JPS63107185A - 光電子装置 - Google Patents
光電子装置Info
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- JPS63107185A JPS63107185A JP61251737A JP25173786A JPS63107185A JP S63107185 A JPS63107185 A JP S63107185A JP 61251737 A JP61251737 A JP 61251737A JP 25173786 A JP25173786 A JP 25173786A JP S63107185 A JPS63107185 A JP S63107185A
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電子装置、特に、高周波特性が安定した光通
信用半導体レーザ装置等の光電子装置に関する。
信用半導体レーザ装置等の光電子装置に関する。
光通信用光源あるいはディジタルオーディオディスク、
ビデオディスク等の情報処理装置用光源として、各種構
造の半導体レーザ素子が開発されている。たとえば、デ
ィジタルオーディオディスク、ビデオディスク等の情報
処理装置用光源として、たとえば、日経マグロウヒル社
発行[日経エレクトロニクスJ 1981年9月14日
号、P138〜P152に記載されているような半導体
レーザが知られている。同文献にも記載されているが、
一般に、この種の半導体レーザ装置は、ステムの主面中
央に設けたヒートシンクにサブマウントを介して半導体
レーザ素子(レーザダイオードチップ)を固定するとと
もに、ステムの主面に取り付けられた受光素子でレーザ
光の光強度をモニタするようになっている。また、使用
に供されるレーザ光は前記ステム主面に取り付けられた
キャップの天井部分の透明体を嵌め込んだ窓からパンケ
ージ外に発光するようになっている。
ビデオディスク等の情報処理装置用光源として、各種構
造の半導体レーザ素子が開発されている。たとえば、デ
ィジタルオーディオディスク、ビデオディスク等の情報
処理装置用光源として、たとえば、日経マグロウヒル社
発行[日経エレクトロニクスJ 1981年9月14日
号、P138〜P152に記載されているような半導体
レーザが知られている。同文献にも記載されているが、
一般に、この種の半導体レーザ装置は、ステムの主面中
央に設けたヒートシンクにサブマウントを介して半導体
レーザ素子(レーザダイオードチップ)を固定するとと
もに、ステムの主面に取り付けられた受光素子でレーザ
光の光強度をモニタするようになっている。また、使用
に供されるレーザ光は前記ステム主面に取り付けられた
キャップの天井部分の透明体を嵌め込んだ窓からパンケ
ージ外に発光するようになっている。
従来、半導体レーザ装置における外部端子(リード)は
、レーザダイオードの一方の電極の端子と受光素子の一
方の電極を供用することから、ステムから突出するリー
ドは3本が一般的である。
、レーザダイオードの一方の電極の端子と受光素子の一
方の電極を供用することから、ステムから突出するリー
ドは3本が一般的である。
これに対して、本発明者等は、レーザダイオードおよび
受光素子をそれぞれ独立して制御する必要から、ステム
から突出するリードを4本とした半導体レーザ装置を開
発している。この半導体レーザ装置は、たとえば、通信
用として開発されていて、高い周波数で使用される。
受光素子をそれぞれ独立して制御する必要から、ステム
から突出するリードを4本とした半導体レーザ装置を開
発している。この半導体レーザ装置は、たとえば、通信
用として開発されていて、高い周波数で使用される。
ところで、従来のこの種半導体レーザ装置にあっては、
ステムの主面から突出するリード部分、特にレーザダイ
オード用のリードは、レーザダイオードチップがステム
主面に固定されたヒートシンクの上部側面にサブマウン
トを介して搭載されていることから、その先端がレーザ
ダイオードチップの近傍に位置するように長く突出して
いるため、リード部分の寄生インダクタンスおよび浮遊
容量が大きくなり、高周波域での特性が不安定となると
いうことが本発明者によってあきらかにされた。また、
この構造の半導体レーザ装置は、パッケージ内でレーザ
ダイオード用リードと受光素子用リードが平行に延在す
るとともに近接しているため、電磁誘導現象が発生し、
受光素子による検出、特に波形モニターが出来なくなる
ということも本発明者によってあきらかにされた。
ステムの主面から突出するリード部分、特にレーザダイ
オード用のリードは、レーザダイオードチップがステム
主面に固定されたヒートシンクの上部側面にサブマウン
トを介して搭載されていることから、その先端がレーザ
ダイオードチップの近傍に位置するように長く突出して
いるため、リード部分の寄生インダクタンスおよび浮遊
容量が大きくなり、高周波域での特性が不安定となると
いうことが本発明者によってあきらかにされた。また、
この構造の半導体レーザ装置は、パッケージ内でレーザ
ダイオード用リードと受光素子用リードが平行に延在す
るとともに近接しているため、電磁誘導現象が発生し、
受光素子による検出、特に波形モニターが出来なくなる
ということも本発明者によってあきらかにされた。
本発明の目的はリード等の寄生インダクタンスおよび浮
遊容量が低減できる構造の光電子装置を提供することに
ある。
遊容量が低減できる構造の光電子装置を提供することに
ある。
本発明の他の目的は高周波域での使用が可能な光電子装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
C問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の光電子装置にあっては、パッケージ
内に延在するレーザダイオード用のり一部は、平板構造
となって表面積が太き(なり、寄生インダクタンスが小
さくなる構造となっている。
内に延在するレーザダイオード用のり一部は、平板構造
となって表面積が太き(なり、寄生インダクタンスが小
さくなる構造となっている。
また、前記リードはワイヤを接続するワイヤボンディン
グ領域を除く部分は絶縁体で被われ、浮遊容量が低減さ
れている。
グ領域を除く部分は絶縁体で被われ、浮遊容量が低減さ
れている。
上記した手段によれば、レーザダイオード用リードのパ
ッケージ内部分は、寄生インダクタンスおよび浮遊容量
が小さくなることから、高周波域での特性が安定する。
ッケージ内部分は、寄生インダクタンスおよび浮遊容量
が小さくなることから、高周波域での特性が安定する。
また、このリードは、ワイヤが接続される領域を除く領
域が絶縁体で被われていることから、電磁誘導現象が発
生しな(なり、受光素子における波形モニターが高精度
に行え、レーザダイオードの高速応答特性が向上する。
域が絶縁体で被われていることから、電磁誘導現象が発
生しな(なり、受光素子における波形モニターが高精度
に行え、レーザダイオードの高速応答特性が向上する。
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例による光電子装置の要部を示
す斜視図である。
す斜視図である。
光電子装置は、第1図に示されるように、それぞれアセ
ンブリの主体部品となる板状のステムlおよびこのステ
ム1の主面側に気密固定された帽子形のキャップ2とか
らなっている。これらステム1およびキャップ2によっ
て光電子装置のパッケージが構成される。前記ステム1
は、周縁が薄い数mmの厚さの円形の金属板となってい
る。このステム1は、その周縁に組立時の位置決めや方
向識別のために利用される■溝3や矩形溝からなるガイ
ドを有している。また、前記ステム1には、4本のり−
ド5が固定されている。1本のリード5はステム1の裏
面に電気的および機械的に固定され、他の3本のり−ド
5はステム1を貫通し、かつガラスのような絶縁体6を
介してステム1に対し電気的に絶縁されて固定されてい
る。この結果、各リード5は相互に電気的に独立してス
テム1に接続されることになる。
ンブリの主体部品となる板状のステムlおよびこのステ
ム1の主面側に気密固定された帽子形のキャップ2とか
らなっている。これらステム1およびキャップ2によっ
て光電子装置のパッケージが構成される。前記ステム1
は、周縁が薄い数mmの厚さの円形の金属板となってい
る。このステム1は、その周縁に組立時の位置決めや方
向識別のために利用される■溝3や矩形溝からなるガイ
ドを有している。また、前記ステム1には、4本のり−
ド5が固定されている。1本のリード5はステム1の裏
面に電気的および機械的に固定され、他の3本のり−ド
5はステム1を貫通し、かつガラスのような絶縁体6を
介してステム1に対し電気的に絶縁されて固定されてい
る。この結果、各リード5は相互に電気的に独立してス
テム1に接続されることになる。
一方、前記ステムlの主面中央部にはヒートシンク7が
鑞材等で固定されている。このヒートシンク7およびス
テム1は熱伝導性の良好な金属で構成されている。また
、前記ヒートシンク7は、その先端側面にサブマウント
8を介して半導体レーザ素子(レーザダイオードチップ
)9が固定されている。前記サブマウント8は、熱伝導
度が高くかつ熱膨張係数αがStや化合物半導体に近似
した絶縁性のSiC等で構成されている。また、図示は
しないが、前記サブマウント8の主面には、導電性のメ
タライズ層が設けられている。そして、このメタライズ
層上には、それぞれPb−3n層を介してそれぞれ独立
してレーザダイオードチップ9およびAuからなるペデ
スタル10が固定されている。したがって、前記レーザ
ダイオードチップ9の下部電極はメタライズ層を介して
前記ペデスタルと電気的に接続されている。また、前記
レーザダイオードチップ9の上面の電極は、2本のワイ
ヤ11によって前記リード5に電気的に接続されるとと
もに、前記ペデスタル10とリード5とは、第2図に示
されるように、2本のワイヤ12で電気的に接続されて
いる。なお、前記レーザダイオードチップ9はサブマウ
ント8に搭載された状態でヒートシンク7に固定される
。
鑞材等で固定されている。このヒートシンク7およびス
テム1は熱伝導性の良好な金属で構成されている。また
、前記ヒートシンク7は、その先端側面にサブマウント
8を介して半導体レーザ素子(レーザダイオードチップ
)9が固定されている。前記サブマウント8は、熱伝導
度が高くかつ熱膨張係数αがStや化合物半導体に近似
した絶縁性のSiC等で構成されている。また、図示は
しないが、前記サブマウント8の主面には、導電性のメ
タライズ層が設けられている。そして、このメタライズ
層上には、それぞれPb−3n層を介してそれぞれ独立
してレーザダイオードチップ9およびAuからなるペデ
スタル10が固定されている。したがって、前記レーザ
ダイオードチップ9の下部電極はメタライズ層を介して
前記ペデスタルと電気的に接続されている。また、前記
レーザダイオードチップ9の上面の電極は、2本のワイ
ヤ11によって前記リード5に電気的に接続されるとと
もに、前記ペデスタル10とリード5とは、第2図に示
されるように、2本のワイヤ12で電気的に接続されて
いる。なお、前記レーザダイオードチップ9はサブマウ
ント8に搭載された状態でヒートシンク7に固定される
。
前記レーザダイオード用リードは、ステム1の主面に突
出する部分は半導体レーザ装置を高周波域で安定に駆動
させるように配慮されている。すなわち、ステム1の主
面上に突出するレーザダイオード用リード部分は平板構
造となり、表面積増大によって寄生インダクタンスを小
さくしている。
出する部分は半導体レーザ装置を高周波域で安定に駆動
させるように配慮されている。すなわち、ステム1の主
面上に突出するレーザダイオード用リード部分は平板構
造となり、表面積増大によって寄生インダクタンスを小
さくしている。
また、リード上端のワイヤを接続するワイヤボンディン
グ領域13を除(領域は、同図の点々で示されるように
、他のリードに電磁誘導を生じさせないように絶縁体1
4、たとえば四ふっ化エチレン樹脂で被覆されている。
グ領域13を除(領域は、同図の点々で示されるように
、他のリードに電磁誘導を生じさせないように絶縁体1
4、たとえば四ふっ化エチレン樹脂で被覆されている。
なお、同図で示されるように、一方のリードの上端はレ
ーザダイオードチップ9側に屈曲してワイヤボンディン
グ領域13を台座9に近接させ、ワイヤ11の長さを短
かくし、ワイヤ11の寄生インダクタンスの低減を図っ
ている。したがって、他方のリードも寸法的に許容され
るならば、リード上端をレーザダイオードチップ9側に
折り曲げる形状とすることが望ましい。
ーザダイオードチップ9側に屈曲してワイヤボンディン
グ領域13を台座9に近接させ、ワイヤ11の長さを短
かくし、ワイヤ11の寄生インダクタンスの低減を図っ
ている。したがって、他方のリードも寸法的に許容され
るならば、リード上端をレーザダイオードチップ9側に
折り曲げる形状とすることが望ましい。
他方、前記ステム1の主面にはレーザダイオードチップ
9の下端から発光されるレーザ光15を受光し、レーザ
光15の光出力をモニターする受光素子16が固定され
ている。この受光素子16はステム1の主面に設けられ
た傾斜面17に図示しない接合材を介して固定されてい
る。この受光素子16の傾斜面17への固定によって、
受光素子16の受光面は傾斜するため、レーザダイオー
ドチップ9から発光されたレーザ光15の受光素子16
の受光面における反射光は、後述するキャップ2の窓内
に入らなくなり、半導体レーザの遠視野像の乱れが生じ
な(なる。また、前記受光素子16の上部電極と、ステ
ム1の主面上に突出する残りの一本のり−ド5とは、ワ
イヤ18によって電気的に接続されている。
9の下端から発光されるレーザ光15を受光し、レーザ
光15の光出力をモニターする受光素子16が固定され
ている。この受光素子16はステム1の主面に設けられ
た傾斜面17に図示しない接合材を介して固定されてい
る。この受光素子16の傾斜面17への固定によって、
受光素子16の受光面は傾斜するため、レーザダイオー
ドチップ9から発光されたレーザ光15の受光素子16
の受光面における反射光は、後述するキャップ2の窓内
に入らなくなり、半導体レーザの遠視野像の乱れが生じ
な(なる。また、前記受光素子16の上部電極と、ステ
ム1の主面上に突出する残りの一本のり−ド5とは、ワ
イヤ18によって電気的に接続されている。
さらに、前記ステム1の主面には、窓19を有する金属
製のキャップ2が気密的に固定され、レーザダイオード
チップ9およびヒートシンク7を封止している。前記窓
19には透明なガラス板20が図示しない接合体を介し
て固定されている。
製のキャップ2が気密的に固定され、レーザダイオード
チップ9およびヒートシンク7を封止している。前記窓
19には透明なガラス板20が図示しない接合体を介し
て固定されている。
したがって、レーザダイオードチップ9の上端から出射
したレーザ光15は、透明なガラス板20を透過して、
ステムlとキャンプ2とによって形成されたパッケージ
外に放射される。
したレーザ光15は、透明なガラス板20を透過して、
ステムlとキャンプ2とによって形成されたパッケージ
外に放射される。
(1)本発明の光電子装置にあっては、レーザダイオー
ド用リードはパッケージ内において表面積が大きくなる
ように平板構造となっていることから、寄生インダクタ
ンスが低くなり、高周波域での光通信が安定して行える
という効果が得られる。
ド用リードはパッケージ内において表面積が大きくなる
ように平板構造となっていることから、寄生インダクタ
ンスが低くなり、高周波域での光通信が安定して行える
という効果が得られる。
(2)本発明の光電子装置にあっては、パンケージ内に
おけるレーザダイオード用リード部分は、その先端のワ
イヤボンディング領域13を除いて絶縁体14で被覆さ
れていることから、レーザダイオード動作時隣接する受
光素子用リードに電磁誘導現象が起きなくなるため、受
光素子によるレーザ光の検出、特に波形モニターが高精
度に行えるという効果が得られる。
おけるレーザダイオード用リード部分は、その先端のワ
イヤボンディング領域13を除いて絶縁体14で被覆さ
れていることから、レーザダイオード動作時隣接する受
光素子用リードに電磁誘導現象が起きなくなるため、受
光素子によるレーザ光の検出、特に波形モニターが高精
度に行えるという効果が得られる。
(3)上記(1)および(2)により、本発明によれば
、高周波域で安定に動作しかつ高精度なモニターが可能
となる光電子装置を提供することができるという相乗効
果が得られる。
、高周波域で安定に動作しかつ高精度なモニターが可能
となる光電子装置を提供することができるという相乗効
果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、第2図に示す
ように、ステム1の主面上に絶縁性のセラミックからな
るブロック21.22を配設するとともに、このブロッ
ク21゜22の側面に幅広パターンからなるメタライズ
層23.24を設け、これらメタライズ層23,24の
下部に、レーザダイオード用のり一部5をソルダー25
.26によって電気的に接続し、かつメタライズ層23
.24の上部にそれぞれレーザダイオードチップ9ある
いはペデスタル10に一端を接続したワイヤ11.12
を接続するようにしても、半導体レーザ装置は、前記メ
タライズ層23.24が幅広であり、表面積が大きいこ
とから寄生インダクタンスが低くなるため、高周波域で
特性が安定する。また、この半導体レーザ装置は前記メ
タライズ層23.24にあっても、前記実施例と同様に
ワイヤボンディング領域13を除く領域は絶縁体14で
被覆されているため、受光素子用リードに電磁誘導現象
を生じさせることがないことから、レーザ光の波形モニ
ターが高精度に行なえることになる。なお、この実施例
においては、前記メタライズN23,24の幅を一定と
して、ブロック21.22である基板側の抵抗値を42
〜43Ωとし、レーザダイオードチップ自体の抵抗の7
〜8Ωに加えて全体を50Ωとしてお(ことによって、
半導体レーザ装置の特性を測定する50Ω系の測定機器
に直接実装して特性測定が行なえるようになっている。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、第2図に示す
ように、ステム1の主面上に絶縁性のセラミックからな
るブロック21.22を配設するとともに、このブロッ
ク21゜22の側面に幅広パターンからなるメタライズ
層23.24を設け、これらメタライズ層23,24の
下部に、レーザダイオード用のり一部5をソルダー25
.26によって電気的に接続し、かつメタライズ層23
.24の上部にそれぞれレーザダイオードチップ9ある
いはペデスタル10に一端を接続したワイヤ11.12
を接続するようにしても、半導体レーザ装置は、前記メ
タライズ層23.24が幅広であり、表面積が大きいこ
とから寄生インダクタンスが低くなるため、高周波域で
特性が安定する。また、この半導体レーザ装置は前記メ
タライズ層23.24にあっても、前記実施例と同様に
ワイヤボンディング領域13を除く領域は絶縁体14で
被覆されているため、受光素子用リードに電磁誘導現象
を生じさせることがないことから、レーザ光の波形モニ
ターが高精度に行なえることになる。なお、この実施例
においては、前記メタライズN23,24の幅を一定と
して、ブロック21.22である基板側の抵抗値を42
〜43Ωとし、レーザダイオードチップ自体の抵抗の7
〜8Ωに加えて全体を50Ωとしてお(ことによって、
半導体レーザ装置の特性を測定する50Ω系の測定機器
に直接実装して特性測定が行なえるようになっている。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光通信用光電子装置
の製造技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではない。
をその背景となった利用分野である光通信用光電子装置
の製造技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではない。
本発明は少なくとも高周波域で使用する光電子装置には
適用できる。
適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明の光電子装置にあっては、パッケージ内に延在す
るレーザダイオード用のリードは、平板構造となって表
面積が大きくなり、寄生インダクタンスが小さくなる構
造となっていることから、高周波域での特性が安定する
。また、前記リードはワイヤを接続するワイヤボンディ
ング領域を除く部分は絶縁体で被われているため、電磁
誘導現象が発生しなくなり、受光素子における波形モニ
ターが高精度に行え、レーザダイオードの高速応答特性
が向上する。
るレーザダイオード用のリードは、平板構造となって表
面積が大きくなり、寄生インダクタンスが小さくなる構
造となっていることから、高周波域での特性が安定する
。また、前記リードはワイヤを接続するワイヤボンディ
ング領域を除く部分は絶縁体で被われているため、電磁
誘導現象が発生しなくなり、受光素子における波形モニ
ターが高精度に行え、レーザダイオードの高速応答特性
が向上する。
第1図は本発明の一実施例による光電子装置の要部を示
す斜視図、 第2図は本発明の他の実施例による光電子装置の要部を
示す斜視図である。 1・・・ステム、2・・・キャンプ、3・・・■溝、5
・・・リード、6・・・絶縁体、7・・・ヒートシンク
、8・・・サブマウント、9・・・レーザダイオードチ
ップ、10・・・ペデスタル、11・・・ワイヤ、12
・・・ワイヤ、13・・・ワイヤボンディング領域、1
4・・・絶縁体、15・・・レーザ光、16・・・受光
素子、17・・・傾斜面、18・・・ワイヤ、19・・
・窓、20・・・ガラス板、21.22・・・ブロック
、23.24・・・メタライズ層、25゜26・・・ソ
ルダー。
す斜視図、 第2図は本発明の他の実施例による光電子装置の要部を
示す斜視図である。 1・・・ステム、2・・・キャンプ、3・・・■溝、5
・・・リード、6・・・絶縁体、7・・・ヒートシンク
、8・・・サブマウント、9・・・レーザダイオードチ
ップ、10・・・ペデスタル、11・・・ワイヤ、12
・・・ワイヤ、13・・・ワイヤボンディング領域、1
4・・・絶縁体、15・・・レーザ光、16・・・受光
素子、17・・・傾斜面、18・・・ワイヤ、19・・
・窓、20・・・ガラス板、21.22・・・ブロック
、23.24・・・メタライズ層、25゜26・・・ソ
ルダー。
Claims (1)
- 1、主面ヒートシンクを固定したステムと、前記ヒート
シンクの側面に取り付けられたレーザダイオードチップ
と、前記ステムの主面に固定された受光素子と、前記ス
テムに相互に電気的に独立して取り付けられた少なくと
も4本のリードと、を有し、前記レーザダイオードチッ
プの電極に接続される2本のリードのステム主面から突
出する部分は表面積の大きい平板構造となるとともに、
先端のワイヤボンディング領域を除く領域は絶縁体で被
われていることを特徴とする光電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61251737A JPS63107185A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 光電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61251737A JPS63107185A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 光電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63107185A true JPS63107185A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17227190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61251737A Pending JPS63107185A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 光電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63107185A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103685A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nec Schott Components Corp | レーザダイオード用ステム |
US7463659B2 (en) | 2003-07-09 | 2008-12-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Can-type optical transmitting module utilizing a laser diode with impedance matching resistors |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61251737A patent/JPS63107185A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7463659B2 (en) | 2003-07-09 | 2008-12-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Can-type optical transmitting module utilizing a laser diode with impedance matching resistors |
JP2007103685A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nec Schott Components Corp | レーザダイオード用ステム |
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