JPS63147841A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS63147841A JPS63147841A JP29284986A JP29284986A JPS63147841A JP S63147841 A JPS63147841 A JP S63147841A JP 29284986 A JP29284986 A JP 29284986A JP 29284986 A JP29284986 A JP 29284986A JP S63147841 A JPS63147841 A JP S63147841A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、外付は法や軸付は法(VAD法)によって光
ファイバ母材を製造する方法に関するものでのQ 。
ファイバ母材を製造する方法に関するものでのQ 。
「従来技術とその問題点」
第5図は従来の光ファイバ母材の製造方法である、いわ
ゆる外付は法を示すしのである。この外付は法は、バー
ナ1に酸素と水素あるいはメタンを供給して火炎2を形
成すると共に、同バーナlに5iC1!、やGeCl2
aなどの原料ガスを供給して火炎2中でシリカを主成分
とするガラス微粒子(以下、ガラス微粒子と略称する)
を生成させ、生成したガラス微t・γ子を回転する出発
部(43の軸方向に、6Jってバーナ1を往復運動させ
ながち出発部(43の外周に径方向に堆積さけて多孔質
プリフィ・−ム4を作成し、次いで、この多孔質プリフ
ォーム4を加熱溶融処理して光ファイバ母材を製造する
方法である。
ゆる外付は法を示すしのである。この外付は法は、バー
ナ1に酸素と水素あるいはメタンを供給して火炎2を形
成すると共に、同バーナlに5iC1!、やGeCl2
aなどの原料ガスを供給して火炎2中でシリカを主成分
とするガラス微粒子(以下、ガラス微粒子と略称する)
を生成させ、生成したガラス微t・γ子を回転する出発
部(43の軸方向に、6Jってバーナ1を往復運動させ
ながち出発部(43の外周に径方向に堆積さけて多孔質
プリフィ・−ム4を作成し、次いで、この多孔質プリフ
ォーム4を加熱溶融処理して光ファイバ母材を製造する
方法である。
このような、従来の光ファイバ母材の製造方法にあって
は、火炎2中で形成されlコガラス微拉fの堆積収率が
低い問題があった。特に、出発i1> 443に細径の
しのを用いた場合には、ガラス散¥: −Fの堆積開始
初期の堆積収率が非常に低い4満かうつr二。
は、火炎2中で形成されlコガラス微拉fの堆積収率が
低い問題があった。特に、出発i1> 443に細径の
しのを用いた場合には、ガラス散¥: −Fの堆積開始
初期の堆積収率が非常に低い4満かうつr二。
この問題に対処するために、USP4.378゜985
で提案されfコ製造方法において:よ、バー→゛1のf
3動速賞やターケラトである出発部+439回転速度を
調整してガラス微粒子の堆積収率向上を図っているが、
十分満足できる結果を得るには至っていな−い。
゛ 「問題点を解決するための手段」 そこで、本発明の光ファイバ母材の製造方法にあっては
、ガラス微粒子を堆積させろ部分にヘリウムガスを吹き
付けて冷却しておくことにより、上記問題点の解決を図
った。
で提案されfコ製造方法において:よ、バー→゛1のf
3動速賞やターケラトである出発部+439回転速度を
調整してガラス微粒子の堆積収率向上を図っているが、
十分満足できる結果を得るには至っていな−い。
゛ 「問題点を解決するための手段」 そこで、本発明の光ファイバ母材の製造方法にあっては
、ガラス微粒子を堆積させろ部分にヘリウムガスを吹き
付けて冷却しておくことにより、上記問題点の解決を図
った。
以下、本発明の光ファイバ母材の製造方法を詳しく説明
する。
する。
第1図は、外付は法に本発明の製造方法を適用した例を
示すものである。この例にあっては、出発部材3に対し
て直角方向から火炎2を当てガラス微粒子を堆積せしめ
ている。このガラス微粒子が堆積される部分(以下、堆
積部分と略称する)Aは、ヘリウムガスを吹き付けるこ
とによって冷却されている。
示すものである。この例にあっては、出発部材3に対し
て直角方向から火炎2を当てガラス微粒子を堆積せしめ
ている。このガラス微粒子が堆積される部分(以下、堆
積部分と略称する)Aは、ヘリウムガスを吹き付けるこ
とによって冷却されている。
堆積部分Aを冷却するヘリウムガスは、出発部+43を
挟んで火炎2と180°反対側の位置に設けられたノズ
ル5から噴射されている。そして、噴射されたヘリウム
ガスで冷却された堆積部分Aは、出発部材3の回転に伴
って火炎2側に4多動され、ここでガラス微粒子が堆積
される。
挟んで火炎2と180°反対側の位置に設けられたノズ
ル5から噴射されている。そして、噴射されたヘリウム
ガスで冷却された堆積部分Aは、出発部材3の回転に伴
って火炎2側に4多動され、ここでガラス微粒子が堆積
される。
ノズル5は出発部材3の軸方向にバーナlと同期して往
復運動するように設けられており、ガラス微粒子が堆積
される部分Aは常にヘリウムガスで冷却されるようにな
っている。
復運動するように設けられており、ガラス微粒子が堆積
される部分Aは常にヘリウムガスで冷却されるようにな
っている。
ヘリウムガスは熱伝導性の良い気体なので、堆積部分A
を速やかに冷却できる。ヘリウムガスによる冷却は、堆
積部分Aの表面温度が約400℃以下、より好ましくは
300℃以下になるように行なうと、特に顕著な効果が
得られる。そのfコめには、通常−1O℃以下のヘリウ
ムガスを21/分以上吹き付けろことが望ましい。堆積
部分Aの表面温度が高くなると、ガラス微粒子の堆積収
率を十分向上できない。
を速やかに冷却できる。ヘリウムガスによる冷却は、堆
積部分Aの表面温度が約400℃以下、より好ましくは
300℃以下になるように行なうと、特に顕著な効果が
得られる。そのfコめには、通常−1O℃以下のヘリウ
ムガスを21/分以上吹き付けろことが望ましい。堆積
部分Aの表面温度が高くなると、ガラス微粒子の堆積収
率を十分向上できない。
「作用 」
本発明の製造方法によれば、ヘリウムガスを吹き付ける
ことによってガラス微粒子の積層される部分Aが低温に
保つたれているので、ガラス@拉子を生成せしめる火炎
2から堆積部分Aに向かって急激な温度勾配が形成され
る。このように温度勾配の急な領域では、物質の移動が
温度の高い領域から低い領域に向かって多くなる(いわ
ゆるサーモフォレンス効果)ので、その結果ガラス微粒
子の堆積収率が向上される。
ことによってガラス微粒子の積層される部分Aが低温に
保つたれているので、ガラス@拉子を生成せしめる火炎
2から堆積部分Aに向かって急激な温度勾配が形成され
る。このように温度勾配の急な領域では、物質の移動が
温度の高い領域から低い領域に向かって多くなる(いわ
ゆるサーモフォレンス効果)ので、その結果ガラス微粒
子の堆積収率が向上される。
一実施例」
以下、実施例に沿って本発明の光ファイバ母材の製造方
法を詳しく説明する。
法を詳しく説明する。
(実施例1)
第1図に示したように、外付は法に本発明の製造方法を
適用して先ファイバ母材を製造した。
適用して先ファイバ母材を製造した。
直径201の出発部vr3にガラス微粒子を堆積さu′
f二。バーナ1とノズル5は、出発部材3の軸方向に往
復連動する一つの架台上に設置した。出発;1< +4
3は、両端をチャックにより支持されており、20回/
分の速度で回転されている。また、バーナlおよびノズ
ル5のトラバース速度は150 mm/分に設定しf二
。バーナlには、水素ガスを25り7分、酸素ガスを4
0e/分、四塩化珪素(Si(1!4)を3C/分、ア
ルゴンガスを0.3C/分て供給した。
f二。バーナ1とノズル5は、出発部材3の軸方向に往
復連動する一つの架台上に設置した。出発;1< +4
3は、両端をチャックにより支持されており、20回/
分の速度で回転されている。また、バーナlおよびノズ
ル5のトラバース速度は150 mm/分に設定しf二
。バーナlには、水素ガスを25り7分、酸素ガスを4
0e/分、四塩化珪素(Si(1!4)を3C/分、ア
ルゴンガスを0.3C/分て供給した。
ノズル5から一10℃のヘリウムガスを2’ 0 &/
分の流量で噴射して、光ファイバ母材となる多孔質プリ
フォーム4を作成した。また、比較の1こめに、ヘリウ
ムガスの吹き付けを行イつずに多孔質プリツーオーム4
を作成し、ガラス微粒子の単位時間当たりの堆積量(堆
積速度)を調べた。
分の流量で噴射して、光ファイバ母材となる多孔質プリ
フォーム4を作成した。また、比較の1こめに、ヘリウ
ムガスの吹き付けを行イつずに多孔質プリツーオーム4
を作成し、ガラス微粒子の単位時間当たりの堆積量(堆
積速度)を調べた。
ガラス微粒子の堆h1速度はその時点での多孔質プリフ
ォーム4め外径に大きく依存するので、多孔質プリフォ
ーム4′の外視とガラス微粒子の堆積速度との関係をグ
ラフに表したところ、第2図に示す結果が得られた。
ォーム4め外径に大きく依存するので、多孔質プリフォ
ーム4′の外視とガラス微粒子の堆積速度との関係をグ
ラフに表したところ、第2図に示す結果が得られた。
第2図の結果から、ヘリウムガスによってガラス微粒子
の堆積部分Aを冷却する本発明の製造方法によれば、ガ
ラス微粒子の堆積速度を30〜60%向上できろことが
判明した。
の堆積部分Aを冷却する本発明の製造方法によれば、ガ
ラス微粒子の堆積速度を30〜60%向上できろことが
判明した。
(実施例2)
ガラス微粒子の堆積速度と堆積部分への温度す)関係を
具1へた。
具1へた。
出発部材3あるいは多孔質プリフォーム4の火炎2に晒
されろ置市の部分の温度を堆積部分Aの温度とし、この
温度を放射温度計で測定して所定値に保つようにしなが
ら多孔質プリフォーム4の製造を行った。多孔質プリフ
ォーム4の外径が90mmになるのに要する時間を測定
してガラス微粒子の堆積速度を比較した。なお、他の製
造条件は実施例1と同様にした。結果を第3図に示す。
されろ置市の部分の温度を堆積部分Aの温度とし、この
温度を放射温度計で測定して所定値に保つようにしなが
ら多孔質プリフォーム4の製造を行った。多孔質プリフ
ォーム4の外径が90mmになるのに要する時間を測定
してガラス微粒子の堆積速度を比較した。なお、他の製
造条件は実施例1と同様にした。結果を第3図に示す。
第3図の結果から、堆積部分Aの温度が約400°C以
下、特に300℃以下になると、堆積速度の向上が顕著
に現れることが判明した。
下、特に300℃以下になると、堆積速度の向上が顕著
に現れることが判明した。
(実施例3)
第4図に示すように、VAD法に本発明の製造方法を適
用して光ファイバ@財を製造した。
用して光ファイバ@財を製造した。
図中符号IOはコアガラス用バーナ、符号l!はクラッ
ドガラス用バーナである。これらバーナ10.11の位
置は固定されている。クラッドガラス用バーナ11と対
向する側にはノズル5が設けられており、クラッドとな
るガラス微粒子の堆積部分Aを冷却するヘリウムガスが
噴射させている。
ドガラス用バーナである。これらバーナ10.11の位
置は固定されている。クラッドガラス用バーナ11と対
向する側にはノズル5が設けられており、クラッドとな
るガラス微粒子の堆積部分Aを冷却するヘリウムガスが
噴射させている。
ヘリウムガスの温度は一408C1噴射量は20a/分
とした。また、各バーナ10.1+に供給したガスおよ
びその供給量は、次の通りであるっコアガラス用バーナ
lO 水素ガス 312/分 酸素ガス !/分 アルゴンガス 0.5Q/分 5iCL 500cc/分 GeCL I 20cc/分 クラッドガラス用バーナ11 水素ガス 25Q/分 酸素ガス 40Q/分 5iCf2. 3ρ/分 アルゴンガス 0.3Q/分 製造された多孔質プリフォームを測定したところ、ヘリ
ウムガスを吹き付けて冷却を行っf二ものは、ヘリウム
ガスによる冷却を行わないものに比較して、外径で約1
5%、体積にして約30%カラス微粒子の堆積収率が向
上されていfこ。
とした。また、各バーナ10.1+に供給したガスおよ
びその供給量は、次の通りであるっコアガラス用バーナ
lO 水素ガス 312/分 酸素ガス !/分 アルゴンガス 0.5Q/分 5iCL 500cc/分 GeCL I 20cc/分 クラッドガラス用バーナ11 水素ガス 25Q/分 酸素ガス 40Q/分 5iCf2. 3ρ/分 アルゴンガス 0.3Q/分 製造された多孔質プリフォームを測定したところ、ヘリ
ウムガスを吹き付けて冷却を行っf二ものは、ヘリウム
ガスによる冷却を行わないものに比較して、外径で約1
5%、体積にして約30%カラス微粒子の堆積収率が向
上されていfこ。
「発明の効果」
以上説明した構成を有する本発明の光ファイバ母材の製
造方法にあっては、ガラス微粒子を生成する火炎からガ
ラス微粒子の堆積部分に向かって急激な温度勾配が形成
されるので、生成されたガラス微粒子が温度の低い堆積
部分に積題的に移動される。従って、本発明の製造方法
によれば、ガラス微粒子の堆債収率を向上でき、光ファ
イバ母(才の製造を効率良く行うことができろ。
造方法にあっては、ガラス微粒子を生成する火炎からガ
ラス微粒子の堆積部分に向かって急激な温度勾配が形成
されるので、生成されたガラス微粒子が温度の低い堆積
部分に積題的に移動される。従って、本発明の製造方法
によれば、ガラス微粒子の堆債収率を向上でき、光ファ
イバ母(才の製造を効率良く行うことができろ。
第1図は本発明の光ファイバCutの製造方法の第一実
施例を示す概略斜視図、第2図は実髄例1て調べたガラ
ス微粒子の堆積速度と多孔質プリフォーム径の関係を示
すグラフ、第3図は実施例2で調べた多孔質プリフォー
ム径が90mmに成長するのに要する時間と堆f7ff
i+分の温度の関係を示すグラフ、第4図は本発明の光
ファイバ母材の製造方法の第二実施例を示す概略斜視図
、第5図は従来の光ファイバ母材の製造方法を示す概略
斜視図である。 2・・・火炎、3・・・出発部オ、A・・・堆積部分。
施例を示す概略斜視図、第2図は実髄例1て調べたガラ
ス微粒子の堆積速度と多孔質プリフォーム径の関係を示
すグラフ、第3図は実施例2で調べた多孔質プリフォー
ム径が90mmに成長するのに要する時間と堆f7ff
i+分の温度の関係を示すグラフ、第4図は本発明の光
ファイバ母材の製造方法の第二実施例を示す概略斜視図
、第5図は従来の光ファイバ母材の製造方法を示す概略
斜視図である。 2・・・火炎、3・・・出発部オ、A・・・堆積部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 火炎中に原料ガスを通してシリカを主成分とするガラス
微粒子を生成せしめこれを出発部材の外周に堆積させる
光ファイバ母材の製造方法において、 シリカを主成分とするガラス微粒子を堆積させる部分に
ヘリウムガスを吹き付けて冷却することを特徴とする光
ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29284986A JPS63147841A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29284986A JPS63147841A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63147841A true JPS63147841A (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=17787161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29284986A Pending JPS63147841A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63147841A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0527026U (ja) * | 1991-09-18 | 1993-04-06 | 古河電気工業株式会社 | 光フアイバスートの合成装置 |
US5292483A (en) * | 1991-06-28 | 1994-03-08 | Beckman Instruments, Inc. | Detecting a radiation signal |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP29284986A patent/JPS63147841A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5292483A (en) * | 1991-06-28 | 1994-03-08 | Beckman Instruments, Inc. | Detecting a radiation signal |
JPH0527026U (ja) * | 1991-09-18 | 1993-04-06 | 古河電気工業株式会社 | 光フアイバスートの合成装置 |
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