JPS63142680A - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体記憶装置及びその製造方法Info
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- JPS63142680A JPS63142680A JP61289941A JP28994186A JPS63142680A JP S63142680 A JPS63142680 A JP S63142680A JP 61289941 A JP61289941 A JP 61289941A JP 28994186 A JP28994186 A JP 28994186A JP S63142680 A JPS63142680 A JP S63142680A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体記憶装置およびその製造方法に係り、特
に紫外線消去型の電気的書き込み可能な読み出し専用の
半導体記憶装置およびその製造方法に関する。
に紫外線消去型の電気的書き込み可能な読み出し専用の
半導体記憶装置およびその製造方法に関する。
紫外線消去型の電気的書込み可能な読み出し専用の半導
体記憶装置は従来より種々の電気的制御装置あるいは電
子計算機等の記憶装置として用いられている。この電気
的書込み可能な読み出し専用の半導体記憶装置は、MO
3技術を用いたちので、記憶装置に形成されるMO3I
−ランジスタは、絶縁物の中に形成された例えば多結晶
シリコンから成るフローティング・ゲートを有し、この
フローティング・ゲートの上に書込み用の第2ゲートを
有しているものが一般的である(例えば第4図参照)。
体記憶装置は従来より種々の電気的制御装置あるいは電
子計算機等の記憶装置として用いられている。この電気
的書込み可能な読み出し専用の半導体記憶装置は、MO
3技術を用いたちので、記憶装置に形成されるMO3I
−ランジスタは、絶縁物の中に形成された例えば多結晶
シリコンから成るフローティング・ゲートを有し、この
フローティング・ゲートの上に書込み用の第2ゲートを
有しているものが一般的である(例えば第4図参照)。
第4図において41はソース、ドレインを含む半導体基
板であり、該基板を熱酸化して作成する厚い素子分離膜
43上の絶縁体層44中にフローティング・ゲート45
と第2ゲート(コントロール・ゲート)48をオーバー
ラツプさせて半導体記憶装置とするものである。
板であり、該基板を熱酸化して作成する厚い素子分離膜
43上の絶縁体層44中にフローティング・ゲート45
と第2ゲート(コントロール・ゲート)48をオーバー
ラツプさせて半導体記憶装置とするものである。
このような構造では広い素子分離膜とその上に形成さる
フローティング・ゲートを必要とし、半導体記憶装置の
集積度を上げる際に横方向の長さの縮小に対して縦方向
の長さの縮小が困難となり、記憶装置の微細化の障害に
なっていた。
フローティング・ゲートを必要とし、半導体記憶装置の
集積度を上げる際に横方向の長さの縮小に対して縦方向
の長さの縮小が困難となり、記憶装置の微細化の障害に
なっていた。
そこでフローティング・ゲートを第2ゲートの横に配置
し、このような欠点を除いた半導体記憶装置が提案され
ている(例えば19851EEE 、IEDM85−
p635〜638参照)。第5図はこの例であり、図に
おいて51は基板であり、ゲートII化膜53を介して
多結晶シリコンの第2ゲート(コントロール・ゲート)
58および多結晶シリコンのフローティング・ゲート5
5が形成されている。
し、このような欠点を除いた半導体記憶装置が提案され
ている(例えば19851EEE 、IEDM85−
p635〜638参照)。第5図はこの例であり、図に
おいて51は基板であり、ゲートII化膜53を介して
多結晶シリコンの第2ゲート(コントロール・ゲート)
58および多結晶シリコンのフローティング・ゲート5
5が形成されている。
また基板には不純物領域56.56が設けられておリソ
ース、ドレインとして働く。このような構造にすること
により縦方向の寸法の縮小が可能となり必要な特性の記
憶装置の設計が容易となる。
ース、ドレインとして働く。このような構造にすること
により縦方向の寸法の縮小が可能となり必要な特性の記
憶装置の設計が容易となる。
ところがこのような記憶装置では、各フローティング・
ゲートをそれぞれ別々に作るためその製造効率が必ずし
も高いものではなく、また集積度もそれ程高くないとい
う問題点を有していた。したがって本発明の目的は半導
体基板の縦、横両方向に対して微細化高集積化が可能な
半導体記憶装置の構造とその製法を提供するものである
。
ゲートをそれぞれ別々に作るためその製造効率が必ずし
も高いものではなく、また集積度もそれ程高くないとい
う問題点を有していた。したがって本発明の目的は半導
体基板の縦、横両方向に対して微細化高集積化が可能な
半導体記憶装置の構造とその製法を提供するものである
。
〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明では
半導体基板に溝を設け、この溝の側壁に素子分離絶縁膜
を介してフローティング・ゲートと第2ゲートとをオー
バーラツプさせたものを形成することを特徴とする。
半導体基板に溝を設け、この溝の側壁に素子分離絶縁膜
を介してフローティング・ゲートと第2ゲートとをオー
バーラツプさせたものを形成することを特徴とする。
本発明の構造にすることにより、従来半導体基板を熱酸
化して作成する厚い素子分離股上で作成していたフロー
ティング・ゲートと第2ゲートのオーバーランプ部分を
溝の側壁で形成するため、広い面積を占め装置の微細化
の障害となっていた素子分離膜を作成する必要がなく装
置の微細化高集積化を可能とする。
化して作成する厚い素子分離股上で作成していたフロー
ティング・ゲートと第2ゲートのオーバーランプ部分を
溝の側壁で形成するため、広い面積を占め装置の微細化
の障害となっていた素子分離膜を作成する必要がなく装
置の微細化高集積化を可能とする。
本発明の一実施例を第1図および第2図により、説明す
る。
る。
第1図(a)は本発明の一実施例の半導体記憶装置の平
面図であり、第1図(b)は第1図(a)のA−A ′
線に沿った断面図であり、第2図はこの半導体記憶装置
の製造方法を示す図である。
面図であり、第1図(b)は第1図(a)のA−A ′
線に沿った断面図であり、第2図はこの半導体記憶装置
の製造方法を示す図である。
第1図は、例えばp型シリコン基板1にn型の第1拡散
層2、例えば酸化シリコンから成る絶縁体層3が形成さ
れており、この基板1には溝が形成され各々の溝の中に
例えば酸化シリコンから成る絶縁体層4を介して例えば
多結晶シリコンがら成るフローティング・ゲート5、該
フローティング・ゲート5上を覆うように例えば酸化シ
リコンから成る絶縁体層7、例えば多結晶シリコンから
成る第2ゲート8等が形成される。この第2ゲート8は
この半導体記憶装置のワードライン(アドレス)として
働く。また溝の底部に位置するp型半導体基板1には第
1拡散層2とともにこの半導体記憶装置のMOSトラン
ジスタのソースあるいはドレインとして働く、例えばn
型の第2拡散層6が形成されている。これらの各素子領
域が第1図(a)に示すように規則的に配置されて半導
体記憶装置となる。なお第1図(a)における9は各素
子領域を分離するための例えばp型不純物注入領域を示
す。
層2、例えば酸化シリコンから成る絶縁体層3が形成さ
れており、この基板1には溝が形成され各々の溝の中に
例えば酸化シリコンから成る絶縁体層4を介して例えば
多結晶シリコンがら成るフローティング・ゲート5、該
フローティング・ゲート5上を覆うように例えば酸化シ
リコンから成る絶縁体層7、例えば多結晶シリコンから
成る第2ゲート8等が形成される。この第2ゲート8は
この半導体記憶装置のワードライン(アドレス)として
働く。また溝の底部に位置するp型半導体基板1には第
1拡散層2とともにこの半導体記憶装置のMOSトラン
ジスタのソースあるいはドレインとして働く、例えばn
型の第2拡散層6が形成されている。これらの各素子領
域が第1図(a)に示すように規則的に配置されて半導
体記憶装置となる。なお第1図(a)における9は各素
子領域を分離するための例えばp型不純物注入領域を示
す。
ここでゲート8のうちの1ケを選択し、第1拡散層2と
第2拡散層6を1ケづつ選択することでただ1つの半導
体記憶装置が選ばれることになる(例えば第1図の矢印
−を参照)。
第2拡散層6を1ケづつ選択することでただ1つの半導
体記憶装置が選ばれることになる(例えば第1図の矢印
−を参照)。
メモリセルとしての動作は第1図(b)の点線で囲まれ
た領域Aで行われる。まず書込み動作は第2ゲート8−
1を高電圧、例えば18V程度に上げ、書込むべきフロ
ーティング・ゲート5−1の左側の第2拡散層6−1を
適当な電位、例えば8■程度に電圧を設定しその他の第
2拡散層16はフローティングとする。また書込むべき
フローティング・ゲート5−1の右側の第1拡散N2−
1の電位を0■とし、その他の第1拡散層2はフローテ
ィングとする。
た領域Aで行われる。まず書込み動作は第2ゲート8−
1を高電圧、例えば18V程度に上げ、書込むべきフロ
ーティング・ゲート5−1の左側の第2拡散層6−1を
適当な電位、例えば8■程度に電圧を設定しその他の第
2拡散層16はフローティングとする。また書込むべき
フローティング・ゲート5−1の右側の第1拡散N2−
1の電位を0■とし、その他の第1拡散層2はフローテ
ィングとする。
この操作でただ1つの半導体記憶装置が選択されて電子
がフローティング・ゲート5−1に注入され書込み状態
となる。この書込まれた電子の量を情報とする。
がフローティング・ゲート5−1に注入され書込み状態
となる。この書込まれた電子の量を情報とする。
次に読み出し動作は第2ゲート8を1本選択し、これを
例えば5■に電圧を設定し、読み出すべき半導体記憶装
置の左側の第2拡散層6をデータ線として選び、約2V
程度の電圧をかけその他の第2拡散層6を非選択とする
。そして読み出すべき半導体記憶装置の右側の第1拡散
層2を0■とし、その他の第1拡散層2をフローティン
グとする。
例えば5■に電圧を設定し、読み出すべき半導体記憶装
置の左側の第2拡散層6をデータ線として選び、約2V
程度の電圧をかけその他の第2拡散層6を非選択とする
。そして読み出すべき半導体記憶装置の右側の第1拡散
層2を0■とし、その他の第1拡散層2をフローティン
グとする。
この操作によってただ1つの記憶装置が選択され、フロ
ーティング・ゲート5に電子が注入されている量による
電流量変化を選択した第2拡散層6を通して情報として
得る。
ーティング・ゲート5に電子が注入されている量による
電流量変化を選択した第2拡散層6を通して情報として
得る。
またフローティング・ゲート5に注入された電子の消去
(即ち書込まれた情報の消去)は紫外線のエネルギーを
用いて行うことができる。
(即ち書込まれた情報の消去)は紫外線のエネルギーを
用いて行うことができる。
次にこのような半導体記憶装置の製造方法を第2図によ
って説明する。
って説明する。
まずp型シリコン基板1にn型不純物である砒素(A、
)を注入してn型の第1拡散層2を形成した後熱酸化ま
たはCVD法によって堆積させた酸化シリコンから成る
絶縁体層3を形成する(第2図(a)参照)。
)を注入してn型の第1拡散層2を形成した後熱酸化ま
たはCVD法によって堆積させた酸化シリコンから成る
絶縁体層3を形成する(第2図(a)参照)。
次に異方性エツチングによって該基板1に溝10を形成
しく第2図(b)参照)その溝の周辺部のシリコン基板
の露出部に熱酸化によって酸化シリコンから成る絶縁体
層4(これがゲート絶縁膜となる)を成長させる(第2
図(c)参照)。
しく第2図(b)参照)その溝の周辺部のシリコン基板
の露出部に熱酸化によって酸化シリコンから成る絶縁体
層4(これがゲート絶縁膜となる)を成長させる(第2
図(c)参照)。
この溝を含むシリコン基板1の全面にCVD法によって
等方向に多結晶シリコン5を堆積させ(第2図(d)参
照)、更にこの多結晶シリコン層5′に異方性エツチン
グを施すとその加工特性によりシリコン基板lに形成し
た溝の側壁部にのみ多結晶シリコンN5が残る。これが
フローティング・ゲートとして用いられる(第2図(e
)参照)。
等方向に多結晶シリコン5を堆積させ(第2図(d)参
照)、更にこの多結晶シリコン層5′に異方性エツチン
グを施すとその加工特性によりシリコン基板lに形成し
た溝の側壁部にのみ多結晶シリコンN5が残る。これが
フローティング・ゲートとして用いられる(第2図(e
)参照)。
次にこの多結晶シリコン層5の形状を利用し自己整合的
にn型不純物を注入して第2拡散層6を形成する(第2
図(f)参照)。
にn型不純物を注入して第2拡散層6を形成する(第2
図(f)参照)。
第1図(a)の平面図に示す如く、溝の側壁に形成した
多結晶シリコン層5を素子毎に分離すべく、フローティ
ング・ゲートとなる多結晶シリコン層5の一部即ちp型
不純物注入予定領域9′をレジストを用いた異方性エツ
チングにより除去してp型不純物注入領域9を形成する
(第2図(g)参照、ただし、第2図(g)および(i
)は第1図(a)のB−B ′断面図の一部である)。
多結晶シリコン層5を素子毎に分離すべく、フローティ
ング・ゲートとなる多結晶シリコン層5の一部即ちp型
不純物注入予定領域9′をレジストを用いた異方性エツ
チングにより除去してp型不純物注入領域9を形成する
(第2図(g)参照、ただし、第2図(g)および(i
)は第1図(a)のB−B ′断面図の一部である)。
次にシリコン基板1の熱酸化あるいは絶縁物(誘電率の
高い、例えば窒化シリコンが好ましい)をCVD法によ
って堆積して絶縁体層7を堆積後、CVD法により多結
晶シリコン8′を堆積し、それを第2ゲート8とするべ
くエツチングによって一部を除去して第2ゲート8を形
成する(第1図(a)および第2図(h)参照)。
高い、例えば窒化シリコンが好ましい)をCVD法によ
って堆積して絶縁体層7を堆積後、CVD法により多結
晶シリコン8′を堆積し、それを第2ゲート8とするべ
くエツチングによって一部を除去して第2ゲート8を形
成する(第1図(a)および第2図(h)参照)。
この多結晶シリコンから成る第2ゲート8を遮蔽物とし
てp型不純物であるホウ素(B)を注入してp型不純物
領域9を形成する(第2図(i)参照)。
てp型不純物であるホウ素(B)を注入してp型不純物
領域9を形成する(第2図(i)参照)。
以上によって本発明の半導体記憶装置は形成される。
第3図は本発明の他の実施例を示す。
この実施例では各々の第2拡散層6をコンタクト11に
よって縦方向に形成したアルミニウム配線10によって
接続し、データ線として用いた例である。
よって縦方向に形成したアルミニウム配線10によって
接続し、データ線として用いた例である。
動作説明は第3図の矢印−のついた半導体記憶装置につ
いて行う。
いて行う。
書込み動作においては選択されるべきフローティング・
ゲート5の上を通っている第2ゲート8−1を例えば1
5V程度の高電圧に昇圧させ、その他の第2ゲート8は
0■とし、アルミ線12をただ1本選択しそれを例えば
8■程度に昇圧させてその他はOVとする。また第1拡
散層2は常に0■としておく。
ゲート5の上を通っている第2ゲート8−1を例えば1
5V程度の高電圧に昇圧させ、その他の第2ゲート8は
0■とし、アルミ線12をただ1本選択しそれを例えば
8■程度に昇圧させてその他はOVとする。また第1拡
散層2は常に0■としておく。
結果として、ただ1つの半導体記憶装置が選択されてフ
ローティング・ゲート5−1に電子が注入され、書込み
動作状態となる。
ローティング・ゲート5−1に電子が注入され、書込み
動作状態となる。
読み出し動作においては選択されるべき半導体記憶装置
のフローティング・ゲート5の上を通る第2ゲート8を
5■に昇圧させ、その他のゲート8は0■とし、アルミ
配線1本だけ選択する。また第1拡散N2は常に0■と
しておく。
のフローティング・ゲート5の上を通る第2ゲート8を
5■に昇圧させ、その他のゲート8は0■とし、アルミ
配線1本だけ選択する。また第1拡散N2は常に0■と
しておく。
結果としてただ1つの半導体記憶装置が選択されて、フ
ローティング・ゲート5に注入されている電子の量によ
って変化する電流量を情報とじて得られ、読み出し動作
状態となる。
ローティング・ゲート5に注入されている電子の量によ
って変化する電流量を情報とじて得られ、読み出し動作
状態となる。
なお前記実施例では、第2ゲート8を多結晶シリコンに
よって形成するものについて説明したが、第2ゲート8
の材料はこれに限られるものではなく、タンタル(Ta
)、チタン(Ti)、タングステン(W)等の高融点金
属およびそれらを利用したシリサイドまたは多結晶シリ
コンの上にシリサイドを多重に形成したポリサイド等の
高温に耐える材料を使用することができる。
よって形成するものについて説明したが、第2ゲート8
の材料はこれに限られるものではなく、タンタル(Ta
)、チタン(Ti)、タングステン(W)等の高融点金
属およびそれらを利用したシリサイドまたは多結晶シリ
コンの上にシリサイドを多重に形成したポリサイド等の
高温に耐える材料を使用することができる。
また前記実施例では紫外線消去型の電気的書込み可能な
半導体記憶装置(いわゆるEPROM)の例について説
明したが、第1図の絶縁膜4をトンネルオキサイドまた
はトンネル電流を流すことのできる絶縁材料(例えばシ
リコン、リンチ、オキサイド)に置き換えることによっ
て電気的消去型電気的書込み可能な半導体記憶装置(い
わゆるEEPROM)へも応用可能である。
半導体記憶装置(いわゆるEPROM)の例について説
明したが、第1図の絶縁膜4をトンネルオキサイドまた
はトンネル電流を流すことのできる絶縁材料(例えばシ
リコン、リンチ、オキサイド)に置き換えることによっ
て電気的消去型電気的書込み可能な半導体記憶装置(い
わゆるEEPROM)へも応用可能である。
本発明の構成にすることにより半導体基板中に形成され
た溝の側壁においてフローティング・ゲートと第2ゲー
トのオーバーラツプを行うため広い面積を必要としてい
た素子間分離絶縁膜も必要でなくなり、縦方向にも横方
向にも集積度の高い微細な構造の半導体記憶装置を得る
ことができる。
た溝の側壁においてフローティング・ゲートと第2ゲー
トのオーバーラツプを行うため広い面積を必要としてい
た素子間分離絶縁膜も必要でなくなり、縦方向にも横方
向にも集積度の高い微細な構造の半導体記憶装置を得る
ことができる。
第1図、第2図は本発明の一実施例を示す説明図、第3
図は本発明の他の実施例を示す平面図、第4図、第5図
は従来例の説明図である。 1−・−ツリコン基板、 2・−第1拡散層、3.
4−絶縁体層、 5・−・多結晶シリコン層、6−第
2拡散層、 7−絶縁体層、8−多結晶シリコン層
9・・−p型不純物注入領域、10・・・溝、
11・−コンタクト、12−・−アルミ配線。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 第1図 第2図(そのl) 第2図(そn2)
図は本発明の他の実施例を示す平面図、第4図、第5図
は従来例の説明図である。 1−・−ツリコン基板、 2・−第1拡散層、3.
4−絶縁体層、 5・−・多結晶シリコン層、6−第
2拡散層、 7−絶縁体層、8−多結晶シリコン層
9・・−p型不純物注入領域、10・・・溝、
11・−コンタクト、12−・−アルミ配線。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 第1図 第2図(そのl) 第2図(そn2)
Claims (4)
- (1)ゲート酸化膜により囲まれたフローティング・ゲ
ートを有し、その上部表面に第2ゲートを有する絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタを含む半導体記憶装置にお
いて、該電界効果トランジスタのフローティング・ゲー
トを半導体基板に加工形成した溝の中に設け、その上部
に絶縁物を介して第2ゲートを設けたことを特徴とする
半導体記憶装置。 - (2)前記基板内に形成される各素子間の分離を不純物
注入領域によって行うことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の半導体記憶装置。 - (3)前記半導体記憶装置のデータ線が不純物拡散層に
よって構成されることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の半導体記憶装置。 - (4)半導体基板に異方性エッチングにより溝を形成し
、絶縁膜を介して半導体基板全体に多結晶シリコンを堆
積させた後、該多結晶シリコンを異方性エッチングによ
りエッチングし溝の側壁部にフローティング・ゲートを
形成することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61289941A JPS63142680A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61289941A JPS63142680A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63142680A true JPS63142680A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17749723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61289941A Pending JPS63142680A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63142680A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5338953A (en) * | 1991-06-20 | 1994-08-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrically erasable and programmable semiconductor memory device with trench memory transistor and manufacturing method of the same |
US5869369A (en) * | 1996-06-08 | 1999-02-09 | United Microelectronics Corporation | Method of fabricating a flash memory |
KR100275816B1 (ko) * | 1993-10-27 | 2001-03-02 | 김영환 | 플레쉬 메모리 및 그 제조방법 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61289941A patent/JPS63142680A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5338953A (en) * | 1991-06-20 | 1994-08-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrically erasable and programmable semiconductor memory device with trench memory transistor and manufacturing method of the same |
US5460989A (en) * | 1991-06-20 | 1995-10-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrically erasable and programmable semiconductor memory device with trench memory transistor and manufacturing method of the same |
KR100275816B1 (ko) * | 1993-10-27 | 2001-03-02 | 김영환 | 플레쉬 메모리 및 그 제조방법 |
US5869369A (en) * | 1996-06-08 | 1999-02-09 | United Microelectronics Corporation | Method of fabricating a flash memory |
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