JPS63146238A - 光学ヘツド - Google Patents
光学ヘツドInfo
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- JPS63146238A JPS63146238A JP61292939A JP29293986A JPS63146238A JP S63146238 A JPS63146238 A JP S63146238A JP 61292939 A JP61292939 A JP 61292939A JP 29293986 A JP29293986 A JP 29293986A JP S63146238 A JPS63146238 A JP S63146238A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分舒
本発明は、光デイスク装置等の光学へ、ンドに関するも
のである。
のである。
従来の技術
現代は情報化時代といわれており、その中核をなす高密
度大容量メモリーの技術開発が盛んに行なわれている。
度大容量メモリーの技術開発が盛んに行なわれている。
メモリーに要求される能力としては、前述の高密度、大
容量に加え、高信頼性、高速アクセス等が挙げられ、そ
れらすべてを漫足するものとして光デイスクメモリーが
最も注目されている。光デイスクメモリーは、光学的に
情報を記録媒体に記録するものであり、最近では記録し
た情報の消去も可能な光磁気ディスクに関する研究も数
多く行なわれている。
容量に加え、高信頼性、高速アクセス等が挙げられ、そ
れらすべてを漫足するものとして光デイスクメモリーが
最も注目されている。光デイスクメモリーは、光学的に
情報を記録媒体に記録するものであり、最近では記録し
た情報の消去も可能な光磁気ディスクに関する研究も数
多く行なわれている。
本発明は上述したような光デイスクメモリーにおける光
学ヘッドに関するものである。
学ヘッドに関するものである。
従来、光学ヘッドに関する技術としては、数多〈の研究
発表等が行なわれており、これは光デイスクメモリーに
関する文献等に詳しく述べられている。
発表等が行なわれており、これは光デイスクメモリーに
関する文献等に詳しく述べられている。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の光学
ヘッドについて説明を行なう。
ヘッドについて説明を行なう。
第3図は従来の光学ヘッドの概略的な構成およびその動
作原理を説明するものである。第3図において、1は半
導体レーザ、2はコリメートレンズ、3は光学素子、4
は対物レンズ、6は情報記録媒体であるディスク、6は
検出手段であり、半導体レーザチップ接合方向平行側を
図示している。
作原理を説明するものである。第3図において、1は半
導体レーザ、2はコリメートレンズ、3は光学素子、4
は対物レンズ、6は情報記録媒体であるディスク、6は
検出手段であり、半導体レーザチップ接合方向平行側を
図示している。
以上のように構成された従来例について、以下その動作
について説明を行なう。
について説明を行なう。
半導体レーザ1からの発散光は、コリメートレンズ2に
より平行光に変換される。一般に半導体レーザの発する
光は発散光であり、放射角は、半導体レーザチップ接合
方向平行側では小さく、垂直側では大きい。したがって
コリメートレンズ2の出力である平行光束は、断面形状
が第3図の紙面に平行な面内に短軸を、紙面に垂直な面
内に長軸を有する略だ円状となる。光学素子3は、ビー
ム整形およびビームの分離の2つの機能を有しており、
コリメートレンズ2からの平行光を屈折させることによ
り短軸側の径を拡大し、断面形状が略円形状の平行光束
に変換する。光学素子3からの出力光は、対物レンズ4
によシ、ディスク6上に集光され、情報の記録、再生等
を行なう。ディスク6からの反射光は、逆の経路をたど
り、光学素子3により反射・分離され、検出手段6によ
り、ディスク6上の情報信号、フォーカス誤差信号およ
びトラッキング誤差信号等の検出を行なう。このように
第3図に示した従来例は比較的簡単な構成でビーム整形
を行なうことができるため、現在では、記録再生用の光
学ヘッドに多く用いられている。
より平行光に変換される。一般に半導体レーザの発する
光は発散光であり、放射角は、半導体レーザチップ接合
方向平行側では小さく、垂直側では大きい。したがって
コリメートレンズ2の出力である平行光束は、断面形状
が第3図の紙面に平行な面内に短軸を、紙面に垂直な面
内に長軸を有する略だ円状となる。光学素子3は、ビー
ム整形およびビームの分離の2つの機能を有しており、
コリメートレンズ2からの平行光を屈折させることによ
り短軸側の径を拡大し、断面形状が略円形状の平行光束
に変換する。光学素子3からの出力光は、対物レンズ4
によシ、ディスク6上に集光され、情報の記録、再生等
を行なう。ディスク6からの反射光は、逆の経路をたど
り、光学素子3により反射・分離され、検出手段6によ
り、ディスク6上の情報信号、フォーカス誤差信号およ
びトラッキング誤差信号等の検出を行なう。このように
第3図に示した従来例は比較的簡単な構成でビーム整形
を行なうことができるため、現在では、記録再生用の光
学ヘッドに多く用いられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、光学素子3のエツ
ジ部分である点Aや点Bに光が当った場合、そこで光の
散乱が生じ、それが光学ヘッド筐体内壁面でさらに乱反
射するなどにょシ、迷光が発生してしまう。この迷光が
検出手段6に入射することにより、フォーカス、トラッ
キング誤差信号の検出を誤ったり、再生情報信号の品質
劣化を起こすという問題点を有していた。一般に光学素
子3の入射有効口径は、半導体レーザチップ接合方向平
行側の標準的な放射角等で決定され、その場合迷光は発
生しないようになっている。しかし、半導体レーザ1の
放射角は相当な個体差があるため、放射角が標準よりも
大きい場合は、前述のような迷光が発生し易くなる。こ
れを防ぐためには、光学素子3の形状を大きくし、入射
有効口径を大きくするという手段があるが、これは光学
ヘッドの大型化を招くという欠点を有していた。
ジ部分である点Aや点Bに光が当った場合、そこで光の
散乱が生じ、それが光学ヘッド筐体内壁面でさらに乱反
射するなどにょシ、迷光が発生してしまう。この迷光が
検出手段6に入射することにより、フォーカス、トラッ
キング誤差信号の検出を誤ったり、再生情報信号の品質
劣化を起こすという問題点を有していた。一般に光学素
子3の入射有効口径は、半導体レーザチップ接合方向平
行側の標準的な放射角等で決定され、その場合迷光は発
生しないようになっている。しかし、半導体レーザ1の
放射角は相当な個体差があるため、放射角が標準よりも
大きい場合は、前述のような迷光が発生し易くなる。こ
れを防ぐためには、光学素子3の形状を大きくし、入射
有効口径を大きくするという手段があるが、これは光学
ヘッドの大型化を招くという欠点を有していた。
本発明は上記従来問題点に鑑みてなされたもので、半導
体レーザチップ接合方向平行側の放射角が標準よりも大
きい場合でも、光学素子の形状を大型化することなしに
迷光の発生を防ぐことのできる光学ヘッドを提供するこ
とを目的とするものである。
体レーザチップ接合方向平行側の放射角が標準よりも大
きい場合でも、光学素子の形状を大型化することなしに
迷光の発生を防ぐことのできる光学ヘッドを提供するこ
とを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明の光学ヘッドは、コリ
メートレンズと、コリメートレンズからの断面形状が短
軸a、長軸すの略だ円状平行光束の短軸側を約b/a
、倍に拡大する前記短軸側入射有効口径がCのビーム整
形手段の間に位置し、前記平行光束断面形状の短軸、長
軸と向きを同じくするよう配置された短軸p、長軸qの
略だ円状開口を有し、 q/p舛b / a p<c であるアパーチャを有する構成となっている。
メートレンズと、コリメートレンズからの断面形状が短
軸a、長軸すの略だ円状平行光束の短軸側を約b/a
、倍に拡大する前記短軸側入射有効口径がCのビーム整
形手段の間に位置し、前記平行光束断面形状の短軸、長
軸と向きを同じくするよう配置された短軸p、長軸qの
略だ円状開口を有し、 q/p舛b / a p<c であるアパーチャを有する構成となっている。
作 用
本発明は上記した構成により、半導体レーザ 一
チップ接合方向平行側の放射角が標準よりも太きい場合
でも、光学素子に入射する光束はアパーチャにより制限
されるため、迷光の発生を防ぐことが可能となる。
チップ接合方向平行側の放射角が標準よりも太きい場合
でも、光学素子に入射する光束はアパーチャにより制限
されるため、迷光の発生を防ぐことが可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。
第1図は本発明の一実施例における光学ヘッドの概略図
を示すものである。第1図において、1は半導体レーザ
、2はコリメートレンズ、3は光学素子、4は対物レン
ズ、5はディスク、6は検出手段、7はアパーチャであ
る。
を示すものである。第1図において、1は半導体レーザ
、2はコリメートレンズ、3は光学素子、4は対物レン
ズ、5はディスク、6は検出手段、7はアパーチャであ
る。
以上のように構成された光学ヘッドの一実施例について
、以下その動作について説明を行なう。
、以下その動作について説明を行なう。
基本的な動作は、第3図を用いて説明した従来例の場合
と同様である。標準的な放射角を半導体レーザ1が有し
ていた場合、コリメートレンズ2により、断面形状が短
軸a、長軸すの略だ円状平行光束が得られる。
と同様である。標準的な放射角を半導体レーザ1が有し
ていた場合、コリメートレンズ2により、断面形状が短
軸a、長軸すの略だ円状平行光束が得られる。
光学素子3は、前述の短軸側光束径を屈折させることに
より、約b/a 倍に拡大し、断面形状が略円形状の平
行光束へと変換する。
より、約b/a 倍に拡大し、断面形状が略円形状の平
行光束へと変換する。
ここで、半導体レーザ1のチップ接合方向の放射角が標
準より大きい場合、コリメートレンズ2により得られる
平行光束断面形状は、短軸側が増大し、光学素子3の入
射有効口径Cよりも大きくなってしまい、光学素子3の
エツジ部で迷光が発生することは従来例で述べた。アノ
く−チャ7は、これを防止するだめのものであり、その
形状は第2図に示すような、短軸p、長軸qの略だ円状
開口を有している。ここで軸Aを第1図の紙面に平行に
なるように配置し、a、b、cおよびp、qの関係を q / p岬b / a p<c とすれば、前述のように半導体レーザ1のチップ接合方
向の放射角が標準より大きい場合でも、アパーチャアに
より、コリメートレンズ2の出力光束は規制されるため
、光学素子3にはCよりも小さな光束が入射するため迷
光は発生しない。又、q / p”F b / aとす
ることにより、略円形の平行光束を、光学素子3により
得ることが可能である。
準より大きい場合、コリメートレンズ2により得られる
平行光束断面形状は、短軸側が増大し、光学素子3の入
射有効口径Cよりも大きくなってしまい、光学素子3の
エツジ部で迷光が発生することは従来例で述べた。アノ
く−チャ7は、これを防止するだめのものであり、その
形状は第2図に示すような、短軸p、長軸qの略だ円状
開口を有している。ここで軸Aを第1図の紙面に平行に
なるように配置し、a、b、cおよびp、qの関係を q / p岬b / a p<c とすれば、前述のように半導体レーザ1のチップ接合方
向の放射角が標準より大きい場合でも、アパーチャアに
より、コリメートレンズ2の出力光束は規制されるため
、光学素子3にはCよりも小さな光束が入射するため迷
光は発生しない。又、q / p”F b / aとす
ることにより、略円形の平行光束を、光学素子3により
得ることが可能である。
なお、本実施例においては、アパーチャアの形状を第2
図に示すように穴開き型としたが、これは不要な光束を
制限するものであれば、どのような形式でも良い。
図に示すように穴開き型としたが、これは不要な光束を
制限するものであれば、どのような形式でも良い。
以上のように本実施例によれば、コリメートレンズと、
コリメートレンズからの、断面形状が短軸a、長軸すの
略だ円状平行光束の短軸側を約b/a 倍に拡大する、
短軸側入射有効口径がCの光学素子の間に、向きを同じ
くするよう配置された短軸p、長軸qの略だ円状開口を
有するアノ<−チャを設け、 q / p絢b / a ea とすることにより、半導体レーザのチップ接合方向平行
側の放射角が標準よりも大きい場合でも、大口径の光学
素子を用いることなしに迷光の発生を防ぐことが可能で
ある。
コリメートレンズからの、断面形状が短軸a、長軸すの
略だ円状平行光束の短軸側を約b/a 倍に拡大する、
短軸側入射有効口径がCの光学素子の間に、向きを同じ
くするよう配置された短軸p、長軸qの略だ円状開口を
有するアノ<−チャを設け、 q / p絢b / a ea とすることにより、半導体レーザのチップ接合方向平行
側の放射角が標準よりも大きい場合でも、大口径の光学
素子を用いることなしに迷光の発生を防ぐことが可能で
ある。
発明の効果
本発明は光学ヘッドとして、コリメートレンズと、コリ
メートレンズからの、断面形状が短軸d。
メートレンズからの、断面形状が短軸d。
長軸すの略だ円状平行光束の短軸側を約り/a倍に拡大
する、短軸側入射有効口径がCのビーム整形手段との間
に、短軸p、長軸qの略だ円状開口を有するアパーチャ
を設け、 q/p舛b / a p<c とすることにより、半導体レーザのチップ接合方向平行
側の放射角が標準よりも大きい場合でも、大口径のビー
ム整形手段を用いることなしに、迷光の発生を防ぎ、高
精度のフォーカス、トラッキング誤差信号の検出と、S
N比の良い情報信号の検出が可能であるという効果を得
ることができるすぐれた光学ヘッドを実現できるもので
ある。
する、短軸側入射有効口径がCのビーム整形手段との間
に、短軸p、長軸qの略だ円状開口を有するアパーチャ
を設け、 q/p舛b / a p<c とすることにより、半導体レーザのチップ接合方向平行
側の放射角が標準よりも大きい場合でも、大口径のビー
ム整形手段を用いることなしに、迷光の発生を防ぎ、高
精度のフォーカス、トラッキング誤差信号の検出と、S
N比の良い情報信号の検出が可能であるという効果を得
ることができるすぐれた光学ヘッドを実現できるもので
ある。
第1図は本発明の一実施例における光学ヘッドの概略図
、第2図はその要部の概略図、第3図は従来の光学ヘッ
ドの概略図である0 1・・・・・・半導体レーザ、2・・・・・・コリメー
トレンズ、3・・・・・・光学素子、4・・・・・・対
物レンズ、6・・・・・・ディスク、6・・・・・・検
出手段、7・・・・・・アパーチャ。
、第2図はその要部の概略図、第3図は従来の光学ヘッ
ドの概略図である0 1・・・・・・半導体レーザ、2・・・・・・コリメー
トレンズ、3・・・・・・光学素子、4・・・・・・対
物レンズ、6・・・・・・ディスク、6・・・・・・検
出手段、7・・・・・・アパーチャ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザと、前記半導体レーザの発散光を平行光
束に変換するコリメートレンズと、前記コリメートレン
ズにより形成された、断面形状が短軸a、長軸bの略だ
円状である平行光束の前記短軸側を約b/a倍拡大し断
面形状を略円形状に変換する前記短軸側入射有効口径が
cのビーム整形手段と、前記ビーム整形手段の出力光を
情報記録媒体上に集光させる対物レンズと、前記情報記
録媒体からの反射光により、フォーカス誤差信号、トラ
ッキング誤差信号、情報信号等を検出する検出手段と、
前記コリメートレンズと前記ビーム整形手段との間に位
置し、前記平行光束断面形状の短軸、長軸と向きを同じ
くするよう配置された、短軸p、長軸qの略だ円状開口
を有するアパーチャにより構成され、 q/p≒b/a p<c であることを特徴とする光学ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61292939A JPH0727660B2 (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 光学ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61292939A JPH0727660B2 (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 光学ヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63146238A true JPS63146238A (ja) | 1988-06-18 |
JPH0727660B2 JPH0727660B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=17788369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61292939A Expired - Lifetime JPH0727660B2 (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 光学ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0727660B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0558249A2 (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information recording/reproducing apparatus |
JPH0628703A (ja) * | 1992-03-31 | 1994-02-04 | Canon Inc | 光学的情報記録再生装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61134942A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Nec Corp | 光学ヘツド |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP61292939A patent/JPH0727660B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61134942A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Nec Corp | 光学ヘツド |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0558249A2 (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information recording/reproducing apparatus |
JPH0628703A (ja) * | 1992-03-31 | 1994-02-04 | Canon Inc | 光学的情報記録再生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0727660B2 (ja) | 1995-03-29 |
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