JPS63139097A - ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 - Google Patents
ＺｎＳｅ単結晶の製造方法Info
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- JPS63139097A JPS63139097A JP28637586A JP28637586A JPS63139097A JP S63139097 A JPS63139097 A JP S63139097A JP 28637586 A JP28637586 A JP 28637586A JP 28637586 A JP28637586 A JP 28637586A JP S63139097 A JPS63139097 A JP S63139097A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は融液からＺｎＳｅ単結晶を製造する方法に関し
、タンマン法、ブリッジマン法等の単結晶製造方法によ
りＺｎＳｅ単結晶を製造する方法に関する。
、タンマン法、ブリッジマン法等の単結晶製造方法によ
りＺｎＳｅ単結晶を製造する方法に関する。
ＺｎＳｅ Ｇ；！ ２．６７ｅＶのバンドギャップをも
ち青色発光材料として注目されている。ＺｎＳｅ単結晶
育成法としては気相法、液相法、また、融液から直接単
結晶成長させるブリッジマン法、タンマン法Ｃ以下融液
法と呼ぶ）等が行なわれてきた。特に融液法は短時間で
大型の単結晶を得ることができ、工業的に重要である。
ち青色発光材料として注目されている。ＺｎＳｅ単結晶
育成法としては気相法、液相法、また、融液から直接単
結晶成長させるブリッジマン法、タンマン法Ｃ以下融液
法と呼ぶ）等が行なわれてきた。特に融液法は短時間で
大型の単結晶を得ることができ、工業的に重要である。
ＺｎＳｅは融点が７５２５℃と報告されており（Ｍ、
Ｐ Ｋｕｌａｋｏｖ、Ｓｏｖ、 Ｐｈｙｓ。
Ｐ Ｋｕｌａｋｏｖ、Ｓｏｖ、 Ｐｈｙｓ。
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ ／Ｊ’（Ｊｌ ／ｑ７乙）そ
のときの蒸気圧は約へｒＫｑ／ＣＩＩ（Ａ、 Ｆｉｓｃ
ｈｅｒ、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒ。
のときの蒸気圧は約へｒＫｑ／ＣＩＩ（Ａ、 Ｆｉｓｃ
ｈｅｒ、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒ。
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ）である。このため
融液成長を行なうためには、蒸発をおさえるために高圧
を印加しなければならない。一般的に用いられている圧
力は／ ｏ ｏ−ｚ ｏ ｏＫｑ／ｃｙｌ （１，Ｋｉ
ｋｕｍａ 、 ＪｏｕｒｎａｌＯｆ ｃｒｙｓｔａＩＧ
ｒｏｗｔｈ ６３（／９Ｊ’Ｊ）ＩＩｌｏ）テアル。
融液成長を行なうためには、蒸発をおさえるために高圧
を印加しなければならない。一般的に用いられている圧
力は／ ｏ ｏ−ｚ ｏ ｏＫｑ／ｃｙｌ （１，Ｋｉ
ｋｕｍａ 、 ＪｏｕｒｎａｌＯｆ ｃｒｙｓｔａＩＧ
ｒｏｗｔｈ ６３（／９Ｊ’Ｊ）ＩＩｌｏ）テアル。
この融液成長においては直径１０−２０闘、長さｊ〜７
００闘の単結晶が得られている。
００闘の単結晶が得られている。
しかしながらＺｎＳｅにおいては、／り２！；°Ｃで六
方晶（高温安定相）から立方晶（低温安定相）への転移
が生じる。（Ｋｕｌａｋｏｖ、前記文献）このためアス 上記製法より作製された結晶中には無数の卒晶が発生し
、単結晶としての質を著るしく低下させているという重
大な問題点があった。
方晶（高温安定相）から立方晶（低温安定相）への転移
が生じる。（Ｋｕｌａｋｏｖ、前記文献）このためアス 上記製法より作製された結晶中には無数の卒晶が発生し
、単結晶としての質を著るしく低下させているという重
大な問題点があった。
上記従来の開立；点を解決するために、ＺｎＳｅの融液
な温度勾配を持たせながら冷却して一方向凝固させるｚ
ｎＳｅ単結晶の製造方法において、／１１００”ｃまで
の冷却を２０００に９／ｃｄ以上の圧力下で行なってい
る。
な温度勾配を持たせながら冷却して一方向凝固させるｚ
ｎＳｅ単結晶の製造方法において、／１１００”ｃまで
の冷却を２０００に９／ｃｄ以上の圧力下で行なってい
る。
融液を一方向凝固させ／１１００″Ｃまで冷却させる工
程を２０００に９／ｃｄ より下の圧力下で行なうと
該単結晶中に双晶が発生しやすいために単結晶の質が低
下する。
程を２０００に９／ｃｄ より下の圧力下で行なうと
該単結晶中に双晶が発生しやすいために単結晶の質が低
下する。
本発明者は、Ｊ（ｕｌａｋＯＶの文献およびＫｉｋｕｍ
ａの文献（Ｊｌｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ７／ 、
／３６（／９．ｒ３） ）△■：転移にともなう体積
変化）を用いて液相線の傾きおよび立方晶と六方晶の転
移線を予想した。
ａの文献（Ｊｌｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ７／ 、
／３６（／９．ｒ３） ）△■：転移にともなう体積
変化）を用いて液相線の傾きおよび立方晶と六方晶の転
移線を予想した。
前記転移のエンタルピー変化△Ｈおよび体積変化△Ｖは
共に正であるので転移線の傾きも正と考えられ、この様
にして予想される状態図は第１（２１の様になった。
共に正であるので転移線の傾きも正と考えられ、この様
にして予想される状態図は第１（２１の様になった。
本発明のＺｎＳｅ単結晶の製造方法によれば、図中Ａ→
Ｂ→Ｃに示す糸路で結晶が製造されるため結晶中に双晶
が含まれるおそれがない。
Ｂ→Ｃに示す糸路で結晶が製造されるため結晶中に双晶
が含まれるおそれがない。
次に具体的な実施例について述べる。
第２図に示すようなカーボン製のルツボを用意し、Ｚｎ
Ｓｅ粉末を約３０２投入する。そのルツボを２０００に
り／ ｄまでの加圧が可能な装置（たとえばＨＩＰ装置
）に入れる。
Ｓｅ粉末を約３０２投入する。そのルツボを２０００に
り／ ｄまでの加圧が可能な装置（たとえばＨＩＰ装置
）に入れる。
試料室内を真空ｖ１気（／ ｏ−３Ｔｏｒｒ程度）を行
ないＡｒ等の不活性ガスを導入する。ｔ ｏ ｏＫｑ／
ｃｒｄ程度の圧力をかけ温度を／！；３０”Ｃまで４濡
させ、均一に溶解した後、圧力２０００Ｋｑ／ａｄ温度
／Ｚｏｏ°Ｃまで昇温、昇圧させる。ルツボ下部をまず
ｊＯ°Ｃ／ｈｒ程度の降温速度で降下させ温度差を約／
ＤＯ″Ｃつける。その後ルツボ上部、下部ともに２０°
Ｃ／ｈ程度の降温辻度で冷却する。ことにより単結晶を
得る。
ないＡｒ等の不活性ガスを導入する。ｔ ｏ ｏＫｑ／
ｃｒｄ程度の圧力をかけ温度を／！；３０”Ｃまで４濡
させ、均一に溶解した後、圧力２０００Ｋｑ／ａｄ温度
／Ｚｏｏ°Ｃまで昇温、昇圧させる。ルツボ下部をまず
ｊＯ°Ｃ／ｈｒ程度の降温速度で降下させ温度差を約／
ＤＯ″Ｃつける。その後ルツボ上部、下部ともに２０°
Ｃ／ｈ程度の降温辻度で冷却する。ことにより単結晶を
得る。
また、圧力温度を同様にし温度傾斜をつけた炉内なルツ
ボ移動により冷却を行なっても同様の結晶が得られる。
ボ移動により冷却を行なっても同様の結晶が得られる。
本発明によれば、双晶が混入しない大型のＺｎＳｅ単納
品を製造することができる。大型ＺｎＳｅ単結晶は、単
結晶基板、赤外線透過レンズ等の材料として瓜要である
。
品を製造することができる。大型ＺｎＳｅ単結晶は、単
結晶基板、赤外線透過レンズ等の材料として瓜要である
。
第１図はＺｎＳｅの予想状態図、第２図は実Ｍｉ例にて
使用した単結晶育成用黒鉛るつぼの概略断面図である。 第２図
使用した単結晶育成用黒鉛るつぼの概略断面図である。 第２図
Claims (3)
- （１）ＺｎＳｅの融液を湿度勾配を持たせながら冷却し
て一方向凝固させるＺｎＳｅ単結晶の製造方法において
、１４００℃までの冷却を２０００Ｋｇ／ｃｍ＾２以上
の圧力下で行なうことを特徴とするＺｎＳｅ単結晶の製
造方法。 - （２）該融液をるつぼ内に保持する特許請求の範囲第１
項記載のＺｎＳｅ単結晶の製造方法。 - （３）該融液をボート内に保持する特許請求の範囲第１
項記載のＺｎＳｅ単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28637586A JPS63139097A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28637586A JPS63139097A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63139097A true JPS63139097A (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=17703577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28637586A Pending JPS63139097A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63139097A (ja) |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP28637586A patent/JPS63139097A/ja active Pending
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