JPS63138513A - 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPS63138513A JPS63138513A JP28478386A JP28478386A JPS63138513A JP S63138513 A JPS63138513 A JP S63138513A JP 28478386 A JP28478386 A JP 28478386A JP 28478386 A JP28478386 A JP 28478386A JP S63138513 A JPS63138513 A JP S63138513A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
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- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気ディスク装置、磁気テープ装置等に使用さ
れる、集積化薄膜技術を用いて作製される薄膜磁気ヘッ
ドに関するものである。
れる、集積化薄膜技術を用いて作製される薄膜磁気ヘッ
ドに関するものである。
（従来の技術）
周知のとおり、近年磁気記録の分野においては、高記録
密度化が増々進み記録媒体と共に磁気記録を支える薄膜
磁気ヘッドにおいても前述の高記録密度化に対応するこ
とが強く求められている。
密度化が増々進み記録媒体と共に磁気記録を支える薄膜
磁気ヘッドにおいても前述の高記録密度化に対応するこ
とが強く求められている。
この様な高記録密度化、特に狭トラツク幅化に対応した
薄膜磁気ヘッドとしては、例えば第３図Ａ。
薄膜磁気ヘッドとしては、例えば第３図Ａ。
Ｂ、Ｃに示した如き構造を有するヘッドが特開昭５１−
１５０３１５中に提案されている。すなわち、第３図Ａ
においてＡ１２０３−Ｔｉｃ等のセラミックスより成る
基板（図示せず）上に軟磁性薄膜より成る一対のヨーク
２が集積化薄膜技術を用いて形成されている。ここでヨ
ーク２はその媒体対向面側で絞り込まれ、所定のギャッ
プ長（Ｇ、Ｌ、）に相当する間隙が形成されている。更
に、ヨーク２の他端側には一方のヨークから他のヨーク
へ磁束を還流させる機能を有する、軟磁性薄膜からなる
リターン・パス３が形成されている。このリターン・パ
ス３には導電性薄膜からなるコイル４が形成され、記録
媒体に情報を書き込む電磁誘導型のエレメント部が構成
されている。又、ヨーク２とリターン・パス３との間に
は、ＮｉＦｅ合金よりなる磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子
）１が、前記ヨーク２及びリターン・パス３と磁気的連
続性を保持し且つ電気的には絶縁されて配置され情報を
読み出す磁気抵抗効果型のエレメント部が構成されて、
電磁誘導型と磁気抵抗効果型とを複合化したトランスデ
ユーサ−が形成されている。同様に、第３図Ｂ及びＣは
各々電磁誘導型、磁気抵抗効果型のエレメント部のみを
持つトランスデユーサ−を示している。
１５０３１５中に提案されている。すなわち、第３図Ａ
においてＡ１２０３−Ｔｉｃ等のセラミックスより成る
基板（図示せず）上に軟磁性薄膜より成る一対のヨーク
２が集積化薄膜技術を用いて形成されている。ここでヨ
ーク２はその媒体対向面側で絞り込まれ、所定のギャッ
プ長（Ｇ、Ｌ、）に相当する間隙が形成されている。更
に、ヨーク２の他端側には一方のヨークから他のヨーク
へ磁束を還流させる機能を有する、軟磁性薄膜からなる
リターン・パス３が形成されている。このリターン・パ
ス３には導電性薄膜からなるコイル４が形成され、記録
媒体に情報を書き込む電磁誘導型のエレメント部が構成
されている。又、ヨーク２とリターン・パス３との間に
は、ＮｉＦｅ合金よりなる磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子
）１が、前記ヨーク２及びリターン・パス３と磁気的連
続性を保持し且つ電気的には絶縁されて配置され情報を
読み出す磁気抵抗効果型のエレメント部が構成されて、
電磁誘導型と磁気抵抗効果型とを複合化したトランスデ
ユーサ−が形成されている。同様に、第３図Ｂ及びＣは
各々電磁誘導型、磁気抵抗効果型のエレメント部のみを
持つトランスデユーサ−を示している。
以上の様な第３図Ａ、Ｂ、Ｃに示した薄膜磁気ヘッドに
おいては、トラック幅Ｔｗはヨーク２の膜厚で規定され
る。従って、狭トラツク幅化はヨーク２を成す軟磁性薄
膜の膜厚を薄くすることにより成されるので、本質的に
狭トラツク幅化が容易であるという利点がある。
おいては、トラック幅Ｔｗはヨーク２の膜厚で規定され
る。従って、狭トラツク幅化はヨーク２を成す軟磁性薄
膜の膜厚を薄くすることにより成されるので、本質的に
狭トラツク幅化が容易であるという利点がある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら第３図Ａ、Ｂ、Ｃに示した如き薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、ギャップ、特にギャップ長Ｇ、Ｌ。
ッドにおいては、ギャップ、特にギャップ長Ｇ、Ｌ。
が０．５ｐｍ程度以下の微小ギャップの形成が困難であ
るという欠点を有していた。すなわち、ＮｉＦｅ合金あ
るいはＣｏ−メタル系非晶質等の軟磁性薄膜よりなる一
対のヨークパターンを形成後、前記ヨークにもうけられ
たギャップと成る微小な間隙を、スパッタリング法ある
いは蒸着法等の薄膜形成方法を用いて、例えば酸化硅素
あるいは酸化アルミニウム等の非磁性材料で充填する場
合、前記間隙は最近の高記録密度化を反映して極めて大
きなアスペクト比（例えば、トラック幅３ｐｍ、ギャッ
プ長０．５μｍの場合、この間隙の寸法は高さ３ｐｍ、
幅０．５ｐｍでありアスペクト比は６となる。）を持つ
ことになり、第４図に示した、第３図ＡのＡ−Ａ部断面
図のように非磁性材料６で前記間隙を十分に埋め込むこ
とが出来ず空乏域７が存在していた。
るという欠点を有していた。すなわち、ＮｉＦｅ合金あ
るいはＣｏ−メタル系非晶質等の軟磁性薄膜よりなる一
対のヨークパターンを形成後、前記ヨークにもうけられ
たギャップと成る微小な間隙を、スパッタリング法ある
いは蒸着法等の薄膜形成方法を用いて、例えば酸化硅素
あるいは酸化アルミニウム等の非磁性材料で充填する場
合、前記間隙は最近の高記録密度化を反映して極めて大
きなアスペクト比（例えば、トラック幅３ｐｍ、ギャッ
プ長０．５μｍの場合、この間隙の寸法は高さ３ｐｍ、
幅０．５ｐｍでありアスペクト比は６となる。）を持つ
ことになり、第４図に示した、第３図ＡのＡ−Ａ部断面
図のように非磁性材料６で前記間隙を十分に埋め込むこ
とが出来ず空乏域７が存在していた。
この空乏域は前記間隙が小さく成ればなる程、つまりギ
ャップ長を小さくして記録密度を上げれば上げる程著し
く間隙が全く充填されない場合もあった。
ャップ長を小さくして記録密度を上げれば上げる程著し
く間隙が全く充填されない場合もあった。
このことは、トランスデユーサ形成後の機械加工時、特
に浮揚面の研磨時にギャップ部のカケあるいはヨークを
成す、軟磁性体の変形の誘因となり、ギャップ部に磁気
的な短絡を発生させヘッド加工プロセス上の大きな問題
点となっていた。又上述した如き問題点の発生しなかっ
たヘッドにおいても、ギャップ部に空乏域が存在する為
、ヘッドを使用している際の磁気記録媒体との接触・摺
動によりギャップ部に損傷が発生し信頼性に問題があっ
た。
に浮揚面の研磨時にギャップ部のカケあるいはヨークを
成す、軟磁性体の変形の誘因となり、ギャップ部に磁気
的な短絡を発生させヘッド加工プロセス上の大きな問題
点となっていた。又上述した如き問題点の発生しなかっ
たヘッドにおいても、ギャップ部に空乏域が存在する為
、ヘッドを使用している際の磁気記録媒体との接触・摺
動によりギャップ部に損傷が発生し信頼性に問題があっ
た。
本発明は以上述べてきた従来の問題点を解決した薄膜磁
気ヘッドを提供することを目的とするものである。
気ヘッドを提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、電磁誘導型、磁気抵抗効果型あるいは
この両者を複合化したエレメント部と、このエレメント
部と磁気的連続性を損なうことなく形成されたリターン
・パス部及びヨーク部とよりなるトランスデユーサ−を
有し、且つトラック幅が前記ヨークの厚みで規定される
薄膜磁気ヘッドにおいて、該薄膜磁気ヘッドのギャップ
が矩形状の断面を有する非磁性材料より成るパターンよ
りなり、しかも該パターンの幅が所定のギャップ長に等
しく、且つ該パターンの高さが前記ヨークの膜厚に等し
いことを特徴とする薄膜磁気ヘッドかえられる。ここで
、本発明による薄膜磁気ヘッドのギャップ及びヨークは
所定のトラック幅と実質的に等しい膜厚を有する非磁性
材料を成膜する工程、所定ギャップ幅に実質的に等しい
幅を有するマスクパターンの形成工程、非磁性材料の反
応性イオンエツチング工程、軟磁性薄膜を形成し、この
上に有機物を塗布しエッチバックによりヨークを形成す
る工程、とを行うことにより作製される。
この両者を複合化したエレメント部と、このエレメント
部と磁気的連続性を損なうことなく形成されたリターン
・パス部及びヨーク部とよりなるトランスデユーサ−を
有し、且つトラック幅が前記ヨークの厚みで規定される
薄膜磁気ヘッドにおいて、該薄膜磁気ヘッドのギャップ
が矩形状の断面を有する非磁性材料より成るパターンよ
りなり、しかも該パターンの幅が所定のギャップ長に等
しく、且つ該パターンの高さが前記ヨークの膜厚に等し
いことを特徴とする薄膜磁気ヘッドかえられる。ここで
、本発明による薄膜磁気ヘッドのギャップ及びヨークは
所定のトラック幅と実質的に等しい膜厚を有する非磁性
材料を成膜する工程、所定ギャップ幅に実質的に等しい
幅を有するマスクパターンの形成工程、非磁性材料の反
応性イオンエツチング工程、軟磁性薄膜を形成し、この
上に有機物を塗布しエッチバックによりヨークを形成す
る工程、とを行うことにより作製される。
（作用）
本発明による薄膜磁気ヘッドは、ヨーク形成工程に先立
って、酸化硅素を成膜しマスクパターン形成した後、た
とえばＣＦ４ガス雰囲気中での反応性イオンエツチング
によりこの酸化硅素膜を輻及び高さが各々所定のギャッ
プ長、トラック幅に等しい矩形断面を有するパターンに
加工し、この酸化硅素パターンをギャップとする構造を
有している。従って、従来の薄膜磁気ヘッドのように非
磁性体の埋め込みが必要でなく、原理的にヨーク部間隙
での空乏域は存在せずヘッド加工プロセスでの歩留りが
向上し、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドが実現される。
って、酸化硅素を成膜しマスクパターン形成した後、た
とえばＣＦ４ガス雰囲気中での反応性イオンエツチング
によりこの酸化硅素膜を輻及び高さが各々所定のギャッ
プ長、トラック幅に等しい矩形断面を有するパターンに
加工し、この酸化硅素パターンをギャップとする構造を
有している。従って、従来の薄膜磁気ヘッドのように非
磁性体の埋め込みが必要でなく、原理的にヨーク部間隙
での空乏域は存在せずヘッド加工プロセスでの歩留りが
向上し、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドが実現される。
（実施例）
以下図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドのギャップ部近傍
（第３図ＡでのＡ−Ａ部断面に相当する箇所）の概略断
面構造を示す図である。
（第３図ＡでのＡ−Ａ部断面に相当する箇所）の概略断
面構造を示す図である。
第１図においてＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板９上に酸化硅素
膜をスパッタ法により成膜した。この酸化硅素膜の膜厚
は３ｐｍであり、これは所定のトラック幅と等しい厚さ
である。ついで前記酸化硅素膜を反応性イオンエツチン
グにより、矩形断面状の酸化硅素パターン１０に形成し
た。ここで該酸化硅素パターン１０の幅は所定のギャッ
プ幅と等しくなるようにパターン化した。その後、膜厚
３ｐｍのＣ０９Ｑ、Ｚｒ１ｓ（重量比）膜をスパッタ法
で前記基板９及び酸化硅素パターン１０上に成膜した。
膜をスパッタ法により成膜した。この酸化硅素膜の膜厚
は３ｐｍであり、これは所定のトラック幅と等しい厚さ
である。ついで前記酸化硅素膜を反応性イオンエツチン
グにより、矩形断面状の酸化硅素パターン１０に形成し
た。ここで該酸化硅素パターン１０の幅は所定のギャッ
プ幅と等しくなるようにパターン化した。その後、膜厚
３ｐｍのＣ０９Ｑ、Ｚｒ１ｓ（重量比）膜をスパッタ法
で前記基板９及び酸化硅素パターン１０上に成膜した。
ついで酸化硅素パターン１０上のＣｏ９．２１ｚｒ１２
１（重量比）膜をエツチングバックにより除去しヨーク
２を形成した。そののち、トランスデユーサ−の他の構
成要素、例えばコイル、リターン・パス等を形成し薄膜
磁気ヘッドのトランスデユーサ−を試作した。
１（重量比）膜をエツチングバックにより除去しヨーク
２を形成した。そののち、トランスデユーサ−の他の構
成要素、例えばコイル、リターン・パス等を形成し薄膜
磁気ヘッドのトランスデユーサ−を試作した。
以下、酸化硅素パターン１０の作製方法について第２図
を用いて更に説明する。
を用いて更に説明する。
前述した様にＡ１２０３−ＴｉＣ基板９上に膜厚３ｐｍ
の酸化硅素膜１１をスパッタ法により成膜する（第２図
−ａ）。ついで第２図−ｂに示したとおり、膜厚的ｌｐ
ｍのノボラック樹脂系のフォトレジスト層１２を酸化硅
素膜１１上に回転塗布し、約１２０°Ｃの温度で焼成す
る。その後フォトレジスト層１２上に、膜厚的０．２ｐ
ｍのＴｉ膜１３を蒸着法により形成する（第２図−Ｃ）
。次に、Ｔｉ膜１３上にフォトレジストを塗布して露光
現像を行い、Ｔｉマスク形成用のフォトレジストパター
ン１４を形成する（第２図−ｄ）。フォトレジストパタ
ーン１４形成後、イオンエツチング法あるいは化学エツ
チング法によりＴｉ膜１３をエツチングしパターン化す
る。この状態を第２図−ｅに示す。このパターン化され
たＴｉ膜１３をマスクパ、ターンとして酸素雰囲気中で
フォトレジスト層１２のイオンエツチングを行い、酸化
硅素膜１１に対するマスクパターンを形成する。エツチ
ング条件は、酸素圧カニ２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、加速電
圧：５００Ｖｏｌｔである。第２図−ｒにこの状態を示
す。ついで、ＣＦ４ガス雰囲気中での反応性イオンエツ
チングにより酸化硅素膜１１をエツチング加工し、輻０
．４ｐｍの酸化硅素パターン１０を形成する（第２図−
ｇ）。尚、この場合のエツチング条件は、ＣＦ４ガス０
．３Ｔｏｒｒ、印加型カニ１００Ｗである。フォトレジ
ネト層１２除去後、膜厚４ｐｍのＣｏｇ。Ｚｒｔｃ（重
量比）膜１５をスパッタ法で前記基板９及び酸化硅素パ
ターン１０上に成膜した（第２図−ｈ）。その後、Ｃｏ
９゜ｚｒｌ、（重量比）膜１５上に有機物１６（本実施
例では膜厚Ｑｍのノボラック樹脂系の）オドレジストを
用いた。）を用いて平坦化し、Ｍガス雰囲気中でエッチ
バック（第２図−１）シ、酸化硅素パターン１０上のＣ
ｏｇｇ、Ｚｒ１゜（重量比）膜１５除去して平坦化しヨ
ーク２を形成した（第２国利）。
の酸化硅素膜１１をスパッタ法により成膜する（第２図
−ａ）。ついで第２図−ｂに示したとおり、膜厚的ｌｐ
ｍのノボラック樹脂系のフォトレジスト層１２を酸化硅
素膜１１上に回転塗布し、約１２０°Ｃの温度で焼成す
る。その後フォトレジスト層１２上に、膜厚的０．２ｐ
ｍのＴｉ膜１３を蒸着法により形成する（第２図−Ｃ）
。次に、Ｔｉ膜１３上にフォトレジストを塗布して露光
現像を行い、Ｔｉマスク形成用のフォトレジストパター
ン１４を形成する（第２図−ｄ）。フォトレジストパタ
ーン１４形成後、イオンエツチング法あるいは化学エツ
チング法によりＴｉ膜１３をエツチングしパターン化す
る。この状態を第２図−ｅに示す。このパターン化され
たＴｉ膜１３をマスクパ、ターンとして酸素雰囲気中で
フォトレジスト層１２のイオンエツチングを行い、酸化
硅素膜１１に対するマスクパターンを形成する。エツチ
ング条件は、酸素圧カニ２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、加速電
圧：５００Ｖｏｌｔである。第２図−ｒにこの状態を示
す。ついで、ＣＦ４ガス雰囲気中での反応性イオンエツ
チングにより酸化硅素膜１１をエツチング加工し、輻０
．４ｐｍの酸化硅素パターン１０を形成する（第２図−
ｇ）。尚、この場合のエツチング条件は、ＣＦ４ガス０
．３Ｔｏｒｒ、印加型カニ１００Ｗである。フォトレジ
ネト層１２除去後、膜厚４ｐｍのＣｏｇ。Ｚｒｔｃ（重
量比）膜１５をスパッタ法で前記基板９及び酸化硅素パ
ターン１０上に成膜した（第２図−ｈ）。その後、Ｃｏ
９゜ｚｒｌ、（重量比）膜１５上に有機物１６（本実施
例では膜厚Ｑｍのノボラック樹脂系の）オドレジストを
用いた。）を用いて平坦化し、Ｍガス雰囲気中でエッチ
バック（第２図−１）シ、酸化硅素パターン１０上のＣ
ｏｇｇ、Ｚｒ１゜（重量比）膜１５除去して平坦化しヨ
ーク２を形成した（第２国利）。
尚、エッチバックの条件は使用する有機物１６とヨーク
２となる軟磁性膜（本実施例では、膜厚４ｐｍのＣ０９
１２，Ｚｒ１ｅ（重量比）膜１５との種類によって決定
されるべきもので本発明を規定するものではないが、本
実施例ではＭガス圧カニ２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、加速電
圧＝５００Ｖｏｌｔ、入射角＝４５度である。
２となる軟磁性膜（本実施例では、膜厚４ｐｍのＣ０９
１２，Ｚｒ１ｅ（重量比）膜１５との種類によって決定
されるべきもので本発明を規定するものではないが、本
実施例ではＭガス圧カニ２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、加速電
圧＝５００Ｖｏｌｔ、入射角＝４５度である。
以上の方法を用いて作製された本発明による薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、前述した様にＣＦ４ガス雰囲気中での
反応性イオンエツチングにより酸化硅素膜を、幅及び高
さが各々所定のギャップ長、トラック幅に等しく、且つ
その断面形状が矩形状に加工された酸化硅素パターンが
ギャップとなる構造を有している。
ッドにおいては、前述した様にＣＦ４ガス雰囲気中での
反応性イオンエツチングにより酸化硅素膜を、幅及び高
さが各々所定のギャップ長、トラック幅に等しく、且つ
その断面形状が矩形状に加工された酸化硅素パターンが
ギャップとなる構造を有している。
従って、本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、従来
の薄膜磁気ヘッドと異なり、ギャップ部に空乏域が原理
的に存在せず前述した如き問題点、つまりヘッド加工プ
ロセスの諸問題が根本的に解決され歩留りが向上した。
の薄膜磁気ヘッドと異なり、ギャップ部に空乏域が原理
的に存在せず前述した如き問題点、つまりヘッド加工プ
ロセスの諸問題が根本的に解決され歩留りが向上した。
又、磁気記録媒体との接触・摺動に対して高い信頼性を
もつ薄膜磁気ヘッドが実現された。
もつ薄膜磁気ヘッドが実現された。
なお、非磁性材料は本発明の製法が適用可能ならば酸化
硅素に限られない。
硅素に限られない。
（発明の効果）
以上述べてきた様に、本発明による薄膜磁気ヘッドにお
いては幅、及び高さが各々所定のギャップ長、トラック
幅に実質的に等しい、矩形断面を有する非磁性材料より
成るパターンを形成してこれをギャップとなし、その後
ヨークを形成する構造であるため、ギャップ部に空乏域
が発生せず、薄膜磁気ヘッド加工時のギャップのカケあ
るいはヨークを成す軟磁性体の変形が抑制され、ギャッ
プ部での磁気的短絡が防止できヘッド加工プロセスの良
品率が大幅に改善される。又、ヘッド使用時の磁気記録
媒体との接触、摺動にたいしても空乏域が無いため、ギ
ャップ部の損傷が発生せず、高い信頼性を有する薄膜磁
気ヘッドが実現された。従って、本発明が持つ工業的価
値は高いと言える。
いては幅、及び高さが各々所定のギャップ長、トラック
幅に実質的に等しい、矩形断面を有する非磁性材料より
成るパターンを形成してこれをギャップとなし、その後
ヨークを形成する構造であるため、ギャップ部に空乏域
が発生せず、薄膜磁気ヘッド加工時のギャップのカケあ
るいはヨークを成す軟磁性体の変形が抑制され、ギャッ
プ部での磁気的短絡が防止できヘッド加工プロセスの良
品率が大幅に改善される。又、ヘッド使用時の磁気記録
媒体との接触、摺動にたいしても空乏域が無いため、ギ
ャップ部の損傷が発生せず、高い信頼性を有する薄膜磁
気ヘッドが実現された。従って、本発明が持つ工業的価
値は高いと言える。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドのギャップ部近傍
の概略断面図、第２図（ａ）〜（ｊ）は本発明による薄
膜磁気ヘッドのギャップ部の形成方法を示す図、第３図
（Ａ）〜（Ｃ）は本発明が適用される薄膜磁気ヘッドの
概略構造を説明するための図、第４図は従来例の問題点
を示す図である。 図において、・ １・・・ＭＲ１子、 ２・・・ヨーク、３・・・リター
ン・パス、４・・・コイル、 ５・・・端子、 ６
・・・非磁性材料、７・・・空乏域、 ９−Ａｌ２Ｏ２
−Ｔｉｃ基板、１０・・・酸化硅素パターン、
１１・・・酸化硅素膜、１２・・・フォトレジスト層、
１３・・−Ｔｉ膜、第２図 第２図 ０□ 第３図Ａ 第３図Ｃ 第４図
の概略断面図、第２図（ａ）〜（ｊ）は本発明による薄
膜磁気ヘッドのギャップ部の形成方法を示す図、第３図
（Ａ）〜（Ｃ）は本発明が適用される薄膜磁気ヘッドの
概略構造を説明するための図、第４図は従来例の問題点
を示す図である。 図において、・ １・・・ＭＲ１子、 ２・・・ヨーク、３・・・リター
ン・パス、４・・・コイル、 ５・・・端子、 ６
・・・非磁性材料、７・・・空乏域、 ９−Ａｌ２Ｏ２
−Ｔｉｃ基板、１０・・・酸化硅素パターン、
１１・・・酸化硅素膜、１２・・・フォトレジスト層、
１３・・−Ｔｉ膜、第２図 第２図 ０□ 第３図Ａ 第３図Ｃ 第４図
Claims (4)
- （１）電磁誘導型、磁気抵抗効果型あるいはこの両者を
複合化したエレメント部と、このエレメント部と磁気的
連続性を損なうことなく形成されたリターン・パス部及
びヨーク部とより成るトランスデューサーを有し、且つ
トラック幅が前記ヨークの厚みで規定される薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、該薄膜磁気ヘッドのギャップが非磁性材
料より成る矩形状の断面を有するパターンより成り、し
かも該パターンの幅が所定のギャップ長に等しく、且つ
該パターンの高さが前記ヨークの膜厚と等しいことを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 - （２）非磁性材料より成るパターンが酸化硅素よりなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気
ヘッド。 - （３）薄膜磁気ヘッドの製造方法において、所定のトラ
ック幅と実質的に等しい膜厚の非磁性材料より成る薄膜
を成膜する工程、有機物層の塗布工程、該有機物層上へ
金属層を成膜する工程、前記金属層を所定のギャップ長
に実質的に等しい幅にパターン化する工程、前記有機物
層と、非磁性材料より成る薄膜とをそれぞれイオンエッ
チングする工程、軟磁性薄膜を成膜する工程、該薄膜を
ヨークに形成する工程、とを含むことを特徴とする薄膜
磁気 ヘッドの製造方法。 - （４）酸化硅素により非磁性材料を成膜し、該非磁性材
料をイオンエッチングする工程が、 ＣＦ＿４ガス雰囲気中での反応性イオンエッチング工程
であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の薄
膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284783A JP2613876B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284783A JP2613876B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63138513A true JPS63138513A (ja) | 1988-06-10 |
| JP2613876B2 JP2613876B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=17682957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61284783A Expired - Lifetime JP2613876B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613876B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0284495A2 (fr) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture pour piste de très faible largeur et procédé de fabrication |
| JPH0341609A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-22 | Ampex Corp | 薄膜磁気変換器及びその製造法 |
| WO2001071714A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Commissariat A L'energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique helicoidal sur bande et son procede de fabrication |
| EP1143419A2 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head, method for producing same, and magnetic recording and/or reproducing system |
| US6650598B2 (en) | 1999-06-24 | 2003-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having magnetoresistance device and recording/reproducing apparatus incorporating the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212814A (en) * | 1975-07-17 | 1977-01-31 | Philips Nv | Thin film magnetic head |
| JPS57141008A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-01 | Hitachi Ltd | Thin film double azimuth magnetic head |
| JPS6043210A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Tdk Corp | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
| JPS61110311A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-28 | Sharp Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61284783A patent/JP2613876B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212814A (en) * | 1975-07-17 | 1977-01-31 | Philips Nv | Thin film magnetic head |
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| EP0284495A2 (fr) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture pour piste de très faible largeur et procédé de fabrication |
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| US6650598B2 (en) | 1999-06-24 | 2003-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having magnetoresistance device and recording/reproducing apparatus incorporating the same |
| US6982932B2 (en) | 1999-06-24 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Recording/reproducing head and recording/reproducing apparatus incorporating the same |
| WO2001071714A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Commissariat A L'energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique helicoidal sur bande et son procede de fabrication |
| FR2806826A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique helicoidal sur bande et son procede de fabrication |
| US6885520B2 (en) | 2000-03-22 | 2005-04-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Integrated magnetic head comprising a thin layer structure |
| EP1143419A2 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head, method for producing same, and magnetic recording and/or reproducing system |
| EP1143419A3 (en) * | 2000-03-30 | 2004-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head, method for producing same, and magnetic recording and/or reproducing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2613876B2 (ja) | 1997-05-28 |
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