JPS60217687A - 発光電子装置 - Google Patents
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- JPS60217687A JPS60217687A JP59072822A JP7282284A JPS60217687A JP S60217687 A JPS60217687 A JP S60217687A JP 59072822 A JP59072822 A JP 59072822A JP 7282284 A JP7282284 A JP 7282284A JP S60217687 A JPS60217687 A JP S60217687A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は発光電子装置、たとえば、端面の共振器端面か
らレーザ光を発光（出射）する半導体レーザ素子（レー
ザチップ）、あるいは半導体レーザ部を有する集積化光
デバイス（ＯＥＩＣ）等のチップを組み込んだ発光電子
装置に関する。
らレーザ光を発光（出射）する半導体レーザ素子（レー
ザチップ）、あるいは半導体レーザ部を有する集積化光
デバイス（ＯＥＩＣ）等のチップを組み込んだ発光電子
装置に関する。
光通信用光源あるいはディジタルオーディオディスク、
ビデオディスク等の情報処理装置用光源となる半導体レ
ーザ素子については、たとえば、Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ 、１９８２年、５月号。
ビデオディスク等の情報処理装置用光源となる半導体レ
ーザ素子については、たとえば、Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ 、１９８２年、５月号。
２５頁における岡等による“半導体レーザの技術革新”
と題する文献において論じられている。
と題する文献において論じられている。
また、製造組立技術の先行技術として、（１）１日経エ
レクトロニクス、１９８１年、９月１４日号。
レクトロニクス、１９８１年、９月１４日号。
１３８−７２頁における伐木等による°°オーディオ・
ディスクの要求に応える半導体レーザ” 、 １２＋。
ディスクの要求に応える半導体レーザ” 、 １２＋。
日経メカニカル、１９８２年、７月５日号、６８〜７７
頁における先山等による“可視光半導体レーザ、量産始
まる。電流を閉じ込める多層構造に工夫”、なる文献に
紹介されているように、半導体レーザ素子（以下、単に
レーザチ・ノブとも称する。）は、サブマウントの主面
に固定されている。
頁における先山等による“可視光半導体レーザ、量産始
まる。電流を閉じ込める多層構造に工夫”、なる文献に
紹介されているように、半導体レーザ素子（以下、単に
レーザチ・ノブとも称する。）は、サブマウントの主面
に固定されている。
しかし、これらの技術にはレーザチップが裸の状態でサ
ブマウントに固定されでいるととνＣよる整置について
は、認識されていない。
ブマウントに固定されでいるととνＣよる整置について
は、認識されていない。
すなわち、第１図の概略図に示されるように、レーザチ
ップ１は前述のように裸の状態でサブマウ）２にソルダ
ー３を介して固定されているが、レーザチップ１はその
局面にダブルへテロ接合部（ｐｎｉ合）４および共振器
端面５が露出しているため、移動性の導電性異物６がレ
ーザチップ１゜サブマウント２．ワイヤ７等に付着して
いたりすると、半導体レーザ装置の取扱時に異物が動き
、レーザチップ１のｐｎ接合４部分および共振器端面５
に付着して、ショートを起こしたり、あるいはレーザ光
８を遮り、発光不良が生じることが本発明者によってあ
きらかとされた。特に、半導体レーザ装置がパッケージ
されない状態で出荷されるカスタム品等の場合は、その
取扱時に外部から導電性の異物６が飛来することも考え
られることから、前記ｐｎ接合４部分および共振器端面
５に付着する異物６の付着頻度が高くなることが予想さ
れることがわかった。
ップ１は前述のように裸の状態でサブマウ）２にソルダ
ー３を介して固定されているが、レーザチップ１はその
局面にダブルへテロ接合部（ｐｎｉ合）４および共振器
端面５が露出しているため、移動性の導電性異物６がレ
ーザチップ１゜サブマウント２．ワイヤ７等に付着して
いたりすると、半導体レーザ装置の取扱時に異物が動き
、レーザチップ１のｐｎ接合４部分および共振器端面５
に付着して、ショートを起こしたり、あるいはレーザ光
８を遮り、発光不良が生じることが本発明者によってあ
きらかとされた。特に、半導体レーザ装置がパッケージ
されない状態で出荷されるカスタム品等の場合は、その
取扱時に外部から導電性の異物６が飛来することも考え
られることから、前記ｐｎ接合４部分および共振器端面
５に付着する異物６の付着頻度が高くなることが予想さ
れることがわかった。
本発明の目的はショート不良が発生し難い信頼度の高い
発光電子装置を提供することにある。
発光電子装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本ＦＩＲにおいて開示される発明のうち代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の半導体レーザ装置は、支持板に固定
されたレーザチップは共振器端面を除く表面部分が絶縁
性のアンダーコートレジンで被われていることから、ア
ンダーコートレジンの塗布後には、レーザチップ等に付
着している移動性の導電性異物は固定されてｐｎ接合部
分に移動付着しないこと、また、外部から侵入して来た
導電性の異物はアンダーコートレジンに遮られて共振器
端面部分を除＜ｐｎ接合部分には接触しないことから、
ショート不良の発生が防止できることになるととも釦、
外方から異物が侵入して来てもアンダーコートレジンに
よって被われない共振器端面部分の面積は極めて小さい
ことから、異物が付着する確率は極めて少なく、異物が
レーザ光を遮蔽する遮蔽不良およびショート不良は発生
し難くなり、半導体レーザ装置の信頼度の向上が達成で
きる。
されたレーザチップは共振器端面を除く表面部分が絶縁
性のアンダーコートレジンで被われていることから、ア
ンダーコートレジンの塗布後には、レーザチップ等に付
着している移動性の導電性異物は固定されてｐｎ接合部
分に移動付着しないこと、また、外部から侵入して来た
導電性の異物はアンダーコートレジンに遮られて共振器
端面部分を除＜ｐｎ接合部分には接触しないことから、
ショート不良の発生が防止できることになるととも釦、
外方から異物が侵入して来てもアンダーコートレジンに
よって被われない共振器端面部分の面積は極めて小さい
ことから、異物が付着する確率は極めて少なく、異物が
レーザ光を遮蔽する遮蔽不良およびショート不良は発生
し難くなり、半導体レーザ装置の信頼度の向上が達成で
きる。
〔実施例１］
第２図は本発明の一実施例による可視光半導体レーザ装
置の要部を示す斜視図、第３図は同じくレーザチップの
固定状態を示す斜視図である。
置の要部を示す斜視図、第３図は同じくレーザチップの
固定状態を示す斜視図である。
この実施例における半導体レーザ装置は第２図に示され
るように、それぞれアセンブリの主体部品となる板状の
支持板（ステム）９およびこのステム９の主面側に気密
固定されたキャップ】Ｏとからなっている。
るように、それぞれアセンブリの主体部品となる板状の
支持板（ステム）９およびこのステム９の主面側に気密
固定されたキャップ】Ｏとからなっている。
前記ステム９は数Ｉの厚さからなるＦｅ−Ｎｉ系等の矩
形の金属板となっていて、その主面（上面）の中央部圧
は銅製のヒートシンク１１が鑞材等で固定されている。
形の金属板となっていて、その主面（上面）の中央部圧
は銅製のヒートシンク１１が鑞材等で固定されている。
ヒートシンク１１の内側面にはサブマウント２を介して
レーザチップ１が固定されている。レーザチップ１は、
たとえば、幅が４００ｋｍ、長さが３００μｍ、高さが
１００μｍとなっていて、レーザ光を発光する共振器は
レーザチップ１の表面から３〜５μｍ程度の深さに位置
している。また、共振器端面の大きさは、たとえば、幅
２μｍ、厚さ０．７μｍとなっている。
レーザチップ１が固定されている。レーザチップ１は、
たとえば、幅が４００ｋｍ、長さが３００μｍ、高さが
１００μｍとなっていて、レーザ光を発光する共振器は
レーザチップ１の表面から３〜５μｍ程度の深さに位置
している。また、共振器端面の大きさは、たとえば、幅
２μｍ、厚さ０．７μｍとなっている。
このようなレーザチップ１は、第３図に示されるように
、共振器端面がサブマウント２側（いわゆるＰ−ｄｏｗ
ｎ）に近い状態でソルダー３によってサプマウト２に固
定されている。また、サブマウント２は鑞材によってヒ
ートシンク１１に固定されている。なお、レーザチップ
１はレーザ光８をステム９側およびステム９から遠ざか
る方向に発光するように固定されている。また、前記ス
テム９の主面にはレーザチップ１の下端から発光される
レーザ光８を受光し、レーザ光８の光出力をモニターす
る受光素子１２が固定されている。
、共振器端面がサブマウント２側（いわゆるＰ−ｄｏｗ
ｎ）に近い状態でソルダー３によってサプマウト２に固
定されている。また、サブマウント２は鑞材によってヒ
ートシンク１１に固定されている。なお、レーザチップ
１はレーザ光８をステム９側およびステム９から遠ざか
る方向に発光するように固定されている。また、前記ス
テム９の主面にはレーザチップ１の下端から発光される
レーザ光８を受光し、レーザ光８の光出力をモニターす
る受光素子１２が固定されている。
一方、前記ステム９には３本のリード１３が固定されて
いる。１本のリード１３はステム９の裏面に電気的およ
び根株的に固定され、他の２本のリード１３はステム９
を貝通し１、かつカラスのような絶縁体１４を介してス
テム９に対し゛電気的に絶縁されて、固定されている。
いる。１本のリード１３はステム９の裏面に電気的およ
び根株的に固定され、他の２本のリード１３はステム９
を貝通し１、かつカラスのような絶縁体１４を介してス
テム９に対し゛電気的に絶縁されて、固定されている。
前記ステム９上に突出−イーるリード１３の上端はそれ
ぞれワイヤ７を介してレーザチップ１および受光素子１
２の各電極に接続されている。
ぞれワイヤ７を介してレーザチップ１および受光素子１
２の各電極に接続されている。
また、前記レーザチップ１は絶縁性のコーティング層（
アンダーコートレジン）１５によって被われている。ず
なわち、レーザチップ１は第３図に示されるように、レ
ーザ光８を発光する共振器端面５を除く表面部分かアン
ダーコ−トレジン１５で被われている。アンダ二コート
レジン１５は共振器端面５の周縁にできるだけ近接して
設けられ、できるだけレーザチップ１０周面に露出する
ｐｎ接合部分を被うように配慮されている。前記アンダ
ーコートレジン１５によるコーティングは、たとえば、
最初にレーザチップ１の共振器端面５部分にホトレジス
トを塗布し、かつ乾燥（ベーキングはしない、）させた
後、ディスペンサー等によって自動的にアンダーコート
レジン１５の塗布を行い、さらに、有機溶剤（たとえば
、アセトン）でホトレジストを洗浄除去することによっ
て行われる。また、前記アンダーコートレジン１５は一
般的に用いられているアンダーコートレジンであれば良
いが、絶縁性であることが要求される他、その彼の製造
における加熱処理における熱および半導体レーザ装置の
使用時の熱に充分耐える耐熱性のレジンである必要があ
る。
アンダーコートレジン）１５によって被われている。ず
なわち、レーザチップ１は第３図に示されるように、レ
ーザ光８を発光する共振器端面５を除く表面部分かアン
ダーコ−トレジン１５で被われている。アンダ二コート
レジン１５は共振器端面５の周縁にできるだけ近接して
設けられ、できるだけレーザチップ１０周面に露出する
ｐｎ接合部分を被うように配慮されている。前記アンダ
ーコートレジン１５によるコーティングは、たとえば、
最初にレーザチップ１の共振器端面５部分にホトレジス
トを塗布し、かつ乾燥（ベーキングはしない、）させた
後、ディスペンサー等によって自動的にアンダーコート
レジン１５の塗布を行い、さらに、有機溶剤（たとえば
、アセトン）でホトレジストを洗浄除去することによっ
て行われる。また、前記アンダーコートレジン１５は一
般的に用いられているアンダーコートレジンであれば良
いが、絶縁性であることが要求される他、その彼の製造
における加熱処理における熱および半導体レーザ装置の
使用時の熱に充分耐える耐熱性のレジンである必要があ
る。
他方、前記ステム９の主面には透明窓１６を有する金属
製のキャップ１０が気密的に固定され、レーザチップ１
およびヒートシンク１１等を封止している。前記透明窓
１６はキャップ１０の天井部に設けた円形孔を透明ガラ
ス板１７で塞ぐことによって形成されている。したがっ
て、レーザチップ１の上端から出射したレーザ光８は、
この透明ガラス板１７を透過してステム９とキャップ１
０とによって形成されたパッケージ１８外に放射される
。なお、ステム９にはこの半導体レーザ装置を各種機器
に取付ける際使用する取付孔１９が設けられている。
製のキャップ１０が気密的に固定され、レーザチップ１
およびヒートシンク１１等を封止している。前記透明窓
１６はキャップ１０の天井部に設けた円形孔を透明ガラ
ス板１７で塞ぐことによって形成されている。したがっ
て、レーザチップ１の上端から出射したレーザ光８は、
この透明ガラス板１７を透過してステム９とキャップ１
０とによって形成されたパッケージ１８外に放射される
。なお、ステム９にはこの半導体レーザ装置を各種機器
に取付ける際使用する取付孔１９が設けられている。
〔効果〕
１、本発明の半導体レーザ装置では、レーザ光８を発光
する共振器端面５部分を除くレーザチップ１およびワイ
ヤ７の一部ならびにサブマウント２部分は絶縁性のアン
ダーコートレジン１５で被われていることから、アンダ
ーコートレジン１５で被われた後のレーザチップ１に外
部から導電性の異物６が飛来して付着しても、ｐｎ接合
の殆どの部分には異物６は接触しない。すなわち、レー
ザチップ１は幅が４００μｍ、長さが３００μｍ。
する共振器端面５部分を除くレーザチップ１およびワイ
ヤ７の一部ならびにサブマウント２部分は絶縁性のアン
ダーコートレジン１５で被われていることから、アンダ
ーコートレジン１５で被われた後のレーザチップ１に外
部から導電性の異物６が飛来して付着しても、ｐｎ接合
の殆どの部分には異物６は接触しない。すなわち、レー
ザチップ１は幅が４００μｍ、長さが３００μｍ。
高さが１００μｍとなっているの忙対して、ｐｎ接合を
構成する共振器端面５部分は、幅が２μｍ。
構成する共振器端面５部分は、幅が２μｍ。
厚さが０．７μｍと極めて小さく、かつアンダーコート
レジン１５はこの共振器端面５を被わない程度罠共振器
端面５に近接して塗布されていることから、この露出し
た両弁振器端面５に異物６が接触する確率は極めて少な
く、ショート不良が発生し難くなるという効果が得られ
る。
レジン１５はこの共振器端面５を被わない程度罠共振器
端面５に近接して塗布されていることから、この露出し
た両弁振器端面５に異物６が接触する確率は極めて少な
く、ショート不良が発生し難くなるという効果が得られ
る。
２、本発明の半導体レーザ装置は、レーザ光８を発光す
る共振器端面５部分を除くレーザチ・ンブ１およびワイ
ヤ７の一部ならびにサブマウント２部分は、絶縁性σ）
アンダーコートレジン】５で被われていることから、こ
れらの各表面部分に異物６が付着していても、これらの
異物６はアンダーコートレジン１５によって被われ固定
されている。
る共振器端面５部分を除くレーザチ・ンブ１およびワイ
ヤ７の一部ならびにサブマウント２部分は、絶縁性σ）
アンダーコートレジン】５で被われていることから、こ
れらの各表面部分に異物６が付着していても、これらの
異物６はアンダーコートレジン１５によって被われ固定
されている。
したがって、これらの異物６は、半導体レーザ装置の取
扱時の振動等によって移＠することはないことから、特
性検査時に良品と判定された後には、異物６の付着によ
るショート不良は発生しなくなり、半導体レーザ装置の
信頼性が高くなるという効果が得られる。
扱時の振動等によって移＠することはないことから、特
性検査時に良品と判定された後には、異物６の付着によ
るショート不良は発生しなくなり、半導体レーザ装置の
信頼性が高くなるという効果が得られる。
３、上記１および２から、あらかじめ付着していた異物
６はアンダーコートレジン１５で固定されていて共振器
端面５部分には移動して来て付着することはないこと、
また、パッケージが施されていない状態等であって、外
方から異物６が飛来してきた場合であ−っても、アンダ
ーコートレジン１５で被われていない共振器端面５部分
は極めて／ｈさい面積であることから、ショート不良お
よびレーザ光の遮蔽不良等の発生確率は極めて少なく、
半導体レーザ装置の信頼性の向上が達成できるという効
果が得らオ〔る。
６はアンダーコートレジン１５で固定されていて共振器
端面５部分には移動して来て付着することはないこと、
また、パッケージが施されていない状態等であって、外
方から異物６が飛来してきた場合であ−っても、アンダ
ーコートレジン１５で被われていない共振器端面５部分
は極めて／ｈさい面積であることから、ショート不良お
よびレーザ光の遮蔽不良等の発生確率は極めて少なく、
半導体レーザ装置の信頼性の向上が達成できるという効
果が得らオ〔る。
４、上記１へ３により、本発明の半導体レーザ装置はそ
の製造における歩留りが向上するため、半導体レーザ装
置の製造コストが安くなるという相乗効果が得られる。
の製造における歩留りが向上するため、半導体レーザ装
置の製造コストが安くなるという相乗効果が得られる。
５、 レーザチップに接続されたワイヤの一部がアンダ
ーコートレジンに包まれているため、ワイヤに多少力が
加っても、ワイヤはあまり久形しないため、信頼性の肯
い半導体レーザ装置が得られる。
ーコートレジンに包まれているため、ワイヤに多少力が
加っても、ワイヤはあまり久形しないため、信頼性の肯
い半導体レーザ装置が得られる。
〔実施例２〕
郷４図に示すように、レーザチップ１等を透明レジンか
らなるパッケージ２ｏで封止した構造でも前記実施例と
同様な効果が得られる３、この実施例の半導体レーザ装
置は、レーザ光８をモニターしない構造の半導体レーザ
装置であって、一対のリード】３を有する構造となって
いる。すなわち、一方のリード１３はその先端部分が幅
広くなっていて、この幅広部分にレーザチップ１をソル
ダー３によって固定したサブマウント２がソルダー２１
によって固定されている。また、レーザチップ１等を含
む一方のリード１３部分はアンダーコートレジン１５に
よって被われている、アンダーコートレジン１５は前記
実施例と同様にレーザチップ１の一方の共振器端面５部
分を被わないようになっている。さら妊、他方のり−ド
１３の内端部分とレーザチップ１の上面電極（図示せず
）とはワイヤ７で接続されている。また、両リード１３
の内端部分、レーザチップ１．ワイヤ７等は透明なレジ
ンからなるパッケージ２０によって被われている。なお
、前記パッケージ２０のレーザ光８が透過する表面部分
は窪み部２２となっていて、パッケージ２０が他のもの
と接触するようなことがあっても、その窪み故にレーザ
光透過表面２３が汚染されないように配慮されている。
らなるパッケージ２ｏで封止した構造でも前記実施例と
同様な効果が得られる３、この実施例の半導体レーザ装
置は、レーザ光８をモニターしない構造の半導体レーザ
装置であって、一対のリード】３を有する構造となって
いる。すなわち、一方のリード１３はその先端部分が幅
広くなっていて、この幅広部分にレーザチップ１をソル
ダー３によって固定したサブマウント２がソルダー２１
によって固定されている。また、レーザチップ１等を含
む一方のリード１３部分はアンダーコートレジン１５に
よって被われている、アンダーコートレジン１５は前記
実施例と同様にレーザチップ１の一方の共振器端面５部
分を被わないようになっている。さら妊、他方のり−ド
１３の内端部分とレーザチップ１の上面電極（図示せず
）とはワイヤ７で接続されている。また、両リード１３
の内端部分、レーザチップ１．ワイヤ７等は透明なレジ
ンからなるパッケージ２０によって被われている。なお
、前記パッケージ２０のレーザ光８が透過する表面部分
は窪み部２２となっていて、パッケージ２０が他のもの
と接触するようなことがあっても、その窪み故にレーザ
光透過表面２３が汚染されないように配慮されている。
この実施例は前記実施例と同様な効果を得ることができ
るとともに、パッケージ２０が材料コストが安いレジン
であること、およびパンケージ２０形成は量産性忙富ん
だトランスファ・モールディング技術が採用できること
から、半導体レーザ装置の低コスト化が達成できるとい
う効果が得られる。
るとともに、パッケージ２０が材料コストが安いレジン
であること、およびパンケージ２０形成は量産性忙富ん
だトランスファ・モールディング技術が採用できること
から、半導体レーザ装置の低コスト化が達成できるとい
う効果が得られる。
（１）半導体レーザチップの発光部分を除く部分がアン
ダーコートレジンで被われてるため、チップに多少トラ
ンスファモールドによって外力が加わってもチップは破
壊しないという効果が得られる。
ダーコートレジンで被われてるため、チップに多少トラ
ンスファモールドによって外力が加わってもチップは破
壊しないという効果が得られる。
＋２１ （１１より、量産性の高いトランスファ０モー
ルデイング技術が適用できるという効果が得られる。
ルデイング技術が適用できるという効果が得られる。
＋３１ （２）より半導体レーザ装置の低コスト化がｄ
ｌｏれる。
ｌｏれる。
（４）パッケージのレーザ出射面は窪み部となっている
ため、前記出射面は汚染されないという効果が得られる
。
ため、前記出射面は汚染されないという効果が得られる
。
１４ 本発明の半導体レーザ装置では、レーザ光８を発
光する共振器端面５部分を除くレーザチップ】およびワ
イヤ７の一部ならびにサブマウント２部分は絶縁性のア
ンダーコートレジン１５で被われていることから、アン
ダーコートレジン１５で被われた後のレーザチップ１に
外部から導電性の異物６が飛来して付着しても、ｐｎ接
合の殆どの部分には異物６は接触しない。すなわち、レ
ーザチップ１は幅が４０００μｍ、長さが３００μｍ。
光する共振器端面５部分を除くレーザチップ】およびワ
イヤ７の一部ならびにサブマウント２部分は絶縁性のア
ンダーコートレジン１５で被われていることから、アン
ダーコートレジン１５で被われた後のレーザチップ１に
外部から導電性の異物６が飛来して付着しても、ｐｎ接
合の殆どの部分には異物６は接触しない。すなわち、レ
ーザチップ１は幅が４０００μｍ、長さが３００μｍ。
高さが１００μｍとなっているのに対して、ｐｎ接合を
構成する共振器端面５部分は、幅が２μｍ。
構成する共振器端面５部分は、幅が２μｍ。
厚さが０．７μｍと極めてｌトさく−かつアンダーコー
トレジン１５はこの共振器端面５を被わない程度に共振
器端面５に近接して塗布されていることから、この露出
した画集振器端面５に異物６が接触する確率は極めて少
なく、ショート不良が発生し難くなるという効果が得ら
れる、 ２、本発明の半導体レーザ装置は、レーザ光８を発光す
る共振器端面５部分を除くレーザチップ１およびワイヤ
７の一部ならびにサブマウント２部分は、絶縁性のアン
ダーコートレジン１５で被われていることから、これら
の各表面部分に異物６が付着していても、これらの異物
６はアンダーコートレジン１５によって被われ固定され
ている。
トレジン１５はこの共振器端面５を被わない程度に共振
器端面５に近接して塗布されていることから、この露出
した画集振器端面５に異物６が接触する確率は極めて少
なく、ショート不良が発生し難くなるという効果が得ら
れる、 ２、本発明の半導体レーザ装置は、レーザ光８を発光す
る共振器端面５部分を除くレーザチップ１およびワイヤ
７の一部ならびにサブマウント２部分は、絶縁性のアン
ダーコートレジン１５で被われていることから、これら
の各表面部分に異物６が付着していても、これらの異物
６はアンダーコートレジン１５によって被われ固定され
ている。
したがって、これらの異物６は、半導体レーザ装置の取
扱時の振動等によって移動することはないことから、特
性検査時に良品と利足された後には、異物６の付着によ
るショート不良は発生しなくなり、半導体レーザ装置の
信頼性が高くなるという効果が得られる。
扱時の振動等によって移動することはないことから、特
性検査時に良品と利足された後には、異物６の付着によ
るショート不良は発生しなくなり、半導体レーザ装置の
信頼性が高くなるという効果が得られる。
３、上記】および２から、あらかじめ付層していた異物
６はアンダーコートレジン】５で固定すれていて共振器
端面５部分には移動して来て付層することはないこと、
また、パックー−ジが施さｉｒでいない状態等であって
、外方から異物６がＩｋ来１−てきた場合であっても、
アンダーコートレジン１５で被われていない共振器端面
５部分は極めて小さい面積であることから、ショート不
良およびレーザ光の遮蔽不良等の発生確率は極めて少な
く、半導体レーザ装置の信頼性の向上が達成できるとい
う効果が得られる。
６はアンダーコートレジン】５で固定すれていて共振器
端面５部分には移動して来て付層することはないこと、
また、パックー−ジが施さｉｒでいない状態等であって
、外方から異物６がＩｋ来１−てきた場合であっても、
アンダーコートレジン１５で被われていない共振器端面
５部分は極めて小さい面積であることから、ショート不
良およびレーザ光の遮蔽不良等の発生確率は極めて少な
く、半導体レーザ装置の信頼性の向上が達成できるとい
う効果が得られる。
４、上記１〜３により、本発明の半導体レーザ装置はそ
の製造における歩留りが向上するため、半導体レーザ装
置の製造コストが安くなるという相乗効果が得られる。
の製造における歩留りが向上するため、半導体レーザ装
置の製造コストが安くなるという相乗効果が得られる。
５、 レーザチップＫＪ続されたワイヤの一部がアンダ
ーコートレジンに包まれているため、ワイヤに多少力が
加っても、ワイヤはあまり変形しないため、信頼性の高
い半導体レーザ装置が得られる。
ーコートレジンに包まれているため、ワイヤに多少力が
加っても、ワイヤはあまり変形しないため、信頼性の高
い半導体レーザ装置が得られる。
６、半導体レーザチップの発光部分を除く部分がアンダ
ーコートレジンで被われてるため、チップに多少トラン
スファモールドによって外方が加わってもチップは破壊
しないという効果が得られる。
ーコートレジンで被われてるため、チップに多少トラン
スファモールドによって外方が加わってもチップは破壊
しないという効果が得られる。
７．６．より、を産性の高いトランスファ・モールディ
ング技術が適用できるという効果が得られる。
ング技術が適用できるという効果が得られる。
８゜ ７．より半導体レーザ装量の低コスト化が計れる
３、 ９ パッケージのレーザ出射面は窪み部となっているた
め、前記出射面は汚染されないという効果が得られる。
３、 ９ パッケージのレーザ出射面は窪み部となっているた
め、前記出射面は汚染されないという効果が得られる。
以上本発明者によりてなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、レーザチップ
は共振器端面がサブマウントから遠い位置になるような
、いわゆるＰ−ｕ ｐの数句は構造としても、前記同様
な効果が得られる。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、レーザチップ
は共振器端面がサブマウントから遠い位置になるような
、いわゆるＰ−ｕ ｐの数句は構造としても、前記同様
な効果が得られる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である可視光半導体レーザ
による情報処理用半導体レーザ技術に適用した場合につ
いて説明したが、それ忙限定されるものではなく、たと
えば、光通信用半導体レーザ技術、さらには、半導体レ
ーザ部を有する集積化光デバイス（ＯＥＩＣ）等のテ、
ブを組み込んだ発光電子装置製造技術などに適用できる
。
をその背景となった利用分野である可視光半導体レーザ
による情報処理用半導体レーザ技術に適用した場合につ
いて説明したが、それ忙限定されるものではなく、たと
えば、光通信用半導体レーザ技術、さらには、半導体レ
ーザ部を有する集積化光デバイス（ＯＥＩＣ）等のテ、
ブを組み込んだ発光電子装置製造技術などに適用できる
。
本発明は少、なくとも半導体レーザ部を有するチップを
組入込んだ発光′電子装ＭＫ適用できる。
組入込んだ発光′電子装ＭＫ適用できる。
第１図に従来のレーザチップの固定状態を示す斜視図、
第２図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置の要
部を示す斜視図、 第３図は同じくレーザチップの固定状態を示す斜視図、 第４図は本発明の他の実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図である。 ■・・・レーザチップ、２・・・サブマウント、３・・
・ソルダー、４・・・ダブルへテロ接合部（ｐｎ接合）
、５・・・共振器端面、６・・・異物、７・・・ワイヤ
、８・・・レ−ｆＬ９・・・ステム、１０・・・キャッ
プ、１】・・・ヒートシンク、１２・・・受光素子、１
３・・・リード、１４・・絶縁体、７・・・ワイヤ、１
５・・・コーティング層（アンダーコートレジン）、１
６・・・透明窓、１７・・・透明ガラス板、１８・・・
パッケージ、１９・・・取付孔、２ｏ・・・パッケージ
、２１・・・ソルダー、２２・・・窪み部、２３・・レ
ーザ光透過表面−第１図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
部を示す斜視図、 第３図は同じくレーザチップの固定状態を示す斜視図、 第４図は本発明の他の実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図である。 ■・・・レーザチップ、２・・・サブマウント、３・・
・ソルダー、４・・・ダブルへテロ接合部（ｐｎ接合）
、５・・・共振器端面、６・・・異物、７・・・ワイヤ
、８・・・レ−ｆＬ９・・・ステム、１０・・・キャッ
プ、１】・・・ヒートシンク、１２・・・受光素子、１
３・・・リード、１４・・絶縁体、７・・・ワイヤ、１
５・・・コーティング層（アンダーコートレジン）、１
６・・・透明窓、１７・・・透明ガラス板、１８・・・
パッケージ、１９・・・取付孔、２ｏ・・・パッケージ
、２１・・・ソルダー、２２・・・窪み部、２３・・レ
ーザ光透過表面−第１図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、支持体と、前記支持体の主面に固定されかつ端面の
共振器端からレーザ光を発光する半導体レーザ部を有す
るチップと、前記チ佼プの共振器端を除いたチップ表面
を被うコーティング層と、を有することを特徴とする発
光電子装置。 ２、支持体と、前記支持体の主面に固定さ第１かつ端面
の共振器端か［）レーザ光を発光する半導体レーザ部を
有するチップと、前記チップの共振器端を除いたチップ
表面を被うコーティング層と、前記チップおよびコーテ
ィング層ならびに支持体を被う透明なレジンからなるパ
ンケージと、を有することを特徴とする発光電子装置に
− ３、前記パッケージのチップ共振器端面に対応する表面
部分は窪んでいることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の発光電子装置ｉｉｔ、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072822A JPS60217687A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 発光電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072822A JPS60217687A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 発光電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217687A true JPS60217687A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13500487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072822A Pending JPS60217687A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 発光電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217687A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296593A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| US5052005A (en) * | 1988-12-19 | 1991-09-24 | Rohm Co., Ltd. | Method of mounting a laser diode unit |
| US5233580A (en) * | 1988-12-19 | 1993-08-03 | Rohm Co., Ltd. | Laser diode unit welded to a mounting member by laser light |
| EP0607700A3 (en) * | 1992-12-24 | 1994-11-30 | Sharp Kk | Semiconductor laser device. |
| US5414293A (en) * | 1992-10-14 | 1995-05-09 | International Business Machines Corporation | Encapsulated light emitting diodes |
| WO2000014837A1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Anordnung mit lichtemittierendem leistungshalbleiterbauelement sowie verfahren zur herstellung derselben |
| US6784511B1 (en) | 1994-01-20 | 2004-08-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Resin-sealed laser diode device |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59072822A patent/JPS60217687A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296593A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| US5052005A (en) * | 1988-12-19 | 1991-09-24 | Rohm Co., Ltd. | Method of mounting a laser diode unit |
| US5233580A (en) * | 1988-12-19 | 1993-08-03 | Rohm Co., Ltd. | Laser diode unit welded to a mounting member by laser light |
| US5414293A (en) * | 1992-10-14 | 1995-05-09 | International Business Machines Corporation | Encapsulated light emitting diodes |
| EP0607700A3 (en) * | 1992-12-24 | 1994-11-30 | Sharp Kk | Semiconductor laser device. |
| US6784511B1 (en) | 1994-01-20 | 2004-08-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Resin-sealed laser diode device |
| WO2000014837A1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Anordnung mit lichtemittierendem leistungshalbleiterbauelement sowie verfahren zur herstellung derselben |
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