JPS6316278A - 半導体装置静電破壊試験回路 - Google Patents
半導体装置静電破壊試験回路Info
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- JPS6316278A JPS6316278A JP16110686A JP16110686A JPS6316278A JP S6316278 A JPS6316278 A JP S6316278A JP 16110686 A JP16110686 A JP 16110686A JP 16110686 A JP16110686 A JP 16110686A JP S6316278 A JPS6316278 A JP S6316278A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- switch
- test
- electrostatic breakdown
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- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置静電破壊試験回路に関する。
従来、この種の試験回路は、例えば第２図に示すように
、電源１、コンデンサー２、スイッチ４、電流ｌｖＪ限
抵抗抵抗回路保護であるため、なくてもよい）、直列抵
抗６（試験条件によって不要となる場合がある）で構成
され、スイッチ４を電源１側に接続してコンデンサー２
に充電し、次にスイッチ４を供試半導体装置３側に接続
してコンデンサー２からの放電を供試半導体装置３に印
加した後、半導体装置８の劣化の有無を調べるため、半
導体装置３を回路から取り外し、カーブトレサーｌある
いはその他の測定器を使用して半導体装置３の電気的特
性の測定を行っていた。
、電源１、コンデンサー２、スイッチ４、電流ｌｖＪ限
抵抗抵抗回路保護であるため、なくてもよい）、直列抵
抗６（試験条件によって不要となる場合がある）で構成
され、スイッチ４を電源１側に接続してコンデンサー２
に充電し、次にスイッチ４を供試半導体装置３側に接続
してコンデンサー２からの放電を供試半導体装置３に印
加した後、半導体装置８の劣化の有無を調べるため、半
導体装置３を回路から取り外し、カーブトレサーｌある
いはその他の測定器を使用して半導体装置３の電気的特
性の測定を行っていた。
上記した従来の試験回路は、供試半導体装置の劣化の訂
無を調べる迄に時間を要すると同時に、半導体装置を静
電破壊試験後路から取り外し、電気的特性測定器に移し
替えなければならないため、作業能率も悪く、一般に半
導体装置の静電破壊試験は、その破壊強度を調べるため
、供試半導体装置について予め概略の破壊強度を予想し
、その予想より充分に低い放電値から試験を開始し、除
々に放電値を上げて行って、破壊に至る放電値を調べる
ものであり、試験開始から破壊迄の間に何度となく放電
と電気的特性測定をくり返すことになり、静電破壊試験
回路と電気的特性測定器との間を半導体装置が往復する
工数は膨大なものになるという欠点がある。
無を調べる迄に時間を要すると同時に、半導体装置を静
電破壊試験後路から取り外し、電気的特性測定器に移し
替えなければならないため、作業能率も悪く、一般に半
導体装置の静電破壊試験は、その破壊強度を調べるため
、供試半導体装置について予め概略の破壊強度を予想し
、その予想より充分に低い放電値から試験を開始し、除
々に放電値を上げて行って、破壊に至る放電値を調べる
ものであり、試験開始から破壊迄の間に何度となく放電
と電気的特性測定をくり返すことになり、静電破壊試験
回路と電気的特性測定器との間を半導体装置が往復する
工数は膨大なものになるという欠点がある。
本発明の半導体装置静電破壊試験回路は、一端が供試半
導体装置の一方の試験端子に接続され、供試半導体装置
の静電破壊モードの前記半導体装置の電気的特性を測定
する電気的特性測定回路と、コンデンサーからの放電が
供試半導体装置に印加されていないときに前記電気的特
性測定回路の他端を供試半導体装置の他方の試験用端子
に接続するためのスイッチを有する。
導体装置の一方の試験端子に接続され、供試半導体装置
の静電破壊モードの前記半導体装置の電気的特性を測定
する電気的特性測定回路と、コンデンサーからの放電が
供試半導体装置に印加されていないときに前記電気的特
性測定回路の他端を供試半導体装置の他方の試験用端子
に接続するためのスイッチを有する。
したがって、半導体装置を静電破壊試験回路から取り外
すことなく、スイッチの切り換えだけで静電破壊試験と
電気的特性の測定を繰り返すことができる。
すことなく、スイッチの切り換えだけで静電破壊試験と
電気的特性の測定を繰り返すことができる。
なお、半導体装置の静電破壊モードは一般的にＰＮ接合
の破壊あるいはＭＯＳ等における絶縁膜破壊で電気的特
性として短絡あるいは抵抗値の低下として表われること
から、電気的特性の劣化の有無は電源と電流検出器があ
れば調べられる。
の破壊あるいはＭＯＳ等における絶縁膜破壊で電気的特
性として短絡あるいは抵抗値の低下として表われること
から、電気的特性の劣化の有無は電源と電流検出器があ
れば調べられる。
（実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の半導体装置静電破壊試験回路の一実
施例の回路図である。
施例の回路図である。
本実施例は、第２図の従来の静電破壊試誠回路に第１図
の破線より右側の部分である電源７と電流検出器８を直
列に接続した電気的特性測定回路と、スイッチ９を付加
して構成されている。
の破線より右側の部分である電源７と電流検出器８を直
列に接続した電気的特性測定回路と、スイッチ９を付加
して構成されている。
静電破壊試験回路側のスイッチ４が電′Ｒ１側に接続さ
れている状態、または供試半導体装置３側に接続されて
、コンデンサー２の放電が終っている状態で、電気的特
性測定回路側のスイッチ９を供試半導体装置３に接続し
、電源７と電流検出器８によって供試半導体装置３の電
気的特性が測定される。
れている状態、または供試半導体装置３側に接続されて
、コンデンサー２の放電が終っている状態で、電気的特
性測定回路側のスイッチ９を供試半導体装置３に接続し
、電源７と電流検出器８によって供試半導体装置３の電
気的特性が測定される。
なお、電流検出器８とスイッチ９の間に適当な保護抵抗
が入っている場合には、スイッチ９を供試半導体装置３
と接続した状態でスイッチ１の接続を電源１側から供試
半導体装置３側に移して放電させてもさしつかえない。
が入っている場合には、スイッチ９を供試半導体装置３
と接続した状態でスイッチ１の接続を電源１側から供試
半導体装置３側に移して放電させてもさしつかえない。
ただし、この場合には、供試半導体装置３に加わる放電
波形が試験条件を満たすものか、予め確認する必要があ
る。
波形が試験条件を満たすものか、予め確認する必要があ
る。
以上説明したように本発明は、電気的特性測定回路をス
イッチで静電破壊試験回路に切り換え接続することによ
り、従来のように静電破壊試験回路と電気的特性測定器
の間で供試半導体装置の移し替えをくり返し行なわなけ
ればならないという不都合が改善され、作業能率が向上
する効果がある。
イッチで静電破壊試験回路に切り換え接続することによ
り、従来のように静電破壊試験回路と電気的特性測定器
の間で供試半導体装置の移し替えをくり返し行なわなけ
ればならないという不都合が改善され、作業能率が向上
する効果がある。
第１図は本発明の半導体装置静電破壊試験回路の一実施
例の回路図、第２図は従来例の回路図である。 １−・−電源、 ２−−−−−コンデンサー
、３−・・−半導体装置、 ４・−・−スイッチ、５
−−−−電流制限抵抗、 ６ ・−−−一直列抵抗、７
−・・−電源、 ａ ・−−−−電流検出器、
９・−一スィッチ。
例の回路図、第２図は従来例の回路図である。 １−・−電源、 ２−−−−−コンデンサー
、３−・・−半導体装置、 ４・−・−スイッチ、５
−−−−電流制限抵抗、 ６ ・−−−一直列抵抗、７
−・・−電源、 ａ ・−−−−電流検出器、
９・−一スィッチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 スイッチを電源側に接続してコンデンサに充電し、次に
前記スイッチを供試半導体装置側に接続してコンデンサ
からの放電を供試半導体装置に印加する動作を繰り返し
て、供試半導体装置が静電破壊に至るまでの放電値を調
べる半導体装置静電破壊試験回路において、 一端が供試半導体装置の一方の試験端子に接続され、供
試半導体装置の静電破壊試験後の前記半導体装置の電気
的特性を測定する電気的特性測定回路と、コンデンサー
からの放電が供試半導体装置に印加されていないときに
前記電気的特性測定回路の他端を供試半導体装置の他方
の試験用端子に接続するためのスイッチを有することを
特徴とする半導体装置静電破壊試験回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16110686A JPS6316278A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体装置静電破壊試験回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16110686A JPS6316278A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体装置静電破壊試験回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6316278A true JPS6316278A (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=15728719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16110686A Pending JPS6316278A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体装置静電破壊試験回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6316278A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007118635A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Mazda Motor Corp | 車両の底部車体構造 |
| JP2014175643A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-22 | Sharp Corp | 半導体トランジスタのテスト方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144370A (ja) * | 1984-08-07 | 1986-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 静電気破壊試験方法 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP16110686A patent/JPS6316278A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144370A (ja) * | 1984-08-07 | 1986-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 静電気破壊試験方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007118635A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Mazda Motor Corp | 車両の底部車体構造 |
| JP2014175643A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-22 | Sharp Corp | 半導体トランジスタのテスト方法 |
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