JPS63139097A - ZnSe単結晶の製造方法 - Google Patents
ZnSe単結晶の製造方法Info
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- JPS63139097A JPS63139097A JP28637586A JP28637586A JPS63139097A JP S63139097 A JPS63139097 A JP S63139097A JP 28637586 A JP28637586 A JP 28637586A JP 28637586 A JP28637586 A JP 28637586A JP S63139097 A JPS63139097 A JP S63139097A
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は融液からZnSe単結晶を製造する方法に関し
、タンマン法、ブリッジマン法等の単結晶製造方法によ
りZnSe単結晶を製造する方法に関する。
、タンマン法、ブリッジマン法等の単結晶製造方法によ
りZnSe単結晶を製造する方法に関する。
ZnSe G;! 2.67eVのバンドギャップをも
ち青色発光材料として注目されている。ZnSe単結晶
育成法としては気相法、液相法、また、融液から直接単
結晶成長させるブリッジマン法、タンマン法C以下融液
法と呼ぶ)等が行なわれてきた。特に融液法は短時間で
大型の単結晶を得ることができ、工業的に重要である。
ち青色発光材料として注目されている。ZnSe単結晶
育成法としては気相法、液相法、また、融液から直接単
結晶成長させるブリッジマン法、タンマン法C以下融液
法と呼ぶ)等が行なわれてきた。特に融液法は短時間で
大型の単結晶を得ることができ、工業的に重要である。
ZnSeは融点が7525℃と報告されており(M、
P Kulakov、Sov、 Phys。
P Kulakov、Sov、 Phys。
5olid 5tate /J’(Jl /q7乙)そ
のときの蒸気圧は約へrKq/CII(A、 Fisc
her、Journal of Electr。
のときの蒸気圧は約へrKq/CII(A、 Fisc
her、Journal of Electr。
Chemical 5ociety)である。このため
融液成長を行なうためには、蒸発をおさえるために高圧
を印加しなければならない。一般的に用いられている圧
力は/ o o−z o oKq/cyl (1,Ki
kuma 、 JournalOf crystaIG
rowth 63(/9J’J)IIlo)テアル。
融液成長を行なうためには、蒸発をおさえるために高圧
を印加しなければならない。一般的に用いられている圧
力は/ o o−z o oKq/cyl (1,Ki
kuma 、 JournalOf crystaIG
rowth 63(/9J’J)IIlo)テアル。
この融液成長においては直径10−20闘、長さj〜7
00闘の単結晶が得られている。
00闘の単結晶が得られている。
しかしながらZnSeにおいては、/り2!;°Cで六
方晶(高温安定相)から立方晶(低温安定相)への転移
が生じる。(Kulakov、前記文献)このためアス 上記製法より作製された結晶中には無数の卒晶が発生し
、単結晶としての質を著るしく低下させているという重
大な問題点があった。
方晶(高温安定相)から立方晶(低温安定相)への転移
が生じる。(Kulakov、前記文献)このためアス 上記製法より作製された結晶中には無数の卒晶が発生し
、単結晶としての質を著るしく低下させているという重
大な問題点があった。
上記従来の開立;点を解決するために、ZnSeの融液
な温度勾配を持たせながら冷却して一方向凝固させるz
nSe単結晶の製造方法において、/1100”cまで
の冷却を2000に9/cd以上の圧力下で行なってい
る。
な温度勾配を持たせながら冷却して一方向凝固させるz
nSe単結晶の製造方法において、/1100”cまで
の冷却を2000に9/cd以上の圧力下で行なってい
る。
融液を一方向凝固させ/1100″Cまで冷却させる工
程を2000に9/cd より下の圧力下で行なうと
該単結晶中に双晶が発生しやすいために単結晶の質が低
下する。
程を2000に9/cd より下の圧力下で行なうと
該単結晶中に双晶が発生しやすいために単結晶の質が低
下する。
本発明者は、J(ulakOVの文献およびKikum
aの文献(Jlrystal Growth 7/ 、
/36(/9.r3) )△■:転移にともなう体積
変化)を用いて液相線の傾きおよび立方晶と六方晶の転
移線を予想した。
aの文献(Jlrystal Growth 7/ 、
/36(/9.r3) )△■:転移にともなう体積
変化)を用いて液相線の傾きおよび立方晶と六方晶の転
移線を予想した。
前記転移のエンタルピー変化△Hおよび体積変化△Vは
共に正であるので転移線の傾きも正と考えられ、この様
にして予想される状態図は第1(21の様になった。
共に正であるので転移線の傾きも正と考えられ、この様
にして予想される状態図は第1(21の様になった。
本発明のZnSe単結晶の製造方法によれば、図中A→
B→Cに示す糸路で結晶が製造されるため結晶中に双晶
が含まれるおそれがない。
B→Cに示す糸路で結晶が製造されるため結晶中に双晶
が含まれるおそれがない。
次に具体的な実施例について述べる。
第2図に示すようなカーボン製のルツボを用意し、Zn
Se粉末を約302投入する。そのルツボを2000に
り/ dまでの加圧が可能な装置(たとえばHIP装置
)に入れる。
Se粉末を約302投入する。そのルツボを2000に
り/ dまでの加圧が可能な装置(たとえばHIP装置
)に入れる。
試料室内を真空v1気(/ o−3Torr程度)を行
ないAr等の不活性ガスを導入する。t o oKq/
crd程度の圧力をかけ温度を/!;30”Cまで4濡
させ、均一に溶解した後、圧力2000Kq/ad温度
/Zoo°Cまで昇温、昇圧させる。ルツボ下部をまず
jO°C/hr程度の降温速度で降下させ温度差を約/
DO″Cつける。その後ルツボ上部、下部ともに20°
C/h程度の降温辻度で冷却する。ことにより単結晶を
得る。
ないAr等の不活性ガスを導入する。t o oKq/
crd程度の圧力をかけ温度を/!;30”Cまで4濡
させ、均一に溶解した後、圧力2000Kq/ad温度
/Zoo°Cまで昇温、昇圧させる。ルツボ下部をまず
jO°C/hr程度の降温速度で降下させ温度差を約/
DO″Cつける。その後ルツボ上部、下部ともに20°
C/h程度の降温辻度で冷却する。ことにより単結晶を
得る。
また、圧力温度を同様にし温度傾斜をつけた炉内なルツ
ボ移動により冷却を行なっても同様の結晶が得られる。
ボ移動により冷却を行なっても同様の結晶が得られる。
本発明によれば、双晶が混入しない大型のZnSe単納
品を製造することができる。大型ZnSe単結晶は、単
結晶基板、赤外線透過レンズ等の材料として瓜要である
。
品を製造することができる。大型ZnSe単結晶は、単
結晶基板、赤外線透過レンズ等の材料として瓜要である
。
第1図はZnSeの予想状態図、第2図は実Mi例にて
使用した単結晶育成用黒鉛るつぼの概略断面図である。 第2図
使用した単結晶育成用黒鉛るつぼの概略断面図である。 第2図
Claims (3)
- (1)ZnSeの融液を湿度勾配を持たせながら冷却し
て一方向凝固させるZnSe単結晶の製造方法において
、1400℃までの冷却を2000Kg/cm^2以上
の圧力下で行なうことを特徴とするZnSe単結晶の製
造方法。 - (2)該融液をるつぼ内に保持する特許請求の範囲第1
項記載のZnSe単結晶の製造方法。 - (3)該融液をボート内に保持する特許請求の範囲第1
項記載のZnSe単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28637586A JPS63139097A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | ZnSe単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28637586A JPS63139097A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | ZnSe単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63139097A true JPS63139097A (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=17703577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28637586A Pending JPS63139097A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | ZnSe単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63139097A (ja) |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP28637586A patent/JPS63139097A/ja active Pending
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