JPS63115332A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS63115332A JPS63115332A JP61261411A JP26141186A JPS63115332A JP S63115332 A JPS63115332 A JP S63115332A JP 61261411 A JP61261411 A JP 61261411A JP 26141186 A JP26141186 A JP 26141186A JP S63115332 A JPS63115332 A JP S63115332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- thin film
- shielding frame
- pattern
- transparent thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細なパターンを高精度に転写するＸ線露光装
置に用いるＸ線露光用マスクに係り、更に詳しくは主と
してステップ・アンド・レピー１〜方式のＸ線露光に使
用するＸ線露光用マスクに関する。
置に用いるＸ線露光用マスクに係り、更に詳しくは主と
してステップ・アンド・レピー１〜方式のＸ線露光に使
用するＸ線露光用マスクに関する。
Ｘ線露光法は波長４〜５０人の軟Ｘ線を線源とし、サブ
ミクロンの微細パターンの転写が可能な技術として知ら
れている。
ミクロンの微細パターンの転写が可能な技術として知ら
れている。
一般に、Ｘ線露光方式としては、被露光基板のほぼ全面
にわたって一括に転写する一括転写方式と、被露光基板
上で分割露光を繰り返すステップ・アンド・レビート方
式に大別される。
にわたって一括に転写する一括転写方式と、被露光基板
上で分割露光を繰り返すステップ・アンド・レビート方
式に大別される。
而して、従来からのステップ・アンド・レビート方式用
のＸ線露光用マスクの例としては、第３図に示すように
、平坦なＳｉウェハ基板の片面側に積層された引っ張り
力を有するＸ線透過性薄膜２と、このｘｖＡ透過性薄膜
２上に形成されたＸ線吸収性パターン３と、このＸ線吸
収性パターン３の周囲のＸ線透過性薄膜２上に形成され
たＸ線遮蔽枠パターン６と、Ｓｉウニ／Ｓ基板の一部を
除去してなる支持枠４と、Ｓｉウェハ基板を部分的に除
去する際に使用する保護膜５とからなるＸ線露光用マス
ク１がある。
のＸ線露光用マスクの例としては、第３図に示すように
、平坦なＳｉウェハ基板の片面側に積層された引っ張り
力を有するＸ線透過性薄膜２と、このｘｖＡ透過性薄膜
２上に形成されたＸ線吸収性パターン３と、このＸ線吸
収性パターン３の周囲のＸ線透過性薄膜２上に形成され
たＸ線遮蔽枠パターン６と、Ｓｉウニ／Ｓ基板の一部を
除去してなる支持枠４と、Ｓｉウェハ基板を部分的に除
去する際に使用する保護膜５とからなるＸ線露光用マス
ク１がある。
Ｘ線吸収性パターンの持つ応力により、マスク歪が発生
することが広く知られている。
することが広く知られている。
しかも、Ｘ線吸収性パターンの密度が極端に偏った場合
、このマスク歪が急増することが、例えばに、Ｈ，Ｍｕ
ｌｌｅｒ、Ｐ、Ｔｉ５ｈ−ｅｒ及びＷ、Ｗｉｎｄｂｒａ
ｃｋｅによる「吸収体応力のＸ線マスク精度に及ぼす影
響（Ｉｎｆｌｅｎｃｅ ｏｆ ａｂｓｏｒｂｅｒｓ
ｔｒｅｓｓ ｏｎ ｔｈｅ ｐｒｅｃｉ −５ｉ
ｏｎ ｏｆ ｘ−ｒａｙ ｍａｓｋｓ）Ｊ（Ｊｏ
ｕｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ａｎｄＳｃｉｅ
ｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ４ （１）、
Ｊａｎ、／Ｆｅｂ、 １９８６゜ｐ、２３０）に述
べられている。第３図に示した従来例のＸ線露光用マス
クは正しくこれに該当するものである。
、このマスク歪が急増することが、例えばに、Ｈ，Ｍｕ
ｌｌｅｒ、Ｐ、Ｔｉ５ｈ−ｅｒ及びＷ、Ｗｉｎｄｂｒａ
ｃｋｅによる「吸収体応力のＸ線マスク精度に及ぼす影
響（Ｉｎｆｌｅｎｃｅ ｏｆ ａｂｓｏｒｂｅｒｓ
ｔｒｅｓｓ ｏｎ ｔｈｅ ｐｒｅｃｉ −５ｉ
ｏｎ ｏｆ ｘ−ｒａｙ ｍａｓｋｓ）Ｊ（Ｊｏ
ｕｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ａｎｄＳｃｉｅ
ｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ４ （１）、
Ｊａｎ、／Ｆｅｂ、 １９８６゜ｐ、２３０）に述
べられている。第３図に示した従来例のＸ線露光用マス
クは正しくこれに該当するものである。
従って、Ｘ線遮蔽枠パターンを有するＸ線露光用マスク
においては、Ｘ線遮蔽枠パターンの応力により、長ビ・
ノチ精度が低下し、超ＬＳＤデバイス用のＸ線露光用マ
スクに要求される長ピツチ精度を満たすことができない
場合がしばしば生じていた。
においては、Ｘ線遮蔽枠パターンの応力により、長ビ・
ノチ精度が低下し、超ＬＳＤデバイス用のＸ線露光用マ
スクに要求される長ピツチ精度を満たすことができない
場合がしばしば生じていた。
そこで、本発明が解決しようとする問題点は、Ｘ線遮蔽
枠パターンの応力による長ビ・ノチ精度の低下を防止し
たＸ線露光用マスクを提供することにある。
枠パターンの応力による長ビ・ノチ精度の低下を防止し
たＸ線露光用マスクを提供することにある。
本発明者は上記の問題点を解決すべく研究の結果、Ｘ線
遮蔽枠パターンが圧縮力を有するＸ線露光用マスクにお
いて、Ｘ線遮蔽枠）ｉターンの下面のＸ線透過性薄膜の
膜厚をＸ線露光領域に相当する領域のＸ線透過性薄膜の
膜厚よりも厚く形成し、且つＸ線遮蔽枠パターンの圧縮
力と該Ｘ線遮蔽枠パターンの下面に対応する領域のＸ線
透過性薄膜の引っ張り力の合成力と、Ｘ線透過領域に相
当する領域のＸ線透過性薄膜の引っ張り力が等しくなる
ように、Ｘ線遮蔽枠パターンの下面に対応する領域のＸ
線透過性薄膜の膜厚を定めることにより、Ｘ線遮蔽枠パ
ターンの応力による長ピツチ精度の低下を防止すること
が出来ることを見出し、かかる知見にもとすいて本発明
を完成したものである。
遮蔽枠パターンが圧縮力を有するＸ線露光用マスクにお
いて、Ｘ線遮蔽枠）ｉターンの下面のＸ線透過性薄膜の
膜厚をＸ線露光領域に相当する領域のＸ線透過性薄膜の
膜厚よりも厚く形成し、且つＸ線遮蔽枠パターンの圧縮
力と該Ｘ線遮蔽枠パターンの下面に対応する領域のＸ線
透過性薄膜の引っ張り力の合成力と、Ｘ線透過領域に相
当する領域のＸ線透過性薄膜の引っ張り力が等しくなる
ように、Ｘ線遮蔽枠パターンの下面に対応する領域のＸ
線透過性薄膜の膜厚を定めることにより、Ｘ線遮蔽枠パ
ターンの応力による長ピツチ精度の低下を防止すること
が出来ることを見出し、かかる知見にもとすいて本発明
を完成したものである。
即ち、本発明はｒ）＜１ｊ！透過性薄膜の一面側にＸ線
吸収性パターンが設けられており、且つＸ線吸収性パタ
ーンの周囲の、Ｘ線透過を阻止すべき領域に相当するＸ
線透過性薄膜面領域上にＸ線遮蔽枠パターンが設けられ
ており、且つＸ線透過性薄膜の他面側に支持枠が設けら
れているＸ線露光用マスクにおいて、Ｘ線遮蔽枠パター
ンが圧縮力を有しており、且つ該Ｘ線遮蔽枠パターンの
下面のＸ線透過性薄膜の膜厚を、Ｘ線露光領域に相当す
る領域のＸ線透過性薄膜の膜厚よりも厚く形成し、且つ
Ｘ線遮蔽枠パターンの圧縮力と該Ｘ線遮蔽枠パターンの
下面に対応する領域のＸ線透過性薄膜の引っ張り力が等
しくなるように、Ｘ線遮蔽枠パターンの下面に対応する
領域のＸ線透過性薄膜の膜厚が定められていることを特
徴とするＸ線露光マスク。」を要旨とするものである 而して、本明細書において、「圧縮力Ｊとは膜全体とし
て圧縮状態にある単位幅当たりの全応力（ｄ ｙ ｎ／
ｃｍ）を意味するものである。
吸収性パターンが設けられており、且つＸ線吸収性パタ
ーンの周囲の、Ｘ線透過を阻止すべき領域に相当するＸ
線透過性薄膜面領域上にＸ線遮蔽枠パターンが設けられ
ており、且つＸ線透過性薄膜の他面側に支持枠が設けら
れているＸ線露光用マスクにおいて、Ｘ線遮蔽枠パター
ンが圧縮力を有しており、且つ該Ｘ線遮蔽枠パターンの
下面のＸ線透過性薄膜の膜厚を、Ｘ線露光領域に相当す
る領域のＸ線透過性薄膜の膜厚よりも厚く形成し、且つ
Ｘ線遮蔽枠パターンの圧縮力と該Ｘ線遮蔽枠パターンの
下面に対応する領域のＸ線透過性薄膜の引っ張り力が等
しくなるように、Ｘ線遮蔽枠パターンの下面に対応する
領域のＸ線透過性薄膜の膜厚が定められていることを特
徴とするＸ線露光マスク。」を要旨とするものである 而して、本明細書において、「圧縮力Ｊとは膜全体とし
て圧縮状態にある単位幅当たりの全応力（ｄ ｙ ｎ／
ｃｍ）を意味するものである。
また、「引っ張り力」とは膜全体として引っ張り状態に
ある単位幅当たりの全応力（ｄ ｙ ｎ／ ｃｍ ）を
意味する物である。
ある単位幅当たりの全応力（ｄ ｙ ｎ／ ｃｍ ）を
意味する物である。
次に、本発明において、Ｘ線透過性薄膜として、例えば
ＣＶＤ法、或いはスパンタリング法によりＳｉｚ Ｎ４
、ＳｉＮ、ＳｉＣ，ＢＮ等の無機材からなる０、２〜
６μｍ厚の薄膜を適用しうる。
ＣＶＤ法、或いはスパンタリング法によりＳｉｚ Ｎ４
、ＳｉＮ、ＳｉＣ，ＢＮ等の無機材からなる０、２〜
６μｍ厚の薄膜を適用しうる。
次に、保護膜として、Ｓｉウェハ基板の他面側にＳｉ３
Ｎａ 、ＳｉＮ、ＳｉＣ，ＢＮ、等の無機材からなる
０、２〜６μｍ厚の薄膜をＣＶＤ法やスパッタリング法
により形成したのち、不要部をエツチング除去してなる
ものを適用しうる。
Ｎａ 、ＳｉＮ、ＳｉＣ，ＢＮ、等の無機材からなる
０、２〜６μｍ厚の薄膜をＣＶＤ法やスパッタリング法
により形成したのち、不要部をエツチング除去してなる
ものを適用しうる。
次に、Ｘ線吸収性パターン及びＸ線遮蔽枠パターンとし
て、Ｘ線透過性薄膜上にＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ等の重金
属を主成分とするＸ線吸収材料層を０．４〜３μｍ厚に
蒸着法やスパッタリング法により形成した後にドライエ
ツチングしてパターニングしてなるものか、或いはＸ線
透過性薄膜上に５０〜２００人厚のＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等
と２００〜６００人厚のＡｕを順次蒸着若しくはスパッ
タリングにより、メッキ下地層を形成した後、メッキ下
地層面をＸ線吸収性パターンに対応する部分が開口した
レジストパターンで被覆してから、Ａｕメッキし、しか
る後前記レジストパターンを除去してなるものを適用す
ることができる。尚、Ｘ線吸収性パターンの形成後にメ
ッキ下地層の不要部分は、例えば Ａｒガスを用いたス
パッタリングにより容易に除去出来る。
て、Ｘ線透過性薄膜上にＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ等の重金
属を主成分とするＸ線吸収材料層を０．４〜３μｍ厚に
蒸着法やスパッタリング法により形成した後にドライエ
ツチングしてパターニングしてなるものか、或いはＸ線
透過性薄膜上に５０〜２００人厚のＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等
と２００〜６００人厚のＡｕを順次蒸着若しくはスパッ
タリングにより、メッキ下地層を形成した後、メッキ下
地層面をＸ線吸収性パターンに対応する部分が開口した
レジストパターンで被覆してから、Ａｕメッキし、しか
る後前記レジストパターンを除去してなるものを適用す
ることができる。尚、Ｘ線吸収性パターンの形成後にメ
ッキ下地層の不要部分は、例えば Ａｒガスを用いたス
パッタリングにより容易に除去出来る。
次に、上記の本発明のマスクの製造方法について説明す
る。
る。
先ず、Ｓｉウェハ基板の一面側に、５ｉｓＮ４、ＳｉＣ
，ＢＮ等の単層若しくは複合層からなる０、２〜６μｍ
厚のＸ線透過性薄膜をＣＶＤ法、或いはスパッタリング
法等により形成する。また、Ｓｉウェハ基板の他面側の
支持枠下面に相当するＳｉウェハ基板面領域に５ｉｔＮ
４、ＳｉＮ、ＳｉＣ，ＢＮ等の無機材の単層若しくは複
合層からなる０、２〜６μｍ厚の薄膜をＣＶＤ法やスパ
ッタリング法により形成した後不要部をエツチング除去
して保護膜を設ける。
，ＢＮ等の単層若しくは複合層からなる０、２〜６μｍ
厚のＸ線透過性薄膜をＣＶＤ法、或いはスパッタリング
法等により形成する。また、Ｓｉウェハ基板の他面側の
支持枠下面に相当するＳｉウェハ基板面領域に５ｉｔＮ
４、ＳｉＮ、ＳｉＣ，ＢＮ等の無機材の単層若しくは複
合層からなる０、２〜６μｍ厚の薄膜をＣＶＤ法やスパ
ッタリング法により形成した後不要部をエツチング除去
して保護膜を設ける。
次に、Ｘ線透過性薄膜のＸ線遮蔽枠パターンを設けるべ
き面領域をレジストパターンで被覆し、このレジストパ
ターンをマスクとして、Ｘ線透過性薄膜をハーフエッチ
ソゲしてＸ線露光領域の厚みを薄くする。
き面領域をレジストパターンで被覆し、このレジストパ
ターンをマスクとして、Ｘ線透過性薄膜をハーフエッチ
ソゲしてＸ線露光領域の厚みを薄くする。
次に、Ｘ線透過性薄膜上にＡｕ、Ｔａ＋Ｗ＋Ｍｏ等の重
金属を主成分とするＸ線吸収性材料を０．４〜３μｍ厚
に蒸着法やスパッタリング法により形成した後に、ドラ
イエツチングしてバターニングする方法か、或いはＸ線
透過性薄膜上に、例えば５０〜２００人厚のＣｒ、Ｎｉ
等と２００〜６００人厚のＡｕを順次、蒸着若しくはス
パッタリングすることにより、メッキ下地層を形成した
後、メッキ下地層面をＸ線吸収性パターンに対応する部
分が開口したレジストパターンで被覆してからＡｕメッ
キし、しかる後、前記レジストパターンを除去する方法
により、Ｘ線吸収性パターン、及びＸ線遮蔽枠パターン
を形成する。尚、Ｘ線吸収性パターンの形成後にメッキ
下地層の不要部分は、例えばＡｒガスを用いたスパッタ
リング法により容易に除去出来る。
金属を主成分とするＸ線吸収性材料を０．４〜３μｍ厚
に蒸着法やスパッタリング法により形成した後に、ドラ
イエツチングしてバターニングする方法か、或いはＸ線
透過性薄膜上に、例えば５０〜２００人厚のＣｒ、Ｎｉ
等と２００〜６００人厚のＡｕを順次、蒸着若しくはス
パッタリングすることにより、メッキ下地層を形成した
後、メッキ下地層面をＸ線吸収性パターンに対応する部
分が開口したレジストパターンで被覆してからＡｕメッ
キし、しかる後、前記レジストパターンを除去する方法
により、Ｘ線吸収性パターン、及びＸ線遮蔽枠パターン
を形成する。尚、Ｘ線吸収性パターンの形成後にメッキ
下地層の不要部分は、例えばＡｒガスを用いたスパッタ
リング法により容易に除去出来る。
次に、Ｓｉウェハ基板の一部を保護膜が設けられた面側
からエツチング除去して、窓を形成することにより、本
発明のＸ線露光用マスクを得ることが出来る。
からエツチング除去して、窓を形成することにより、本
発明のＸ線露光用マスクを得ることが出来る。
Ｘ線遮蔽枠パターンの下面に対応する領域のＸ線透過性
薄膜よりも薄く形成されたＸ線露光領域に相当する領域
のＸ線透過性薄膜のうちの、Ｘ線透過領域はＸ線遮蔽枠
パターンのＸ線遮蔽枠パターンの圧縮力及びＸ線遮蔽枠
パターンの下面に対応する領域のＸ線透過性薄膜の引っ
張り力とつりあって、Ｘ線遮蔽枠パターの応力によるマ
スク歪を防止するものである。
薄膜よりも薄く形成されたＸ線露光領域に相当する領域
のＸ線透過性薄膜のうちの、Ｘ線透過領域はＸ線遮蔽枠
パターンのＸ線遮蔽枠パターンの圧縮力及びＸ線遮蔽枠
パターンの下面に対応する領域のＸ線透過性薄膜の引っ
張り力とつりあって、Ｘ線遮蔽枠パターの応力によるマ
スク歪を防止するものである。
第１図は、本発明のＸ線露光用マスクを示す。また、第
２図（ａ）〜（ｄ）に本発明の実施例による製造工程を
概略断面図によって示す。
２図（ａ）〜（ｄ）に本発明の実施例による製造工程を
概略断面図によって示す。
先ず、第２図（ａ）に示すように厚さ０．３〜４ｍｍで
鏡面研磨されたＳｉウェハ基板４′上の両面に、ＣＶＤ
装置により、引っ張り応力１．２Ｘ１０９ｄｙｎ／ｃｎ
ｌを有する厚さ２ｐｍのＳｉＮ膜を形成して一面側をＸ
線透過性薄膜２と、他面側にフォトレジストパターンを
マスクとして、不要部をエツチング除去することにより
保護膜５を形成する。さらに、Ｘ線透過性薄膜２上でＸ
線遮蔽枠パターンを形成する部分に従来の紫外線露光法
によりレジストパターン８を形成する。
鏡面研磨されたＳｉウェハ基板４′上の両面に、ＣＶＤ
装置により、引っ張り応力１．２Ｘ１０９ｄｙｎ／ｃｎ
ｌを有する厚さ２ｐｍのＳｉＮ膜を形成して一面側をＸ
線透過性薄膜２と、他面側にフォトレジストパターンを
マスクとして、不要部をエツチング除去することにより
保護膜５を形成する。さらに、Ｘ線透過性薄膜２上でＸ
線遮蔽枠パターンを形成する部分に従来の紫外線露光法
によりレジストパターン８を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、レジストパターン８
をマスクに、例えばＣＦ４等のガスを用いた反応性スパ
ッタリング法により、Ｘ線透過性薄膜２を一定の深さ０
．０９３μｍだけエツチング除去する。次に、第２図（
Ｃ）図示のようにレジストパターン８を除去する。
をマスクに、例えばＣＦ４等のガスを用いた反応性スパ
ッタリング法により、Ｘ線透過性薄膜２を一定の深さ０
．０９３μｍだけエツチング除去する。次に、第２図（
Ｃ）図示のようにレジストパターン８を除去する。
第２図（ｄ）は、さらにＴａまたはＷからなり、圧縮応
力Ｉ Ｘ １０Ｉｌｄ ｙｎ／ｃｎ＋を有した厚さ１μ
ｍのＸ線吸収性パターン３及びＸ線遮蔽枠パターン６を
同時工程により形成した状態を示す。
力Ｉ Ｘ １０Ｉｌｄ ｙｎ／ｃｎ＋を有した厚さ１μ
ｍのＸ線吸収性パターン３及びＸ線遮蔽枠パターン６を
同時工程により形成した状態を示す。
Ｘ線吸収性パターン３とＸ線遮蔽枠パターン６の形成は
、ＴａまたはＷをスパッタリング法により、圧縮応力ｌ
Ｘ１０’ｄｙｎ／ｃＩ１１を有する厚さ１μｍのＸ線吸
収性材料層を形成した後、ドライエツチングしてバター
ニングする方法により行うことが出来る。
、ＴａまたはＷをスパッタリング法により、圧縮応力ｌ
Ｘ１０’ｄｙｎ／ｃＩ１１を有する厚さ１μｍのＸ線吸
収性材料層を形成した後、ドライエツチングしてバター
ニングする方法により行うことが出来る。
ここで、Ｘ線遮蔽枠パターンの圧縮力−−１ｘｉ Ｏ’
（ｄｙｎ／ａＪ） ・ＩＸＩ Ｏ−’ （ａｍ）
＝Ｉ Ｘ １０’ （ｄ ｙ ｎ７ｃｍ）とその下面
のＸ線透過性薄膜の引っ張りカー１．２Ｘ１０９ （ｄ
ｙｎ／ｃｆｆｌ） ・２ｘｌＯ−’（ｃ＋ｎ） −２
，４ｘ１０５（ｄ ｙ ｎ７ｃｍ）となり、その引っ張
り力の合成カー２．３Ｘ１０５ （ｄｙｎ／ｃ＋ｎ）で
あり、Ｘ線透過領域のＸ線透過性薄膜の引っ張りカー１
．２ｘｌＯ９（ｄｙｎ／ｃＪ）−１，９１７Ｘ１０−’
（Ｃｍ） −２，３ＸＬＯ’ （ｄｙｎ／ｃｍ）とな
り、二つの力が等しくなるようにＸ線透過性菌の曲部分
の膜が形成されている。
（ｄｙｎ／ａＪ） ・ＩＸＩ Ｏ−’ （ａｍ）
＝Ｉ Ｘ １０’ （ｄ ｙ ｎ７ｃｍ）とその下面
のＸ線透過性薄膜の引っ張りカー１．２Ｘ１０９ （ｄ
ｙｎ／ｃｆｆｌ） ・２ｘｌＯ−’（ｃ＋ｎ） −２
，４ｘ１０５（ｄ ｙ ｎ７ｃｍ）となり、その引っ張
り力の合成カー２．３Ｘ１０５ （ｄｙｎ／ｃ＋ｎ）で
あり、Ｘ線透過領域のＸ線透過性薄膜の引っ張りカー１
．２ｘｌＯ９（ｄｙｎ／ｃＪ）−１，９１７Ｘ１０−’
（Ｃｍ） −２，３ＸＬＯ’ （ｄｙｎ／ｃｍ）とな
り、二つの力が等しくなるようにＸ線透過性菌の曲部分
の膜が形成されている。
最後に、窓あけ用パターンに加工された保護膜５で保護
されていないＳｉウェハ基板４′の部分を裏面からエツ
チング除去し、第１図に示すように、窓７を形成し、本
発明のＸ線露光用マスクを得る。
されていないＳｉウェハ基板４′の部分を裏面からエツ
チング除去し、第１図に示すように、窓７を形成し、本
発明のＸ線露光用マスクを得る。
このエツチングの際、Ｘ線吸収性パターン３及びＸ線遮
蔽枠パターン６を保護するために、テフロン、Ｏリング
等からなる治具を使用し、また、エソチンダ液として、
２０〜３０％のＫＯＨ水溶液や、 ＨＦ ： ＨＮＯ３： ＣＨ３Ｃｏ○Ｈ＝１：３：１の
ＨＦ系混合液を使用することにより良好にＳｉウェハ基
板の一部をエツチング除去出来る。
蔽枠パターン６を保護するために、テフロン、Ｏリング
等からなる治具を使用し、また、エソチンダ液として、
２０〜３０％のＫＯＨ水溶液や、 ＨＦ ： ＨＮＯ３： ＣＨ３Ｃｏ○Ｈ＝１：３：１の
ＨＦ系混合液を使用することにより良好にＳｉウェハ基
板の一部をエツチング除去出来る。
上記のようにして、Ｘ線透過性薄膜２の一面にＸ線吸収
性パターン３と、その外側に圧縮力を有するＸ線遮蔽枠
パターン６があり、且つＸ線遮蔽枠パターンの下面のＸ
１ｖｌ透過性薄膜が凸である、本発明に係るＸ線露光用
マスク１を得ることが出来る。
性パターン３と、その外側に圧縮力を有するＸ線遮蔽枠
パターン６があり、且つＸ線遮蔽枠パターンの下面のＸ
１ｖｌ透過性薄膜が凸である、本発明に係るＸ線露光用
マスク１を得ることが出来る。
以上詳記した通り、本発明に係るＸ線露光用マスクは、
Ｘ線遮蔽枠パターンの応力による長ピンチの精度の低下
が防止されているので、長ピツチ精度の高いＸ線露光が
可能である特色を有するものである。
Ｘ線遮蔽枠パターンの応力による長ピンチの精度の低下
が防止されているので、長ピツチ精度の高いＸ線露光が
可能である特色を有するものである。
第１図は本発明のＸ線露光用マスクの断面図、第２図（
ａ）ないしくｄ）は本発明のＸ線露光用マスクの製造工
程を示す断面図、第３図は従来のＸ線露光用マスクの断
面図である。 １ ・・・・Ｘ線露光用マスク ２ ・・・・Ｘ線透過性薄膜 ３ ・・・・Ｘ線吸収性パターン ４ ・・・・支持枠 ４′・・・・Ｓｉウェハ基板 ５ ・・・・保護膜 ６ ・・・・Ｘ線遮蔽枠パターン ７ ・・・・空 ８ ・・・・レジストパターン 第１図 第３図 第２図（ａ） 第２図（ｂ） 第２図（Ｃ） 第２図（ｄ）
ａ）ないしくｄ）は本発明のＸ線露光用マスクの製造工
程を示す断面図、第３図は従来のＸ線露光用マスクの断
面図である。 １ ・・・・Ｘ線露光用マスク ２ ・・・・Ｘ線透過性薄膜 ３ ・・・・Ｘ線吸収性パターン ４ ・・・・支持枠 ４′・・・・Ｓｉウェハ基板 ５ ・・・・保護膜 ６ ・・・・Ｘ線遮蔽枠パターン ７ ・・・・空 ８ ・・・・レジストパターン 第１図 第３図 第２図（ａ） 第２図（ｂ） 第２図（Ｃ） 第２図（ｄ）
Claims (1)
- Ｘ線透過性薄膜の一面側にＸ線吸収性パターンが設けら
れており、且つＸ線吸収性パターンの周囲の、Ｘ線透過
を阻止すべき領域に相当するＸ線透過性薄膜面領域上に
Ｘ線遮蔽枠パターンが設けられており、且つＸ線透過性
薄膜の他面側に支持枠が設けられているＸ線露光用マス
クにおいて、Ｘ線遮蔽枠パターンが圧縮力を有しており
、且つ該Ｘ線遮蔽枠パターンの下面のＸ線透過性薄膜の
膜厚をＸ線露光領域に相当する領域のＸ線透過性薄膜の
膜厚よりも厚く形成し、且つＸ線遮蔽枠パターンの圧縮
力と該Ｘ線遮蔽枠パターンの下面に対応する領域のＸ線
透過性薄膜の引っ張り力の合成力と、Ｘ線透過領域に相
当する領域のＸ線透過性薄膜の引っ張り力が等しくなる
ように、Ｘ線遮蔽枠パターンの下面に対応する領域のＸ
線透過性薄膜の膜厚が定められていることを特徴とする
Ｘ線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61261411A JPS63115332A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61261411A JPS63115332A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115332A true JPS63115332A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17361497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61261411A Pending JPS63115332A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63115332A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0395554A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-19 | Fujitsu Ltd | レチクル |
| CN103713466A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61261411A patent/JPS63115332A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0395554A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-19 | Fujitsu Ltd | レチクル |
| CN103713466A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
| WO2015100880A1 (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1070074A (ja) | Ｘ線マスク製造の間におけるパターン書込み方法 | |
| JP3470963B2 (ja) | 投影電子ビーム・リソグラフィ・マスク | |
| JPH0864524A (ja) | Ｘ線吸収マスクの製造方法 | |
| US5567551A (en) | Method for preparation of mask for ion beam lithography | |
| JPS63115332A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| US5733688A (en) | Lithographic mask structure and method of producing the same comprising W and molybdenum alloy absorber | |
| JPS6327849B2 (ja) | ||
| JPH0992616A (ja) | メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 | |
| JP3127037B2 (ja) | Ｘ線マスク支持体、ｘ線マスク構造体及びｘ線露光方法 | |
| JPH06163368A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH0316116A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体及びそれを用いたｘ線露光方法 | |
| KR19990088477A (ko) | 엑스-선마스크및그의제조방법 | |
| JP3195328B2 (ja) | Ｘ線マスクおよびｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH0465816A (ja) | Ｘ線マスク | |
| JP3219619B2 (ja) | Ｘ線マスクと該マスクの製造方法、ならびに該マスクを用いたデバイス生産方法 | |
| KR0175351B1 (ko) | X-선 브랭크마스크 및 그의 제조방법 | |
| JPS61245160A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH07220992A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造に用いるｘ線露光用マスクブランク | |
| JPH05243125A (ja) | Ｘ線マスクおよびその製造方法 | |
| JPS63115333A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH01183119A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH08167556A (ja) | Ｘ線マスクと該マスクの製造方法、ならびに該マスクを用いたデバイス生産方法 | |
| JPS63136622A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH01144627A (ja) | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 | |
| JPH0334412A (ja) | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |