JPS63133686A - 波長可変レ−ザ装置の結晶保護機構 - Google Patents
波長可変レ−ザ装置の結晶保護機構Info
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- JPS63133686A JPS63133686A JP28126986A JP28126986A JPS63133686A JP S63133686 A JPS63133686 A JP S63133686A JP 28126986 A JP28126986 A JP 28126986A JP 28126986 A JP28126986 A JP 28126986A JP S63133686 A JPS63133686 A JP S63133686A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 47
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は非線形光学結晶に入射するレーザ光の結晶面に
対する入射角を変えることによって非線形光学結晶から
出射するレーザ光の波長を変えるようにした波長可変レ
ーザ装置に関するものである。
対する入射角を変えることによって非線形光学結晶から
出射するレーザ光の波長を変えるようにした波長可変レ
ーザ装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、波長可変レーザ装置の一例としての光パラメトリ
ック発振器は第３図のように構成されていた。この図に
おいて、（１）は光パラメトリック発振器で、この光パ
ラメトリック発振器（１）は、レーザ発振器（２）から
出力するレーザ光（例えば波長＝３５５ｎｍ） （３）
を励起光とし、その光軸に沿って順次配設されたコリメ
ータレンズ（４）、第１ミラー（５）、非線形光学結晶
（６）および第２ミラー（７）からなり、コリメータレ
ンズ（４）によってレーザ光（３）のパワー密度をあげ
て発振を起こりやすくし、非線形光学結晶（６）を回動
軸（８）を中心として矢印方向に回動することによって
レーザ光（３）の結晶面への入射角を変え、第２ミラー
（７）を介して出射するレーザ光（３ａ）の波長を例え
ば５００〜１２３０ｎｍの範囲で連続的に変えるように
構成されている。
ック発振器は第３図のように構成されていた。この図に
おいて、（１）は光パラメトリック発振器で、この光パ
ラメトリック発振器（１）は、レーザ発振器（２）から
出力するレーザ光（例えば波長＝３５５ｎｍ） （３）
を励起光とし、その光軸に沿って順次配設されたコリメ
ータレンズ（４）、第１ミラー（５）、非線形光学結晶
（６）および第２ミラー（７）からなり、コリメータレ
ンズ（４）によってレーザ光（３）のパワー密度をあげ
て発振を起こりやすくし、非線形光学結晶（６）を回動
軸（８）を中心として矢印方向に回動することによって
レーザ光（３）の結晶面への入射角を変え、第２ミラー
（７）を介して出射するレーザ光（３ａ）の波長を例え
ば５００〜１２３０ｎｍの範囲で連続的に変えるように
構成されている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、第３図に示す従来例では、レーザ発振器
（２）の機種の違いや個体差により、またはコリメータ
レンズ（４）の調整不良などにより、非線形光学結晶（
６）に入射するレーザ光（３）のパワー密度が大きくな
りすぎたときに、非線形光学結晶（６）を損傷して発振
効率が低下したり非線形光学結晶（６）を破壊したりす
るという問題点があった。
（２）の機種の違いや個体差により、またはコリメータ
レンズ（４）の調整不良などにより、非線形光学結晶（
６）に入射するレーザ光（３）のパワー密度が大きくな
りすぎたときに、非線形光学結晶（６）を損傷して発振
効率が低下したり非線形光学結晶（６）を破壊したりす
るという問題点があった。
本発明は上述の問題点に鑑みなされたもので、非線形光
学結晶（６）に入射するレーザ光（３）のパワー密度が
大きくなりすぎたときに非線形光学結晶（６）が損傷し
たり破壊したりするのを防止することを目的とするもの
である。
学結晶（６）に入射するレーザ光（３）のパワー密度が
大きくなりすぎたときに非線形光学結晶（６）が損傷し
たり破壊したりするのを防止することを目的とするもの
である。
［問題点を解決するための手段］
本発明による結晶保護機構は、非線形光学結晶に入射す
るレーザ光の結晶面に対する入射角を変えることによっ
て出射するレーザ光の波長を変えるようにした波長可変
レーザ装置において、前記非線形光学結晶に入射するレ
ーザ光を分岐するハーフミラ−と、分岐されたレーザ光
のパワー密度を検出するパワー密度検出器と、このパワ
ー密度検出器の検出値を設定値と比較する比較器と、こ
の比較器の出力に基づいて前記非線形光学結晶に入射す
るレーザ光を遮断する遮光機構とを具備してなることを
特徴とするものである。
るレーザ光の結晶面に対する入射角を変えることによっ
て出射するレーザ光の波長を変えるようにした波長可変
レーザ装置において、前記非線形光学結晶に入射するレ
ーザ光を分岐するハーフミラ−と、分岐されたレーザ光
のパワー密度を検出するパワー密度検出器と、このパワ
ー密度検出器の検出値を設定値と比較する比較器と、こ
の比較器の出力に基づいて前記非線形光学結晶に入射す
るレーザ光を遮断する遮光機構とを具備してなることを
特徴とするものである。
［作用］
レーザ発振器の機種の違いや個体差により、またはコリ
メータレンズの調整不良等により非線形光学結晶に入射
するレーザ光のパワー密度が非線形光学結晶を損傷する
ほど大きくなると、パワー密度検出器の検出値が設定値
より大きくなり比較器の出力側に出力（例えばＨレベル
信号）が現われる。このため遮光機構が駆動して非線形
光学結晶に入射するレーザ光を遮断する。
メータレンズの調整不良等により非線形光学結晶に入射
するレーザ光のパワー密度が非線形光学結晶を損傷する
ほど大きくなると、パワー密度検出器の検出値が設定値
より大きくなり比較器の出力側に出力（例えばＨレベル
信号）が現われる。このため遮光機構が駆動して非線形
光学結晶に入射するレーザ光を遮断する。
［実施例コ
第１図は本発明の一実施例を示すもので、この図におい
て、（１２）はレーザ発振器である。前記レーザ発振器
（１２）はＮｄ−ＹＡＧレーザの第３高調波（波長３５
５止）またはエキシマレーザの発振波（波長３０８ｎｍ
）をレーザ光（１３）として出力する。（１１）は波長
可変レーザ装置としてのパラメトリック発振器で、この
パラメトリック発振器（１１）は、前記レーザ発振器（
１２）からの励起光としてのレーザ光（１３）の光軸に
沿って順次配設されたコリメータレンズ（１４）、第１
ミラー（１５）、ニオブ酸リチウム単結晶や尿素単結晶
からなる非線形光学結晶（１６）および第２ミラー（１
７）で構成されている。
て、（１２）はレーザ発振器である。前記レーザ発振器
（１２）はＮｄ−ＹＡＧレーザの第３高調波（波長３５
５止）またはエキシマレーザの発振波（波長３０８ｎｍ
）をレーザ光（１３）として出力する。（１１）は波長
可変レーザ装置としてのパラメトリック発振器で、この
パラメトリック発振器（１１）は、前記レーザ発振器（
１２）からの励起光としてのレーザ光（１３）の光軸に
沿って順次配設されたコリメータレンズ（１４）、第１
ミラー（１５）、ニオブ酸リチウム単結晶や尿素単結晶
からなる非線形光学結晶（１６）および第２ミラー（１
７）で構成されている。
前記コリメータレンズ（１４）と第１ミラー（１５）と
の間には、遮光機構（２０）と、前記レーザ光（１３）
を分岐するためのハーフミラ−（２１）とが配設されて
いる。前記遮光機構（２０）は前記レーザ光（１３）を
遮断するためのシャッタ機、構（２２）とソレノイド駆
動回路（２３）とからなっている。前記シャッタ機構（
２２）は、例えば第２図に示すように、筐体（２４）と
、この筐体（２４）に軸止された固定軸（２５）に−側
が回動可能に支持されたシャッタ（２６）と、このシャ
ッタ（２６）の他側を上方向に付勢してレーザ光（１３
）が通過孔（２７）を通過するのを遮断しないようにす
るスプリング（２８）と、前記ソレノイド駆動回路（２
３）からの駆動信号に基づいて、前記シャッタ（２６）
の他側をプランジャ（２９）を介して下方向に移動する
ソレノイド（３０）とからなっている。（３１）は前記
ハーフミラ−（２１）で分岐されたレーザ光（１３）の
パワー密度（エネルギー密度）を検出するパワー密度検
出器である。（３２）は前記非線形光学結晶（１６）が
許容できるレーザ光（１３）のパワー密度に対応した設
定値を出力する設定値出力回路である。（３３）は比較
器で、この比較器（３３）は、前記パワー密度検出器（
３１）の検出値と前記設定値出力回路（３２）の設定値
とを比較して、前者が後者より大きくなったときにＨレ
ベル信号を前記ソレノイド駆動回路（２３）に出力する
ように構成されている。前記ソレノイド駆動回路（２３
）は、前記比較器（３３）からのＨレベル信号に基づい
てソレノイド（３０）を駆動し、第２図に示すように、
ソレノイド（３０）のプランジャ（２９）を矢印方向に
吸引し、シャッタ（２６）を矢印方向に回動して一点鎖
線で示す位置に移動する。
の間には、遮光機構（２０）と、前記レーザ光（１３）
を分岐するためのハーフミラ−（２１）とが配設されて
いる。前記遮光機構（２０）は前記レーザ光（１３）を
遮断するためのシャッタ機、構（２２）とソレノイド駆
動回路（２３）とからなっている。前記シャッタ機構（
２２）は、例えば第２図に示すように、筐体（２４）と
、この筐体（２４）に軸止された固定軸（２５）に−側
が回動可能に支持されたシャッタ（２６）と、このシャ
ッタ（２６）の他側を上方向に付勢してレーザ光（１３
）が通過孔（２７）を通過するのを遮断しないようにす
るスプリング（２８）と、前記ソレノイド駆動回路（２
３）からの駆動信号に基づいて、前記シャッタ（２６）
の他側をプランジャ（２９）を介して下方向に移動する
ソレノイド（３０）とからなっている。（３１）は前記
ハーフミラ−（２１）で分岐されたレーザ光（１３）の
パワー密度（エネルギー密度）を検出するパワー密度検
出器である。（３２）は前記非線形光学結晶（１６）が
許容できるレーザ光（１３）のパワー密度に対応した設
定値を出力する設定値出力回路である。（３３）は比較
器で、この比較器（３３）は、前記パワー密度検出器（
３１）の検出値と前記設定値出力回路（３２）の設定値
とを比較して、前者が後者より大きくなったときにＨレ
ベル信号を前記ソレノイド駆動回路（２３）に出力する
ように構成されている。前記ソレノイド駆動回路（２３
）は、前記比較器（３３）からのＨレベル信号に基づい
てソレノイド（３０）を駆動し、第２図に示すように、
ソレノイド（３０）のプランジャ（２９）を矢印方向に
吸引し、シャッタ（２６）を矢印方向に回動して一点鎖
線で示す位置に移動する。
つぎに前記実施例の作用について説明する。
（イ）レーザ発振器（１２）から出力した励起光として
のレーザ光（１３）は、コリメータレンズ（１４）で所
定のパワー密度にあげられシャッタ機構（２２）の通過
孔（２７）を介してハーフミラ−（２１）に入力する。
のレーザ光（１３）は、コリメータレンズ（１４）で所
定のパワー密度にあげられシャッタ機構（２２）の通過
孔（２７）を介してハーフミラ−（２１）に入力する。
このハーフミラ−（２１）を透過したレーザ光（１３）
は第１ミラー（１５）を経、非線形光学結晶（１６）を
透過して第２ミラー（１７）に至り、ついで、第２、第
１ミラー（１７） （１５）でくり返し反射してパラメ
トリック発振をする。ハーフミラ−（１５）で分岐され
たレーザ光（１３）はパワー密度検出器（３１）に至る
。非線形光学結晶（１６）に入射するレーザ光（１３）
のパワー密度が非線形光学結晶（１６）に損傷を与えな
い許容値以下のときは、パワー密度検出器（３１）から
の検出値は設定値出力回路（３２）の設定値より小さい
ので比較器（３３）の出力はない（すなわち出力側はＬ
レベルである）。このため、ソレノイド駆動回路（２３
）は駆動せず、シャッタ（２６）は第２図の実線で示す
位置にあリレーザ光（１３）を遮断しない。このため、
パラメトリック発振器（１１）のパラメトリンク発振が
継続し、第２ミラー（１７）を介してレーザ光（１３ａ
）が出力する。このレーザ光（１３ａ）は、非線形光学
結晶（１６）をその回転軸（１８）を中心として矢印方
向に回転することによって波長が連続的に変えられる（
例えば５００ｎｍから１２３０ｎｍまで範囲内の所定値
に変えられる）。
は第１ミラー（１５）を経、非線形光学結晶（１６）を
透過して第２ミラー（１７）に至り、ついで、第２、第
１ミラー（１７） （１５）でくり返し反射してパラメ
トリック発振をする。ハーフミラ−（１５）で分岐され
たレーザ光（１３）はパワー密度検出器（３１）に至る
。非線形光学結晶（１６）に入射するレーザ光（１３）
のパワー密度が非線形光学結晶（１６）に損傷を与えな
い許容値以下のときは、パワー密度検出器（３１）から
の検出値は設定値出力回路（３２）の設定値より小さい
ので比較器（３３）の出力はない（すなわち出力側はＬ
レベルである）。このため、ソレノイド駆動回路（２３
）は駆動せず、シャッタ（２６）は第２図の実線で示す
位置にあリレーザ光（１３）を遮断しない。このため、
パラメトリック発振器（１１）のパラメトリンク発振が
継続し、第２ミラー（１７）を介してレーザ光（１３ａ
）が出力する。このレーザ光（１３ａ）は、非線形光学
結晶（１６）をその回転軸（１８）を中心として矢印方
向に回転することによって波長が連続的に変えられる（
例えば５００ｎｍから１２３０ｎｍまで範囲内の所定値
に変えられる）。
（ロ）非線形光学結晶（１６）に入射するレーザ光（１
３）のパワー密度が許容値を越えて非線形光学結晶（１
６）に損傷を与える大きさになると、パワー密度検出器
（３１）からの検出値は設定値出力回路（３２）の設定
値より大きくなるので、比較器（３３）の出力側からＨ
レベル信号が出てソレノイド駆動回路（２３）を駆動す
る。このため、ソレノイド（３０）が駆動し、プランジ
ャ（２９）を第２図矢印方向に吸引し、シャッタ（２６
）を矢印方向に回動して鎖線で示す位置に移動し、レー
ザ光（１３）の通過を遮断する。したがって、第１ミラ
ー（１５）を介して非線形光学結晶（１６）に入射する
レーザ光（１３）がなくなり、非線形光学結晶（１６）
が損傷したり破壊したりするのを防止する。
３）のパワー密度が許容値を越えて非線形光学結晶（１
６）に損傷を与える大きさになると、パワー密度検出器
（３１）からの検出値は設定値出力回路（３２）の設定
値より大きくなるので、比較器（３３）の出力側からＨ
レベル信号が出てソレノイド駆動回路（２３）を駆動す
る。このため、ソレノイド（３０）が駆動し、プランジ
ャ（２９）を第２図矢印方向に吸引し、シャッタ（２６
）を矢印方向に回動して鎖線で示す位置に移動し、レー
ザ光（１３）の通過を遮断する。したがって、第１ミラ
ー（１５）を介して非線形光学結晶（１６）に入射する
レーザ光（１３）がなくなり、非線形光学結晶（１６）
が損傷したり破壊したりするのを防止する。
［発明の効果］
本発明による結晶保護機構は、上記のように、非線形光
学結晶に入射するレーザ光のパワー密度が設定値より大
きくなると遮光機構を駆動して非線形光学結晶に入射す
るレーザ光を遮断するように構成したので、非線形光学
結晶の損傷や破壊を防止することができる。
学結晶に入射するレーザ光のパワー密度が設定値より大
きくなると遮光機構を駆動して非線形光学結晶に入射す
るレーザ光を遮断するように構成したので、非線形光学
結晶の損傷や破壊を防止することができる。
第１図は本発明による波長可変レーザ装置の結晶保護機
構の一実施例を示す構成図、第２図は第１図のシャッタ
機構の一例を示す断面図、第３図は従来例を示す構成図
である。 （１１）・・・パラメトリック発振器（波長可変レーザ
装置）、 （１３）（１３ａ）・・・レーザ光、 （１
６）・・・非線形光学結晶、 （２０）・・・遮光機構
、（２１）・・・ハーフミラ−１（２２）・・・シャッ
タ機構、（２３）・・・ソレノイド駆動回路、（２６）
・・・シャッタ、（３０）・・・ソレノイド、 （３１
）・・・パワー密度検出器、 （３３）・・・比較器。 出願人 浜松ホトニクス株式会社 手続祁１正書（自発） 昭和６２年０６月０９日
構の一実施例を示す構成図、第２図は第１図のシャッタ
機構の一例を示す断面図、第３図は従来例を示す構成図
である。 （１１）・・・パラメトリック発振器（波長可変レーザ
装置）、 （１３）（１３ａ）・・・レーザ光、 （１
６）・・・非線形光学結晶、 （２０）・・・遮光機構
、（２１）・・・ハーフミラ−１（２２）・・・シャッ
タ機構、（２３）・・・ソレノイド駆動回路、（２６）
・・・シャッタ、（３０）・・・ソレノイド、 （３１
）・・・パワー密度検出器、 （３３）・・・比較器。 出願人 浜松ホトニクス株式会社 手続祁１正書（自発） 昭和６２年０６月０９日
Claims (3)
- （１）非線形光学結晶に入射するレーザ光の結晶面に対
する入射角を変えることによって出射するレーザ光の波
長を変えるようにした波長可変レーザ装置において、前
記非線形光学結晶に入射するレーザ光を分岐するハーフ
ミラーと、分岐されたレーザ光のパワー密度を検出する
パワー密度検出器と、このパワー密度検出器の検出値を
設定値と比較する比較器と、この比較器の出力に基づい
て前記非線形光学結晶に入射するレーザ光を遮断する遮
光機構とを具備してなることを特徴とする波長可変レー
ザ装置の結晶保護機構。 - （２）波長可変レーザ装置は、励起光としてのレーザ光
の光軸に沿って順次配設されたコリメータレンズ、第１
ミラー、非線形光学結晶および第２ミラーからなる光パ
ラメトリック発振器としてなり、前記コリメータレンズ
と第１ミラーとの間にレーザ光を遮断するための遮光機
構とレーザ光を分岐するためのハーフミラーとを配設し
てなる特許請求の範囲第１項記載の波長可変レーザ装置
の結晶保護機構。 - （３）遮光機構は、非線形光学結晶に入射するレーザ光
の光軸に臨設されたシャッタと、このシャッタを駆動す
るソレノイドと、比較器の出力に基づいて前記ソレノイ
ドを駆動するソレノイド駆動回路とからなる特許請求の
範囲第１項または第２項記載の波長可変レーザ装置の結
晶保護機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28126986A JPS63133686A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 波長可変レ−ザ装置の結晶保護機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28126986A JPS63133686A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 波長可変レ−ザ装置の結晶保護機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133686A true JPS63133686A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17636716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28126986A Pending JPS63133686A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 波長可変レ−ザ装置の結晶保護機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133686A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007094028A1 (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | レーザ発振器およびレーザ発振器制御方法 |
| JP2014002101A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Ihi Corp | 濃度測定装置及び濃度測定方法 |
| JP2017125859A (ja) * | 2017-03-16 | 2017-07-20 | 株式会社Ihi | 濃度測定装置及び濃度測定方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233878A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-20 | Tokyo Optical Co Ltd | レ−ザの安全装置 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP28126986A patent/JPS63133686A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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