JPS6314871A - 遷移金属炭化物膜の製法 - Google Patents
遷移金属炭化物膜の製法Info
- Publication number
- JPS6314871A JPS6314871A JP15769686A JP15769686A JPS6314871A JP S6314871 A JPS6314871 A JP S6314871A JP 15769686 A JP15769686 A JP 15769686A JP 15769686 A JP15769686 A JP 15769686A JP S6314871 A JPS6314871 A JP S6314871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transition metal
- titanium
- reaction tube
- carbide film
- benzene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 45
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 18
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 abstract description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 abstract description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 238000004227 thermal cracking Methods 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- -1 saturated fatty acid hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 1-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- UKDOTCFNLHHKOF-FGRDZWBJSA-N (z)-1-chloroprop-1-ene;(z)-1,2-dichloroethene Chemical group C\C=C/Cl.Cl\C=C/Cl UKDOTCFNLHHKOF-FGRDZWBJSA-N 0.000 description 1
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSWMGHRLUYADNA-UHFFFAOYSA-N 7-nitro-1,2,3,4-tetrahydroquinoline Chemical compound C1CCNC2=CC([N+](=O)[O-])=CC=C21 WSWMGHRLUYADNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021552 Vanadium(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMUYRIFFZDBSE-UHFFFAOYSA-H chromium hexafluoride Chemical compound F[Cr](F)(F)(F)(F)F ZLMUYRIFFZDBSE-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910021567 chromium(VI) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- JTJFQBNJBPPZRI-UHFFFAOYSA-J vanadium tetrachloride Chemical compound Cl[V](Cl)(Cl)Cl JTJFQBNJBPPZRI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は遷移金属炭化物膜の製法に関する。
（従来の技術）
一般に炭化物は高硬度で耐摩耗性、耐食性に富み、金属
あるいは金属合金材料等の被覆膜として広く（り用され
ている。
あるいは金属合金材料等の被覆膜として広く（り用され
ている。
このような炭化物の被覆膜、特に金属炭化物の被膜は、
通常炭素源としてメタン、プロパンで代表される飽和脂
肪酸炭化水素と金属源として四塩化ヂタン、六フッ化タ
ングステン等の化合物を用い、化学気相成長法（ＣＶＤ
法）によって行なわれている。
通常炭素源としてメタン、プロパンで代表される飽和脂
肪酸炭化水素と金属源として四塩化ヂタン、六フッ化タ
ングステン等の化合物を用い、化学気相成長法（ＣＶＤ
法）によって行なわれている。
しかしながら、上記の被覆法では、使用される原料ガス
の熱分解温度が高く、例えばｌ０００’Ｃを越す温度で
処理しなければならず、基材となる金属母材の性能の低
下を摺く。
の熱分解温度が高く、例えばｌ０００’Ｃを越す温度で
処理しなければならず、基材となる金属母材の性能の低
下を摺く。
基材の温度を上げずに処理する方法、例えばイオンブレ
ーティング法、スパッタリング法等ら考えられているが
、これらはいずれも物理的な付着を用いたもので、基材
と被覆層との間の強度が極めて小さく、被膜として適当
ではない。また、波膜自体の結晶性も殆んどなく、硬度
、耐食性等が劣る。
ーティング法、スパッタリング法等ら考えられているが
、これらはいずれも物理的な付着を用いたもので、基材
と被覆層との間の強度が極めて小さく、被膜として適当
ではない。また、波膜自体の結晶性も殆んどなく、硬度
、耐食性等が劣る。
（発明の目的）
本発明は、上記従来の方法に鑑みてなされたもので、熱
分解ＣＶＤ（化学気相成長）法により、１０００℃以下
の比較的低温で、結晶性の優れた炭化物膜を基材上に形
成する技術を提供することを目的とする。
分解ＣＶＤ（化学気相成長）法により、１０００℃以下
の比較的低温で、結晶性の優れた炭化物膜を基材上に形
成する技術を提供することを目的とする。
（発明の内容）
即ち、本発明は不飽和基含有炭化水素化合物および遷移
金属ハロゲン化物の蒸気を同時に導入し、６００〜１０
００℃で加熱分解して基材上に結晶性の遷移金属炭化物
膜を形成することを特徴とする遷移金属炭化物膜の製法
を提供する。
金属ハロゲン化物の蒸気を同時に導入し、６００〜１０
００℃で加熱分解して基材上に結晶性の遷移金属炭化物
膜を形成することを特徴とする遷移金属炭化物膜の製法
を提供する。
本発明は、遷移金属炭化物を合成するため、不飽和基含
有炭化水素化合物と遷移金属ハロゲン化物の同時熱分解
法を利用し、熱分解温度の低い炭化水素化合物を用いる
ことにより、６００〜１０００℃の低温で結晶性の浸れ
た炭化物膜を形成することが可能で、従来の実用上処理
温度の下限を４００℃以上低下させることができる。
有炭化水素化合物と遷移金属ハロゲン化物の同時熱分解
法を利用し、熱分解温度の低い炭化水素化合物を用いる
ことにより、６００〜１０００℃の低温で結晶性の浸れ
た炭化物膜を形成することが可能で、従来の実用上処理
温度の下限を４００℃以上低下させることができる。
本発明に用いる不飽和基含有炭化水素化合物は、芳香族
炭化水素、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ナフ
タレン、α−メチルナフタレン等：不飽和脂肪酸炭化水
素、例えばエチレン、プロピレン、ブヂレン、２−ブチ
ン、アセヂレン等；ジエン系化合物、例えばブタジェン
、イソプレン等、またはこれらのハロゲン置換体、例え
ばｐ−クロロベンゼン、１，２−ジクロロエチレン、１
．２−ノブロモエヂレン等が挙げられる。
炭化水素、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ナフ
タレン、α−メチルナフタレン等：不飽和脂肪酸炭化水
素、例えばエチレン、プロピレン、ブヂレン、２−ブチ
ン、アセヂレン等；ジエン系化合物、例えばブタジェン
、イソプレン等、またはこれらのハロゲン置換体、例え
ばｐ−クロロベンゼン、１，２−ジクロロエチレン、１
．２−ノブロモエヂレン等が挙げられる。
遷移金属のハロゲン化物の例としては、四塩化チタン、
四塩化バナジウム、六フッ化クロム、六フッ化タングス
テン、六フッ化モリブデンまたは六フッ化テクネヂウム
等が挙げられる。
四塩化バナジウム、六フッ化クロム、六フッ化タングス
テン、六フッ化モリブデンまたは六フッ化テクネヂウム
等が挙げられる。
本発明の遷移金属炭化物膜の製法を図面および実施例に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
（実施例）
第１図は本発明の詳細な説明に供する炭化物生成装置の
ブロック構成図である。
ブロック構成図である。
上記の２種の原料ガスをキャリヤガスで希釈して石英反
応管４に導入する。石英反応管４への原料供給方法は常
圧バブラー法または減圧法を用いる。いずれの方法でも
後述する様にそれぞれの原料の供給量を制御することに
より、結晶性の優れた炭化物が得られる。常圧バブラー
法では、キャリヤガスとして水素またはアルゴンガスを
使用する。第１図は常圧バブラー法を利用した装置構成
を示しているが、この装置で減圧ＣＶＤ法を利用するこ
ともできる。この場合には、炭化物の膜厚を常圧バブラ
ー法に比べてより均一に実現することが可能である。
応管４に導入する。石英反応管４への原料供給方法は常
圧バブラー法または減圧法を用いる。いずれの方法でも
後述する様にそれぞれの原料の供給量を制御することに
より、結晶性の優れた炭化物が得られる。常圧バブラー
法では、キャリヤガスとして水素またはアルゴンガスを
使用する。第１図は常圧バブラー法を利用した装置構成
を示しているが、この装置で減圧ＣＶＤ法を利用するこ
ともできる。この場合には、炭化物の膜厚を常圧バブラ
ー法に比べてより均一に実現することが可能である。
原料の供給量は、使用する不飽和基含有炭化水素化合物
及び遷移金属ハロゲン化物の種類に強く依存するが、炭
化水素化合物のａ度は反応温度が高い程少なくすること
ｈく望ましい。。例えばベンゼンと四塩化チタンを用い
た場合、ベンゼンの濃度は反応温度によって下記に調整
するのが効果的である。
及び遷移金属ハロゲン化物の種類に強く依存するが、炭
化水素化合物のａ度は反応温度が高い程少なくすること
ｈく望ましい。。例えばベンゼンと四塩化チタンを用い
た場合、ベンゼンの濃度は反応温度によって下記に調整
するのが効果的である。
四塩化チタン１容（ガス）に対して、ベンゼンは８００
〜９００℃でｌＯ〜２０容、９００〜１０００度では５
〜１０容である。この濃度比以上に供給ｍを設定すると
、得られる炭化チタンの表面凹凸が激しくなりスーチン
グ発生する。
〜９００℃でｌＯ〜２０容、９００〜１０００度では５
〜１０容である。この濃度比以上に供給ｍを設定すると
、得られる炭化チタンの表面凹凸が激しくなりスーチン
グ発生する。
真空蒸留による精製操作を行ったベンゼンおよび四塩化
チタンが収納されたバブル容器ｌおよび１゛内にアルゴ
ンガス制御系２よりアルゴンガスを供給してベンゼンお
よび四塩化チタンを夫々独立にバブルさせ、パイレック
スガラス管３を介して石英反応管４へベンゼン分子およ
び四塩化チタン分子を同時に給送する。この際、バブル
容器１゜１内の液体ベンゼンおよび液体四塩化チタンの
温度を一定に保持してアルゴンガス流量をバルブ５で夫
々独立に調節し、ベンゼン分子および四塩化チタン分子
の反応管４内への供給量を夫々一定制御する。一方、希
釈ライン９よりアルゴンを流し、反応管４へ給送される
ベンゼン分子と四塩化チタン混合ガスの数密度および流
速を最適化する。
チタンが収納されたバブル容器ｌおよび１゛内にアルゴ
ンガス制御系２よりアルゴンガスを供給してベンゼンお
よび四塩化チタンを夫々独立にバブルさせ、パイレック
スガラス管３を介して石英反応管４へベンゼン分子およ
び四塩化チタン分子を同時に給送する。この際、バブル
容器１゜１内の液体ベンゼンおよび液体四塩化チタンの
温度を一定に保持してアルゴンガス流量をバルブ５で夫
々独立に調節し、ベンゼン分子および四塩化チタン分子
の反応管４内への供給量を夫々一定制御する。一方、希
釈ライン９よりアルゴンを流し、反応管４へ給送される
ベンゼン分子と四塩化チタン混合ガスの数密度および流
速を最適化する。
反応管４には成長用基板の載置された試料台７が設置さ
れており、反応管４の外周囲には加熱炉８が設けられて
いる。この加熱炉８によって反応管４内の成長用基板は
１０００℃以下の比較的低温度に保持されている。
れており、反応管４の外周囲には加熱炉８が設けられて
いる。この加熱炉８によって反応管４内の成長用基板は
１０００℃以下の比較的低温度に保持されている。
反応管４内に導入されたベンゼンと四塩化チタンの混合
ガスは、１０００℃以下の温度に加熱されてそれぞれの
ガスは同時に熱分解される。この際、熱分解により生じ
たチタンと炭素原子は反応して、より自由エネルギーの
低い炭化チタンを生成する。
ガスは、１０００℃以下の温度に加熱されてそれぞれの
ガスは同時に熱分解される。この際、熱分解により生じ
たチタンと炭素原子は反応して、より自由エネルギーの
低い炭化チタンを生成する。
得られる炭化チタン薄膜はＸ線マイクロアナライザーに
よる元素分析の結果、化学量論組成であることが確かめ
られた。また、高速反射電子線回折の結果、９００〜１
０００℃の反応温度では、ベンゼンの四塩化チタンに対
する濃度比が５〜ｌＯの範囲で多結品から単結晶に移行
することが確認された。
よる元素分析の結果、化学量論組成であることが確かめ
られた。また、高速反射電子線回折の結果、９００〜１
０００℃の反応温度では、ベンゼンの四塩化チタンに対
する濃度比が５〜ｌＯの範囲で多結品から単結晶に移行
することが確認された。
なお、炭化物を形成する遷［多金炙ハロゲン化物として
は、四塩化チタン以外に池の低融点のハロゲン化物を使
用しても同様の結果が得られ、また、ベンゼン以外の他
の炭化水素化合物との組み合わ什も可能である。
は、四塩化チタン以外に池の低融点のハロゲン化物を使
用しても同様の結果が得られ、また、ベンゼン以外の他
の炭化水素化合物との組み合わ什も可能である。
（発明の効果）
以上の如く、本発明に係る炭化物合成法によれば、熱分
解ＣＶＤ法を用いて、従来より低い反応温度で合成する
ことが可能で、その結果、基板となる母材の性能を損な
うことなく、結晶性の優れた炭化物膜を形成することが
できる。
解ＣＶＤ法を用いて、従来より低い反応温度で合成する
ことが可能で、その結果、基板となる母材の性能を損な
うことなく、結晶性の優れた炭化物膜を形成することが
できる。
第１図は本発明の詳細な説明に供する炭化物生成装置の
ブロック構成図である。 １．１°・・バブル容器、 ２ アルゴンガス制御系、
３・・・ガラス管、 ４ ・反応管、６．９・・
・希釈ライン、 ７・試料台、８・・加熱炉。
ブロック構成図である。 １．１°・・バブル容器、 ２ アルゴンガス制御系、
３・・・ガラス管、 ４ ・反応管、６．９・・
・希釈ライン、 ７・試料台、８・・加熱炉。
Claims (1)
- １、不飽和基含有炭化水素化合物および遷移金属ハロゲ
ン化物の蒸気を同時に導入し、６００〜１０００℃で加
熱分解して基材上に結晶性の遷移金属炭化物膜を形成す
ることを特徴とする遷移金属炭化物膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15769686A JPS6314871A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 遷移金属炭化物膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15769686A JPS6314871A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 遷移金属炭化物膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314871A true JPS6314871A (ja) | 1988-01-22 |
| JPH0526869B2 JPH0526869B2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=15655383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15769686A Granted JPS6314871A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 遷移金属炭化物膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314871A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695831A (en) * | 1995-02-03 | 1997-12-09 | Nec Corporation | CVD method for forming a metallic film on a wafer |
-
1986
- 1986-07-03 JP JP15769686A patent/JPS6314871A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695831A (en) * | 1995-02-03 | 1997-12-09 | Nec Corporation | CVD method for forming a metallic film on a wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0526869B2 (ja) | 1993-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4239819A (en) | Deposition method and products | |
| EP0540084B1 (en) | Method for passivating the inner surface of a reactor subject to coking, by deposition of a ceramic coating, and method of pyrolyzing hydrocarbons | |
| US4442169A (en) | Multiple coated cutting tool and method for producing same | |
| US3574672A (en) | Cvd process for producing tungsten carbide and article of manufacture | |
| US3964937A (en) | Method of making a composite coating | |
| GB1394108A (en) | Coated hard metal body | |
| US3368914A (en) | Process for adherently depositing a metal carbide on a metal substrate | |
| US2689807A (en) | Method of coating refractory metal articles | |
| US3389977A (en) | Tungsten carbide coated article of manufacture | |
| US4980201A (en) | Method of forming tungsten carbide by chemical vapor deposition | |
| Burgess et al. | Solid precursor MOCVD of heteroepitaxial rutile phase TiO2 | |
| JPS6314871A (ja) | 遷移金属炭化物膜の製法 | |
| EP0546670B1 (en) | Metal nitride films | |
| US4810530A (en) | Method of coating metal carbide nitride, and carbonitride whiskers with metal carbides, nitrides, carbonitrides, or oxides | |
| US4869929A (en) | Process for preparing sic protective films on metallic or metal impregnated substrates | |
| US5112650A (en) | Chemical vapor deposition of metal chalcogenide films | |
| JPS62226808A (ja) | 黒鉛層間化合物の合成法 | |
| JPH0361369A (ja) | ダイヤモンド状炭素膜の製造方法 | |
| JPS62142778A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH06184749A (ja) | 有機金属錯体を用いる薄膜の製造法 | |
| JPH02228475A (ja) | 炭化ケイ素被膜の製造方法 | |
| JPS6240429B2 (ja) | ||
| JPS6242996B2 (ja) | ||
| Kostadinov et al. | Plasma-assisted chemical vapor deposition of diamond from an ethanol-water-hydrogen gas mixture | |
| Pierson | PROCESSING ASPECTS OF CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (CVD) FOR ADVANCED MATERIALS |