JPS63163364A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
- G03G5/0683—Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、新規な電子写真感光体に関し、詳しくは特定
の分子構造を有するのジスアゾ顔料を光導電層中に含有
する電子写真感光体に関する。
の分子構造を有するのジスアゾ顔料を光導電層中に含有
する電子写真感光体に関する。
[従来の技術]
従来より、光導電性を示す顔料や染料については数多く
の文献などで発表されている。
の文献などで発表されている。
例えば、” RCA Review” Vol、23
、 P、413〜P、419 (1962,9)ではフ
タロシアニン顔料の光導電性についての発表がされてお
り、またこのフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光
体が米国特許第3397086号公報や米国特許第38
16118号公報などに記載されている。その他に、電
子写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国
特許第4315983号公報、米国特許第432716
9号公報や”Re+eachDisclosure”2
0517 (1981,5)に記載されているビリリウ
ム系染料、米国特許第3824099号公報に記載され
ているスクエアリック酸メチン染料、米国特許第389
8084号公報、米国特許第4251613号公報など
に記載されたジスアゾ顔料などが挙げられる。
、 P、413〜P、419 (1962,9)ではフ
タロシアニン顔料の光導電性についての発表がされてお
り、またこのフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光
体が米国特許第3397086号公報や米国特許第38
16118号公報などに記載されている。その他に、電
子写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国
特許第4315983号公報、米国特許第432716
9号公報や”Re+eachDisclosure”2
0517 (1981,5)に記載されているビリリウ
ム系染料、米国特許第3824099号公報に記載され
ているスクエアリック酸メチン染料、米国特許第389
8084号公報、米国特許第4251613号公報など
に記載されたジスアゾ顔料などが挙げられる。
このような有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つような化合物として合成することができ、このような
有機半導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感
光体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、
感度および耐久性において問題を有している。
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つような化合物として合成することができ、このような
有機半導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感
光体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、
感度および耐久性において問題を有している。
〔発明が解決しようとする問題点J
本発明の目的は新規な光導電性材料を提供すること、現
在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能で
あり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安定
な電位特性を有する電子写真感光体を提供することにあ
る。
在するすべての電子写真プロセスにおいても使用可能で
あり、実用的な高感度特性と繰り返し使用における安定
な電位特性を有する電子写真感光体を提供することにあ
る。
E問題点を解決する手段、作用1
本発明は、光導電層を有する電子写真感光体において、
光導電層に下記一般式 (1)で示されるジスアゾ顔料
を含有することを特徴とする電子写真感光体から構成さ
れる。
光導電層に下記一般式 (1)で示されるジスアゾ顔料
を含有することを特徴とする電子写真感光体から構成さ
れる。
一般式(1)
式中、R,、R2、R3およびR4は水素原子あるいは
電子吸引性基を示し、R5およびR6は水素原子あるい
は置換基を有してもよいアルキル基、7ラルキル基ある
いはアリール基を示し、もしくはR5,Reにより置換
もしくは無置換の環状炭化水素基、炭素環式芳香族環基
あるいは複素環式芳香族環基を形成する基を示し、Aお
よびAoはフェノール性水酸基を有するカプラー残基を
示し、A、A’は同じであっても異なっていてもよく、
Ar1 、Ar2 、Ar3およびAr4は置換もしく
は無置換の炭素環式芳香族環基あるいは複素環式芳香族
環基を示し、Ar1.Ar2 。
電子吸引性基を示し、R5およびR6は水素原子あるい
は置換基を有してもよいアルキル基、7ラルキル基ある
いはアリール基を示し、もしくはR5,Reにより置換
もしくは無置換の環状炭化水素基、炭素環式芳香族環基
あるいは複素環式芳香族環基を形成する基を示し、Aお
よびAoはフェノール性水酸基を有するカプラー残基を
示し、A、A’は同じであっても異なっていてもよく、
Ar1 、Ar2 、Ar3およびAr4は置換もしく
は無置換の炭素環式芳香族環基あるいは複素環式芳香族
環基を示し、Ar1.Ar2 。
Ar3.Ar4は同じであっても異なっていてもよい。
具体的には、R1−R4における電子吸引性基としては
ツヤ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハ
ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基などが挙げられる。
ツヤ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハ
ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基などが挙げられる。
R5およびR6はメチル、エチル、プロピル。
イソプロピル、ブチル、S−ブチル、t−ブチル、フェ
ニル、P−トルイル、ベンジルなどの基が挙げられ、さ
らに置換基としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、
:Iつ素原子などのハロゲン原子、メチル、エチル、プ
ロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ
基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベ
ンジルアミノ、ジフェニルアミ/またはモルホリノ、ピ
ペリジノ、ピロリジノなどの置換アミノ基などが挙げら
れる。
ニル、P−トルイル、ベンジルなどの基が挙げられ、さ
らに置換基としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、
:Iつ素原子などのハロゲン原子、メチル、エチル、プ
ロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ
基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベ
ンジルアミノ、ジフェニルアミ/またはモルホリノ、ピ
ペリジノ、ピロリジノなどの置換アミノ基などが挙げら
れる。
AおよびAoのフェノール性水酸基を有するカプラー残
基のより好ましい具体例には、下記一般式(2)〜(8
)で示される残基が挙げられる。
基のより好ましい具体例には、下記一般式(2)〜(8
)で示される残基が挙げられる。
一般式
式中、xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アント
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフェニレ
ンサルファイド環などの多環芳香環あるいは複素環を形
成するに必要な残基を示す。
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフェニレ
ンサルファイド環などの多環芳香環あるいは複素環を形
成するに必要な残基を示す。
Xの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。
R7およびR8は水素原子、置換基を有してもよいアル
キル基、アリール、アラルキル基、複素環基ないしはR
7、R8の結合する窒素原子と共に環状アミノ基を示す
。
キル基、アリール、アラルキル基、複素環基ないしはR
7、R8の結合する窒素原子と共に環状アミノ基を示す
。
アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピル
、ブチルなと、アラルキル基の具体例としてはベンジル
、フェネチル、ナフチルメチルなど、アリール基の具体
例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリ
ルなど、複素環基の具体例としてはカルバゾール、ジベ
ンゾフラン。
、ブチルなと、アラルキル基の具体例としてはベンジル
、フェネチル、ナフチルメチルなど、アリール基の具体
例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリ
ルなど、複素環基の具体例としてはカルバゾール、ジベ
ンゾフラン。
チアゾール、ピリジンなどが挙げられる。
一般式 Rヲ
式中、 Rs 、 Rloは水素原子、置換基を有し
てもよいアルキル基、アリール基あるいは7ラルキル基
示す、 Rs 、 RIOの具体例は前記R7,Rrと
同じ例によって示される。
てもよいアルキル基、アリール基あるいは7ラルキル基
示す、 Rs 、 RIOの具体例は前記R7,Rrと
同じ例によって示される。
一般式(2)〜(4)中の置換基R7〜Rtoの示すア
ルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、
複素環基は、さらに他の置換基例えばフッ素原子、塩素
原子、ヨウ素原子、臭素原子なトノハロゲン原子、メチ
ル、エチル、プロピル、インプロピル、ブチルなどのア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキ
シなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基などに
より置換されていてもよい。
ルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、
複素環基は、さらに他の置換基例えばフッ素原子、塩素
原子、ヨウ素原子、臭素原子なトノハロゲン原子、メチ
ル、エチル、プロピル、インプロピル、ブチルなどのア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキ
シなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基などに
より置換されていてもよい。
υH
、−Y−・、
式中Yは芳香族炭化水素の2価の基あるいは窒素原子を
環内に含む複素環の2価の基を示し、芳香族炭化水素の
2価の基としては0−フェニレンなどの単環芳香族炭化
水素の2価の基、0−ナフチレン、ペリナフチレン、l
、2−アンスリレン、9.10−フェナンスリレンなど
の縮合多環芳香族炭化水素の2価の基が挙げられ、窒素
原子を環内に含むヘテロ環の2価の基としては、3,4
−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル基、4
.5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾールジイ
ル基、6,7−キラリンジイル基などの2価の基が挙げ
られる。
環内に含む複素環の2価の基を示し、芳香族炭化水素の
2価の基としては0−フェニレンなどの単環芳香族炭化
水素の2価の基、0−ナフチレン、ペリナフチレン、l
、2−アンスリレン、9.10−フェナンスリレンなど
の縮合多環芳香族炭化水素の2価の基が挙げられ、窒素
原子を環内に含むヘテロ環の2価の基としては、3,4
−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジイル基、4
.5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾールジイ
ル基、6,7−キラリンジイル基などの2価の基が挙げ
られる。
一般式
式中、R11は置換基を有してもよいアリール基あるい
は複素環基を示し、具体的にはフェニル、ナフチル、ア
ンスリル、ピレニル、ピリジル、チェニル、フリル、カ
ルバゾリル基を示す、さらにアリール基、複素環基の置
換基としては、フッ素原子、+jX素原子、ヨウ素原子
、臭素原子などのハロゲン原子、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなどのアルコキ
シ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジ
ルアミノ、ジフェニルアミ/1モルホリノ、ピペリジノ
、ピロリジノなど置換アミノ基が挙げられる。
は複素環基を示し、具体的にはフェニル、ナフチル、ア
ンスリル、ピレニル、ピリジル、チェニル、フリル、カ
ルバゾリル基を示す、さらにアリール基、複素環基の置
換基としては、フッ素原子、+jX素原子、ヨウ素原子
、臭素原子などのハロゲン原子、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなどのアルコキ
シ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジ
ルアミノ、ジフェニルアミ/1モルホリノ、ピペリジノ
、ピロリジノなど置換アミノ基が挙げられる。
Xは前記一般式(2)中の又と同義である。
式中、R12およびR13は置換基を有してもよいアル
キル基、アリール基、アラルキル基あるいは複素環基を
示し、具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニル、ジ
フェニル、ナフチル、アンスリル、カルバゾール、ジベ
ンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール、
チアゾール、ピリジンを示し、さらに、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基、複素環基の置換基としては、
フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シ
アン基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニ
ルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置
換アミノ基が挙げられる。
キル基、アリール基、アラルキル基あるいは複素環基を
示し、具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニル、ジ
フェニル、ナフチル、アンスリル、カルバゾール、ジベ
ンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール、
チアゾール、ピリジンを示し、さらに、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基、複素環基の置換基としては、
フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、フェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シ
アン基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニ
ルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなど置
換アミノ基が挙げられる。
Xは前記一般式(2)中のXと同義である。
一般式(1)中c7)Ar1.Ar2 、Ar3および
Ar4は具体的にはフェニル、ナフチル、アンスリルな
どの炭素環式芳香族環基あるいはフリル、ピロイル、チ
ェニル、ピリジル、ピラジニルなどの複素環式芳香族環
基が挙げられ、置換基としてはフッ素原子、塩素原子、
ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル
基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなど
のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ
、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、
ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基が挙げられる
。
Ar4は具体的にはフェニル、ナフチル、アンスリルな
どの炭素環式芳香族環基あるいはフリル、ピロイル、チ
ェニル、ピリジル、ピラジニルなどの複素環式芳香族環
基が挙げられ、置換基としてはフッ素原子、塩素原子、
ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル
基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシなど
のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ
、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、
ピペリジノ、ピロリジノなど置換アミノ基が挙げられる
。
次に本発明に用゛いられるジスアゾ顔料の一般的な製法
について説明する。
について説明する。
一般式(1)で示されるジスアゾ顔料でAおよびAoが
同一である場合は下記一般式(9)で示されるジアミン
を亜硝酸ソーダまた−はニトロシル硫酸などの常法によ
りテトラゾニウム塩とし。
同一である場合は下記一般式(9)で示されるジアミン
を亜硝酸ソーダまた−はニトロシル硫酸などの常法によ
りテトラゾニウム塩とし。
カプラー成分であるA、A’と水系カップリングを行な
うか、あるいは得られたテトラゾニウム塩をホウフッ化
塩などの安定な塩として取り出したのち、DMFなどの
有機溶剤中でカップリングを行なうことで合成でき、A
、A’が異なる場合はカップリング反応の際、まず第一
のカプラー成分とカップリングを行ない七ノアゾ体とし
たのち。
うか、あるいは得られたテトラゾニウム塩をホウフッ化
塩などの安定な塩として取り出したのち、DMFなどの
有機溶剤中でカップリングを行なうことで合成でき、A
、A’が異なる場合はカップリング反応の際、まず第一
のカプラー成分とカップリングを行ない七ノアゾ体とし
たのち。
第二のカプラー成分とカップリングを行ないジスアゾ顔
料とするか、もしくは2個のカプラー成分を混合してカ
ップリング反応に付して合成することができるが、確実
に非対称顔料を得るためには前者の方法が好ましい。
料とするか、もしくは2個のカプラー成分を混合してカ
ップリング反応に付して合成することができるが、確実
に非対称顔料を得るためには前者の方法が好ましい。
以下に本発明の一般式(1)で示されるジスアゾH料の
代表的な具体例を列挙する。
代表的な具体例を列挙する。
例示顔料(1)
例示顔料(2)
例示顔料(3)
例示顔料(0
例示顔料(5)
例示顔料(lO)
例示顔料(11)
例示顔料(16)
例示顔料(20)
例示顔料(21)
例示顔料(23)
例示顔料(24)
例示顔料(28)
例示顔料(27)
例示顔料(28)
例示顔料(30)
例示顔料(32)
例示顔料(33)
例示顔料(35)
例示顔料(36)
例示顔料(38)
例示顔料(39)
例示顔料(40)
例示顔料(41)
例示顔料(44)
例示顔料(45)
例示顔料(47)
例示顔料(48)
例示顔料(50)
例示顔料(51)
上記具体例で示したジスアゾ顔料は本発明の特許請求の
範囲を限定するものではない。
範囲を限定するものではない。
前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従
って下達する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。
って下達する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。
即ち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述のジ
スアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あるい
は適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成するこ
とにより電子写真感光体を作成することができる。
スアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あるい
は適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成するこ
とにより電子写真感光体を作成することができる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
電荷発生層は、十分な吸光分を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、かつ発生
した電荷キャリアの飛程を短くするため薄膜層、例えば
5JLm以下、好ましくは0.01〜lpmの膜厚をも
つ薄膜層とすることが好ましい。
多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、かつ発生
した電荷キャリアの飛程を短くするため薄膜層、例えば
5JLm以下、好ましくは0.01〜lpmの膜厚をも
つ薄膜層とすることが好ましい。
このことは入射光線の大部分が電荷発生層で吸収されて
多く電荷キャリアを生成すること、さらに発生したキャ
リアを再結合や捕獲(トラップ)により失活することな
く電荷輸送層に注入する必要があることに起因している
。
多く電荷キャリアを生成すること、さらに発生したキャ
リアを再結合や捕獲(トラップ)により失活することな
く電荷輸送層に注入する必要があることに起因している
。
電荷発生層は、前記ジスアゾ顔料を適当なバインダーに
分散させ、これを基体の上に塗工することによって形成
でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成することに
よって得ることができる。
分散させ、これを基体の上に塗工することによって形成
でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成することに
よって得ることができる。
電荷発生層を塗工によって形成する際に用い得るバイン
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリビニル7ントテセンや
ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択
できる。好ましくはポリビニルブチラール、ボリアリレ
ート(ビスフェノールAとフタル酸の縮重合体など)、
ポリヵ−ボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポ
リ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポ
リアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ポ
リウレタン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアル
コール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げ
ることができる。
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリビニル7ントテセンや
ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択
できる。好ましくはポリビニルブチラール、ボリアリレ
ート(ビスフェノールAとフタル酸の縮重合体など)、
ポリヵ−ボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポ
リ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポ
リアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ポ
リウレタン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアル
コール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げ
ることができる。
電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好ま
しくは40重量%以下が適している。
しくは40重量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。
なり、また後述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。
具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノール、
イソプロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N
、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセト
アミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチ
レングリコール七ツメチルエーテルなどのエーテル類、
酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン。
イソプロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N
、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセト
アミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのス
ルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチ
レングリコール七ツメチルエーテルなどのエーテル類、
酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン。
キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロル
ベンゼンなどの芳香族炭化水素類など用いることができ
る。
ベンゼンなどの芳香族炭化水素類など用いることができ
る。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
などのコーティング法を用いて行なうことができる。
などのコーティング法を用いて行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾保する方法が
好ましい、加熱乾燥は、30〜200℃の温度で5分〜
2時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこと
ができる。
好ましい、加熱乾燥は、30〜200℃の温度で5分〜
2時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこと
ができる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、また
その下に積層されていてもよい。
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、また
その下に積層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸送
物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質があり、
電子輸送性物質としてはクロルアニル、ブロモアニル、
テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2
,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン、2,4,5
.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4.7−
)!Jニトロー9−ジシアノメチレンフルオレノン、2
゜4.5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜8−
トリニドロチオキサントンなどの電子吸引性物質やこれ
ら電子吸引性物質を高分子化したものなどがある。
物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質があり、
電子輸送性物質としてはクロルアニル、ブロモアニル、
テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2
,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン、2,4,5
.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4.7−
)!Jニトロー9−ジシアノメチレンフルオレノン、2
゜4.5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜8−
トリニドロチオキサントンなどの電子吸引性物質やこれ
ら電子吸引性物質を高分子化したものなどがある。
正孔輸送性物質としてはピレン、N−エチルカルバゾー
ル、N−インプロピルカルバゾール、N−メチルーN−
フェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカル
バゾール、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−9−エチルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒ
ドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−
10−エチルフェノキサジン、p−ジエチルアミノベン
ズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジ
エチルアミノベンズアルデヒド−N−α−ナフチル−N
−フェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアルデヒ
ドーN、N−ジフェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン類
、2.5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール、l−フェニル−5−(p−
ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−[キノリル(2)]−2−
(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピリジル(2)]
−5−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジ
エチルアミノフェニル)ピラゾリン、l−フェニル−5
−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−3−
(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェ
ニル−5−(α−ベンジル−p−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン
、スピロピラゾリンなどのピラプリン類、2−(p−ジ
エチルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンズオ
キサゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−4
−(p−ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロ
フェニル)オキサゾールなどのオキサゾール系化合物、
2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルア
ミノベンゾチアゾールなどのチアゾール系化合物、ビス
(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニ
ルメタンなどのトIJ 71J −ルメタン系化合物、 1.1−ビス(4−N、N−ジエチルアミノ−2−メチ
ルフェニル)へブタン、1,1,2.2−テトラキス(
4−N、N−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)エ
タンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニルアミ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン
、ポリビニル7ントラセン、ポリビニルアクリジン、ポ
リ−9−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデヒ
ド樹脂などがある。
ル、N−インプロピルカルバゾール、N−メチルーN−
フェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカル
バゾール、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリ
デン−9−エチルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒ
ドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフェノチアジ
ン、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−
10−エチルフェノキサジン、p−ジエチルアミノベン
ズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジ
エチルアミノベンズアルデヒド−N−α−ナフチル−N
−フェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアルデヒ
ドーN、N−ジフェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン類
、2.5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール、l−フェニル−5−(p−
ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−[キノリル(2)]−2−
(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピリジル(2)]
−5−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジ
エチルアミノフェニル)ピラゾリン、l−フェニル−5
−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−3−
(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェ
ニル−5−(α−ベンジル−p−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン
、スピロピラゾリンなどのピラプリン類、2−(p−ジ
エチルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンズオ
キサゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−4
−(p−ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロ
フェニル)オキサゾールなどのオキサゾール系化合物、
2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルア
ミノベンゾチアゾールなどのチアゾール系化合物、ビス
(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニ
ルメタンなどのトIJ 71J −ルメタン系化合物、 1.1−ビス(4−N、N−ジエチルアミノ−2−メチ
ルフェニル)へブタン、1,1,2.2−テトラキス(
4−N、N−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)エ
タンなどのポリアリールアルカン類、トリフェニルアミ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン
、ポリビニル7ントラセン、ポリビニルアクリジン、ポ
リ−9−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデヒ
ド樹脂などがある。
この有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−テルル、
アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機材料
も用いることができる。
アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機材料
も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は1種または2種以上組合
せて用いることができる。
せて用いることができる。
電荷輸送物質に成膜性を有していないときには適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は。
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は。
例えばアクリル樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリル−
スチレンコポリマー、アクリロニトリル−ブタジェンコ
ポリマー、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリスルホン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、
塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリ−N−ビニル
カルバゾールポリビニルアントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーが挙げられる。
ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリル−
スチレンコポリマー、アクリロニトリル−ブタジェンコ
ポリマー、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリスルホン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、
塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリ−N−ビニル
カルバゾールポリビニルアントラセン、ポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーが挙げられる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般的
には5〜30pmであるが、好ましい範囲は8〜20p
mである。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、
前述したような適当なコーティング法を用いることがt
きる。
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない、一般的
には5〜30pmであるが、好ましい範囲は8〜20p
mである。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、
前述したような適当なコーティング法を用いることがt
きる。
このような電荷発生層と電荷輸送層のa層構造からなる
感光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電
層を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの
、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、
ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン
、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられる。
感光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電
層を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの
、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、
ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン
、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられる。
その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック
(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリ
フッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えばカーボンブ
ラック、銀粒子など)を適当なバインダーとともにプラ
スチックの上に被覆した基体、導電性粒子をプラスチッ
クや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有するプラス
チックなどを用いることができる。
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック
(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリ
フッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えばカーボンブ
ラック、銀粒子など)を適当なバインダーとともにプラ
スチックの上に被覆した基体、導電性粒子をプラスチッ
クや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有するプラス
チックなどを用いることができる。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層はカゼイン、ポ
リビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−ア
クリル酸コポリマー、ポリアミド(ナイロン6、ナイロ
ン66、ナイロン610、共重合ナイロン、フルコキシ
メチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン、酸
化アルミニウムなどによって形成できる。下引層の膜厚
は0.1〜5pm、好ましくは0.5〜3ILmが適当
である。
つ下引層を設けることもできる。下引層はカゼイン、ポ
リビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−ア
クリル酸コポリマー、ポリアミド(ナイロン6、ナイロ
ン66、ナイロン610、共重合ナイロン、フルコキシ
メチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン、酸
化アルミニウムなどによって形成できる。下引層の膜厚
は0.1〜5pm、好ましくは0.5〜3ILmが適当
である。
導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を性に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、表面に
到達して正電荷を中和し1表面型位の減衰が゛生じ、未
露光部との間に静電コントラストが生じる。
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を性に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、表面に
到達して正電荷を中和し1表面型位の減衰が゛生じ、未
露光部との間に静電コントラストが生じる。
このようにしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで現
像すれば、可視像が得られる。
像すれば、可視像が得られる。
これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラス
チックフィルムなどに転写後、現像し定着することがで
きる。
チックフィルムなどに転写後、現像し定着することがで
きる。
一方電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を中和
し1表面型位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いたと
きとは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に到達して負電荷を中和
し1表面型位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いたと
きとは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
導電層、電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した電子写
真感光体を使用する場合において、電荷輸送物質が電子
輸送性物質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電
する必要があり、帯電後露光すると、露光部では電荷発
生層において生成した電子は電荷輸送層に注入され、そ
の後基体に達する。一方電荷発生層において生成した正
孔は表面に到達し1表面型位の減衰が生じ、未露光部と
の間に静電コントラストが生じる。このようにしてでき
た静電潜像を正荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するかあるいはトナー像を紙や
プラスチックフィルムなどに転写後現像し定着すること
ができる。
真感光体を使用する場合において、電荷輸送物質が電子
輸送性物質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電
する必要があり、帯電後露光すると、露光部では電荷発
生層において生成した電子は電荷輸送層に注入され、そ
の後基体に達する。一方電荷発生層において生成した正
孔は表面に到達し1表面型位の減衰が生じ、未露光部と
の間に静電コントラストが生じる。このようにしてでき
た静電潜像を正荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するかあるいはトナー像を紙や
プラスチックフィルムなどに転写後現像し定着すること
ができる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方電荷発生層が正孔輸送物質からなるときは電荷発生
層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると、
露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷輸送
層に注入され、その後基体に達する。一方電荷発生層に
おいて生成した電子は表面に到達し、表面電位の減衰が
生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる。現
像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負荷電性
トナーを用いる必要がある。
層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると、
露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷輸送
層に注入され、その後基体に達する。一方電荷発生層に
おいて生成した電子は表面に到達し、表面電位の減衰が
生じ、未露光部との間に静電コントラストが生じる。現
像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負荷電性
トナーを用いる必要がある。
また本発明の別の具体例では前述のヒドラゾン類、ピラ
ゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリアリー
ルメタン類、ボリアリールアルカン類、トリフェニルア
ミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール類など有機光導電
性物質や酸化亜鉛。
ゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリアリー
ルメタン類、ボリアリールアルカン類、トリフェニルア
ミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール類など有機光導電
性物質や酸化亜鉛。
硫化カドミウム、セレンなどの無機光導電性物質の増感
剤として前記一般式(1)で示されるのジスアゾ顔料を
含有させた感光被膜とすることができる。この感光被膜
は、これらの光導電性物質と前記トリスアゾ顔料をバイ
ンダーと共に塗工によって被nλ形成される。さらに本
発明の別の具体例として、前述の一般式(1)で示され
るジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有さ
せた電子写真感光体を挙げることができる。この際、前
述の電荷輸送物質の他にポリ−N−ビニルカルバゾール
とトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯化合物を
用いることができる。
剤として前記一般式(1)で示されるのジスアゾ顔料を
含有させた感光被膜とすることができる。この感光被膜
は、これらの光導電性物質と前記トリスアゾ顔料をバイ
ンダーと共に塗工によって被nλ形成される。さらに本
発明の別の具体例として、前述の一般式(1)で示され
るジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有さ
せた電子写真感光体を挙げることができる。この際、前
述の電荷輸送物質の他にポリ−N−ビニルカルバゾール
とトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯化合物を
用いることができる。
この例の電子写真感光体は、前述のジスアゾ類。
料と電荷移動錯化合物をテトラヒドロフランに溶解され
たポリエステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて
作成できる。
たポリエステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて
作成できる。
いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般式
(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも
1種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても
結晶質であってもよい。
(1)で示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも
1種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても
結晶質であってもよい。
また必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用し
感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を
得るなどの目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔料
を2種類以上組合せたり、または公知の染料顔料から選
ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能であ
る。
感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を
得るなどの目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔料
を2種類以上組合せたり、または公知の染料顔料から選
ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能であ
る。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンター、CRTプリンター、L
EDプリンター、液晶プリンター、レーザー製版などの
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
みならず、レーザープリンター、CRTプリンター、L
EDプリンター、液晶プリンター、レーザー製版などの
電子写真応用分野にも広く用いることができる。
[実施例]
実施例1〜25
アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2%、アンモニア水1g、水22zI1文)をマイ
ヤーバーで乾燥後の膜厚が 1.0μmとなるように塗
布し乾燥した。
1.2%、アンモニア水1g、水22zI1文)をマイ
ヤーバーで乾燥後の膜厚が 1.0μmとなるように塗
布し乾燥した。
次に、前記例示顔料(1)の5gをエタノール95+J
Lにブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2g
を溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散した。こ
の分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚
が0.5gmとなるようにマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層をのヒドラゾン化合物5gとポリメチルメ
タクリレート(数平均分子量10万)5gをベンゼン7
0m文に溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚
が12pmとなるようにマイヤーバーで塗布し乾燥して
電荷輸送層を形成し、実施例1の電子写真感光体を作成
した。 例示顔料(1)、に代え他の例示顔料を用い実
施例2〜25に対応する電子写真感光体を全く同様にし
て作成した。
Lにブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2g
を溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散した。こ
の分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚
が0.5gmとなるようにマイヤーバーで塗布し乾燥し
て電荷発生層をのヒドラゾン化合物5gとポリメチルメ
タクリレート(数平均分子量10万)5gをベンゼン7
0m文に溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚
が12pmとなるようにマイヤーバーで塗布し乾燥して
電荷輸送層を形成し、実施例1の電子写真感光体を作成
した。 例示顔料(1)、に代え他の例示顔料を用い実
施例2〜25に対応する電子写真感光体を全く同様にし
て作成した。
このようにして作成した電子写真感光体を静電複写紙試
験装置(SP−428)を用いてスタチック方式で一3
KVでコロナ帯電し、暗所で1秒間保持した後、照度2
ルツクスで露光し、帯電特性を調べた。
験装置(SP−428)を用いてスタチック方式で一3
KVでコロナ帯電し、暗所で1秒間保持した後、照度2
ルツクスで露光し、帯電特性を調べた。
帯電特性としては表面電位(Vo )と1秒間暗減衰さ
せた時の電位をl/2に減衰するに必要な露光量(El
/2)を測定した。結果を示す。
せた時の電位をl/2に減衰するに必要な露光量(El
/2)を測定した。結果を示す。
t ・V −V El/2 1uxsec1
(1) 600 3.02 (2)
650 2.33 (4) 600
2.44 (7) 610 2.55
(8) slo 3.Os (
io)6oo 3.57 (12) 6
00 3.78 (14) 600 j
、09 (1B) 610 3.410
(17) 590 3.411 (
18) 600 3.012 (21)
610 2.813 (22)
600 2.914 (23)
600 2.515 (24)
610 2.516 (2B)
590 3.017 (27)
sho 2.718 (30)
600 3.219 (38)
610 2.020 (37)
590 3.521 (40)
600 3.822 (41)
590 3.523 (44)
800 4.024 (45)
600 3.025 (50)
610 3.3さらに、実施例2.8.9
.12.13で使用した電子写真感光体を使用して、繰
り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した。
(1) 600 3.02 (2)
650 2.33 (4) 600
2.44 (7) 610 2.55
(8) slo 3.Os (
io)6oo 3.57 (12) 6
00 3.78 (14) 600 j
、09 (1B) 610 3.410
(17) 590 3.411 (
18) 600 3.012 (21)
610 2.813 (22)
600 2.914 (23)
600 2.515 (24)
610 2.516 (2B)
590 3.017 (27)
sho 2.718 (30)
600 3.219 (38)
610 2.020 (37)
590 3.521 (40)
600 3.822 (41)
590 3.523 (44)
800 4.024 (45)
600 3.025 (50)
610 3.3さらに、実施例2.8.9
.12.13で使用した電子写真感光体を使用して、繰
り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した。
方法としては、−5,6KVのコロナ帯電器、露光光学
系、現像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリナ
ーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り
付けた。この複写機はシリング−の駆動に伴い、転写紙
上に画像が得られる構成になっている。
系、現像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリナ
ーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り
付けた。この複写機はシリング−の駆動に伴い、転写紙
上に画像が得られる構成になっている。
この複写機を用いて初期の明部電位(VL )と暗部電
位(Vo )をツレぞfl−100V、−6O0v付近
に設定し、5.000回使用した後の明部電位(VL
)と暗部電位(Vo )を測定した。
位(Vo )をツレぞfl−100V、−6O0v付近
に設定し、5.000回使用した後の明部電位(VL
)と暗部電位(Vo )を測定した。
この結果を示す。
12 600 Zoo 612 108実施例
26 実施例2で形成した電荷発生層の上に2.4゜7−ドリ
ニトロー9−フルオレノン5gとポリ−4,4−ジオキ
シジフェニル−2,2−プロパンカーボネート(分子量
30万)5gをテトラヒドロフラン70rrrlに溶解
してFA製した塗布液を、乾燥後の塗工量が10g/m
2となるように塗布して乾燥した。
26 実施例2で形成した電荷発生層の上に2.4゜7−ドリ
ニトロー9−フルオレノン5gとポリ−4,4−ジオキ
シジフェニル−2,2−プロパンカーボネート(分子量
30万)5gをテトラヒドロフラン70rrrlに溶解
してFA製した塗布液を、乾燥後の塗工量が10g/m
2となるように塗布して乾燥した。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電測定を行なった。このときの帯電極性は十とし
た。結果を示す。
法で帯電測定を行なった。このときの帯電極性は十とし
た。結果を示す。
VQ :+600V、
El/2 : 3.8fLux、sec実施例27
アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚0.5gmのポリビニルアルコールの被膜
を形成した0次に実施例2で用いたジスアゾ顔料の分散
液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後
の膜厚が0.5gmとなるようにマイヤーバーで塗布し
乾燥して電荷発生層を形成した。
ミ面上に膜厚0.5gmのポリビニルアルコールの被膜
を形成した0次に実施例2で用いたジスアゾ顔料の分散
液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後
の膜厚が0.5gmとなるようにマイヤーバーで塗布し
乾燥して電荷発生層を形成した。
のピラゾリン化合物5gとボリアリレート(ビスフェノ
ールAとテレフタル酸−インフタル酸の縮重合体)5g
をテトラヒドロフラン70m1に溶解した液を電荷発生
層の上に乾燥後の膜厚が10pmとなるように塗布し乾
燥して電荷輸送層を形成した。こうして作成した感光体
の帯電特性および耐久特性を実施例1と同様の方法によ
って測定した。結果を示す。
ールAとテレフタル酸−インフタル酸の縮重合体)5g
をテトラヒドロフラン70m1に溶解した液を電荷発生
層の上に乾燥後の膜厚が10pmとなるように塗布し乾
燥して電荷輸送層を形成した。こうして作成した感光体
の帯電特性および耐久特性を実施例1と同様の方法によ
って測定した。結果を示す。
vow−645V、
E 1 / 2 : 2 、5 見u X 、 S e
c耐久特性 初期 V D : −600V 、 V L : −1
00V5千枚耐久後 VDニー603V、VL ニー103V上記の結果のと
おり、感度も良好で、耐久使用時の電位安定性も良好で
ある。
c耐久特性 初期 V D : −600V 、 V L : −1
00V5千枚耐久後 VDニー603V、VL ニー103V上記の結果のと
おり、感度も良好で、耐久使用時の電位安定性も良好で
ある。
実施例28
厚さ100gmのアルミ板上にカゼインのアンモニア水
溶液を塗布し乾燥して0.5gmの下引層を形成した。
溶液を塗布し乾燥して0.5gmの下引層を形成した。
次に2.4.7−ドリニトロー9−フルオレノン5gと
ポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量30万)
5gをテトラヒドロフランの701!又に溶解して電荷
移動錯化合物を調製した。
ポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量30万)
5gをテトラヒドロフランの701!又に溶解して電荷
移動錯化合物を調製した。
この電荷移動錯化合物と前記例示顔料(50)の1gを
ポリエステル5gをテトラヒドロフラン70 量文に溶
解した液に加え分散した。この分散液を下引層の上に塗
布し乾燥して膜厚12ILmとした。
ポリエステル5gをテトラヒドロフラン70 量文に溶
解した液に加え分散した。この分散液を下引層の上に塗
布し乾燥して膜厚12ILmとした。
作成した電子写真感光体の帯電特性を実施例1と同様の
方法により測定した。但し、帯電極性は十とした。結果
を示す。
方法により測定した。但し、帯電極性は十とした。結果
を示す。
VO:+580V。
El/2 : 3.91uX、5eC
実施例29
実施例28で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカ
ゼイン層上に実施例13と同様の電荷輸送層と電荷発生
層を順次積層し、層構成を相違する他は同様にして感光
体を作成した。
ゼイン層上に実施例13と同様の電荷輸送層と電荷発生
層を順次積層し、層構成を相違する他は同様にして感光
体を作成した。
実施例1と同様の方法で帯電特性を測定した。
但し、帯電極性は十とした。
VO:+610V、
El/2: 3.51ux、sec
実施例30
実施例25[例示顔料(50)]で用いた感光体を、7
80nmに発振波長をもつ半導体レーザーにより露光し
たところ、780nmにおける分光感度は2.07tJ
/cm2(半減露光量)であった。
80nmに発振波長をもつ半導体レーザーにより露光し
たところ、780nmにおける分光感度は2.07tJ
/cm2(半減露光量)であった。
次に、この感光体をレーザービームプリンター(LBP
−CX)のドラム上に形成して実写テストを行なったと
ころ、カブリのない良好な画像が得られた。またこれは
1万回緑り返しても変ることはなかった。
−CX)のドラム上に形成して実写テストを行なったと
ころ、カブリのない良好な画像が得られた。またこれは
1万回緑り返しても変ることはなかった。
実施例31〜34
実施例30において使用したジスアゾ顔料に代えて例示
顔料(37)、(41)、(45)および(52)のジ
スアゾ顔料を使用した他は同様にしてドラム状の感光体
を作成した。
顔料(37)、(41)、(45)および(52)のジ
スアゾ顔料を使用した他は同様にしてドラム状の感光体
を作成した。
それぞれの感光体の780nmにおける分光感度は次の
とおりであった。
とおりであった。
六 ’ −% J/C,2
31(37) 1.2 32 (41) 1.333
(45) 2.034 (
52) 2.5次に実施例30と同様にし
て実写テストを行なったところ、カブリのない画像が得
られ、これは1万回繰り返しても変化はなかった。
31(37) 1.2 32 (41) 1.333
(45) 2.034 (
52) 2.5次に実施例30と同様にし
て実写テストを行なったところ、カブリのない画像が得
られ、これは1万回繰り返しても変化はなかった。
[発明の効果]
本発明の電子写真感光体は、特定のジスアゾ顔料を感光
層に用いることにより、当該のジスアゾ顔料を含む感光
層内部におけるキャリア発生効率ないしはキャリア輸送
効率のいずれか一方ないし双方が良くなることが推定さ
れ、高感度で耐久使用時における電位安定性の優れたも
のであり、また半導体レーザーの発振波長域においても
高感度でカプリのない良好な画像が得られるという顕著
な効果を奏する。
層に用いることにより、当該のジスアゾ顔料を含む感光
層内部におけるキャリア発生効率ないしはキャリア輸送
効率のいずれか一方ないし双方が良くなることが推定さ
れ、高感度で耐久使用時における電位安定性の優れたも
のであり、また半導体レーザーの発振波長域においても
高感度でカプリのない良好な画像が得られるという顕著
な効果を奏する。
Claims (8)
- (1)光導電層を有する電子写真感光体において、光導
電層に下記一般式(1)で示されるジスアゾ顔料を含有
することを特徴とする電子写真感光体。 一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、R_1、R_2、R_3およびR_4は水素原子
あるいは電子吸引性基を示し、R_5およびR_6は水
素原子あるいは置換基を有してもよいアルキル基、アラ
ルキル基あるいはアリール基を示し、もしくはR_5、
R_6により置換もしくは無置換の環状炭化水素基、炭
素環式芳香族環基あるいは複素環式芳香族環基を形成す
る基を示し、AおよびA′はフェノール性水酸基を有す
るカプラー残基を示し、A、A′は同じであっても異な
っていてもよく、Ar_1、Ar_2、Ar_3および
Ar_4は置換もしくは無置換の炭素環式芳香族環基あ
るいは複素環式芳香族環基を示し、Ar_1、Ar_2
、Ar_3、Ar_4は同じであっても異なっていても
よい。 - (2)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(2)で示されるフェノール性水酸基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 式中、Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいは複
素環を形成するに必要な残基、R_7およびR_8は水
素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基
、アラルキル基、複素環基ないしはR_7とR_8の結
合する窒素原子と共に環状アミノ基を示す。 - (3)一般式(1)中のAおよびA′の一方または双方
が下記一般式(3)で示されるフェノール性水酸基を有
するカプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電
子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(3) 式中、R_3は置換基を有してもよいアルキル基、アリ
ール基あるいはアラルキル基を示す。 - (4)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(4)で示されるフェノール性水酸基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(4) 式中、R_1_0は置換基を有してもよいアルキル基、
アリール基あるいはアラルキル基を示す。 - (5)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(5)で示されるフェノール性水酸基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(5) 式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基あるいは窒素原子
を環内に含む複素環の2価の基を示す。 - (6)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(6)で示されるフェノール性水酸基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(6) 式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基あるいは窒素原子
を環内に含む複素環の2価の基を示す。 - (7)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(7)で示されるフェノール性水酸基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(7) 式中、R_1_1は置換基を有してもよいアリール基あ
るいは複素環基を示し、Xは前記一般式(2)中のXと
同義である。 - (8)一般式(1)中のA、A′の一方または双方が下
記一般式(8)で示されるフェノール性水酸基を有する
カプラー残基である特許請求の範囲第1項記載の電子写
真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(8) 式中、R_1_2およびR_1_3は置換基を有しても
よいアルキル基、アリール基、アラルキル基あるいは複
素環基を示し、Xは前記一般式(2)中のXと同義であ
る。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30818086A JPS63163364A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30818086A JPS63163364A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63163364A true JPS63163364A (ja) | 1988-07-06 |
Family
ID=17977871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30818086A Pending JPS63163364A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63163364A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009010947A1 (en) * | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Mempile Inc. | New donor-acceptor-donor-acceptor compounds for non-linear applications |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP30818086A patent/JPS63163364A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009010947A1 (en) * | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Mempile Inc. | New donor-acceptor-donor-acceptor compounds for non-linear applications |
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