッド・ネマチック（ｔｗ
ｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍｅｔｉｃ）液晶を用いたものが知
られている。

このＴＮ液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電極構
造を用いた時や分割駆動の時にクロストークを発生する
問題点があるため、画素数が制限されていた。

また、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成す
ることが難しいという問題点がある。

これらの間庫点を解決するものとして、クラークらによ
り米国特許第４３６７９２４号公報で強誘電性液晶素子
が提案されている。

第２図示の例は、強誘電性液晶素子の動作説明のために
、セルの例を模式的に示すものであり、図中の２１と２
１′はＩｎ２ｏ３．５ｎｏ２或いはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等の透明電極がコートされた
基板（例えばガラス板）であり、これらの一対の基板に
は絶縁層、配向膜等（いずれも図示なし）が設けられ、
これらの配向膜等の間に基板の面に垂直になるように配
向した５ｌｌｌに”相等の液晶層２２が封入されている
。

太線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液
晶分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメン
ト（Ｐ±）２４を有している。

このような強誘電性液晶素子の基板２１と２１′上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２
３の螺旋構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ±）２４
がすべて電界方向に向くように液晶分子２３の配向方向
を変えることができる。

液晶分子２３は細長い形状を有しており、その長袖方向
と短軸方向で屈折率の異方性を示し、従って、例えば、
基板２１と２１″の面の上下に互いにクロスニコルの位
置関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によっ
て光学特性が変化する液晶光学変調素子となることは容
易に理解される。

更に好ましくは、液晶素子の厚さを充分に薄くした場合
（例えば１０μｍ以下）には、第３図に示すように電界
を印加していない状態でも液晶分子の螺旋構造がほどけ
（非螺旋構造）、その双極子モーメントＰ又はＰ′は上
向き（２４）又は下向き（２４’）のいずれかの状態を
とる。

このような素子に第３図に示す如く一定の閾値以上の極
性の異なる電界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２６と２６′
により所定時間付与すると、双極子モーメントＰ又はＰ
′は電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き２
４又は下向き２４′と向きを変え、それに応じて液晶分
子２３は第１の配向状態２５か或いは第二の配向状態２
５′の何れか一方に配向する。

このような強誘電性液晶素子を光学変調素子として用い
ることの利点は先に述べたように２つある。

第１には、応答速度が極めて速いこと、第２には、液晶
分子の配向が双安定性を有することである。

第２の点を例えば第３図によって説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の配向状態２５に配向するが
、この状態では電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の配向状態
２５′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留まっている。また、与える電
界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態
にやはり維持されている。このような応答速度の速さと
、双安定性が有効に実現されるには、素子としてできる
だけ薄い方が好ましく、一般的には０．５〜２０μｍ、
特に１〜５μｍが適している。

（発明が解決しようとしている問題点）この強誘電性液
晶素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行゛基板間に配置される強誘電性液晶が、電界の印加状
態とは無関係に、上記２つの安定状態の間での変換が効
果的に起こるような分子配列状態にあることが必要であ
る。

例えば、カイラルスメクティック相を有する強誘電性液
晶については、カイラルスメクティック相の液晶分子層
が基板面に対して垂直で、従って液晶分子軸が基板面に
ほぼ平行に配列した領域（モノドメイン）が形成される
必要がある。しかしながら、これまでの強誘電性液晶素
子においては、このようなモノドメイン構造を有する液
晶の配向状態が、必ずしも満足に形成されなかったため
に、十分な特性が得られなかったのが実情である。

第４図は従来の強誘電性液晶素子４０の断面図を表わし
、第５図は従来の強誘電性液晶素子に現われた配向欠陥
の状態を表す図である。

すなわち、第４図に示す従来の強誘電性液晶素子４０は
、一対の平行基板４２と４３とを有しており、基板４２
と４３とにはそれぞれマトリクス電極をなすストライブ
状の電極線４５と４６とが設けられている。

カラーフィルター４１３は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および
青（Ｂ）の色素からなフている。

液晶層４４の厚みを制御するためにアルミナ等のビーズ
スペーサー４９を用い、基板４３と４２に大きな圧力を
かけて液晶層の厚みを制御している。この際に、スペー
サーの表面が平滑であるため、圧力を加えた際に液晶層
と接する膜にへこみが生じ、第４図に示すような段差Ａ
が生じる。これらの段差の大きさは２，０００人〜１μ
ｍ程度である。この結果、降温過程を利用して液晶分子
の配向制御を行うと、上述の段差Ａが原因となって、そ
の段差Ａを境にして強誘電性液晶層４４に配向欠陥を生
じていた。

第５図は、上記強誘電性液晶素子をクロスニコルの偏光
顕微鏡で観察した時のスケッチで、線５２および５３は
第４図の段差にＡに対応して観察されている。また、図
中の部分５４は対向電極間にはさまれた強誘電性液晶で
ある。偏光顕微鏡中に多数現出した刃状線５５は、強誘
電性液晶の配向欠陥を表わしている。

この様に強誘電性液晶の接する面で１，０００Å以上の
段差が存在すると、その段差から配向欠陥を生じ、強誘
電性液晶層のモノドメイン形成は阻害される。

本発明者等は、この様な段差が強誘電性液晶層に対して
配向欠陥を発生させる原因となっていることを実験によ
り明らかにした。

また異なる問題点として液晶の厚みをスペーサーで制御
するため、スペーサーの厚みのバラツキが大きいと配向
欠陥が生じる。配向欠陥を生じさせないために、例えば
、液晶の厚みが２μｍの場合スペーサーの大きさは２μ
ｍ±０．２μｍの必要があり、これを実現するためには
高精度にスペーサーを作る必要があり、スペーサーの製
造コストが高いという問題点があった。

またスペーサーにより液晶素子に入射する光が遮られ、
スペーサー自体が黒く目立つという問題点があった。

また、更なる問題点として強誘電性液晶素子をカラー化
する際に用いるカラーフィルターによる透過率の減少の
問題がある。すなわち、カラーフィルターの作成法は、
染色法、蒸着法、電着法、着色樹脂法等があるが、いず
れにしてもカラーフィルターは光吸収膜であり、強誘電
性液晶素子にカラーフィルターを設けることにより、強
誘電性液晶素子の透過率は低下する。

その結果、液晶表示素子の画面全体が暗くなり、色再現
性が悪く且つコントラストの悪いカラー強誘電性液晶素
子となるという問題点があった。

従って、本発明の目的は、上述する従来の強誘電性液晶
素子の配向欠陥の発生を防止し、強誘電性液晶素子が本
来もっている高速応答性とメモリー効果特性を充分に発
揮することができるとともに、明るくてコントラストが
良く且つ表示品位の優れた強誘電性液晶素子を提供する
ことにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明者は、上記本発明の目的を達成すべく鋭意研究の
結果、強誘電性液晶素子の液晶層の厚みを制御するのに
用いているスペーサー表面を凹凸形状の光散乱面とし、
このスペーサーの凸部を液晶に接する膜（配向膜、透明
導電膜、保護膜）にめり込ませることにより、強誘電性
液晶層に接する面の段差および液晶の厚みムラを少なく
し、従来の強誘電性液晶素子の欠点である配向欠陥を無
くしたモノドメインを形成するとともに、強誘電性液晶
素子に入射する光を該スペーサーで光散乱させスペーサ
ー自体を目立たなくし、且つ光を効率的に画素に導くこ
とで強誘電性液晶素子の明るさを向上させることができ
ることを見出した。

すなわち、本発明は、透明電極の形成された一対の平行
基板間に強誘電性液晶層を配置し、少なくとも一方の透
明電極と基板との間にカラーフィルターを有する強誘電
性液晶素子において、カラーフィルタニ層上には厚さｄ
ｏの保護膜と該保護膜上に厚さｄ２の透明導電膜と該透
明導電膜上に厚さｄ３の配向膜が設けられており、カラ
ーフィルターを有する基板と対向する他の基板との間の
液晶層の厚みを制御するスペーサーの表面を凹凸形状の
光散乱面とし、且つ該光散乱面の凸面の最上端から凹面
の最下端までの距離をｄとしたとき、 ｄ　＜　ｄ　ｒ　＋　ｄ　２　＋　ｄ　３となるように
スペーサーを液晶層に接する膜にめり込ませたことを特
徴とする強誘電性液晶素子である。

（作　　用） 次に本発明を本発明の一実施態様を図解的に示す添付図
面を参照して更に具体的に説明する。

第１図（ａ）は本発明によるカラー強誘電性液晶素子の
構成を示す断面図である。また第１図（ｂ）は第１図（
ａ）のスペーサー周辺の拡大図である。

第１図（ａ）において、本発明のカラー強誘電性液晶素
子１はガラス板またはプラスチック板等の透明板を用い
た基板２と３とを有し、その間には強誘電性液晶層４が
スペーサー９により設けられた空間に配置されている。

スペーサー９は第１図（ｂ）に示すように、表面凹凸形
状を有し、該スペーサー表面の凸部がｄの距離だけ液晶
層と接する膜（配向膜７、透明電極５、保護膜１２）中
にくい込んでいる。スペーサー９の凸部が液晶層と接す
る上記膜にくい込むことにより、膜がたわむととがなく
膜の平坦性を維持することができ、その結果液晶層４の
配向欠陥の発生がない。

各基板２と３とにはマトリックス電極構造を形成するス
トライブ形状の透明電極５と６とが配置され、この透明
電極の上には配向膜７と８とが形成されている。

各画素を形成するＲ、Ｇ、Ｈの各カラーフィルターは、
所望のＲ，Ｇ、Ｈの色特性を有する有機染料もしくは有
機顔料の色素、或いは光干渉を利用したダイクロイック
ミラーによるＲ、Ｇ、Ｂで形成されている。

更に、これらの各画素を保護する為に、各画素上に保護
膜１２が形成されている。更に、これらのセルを表示素
子とする為に、セルを直線偏光板１０と１１間に配置し
た構成にしている。

前記配向膜７と８は、強誘電性液晶層４の膜厚にも依存
するが、一般的には１０人〜１μｍ、好適には１００人
〜３，０００人の範囲に設定する。また、保護膜１２の
膜厚は、一般的には０．２μｍ〜２０μｍ１好適には０
．５μｍ〜２μｍの範囲に設定される。

本発明の強誘電性液晶素子１に用いるスペーサー９の大
きさとしては、第１図（ｂ）に示すようにスペーサー９
のめり込み量（ｅ）と液晶層４の厚みを決める量（ｆｉ
）の和となる。強誘電性液晶素子１が高速応答性および
メモリー性を出すためには、液晶層４の厚みを２μｍ以
下にする必要があり、スペーサー９のＬは２μｍ以下に
設定される。

またスペーサー９のめり込み量（ｅ）はカラーフィルタ
ー層１３を被覆する膜５．７および１２の合計の厚さよ
りも小さい必要がある。仮に大きい場合スペーサー９の
凸部がカラーフィルター層１３に接触する為、カラーフ
ィルターによる液晶層４の汚染をひきおこす。

すなわち、スペーサー９のめり込み量（ｅ）は一般的に
は４μｍ以下、好ましくは２μｍ以下がよい。

従ってスペーサー９の大きさはＩｌ、＋ｅとなり、一般
的には６μｍ以下、好ましくは４μｍ以下が良い。

またスペーサー９の光散乱面の凸面の最上端から凹面の
最下端までの距離ｄは一般的には４μｍ以下、好ましく
は２μｍ以下がよい。

以上の如きスペーサー９としては種々の材料が用いられ
るが、例えば、カーボンビーズ、ガラスピーズ、アルミ
ナビーズ等の無機物質または金属アルミニウムビーズ、
金属ニッケルビーズ、鉄−コバルト合金ビーズ等の金属
物質またはプラスチックビーズの如き有機物質を用いる
ことができる。

本発明で用いる液晶材料として特に適したものは双安定
性を有する液晶であって、強誘電性を有するものであり
、具体的にはカイラルスメクティックＣ相（ＳｍＣＩｌ
相）、Ｈ相（ＳｍＨ７）、Ｉ相（Ｓｎ＋Ｉ”相）、Ｊ相
（ＳｍＪ”相）、Ｋ相（ＳｍＫ’相）、Ｇ相（ＳｍＧ”
相）またはＦ相（ＳｍＦゝ相）の液晶を用いることがで
きる。

この強誘電性液晶については、“ル・ジュールナル・ト
′・フィジーク・ルチール（”ＬＥ　ＪＯＵＲＮ八ＬＤ
ＥへＰＨＹＳＩＱＵＥ　ＬＥＴＴＥＲ５”　）　１９７
５年、３６（Ｌ−６９）号、「フェロエレクトリック・
リキッド・クリスタルスＪ　（’Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｉｃ　１ｉｑｕｉｄ　ＣｒｙｓｔａｌＳｊ）　；　“
アプライド・フィジックス・レターズじＡｐｐｌｉｅｄ
　ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ″）１９８０年、３
６（１１）号、［サブミクロ・セカンド・バイスティプ
ル・エレクトロオプチック・スイッチング・イン・リキ
ッド・クリスタルス（’Ｓｕｂｍｉｃｒ。

５ｅｃｏｎｄ　Ｂ１５ｔａｂｌｅ　Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐ
ｔｉｃ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　１ｎＬｉｑｕｉｄ　Ｃｒ
ｙｓｔａｌｓ　Ｊ　）　；　“固体物理”１９８１年、
１６　（１４１）号、「液晶」等に記載されており、本
発明においては、これらに開示された強誘電性液晶を使
用することができる。

強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（ＤＯＢＡＭＢＣ）　、ヘキシルオキシベンジリデン
−ｐ′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（）
ＩＯＢＡｃＰｃ　）、４−ｏ−（２−メチル）−ブチル
レゾルシリテン−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８
　）等が挙げられる。

これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
がカイラルスメクティック相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
ブロック等により支持することができる。

本発明に用いられる配向膜の材料としては、例えば、ポ
リビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステル、ポリカーボネートポリビニルアセタール
、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリ
スチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂
、アクリル樹脂等の樹脂類或いは感光性ポリイミド、感
光性ポリアミド、環化ゴム系フォトレジスト、フェノー
ルノボラック系フォトレジスト或いは電子線フォトレジ
スト（ポリメチルメタクリレート、エポキシ化−１，４
−ポリブタジェン等）等から選択して形成することがで
きる。

本発明に用いられる色素材料としては、アゾ系、アント
ラキノン系、フタロシアニン系、キナクリドン系、イソ
インドリノン系、ジオキサジン系、ペリレン系、ペリノ
ン系、チオインジゴ系、ピロコリン系、フルオルビン系
、キノフタロン系等が挙げられる。

（実施例） 以下実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。

第６図（ａ）〜（ｆ）はＲ，、Ｇ、　８３色の色画素の
形成工程を示す図である。まず、コーニング社の’７０
５９ガラス基板６１上にポジ型レジスト（商品名；　０
ＦＰＲ７７、東京応化製）をスピナーを用いて１，０μ
ｍの層厚に塗布し、レジスト層６２を設けた（第６図Ｃ
参照）。次に、所定のパターンマスク６３を用いてこれ
を露光しく第６図す参照）、叶ＰＲシリーズ専用現像液
によって現像して所定のストライブ形状を有するリフト
オフ用のパターン６２ａを形成した（第６図Ｃ参照）。

次に、ガラス基板６１のパターン形成面の全面を露光し
、更に不要なパターン部以外のレジスト残渣を酸素プラ
ズマ灰化処理によってガラス基板６１上から取り除いた
。

このようにして、リフトオフ用のパターン６２ａが形成
されたガラス基板６１を真空蒸着装置内の所定の位置に
配置し、蒸発源としてのモリブデンボートに蒸着用青色
素としてニッケルフタロシアニンを入れ、前者の蒸発温
度を４７０℃に調節し、ニッケルフタロシアニンを４，
５００人の厚さになるように基板６１のリフトオフ用パ
ターン形成面に蒸着することによって着色層６４を形成
した（第６図ｄ参照）。

このリフトオフ用パターン６２ａと着色層６４が形成さ
れている基板６１を叶ＰＲシリーズ専用現像液中に５分
間浸漬攪拌し、レジストパターン６２ａと共にこのパタ
ーン上に蒸着した着色層６４ａを基板から除去し、青色
ストライブフィルターを作製した（第６図ｅ参照）。

一方、緑色と赤色のストライプフィルターは第６図の（
ａ）〜（ｅ）の工程を緑返すことで得られる。

先ず、緑色の蒸着用色素として、鉛フタロシアニンを４
，５００人の厚さになるように蒸着し線層を形成した。

次に、赤色の蒸着用色素として、先ず赤色アントラキノ
ン染料を４，５００人の厚さになるように蒸着し赤色層
を形成した。

以上のようにして第６図（ｆ）に示すようにＢ、Ｇ、Ｒ
のカラーフィルターを形成することができた。

次に第１図（ａ）の保護膜１２として、ネガレジスト（
０ＤＯＲ東京応化）を塗布形成した。

次に第１図（ａ）に示すようにＩＴＯを５００人の厚さ
にスパッタリング法により成膜し、透明電極５とした。

この上に配向膜７として、ポリイミド形成溶液（日立化
成工業　’ＰＩＱＪ　）を３．００Ｏｒｐｍで回転する
スピンナーで塗布し、１５０℃３０分間加熱を行って２
，０００人のポリイミド被膜を形成した。しかる後に、
このポリイミド被膜表面をラビング処理した。また、ガ
ラス基板３の透明電極６および配向膜８も前記と同様に
形成した。

このようにして形成したカラーフィルター基板２と対向
する基板３を重ね、第１図（ｂ）に示すようにｋが１．
０μｍでｄが０．２３μｍの光散乱面を有するアルミナ
ビーズスペーサーを第１図（ａ）の如く配置して、内基
板を貼り合わせてセル組みし、強誘電性液晶を注入およ
び封止して液晶素子を得た。

そして偏光板１０と１１を貼り合わせて本発明の強誘電
性液晶素子とした。この強誘電性液晶素子をクロスニコ
ルの偏光顕微鏡で観察したところ、内部の液晶分子は配
向欠陥を生じていないことが確認された。

またカラーフィルターの反対側から蛍光灯を照射し、観
察者に至るこの強誘電性液晶素子の透過率を測定したと
ころ１６％であり、明るくコントラストが良い強誘電性
液晶素子であった。

（比較例） 実施例において表面が光散乱面でないスペーサーとして
、直径１．５μｍのアルミナビーズスペーサーを配置し
た以外は実施例と同様にして比較用の強誘電性液晶素子
を得た。

この強誘電性液晶素子をクロスニコルの偏光顕微鏡で観
察したところ、内部の液晶分子は第５図に示すような配
向欠陥を生じているのが観察された。また実施例と同様
にこの強誘電性液晶素子の透過率を測定したところ１０
％であり、暗くてコントラストが悪かった。

以上説明したように本発明により光散乱面を有するスペ
ーサーを強誘電性液晶素子に用いれば、光散乱面のない
スペーサーに比べ配向欠陥が無く、またスペーサーが目
立たず透過率も大きく、明るくてコントラストの良い強
誘電性液晶素子が提供される。

（効　果） 以上説明したように強誘電性液晶素子に使用するスペー
サー表面を凹凸状の光散乱面とすることで、次の如き効
果を奏する。

（１）スペーサーの凸部が液晶層と接する膜にくい込む
為に液晶層に段差が生ぜず、液晶分子の配向欠陥が発生
しない。

（２）液晶層の膜厚よりも大きなスペーサーが利用でき
る為粒径を揃え易く、製造コストが安くなる。

（３）スペーサー表面が光散乱面なので強誘電性液晶素
子に入射してくる光を有効に利用でき、透過率を向上す
ることができる為、明るくてコントラストに優れる。

（４）スペーサー表面で光を散乱するのでスペーサー自
体が目立たない。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明による強誘電性液晶素子の基本構
成を図解的に示す断面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）
のスペーサー周辺の拡大図、第２図および第３図は本発
明で用いる強誘電性液晶を模式的に表わした斜視図、第
４図は従来の強誘電性液晶素子の断面図、第５図は従来
の強誘電性液晶素子に現われた配向欠陥の状態を表わす
図、第６図（ａ）〜（ｆ）は本発明の強誘電性液晶素子
の色画素の形成工程を示す図である。 １．４０・・・カラー強誘電性液晶素子２．３．４２．
４３・・・基板 ４．４４・・・強誘電性液晶 ５．６．４５．４６−・・透明電極 ７．８．４７．４８・・・配向膜 ９．４９−・・スペーサー １０．１１．４１０．４１１−・・偏光板１２．４１２
−・・保護膜 １３．４１３−・・カラーフィルター層特許出願人　　
　キャノン株式会社 第１ａ図 第１ｂ図 第２図 第３図 第６図 ａ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 透明電極の形成された一対の平行基板間に強誘電性液晶
   層を配置し、少なくとも一方の透明電極と基板との間に
   カラーフィルターを有する強誘電性液晶素子において、
   カラーフィルター層上には厚さｄ＿１の保護膜と該保護
   膜上に厚さｄ＿２の透明導電膜と該透明導電膜上に厚さ
   ｄ＿３の配向膜が設けられており、カラーフィルターを
   有する基板と対向する他の基板との間の液晶層の厚みを
   制御するスペーサーの表面を凹凸形状の光散乱面とし、
   且つ該光散乱面の凸面の最上端から凹面の最下端までの
   距離をｄとしたとき、 ｄ＜ｄ＿１＋ｄ＿２＋ｄ＿３ となるようにスペーサーを液晶層に接する膜にめり込ま
   せたことを特徴とする強誘電性液晶素子。