JPS63158844A - 樹脂パツケ−ジ型半導体装置のトランスフアモ−ルド法 - Google Patents
樹脂パツケ−ジ型半導体装置のトランスフアモ−ルド法Info
- Publication number
- JPS63158844A JPS63158844A JP21303886A JP21303886A JPS63158844A JP S63158844 A JPS63158844 A JP S63158844A JP 21303886 A JP21303886 A JP 21303886A JP 21303886 A JP21303886 A JP 21303886A JP S63158844 A JPS63158844 A JP S63158844A
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- resin
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- Pending
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、パワーIC等のチップを装着した樹脂パッ
ケージ型半導体装置を対象とするトランスファモールド
法に関する。
ケージ型半導体装置を対象とするトランスファモールド
法に関する。
まず第2図、第3図によりこの発明の実施対象となるパ
ッケージ型半導体装置の構造を示す0図において、1は
リードフレーム、2はヒートシンクとなるリードフレー
ム1の放熱部であり、この放熱部の板面上にチップ3を
実装して回路組立体4を構成しており、かかる回路組立
体4がフルモールド型の樹脂パッケージ5で封止されて
いる。 なお3aはチップ3とリードフレーム1との間を接続す
るボンディングワイヤ、5aは樹脂パッケージ5を放熱
フィン等に取付けるためのねじ穴である。 またかかる構成の半導体装置では、前記フレーム放熱部
2の主放熱面に対する高い放熱性を確保するために、樹
脂パッケージ5はチップ3が実装されている側に比べて
反対側の主放熱面側の肉厚は橿薄くしてモールド成型さ
れている。 一方、かかる樹脂パッケージ型半導体装置をトランスフ
ァモールド法によりパフケージソゲするには、第4図に
示すように上型6と下型7とを組合せたトランスファモ
ールド金型8のキャビティ内に前記した回路組立体4を
インサートし、この状態で金型8の一端側に開口するゲ
ート9を通じてキャビティ内に溶融状態の注型樹脂10
を注入することにより、回路組立体4の周囲を充填して
樹脂封止を行う。 しかしながらかかるトランスファモールド法で樹脂封止
を行う場合には次記のように問題が残る。 すなわち先記のように樹脂パッケージ5はフレーム2に
対してチップ実装側よりも反対の主放熱面側の肉厚が薄
(構成されているために、当然のことながら金型内部で
はフレーム2の板面を境にそのチップ実装面側(図中の
上面側)のキャビティ断面と比べて反対側(図中の下面
側)のキャビティ断面の方が迩かに狭く、ここを流れる
溶融樹脂の波路抵抗が大である。このために樹脂注型に
際しゲート9より二手に分かれてフレーム2の上面側と
下面側に分流する溶融樹脂の流れAとBは断面の大きな
上面側の方が流れ易く、したがってフレーム2の上面側
を充填する樹脂の流速が早く。 下面側での流速が遅くなる。またこの結果として図示の
ようにフレームの上面側を流れる樹脂流Aの方が下面側
の樹脂流Bよりも先にガス抜き用エアベント11の開口
するキャビティの終端に到達し、さらにここから方向を
転換してフレームの下面側に回り込んで樹脂の流れAと
Bはフレーム下面側のP地点で反対方向から合流するよ
うになる。しかもこのような樹脂の流れ分布が生じると
、合流地点Pにキャビティ内の残留ガスが封じ込められ
たままとなり、結果的に充填不良が発生して樹脂パッケ
ージ5にボイドが発生し、このことが回路組立体4に対
する樹脂封止の償幀性を低下させる原因となる。
ッケージ型半導体装置の構造を示す0図において、1は
リードフレーム、2はヒートシンクとなるリードフレー
ム1の放熱部であり、この放熱部の板面上にチップ3を
実装して回路組立体4を構成しており、かかる回路組立
体4がフルモールド型の樹脂パッケージ5で封止されて
いる。 なお3aはチップ3とリードフレーム1との間を接続す
るボンディングワイヤ、5aは樹脂パッケージ5を放熱
フィン等に取付けるためのねじ穴である。 またかかる構成の半導体装置では、前記フレーム放熱部
2の主放熱面に対する高い放熱性を確保するために、樹
脂パッケージ5はチップ3が実装されている側に比べて
反対側の主放熱面側の肉厚は橿薄くしてモールド成型さ
れている。 一方、かかる樹脂パッケージ型半導体装置をトランスフ
ァモールド法によりパフケージソゲするには、第4図に
示すように上型6と下型7とを組合せたトランスファモ
ールド金型8のキャビティ内に前記した回路組立体4を
インサートし、この状態で金型8の一端側に開口するゲ
ート9を通じてキャビティ内に溶融状態の注型樹脂10
を注入することにより、回路組立体4の周囲を充填して
樹脂封止を行う。 しかしながらかかるトランスファモールド法で樹脂封止
を行う場合には次記のように問題が残る。 すなわち先記のように樹脂パッケージ5はフレーム2に
対してチップ実装側よりも反対の主放熱面側の肉厚が薄
(構成されているために、当然のことながら金型内部で
はフレーム2の板面を境にそのチップ実装面側(図中の
上面側)のキャビティ断面と比べて反対側(図中の下面
側)のキャビティ断面の方が迩かに狭く、ここを流れる
溶融樹脂の波路抵抗が大である。このために樹脂注型に
際しゲート9より二手に分かれてフレーム2の上面側と
下面側に分流する溶融樹脂の流れAとBは断面の大きな
上面側の方が流れ易く、したがってフレーム2の上面側
を充填する樹脂の流速が早く。 下面側での流速が遅くなる。またこの結果として図示の
ようにフレームの上面側を流れる樹脂流Aの方が下面側
の樹脂流Bよりも先にガス抜き用エアベント11の開口
するキャビティの終端に到達し、さらにここから方向を
転換してフレームの下面側に回り込んで樹脂の流れAと
Bはフレーム下面側のP地点で反対方向から合流するよ
うになる。しかもこのような樹脂の流れ分布が生じると
、合流地点Pにキャビティ内の残留ガスが封じ込められ
たままとなり、結果的に充填不良が発生して樹脂パッケ
ージ5にボイドが発生し、このことが回路組立体4に対
する樹脂封止の償幀性を低下させる原因となる。
この発明は上記の点にかんがみなされたものであり、前
記した従来のトランスファモールド法を改良することに
より樹脂封止の欠陥発生を未然に防止して充填性を高め
、信顛性の高い樹脂封止が行えるようにした樹脂パッケ
ージ型半導体装置のトランスファモールド法を提供する
ことを目的とする。
記した従来のトランスファモールド法を改良することに
より樹脂封止の欠陥発生を未然に防止して充填性を高め
、信顛性の高い樹脂封止が行えるようにした樹脂パッケ
ージ型半導体装置のトランスファモールド法を提供する
ことを目的とする。
上記目的を達成するために、この発明はトランスファモ
ールド金型におけるフレームのチップ装着面と対向する
キャビティ側にゲートより注入された溶融樹脂の流れ速
度を調整するコントロール手段を設け、キャビティ内へ
の樹脂注入の際にゲートより分流して前記フレームの両
面側を充填するように流れる溶融樹脂をゲートの反対側
に開口する金型のエアベント地点で合流させるようにコ
ントロールして注型操作を行うことにより、エアベント
を通じてキャビティ内のガス抜きを確実に行って滞留ガ
スに起因する充填不良、樹脂パンケージのボイド発生を
未然に防止できるようにしたものである。
ールド金型におけるフレームのチップ装着面と対向する
キャビティ側にゲートより注入された溶融樹脂の流れ速
度を調整するコントロール手段を設け、キャビティ内へ
の樹脂注入の際にゲートより分流して前記フレームの両
面側を充填するように流れる溶融樹脂をゲートの反対側
に開口する金型のエアベント地点で合流させるようにコ
ントロールして注型操作を行うことにより、エアベント
を通じてキャビティ内のガス抜きを確実に行って滞留ガ
スに起因する充填不良、樹脂パンケージのボイド発生を
未然に防止できるようにしたものである。
第1図はこの発明の実施例を示すものであり、図中第4
図に対応する同一部材には同じ符号が付しである。すな
わちこの発明により、まずトランスファモールド金型8
における上型6.つまり回路組立体4におけるフレーム
2のチップ実装面と対向する側の金型にはフレーム2の
板面へ向ケ突き出してキャビティ断面を絞る突起部12
が形成されている。この突起部12は樹脂注入の際にゲ
ート9より分流してフレーム上面側を流れる樹脂流Aに
対する抵抗体として働き、その流速を遅めるコントロー
ル手段としての役目を果たすものである。 なおこの突起部12の設置位置はフレーム2のチップ3
取付は箇所から外れた位置で、かつゲート9から見てチ
ップ3よりも下流側のエアベント11に近い地点に定め
て形成されている。 かかる構成で金型′8の突起部12の突出高さを適宜選
定することにより、樹脂注型操作に際し、ゲート9から
キャビティ内へ二手に分かれてフレーム2の上下面側に
流れ込む溶融樹脂の流れA、 Bのうち、特にフレーム
上面側を流れる樹脂を前記した突起部12により絞り、
樹脂の流れAとBとが丁度金型8の終端に開口するエア
ベント11の地点Qで合流するようにコントロールされ
るようになる。したがってキャビティ内のガスは全てエ
アベント11を通じて排除されてキャビティ内に閉じ込
められたまま残留することが無くなり、結果として第4
図で述べたような樹脂の充填不良、並びにこれに起因し
て樹脂バフケージ内部に生じるボイド等の欠陥が発生す
るのを未然に防止することができる。
図に対応する同一部材には同じ符号が付しである。すな
わちこの発明により、まずトランスファモールド金型8
における上型6.つまり回路組立体4におけるフレーム
2のチップ実装面と対向する側の金型にはフレーム2の
板面へ向ケ突き出してキャビティ断面を絞る突起部12
が形成されている。この突起部12は樹脂注入の際にゲ
ート9より分流してフレーム上面側を流れる樹脂流Aに
対する抵抗体として働き、その流速を遅めるコントロー
ル手段としての役目を果たすものである。 なおこの突起部12の設置位置はフレーム2のチップ3
取付は箇所から外れた位置で、かつゲート9から見てチ
ップ3よりも下流側のエアベント11に近い地点に定め
て形成されている。 かかる構成で金型′8の突起部12の突出高さを適宜選
定することにより、樹脂注型操作に際し、ゲート9から
キャビティ内へ二手に分かれてフレーム2の上下面側に
流れ込む溶融樹脂の流れA、 Bのうち、特にフレーム
上面側を流れる樹脂を前記した突起部12により絞り、
樹脂の流れAとBとが丁度金型8の終端に開口するエア
ベント11の地点Qで合流するようにコントロールされ
るようになる。したがってキャビティ内のガスは全てエ
アベント11を通じて排除されてキャビティ内に閉じ込
められたまま残留することが無くなり、結果として第4
図で述べたような樹脂の充填不良、並びにこれに起因し
て樹脂バフケージ内部に生じるボイド等の欠陥が発生す
るのを未然に防止することができる。
以上述べたようにこの発明によれば、トランスファモー
ルド金型におけるフレームのチップ装着面と対向するキ
ャビティ側にゲートより注入された溶融樹脂の流れ速度
を調整するコントロール手段を設け、、キャビティ内へ
の樹脂注入の際にゲートより分流して前記フレームの両
面側を流れる溶融樹脂をゲートの反対側←開口する金型
のエアベント地点で合流させるようにコントロールして
樹脂注型を行うことにより、樹脂注型の際に金型のキャ
ビティ内で回路組立体のフレーム両面側に充填される溶
融樹脂の流れを整合させてキャビティ内のガスを全てエ
アベントを通じて抜き取りることができ、か(して充填
不良、樹脂パンケージのボイド発生を防止して信鯨性の
高い樹脂封止を行うことができる。
ルド金型におけるフレームのチップ装着面と対向するキ
ャビティ側にゲートより注入された溶融樹脂の流れ速度
を調整するコントロール手段を設け、、キャビティ内へ
の樹脂注入の際にゲートより分流して前記フレームの両
面側を流れる溶融樹脂をゲートの反対側←開口する金型
のエアベント地点で合流させるようにコントロールして
樹脂注型を行うことにより、樹脂注型の際に金型のキャ
ビティ内で回路組立体のフレーム両面側に充填される溶
融樹脂の流れを整合させてキャビティ内のガスを全てエ
アベントを通じて抜き取りることができ、か(して充填
不良、樹脂パンケージのボイド発生を防止して信鯨性の
高い樹脂封止を行うことができる。
第1図はこの発明の実施例によるトランスファモールド
工程図、第2図、第3図はそれぞれ樹脂パッケージ型半
導体装置の平面図および側断面図、第3図は従来におけ
るトランスファモールド工程図である。各図において、 2:フレームの放熱部、3:チップ、4:回路組立体、
5:樹脂パッケージ、8:トランスファモールド金型、
9:ゲート、10:溶融樹脂、11:エアベント、12
:コントロール手段としての金型突起部。 第2図 113図 ″ 81I4図 1 手続補正書彷式) 昭和63年2月 1日 特許庁長官 殿 替1、事件の表
示 特願昭2ノー2/3ρ、)?21”0名称
看イ局1パ11.ケーダヱイ箸坏笈1゜トランスフrモ
ールドラム 3、補正をする者 出願人事件との関係 住 所 川崎市川崎区田辺新田1番1号名 称 (
助富士電機株式会社 4、代 理 人 住 所 川崎市川崎区田辺新田1番1号5、補正指
令の日付 昭和/3年7月21日6、補正により増加
する発明の数 補正の内容 明細書第8頁第17行目に「第3図」とあるのを「第4
図」と補正する。
工程図、第2図、第3図はそれぞれ樹脂パッケージ型半
導体装置の平面図および側断面図、第3図は従来におけ
るトランスファモールド工程図である。各図において、 2:フレームの放熱部、3:チップ、4:回路組立体、
5:樹脂パッケージ、8:トランスファモールド金型、
9:ゲート、10:溶融樹脂、11:エアベント、12
:コントロール手段としての金型突起部。 第2図 113図 ″ 81I4図 1 手続補正書彷式) 昭和63年2月 1日 特許庁長官 殿 替1、事件の表
示 特願昭2ノー2/3ρ、)?21”0名称
看イ局1パ11.ケーダヱイ箸坏笈1゜トランスフrモ
ールドラム 3、補正をする者 出願人事件との関係 住 所 川崎市川崎区田辺新田1番1号名 称 (
助富士電機株式会社 4、代 理 人 住 所 川崎市川崎区田辺新田1番1号5、補正指
令の日付 昭和/3年7月21日6、補正により増加
する発明の数 補正の内容 明細書第8頁第17行目に「第3図」とあるのを「第4
図」と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)ヒートシンクを兼ねたフレーム上にチップを実装し
て成る回路組立体をトランスファモールド金型のキャビ
ティ内にインサートし、かつ該金型の一端に開口するゲ
ートよりキャビテイへ溶融樹脂を注入して回路組立体の
樹脂封止を行うトランスファモールド法において、トラ
ンスファモールド金型におけるフレームのチップ実装面
と対向するキャビティ側にゲートより注入された溶融樹
脂の流れ速度を調整するコントロール手段を設け、キャ
ビティ内への樹脂注入の際にゲートより分流して前記フ
レームの両面側を流れる溶融樹脂をゲートの反対側に開
口する金型のエアベント地点で合流させるようにコント
ロールして注型操作を行うことを特徴とする樹脂パッケ
ージ型半導体装置のトランスファモールド法。 2)特許請求の範囲第1項記載のトランスファモールド
法において、コントロール手段が回路組立体のチップ取
付け位置から外れたエアベントに近い下流側位置で金型
から突出してフレームとの間のキャビティ断面をを絞る
突起部であることを特徴とする樹脂パッケージ型半導体
装置のトランスファモールド法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21303886A JPS63158844A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 樹脂パツケ−ジ型半導体装置のトランスフアモ−ルド法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21303886A JPS63158844A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 樹脂パツケ−ジ型半導体装置のトランスフアモ−ルド法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63158844A true JPS63158844A (ja) | 1988-07-01 |
Family
ID=16632487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21303886A Pending JPS63158844A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 樹脂パツケ−ジ型半導体装置のトランスフアモ−ルド法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63158844A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015006052A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 株式会社不二工機 | ステータユニット |
JP2016134591A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP21303886A patent/JPS63158844A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015006052A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 株式会社不二工機 | ステータユニット |
JP2016134591A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
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