JPS63105973A - 光選択的金属付着法 - Google Patents

光選択的金属付着法

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JPS63105973A
JPS63105973A JP22547287A JP22547287A JPS63105973A JP S63105973 A JPS63105973 A JP S63105973A JP 22547287 A JP22547287 A JP 22547287A JP 22547287 A JP22547287 A JP 22547287A JP S63105973 A JPS63105973 A JP S63105973A
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JP
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layer
substrate
catalyst
water
coated
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JP22547287A
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ハーバート・スタンレイ・コール，ジュニア
ライオネル・モンティ・レビンソン
ユン・シエン・リウ
テレサ・アン・シトニック
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Original Assignee
General Electric Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、基体の少なくとも一部をレーザー放射線にさ
らすことによって基体上に金属を無電解的にメッキする
方法、およびそれによって製造された製品に関する。本
発明の方法によって高分解能の金属メッキが提供され、
そのためこの方法は非平面状の表面のメッキに特に適し
ている。
発明の背景 金属の選択的な無電解メッキは、プリント配線回路板や
半導体デバイスのような電子部品の製造用としてずっと
前から知られている。最も普遍的な技術では、基板の表
面を（たとえば塩化第一スズで）増感した後、無電解的
に付着（メッキ）する前に塩化パラジウムなどのパラジ
ウム触媒で活性化する。光選択的な付着方法の概要は、
フェルトシュタイン（Ｎ、　Ｐｅ１ｄｓｔｅｌｎ）によ
る１９７０年８月のメッキ（Ｐｌａｔｉｎｇ）　、第８
０３〜８０６頁の「選択的無電解メッキ技術：概観（Ｓ
ｅｌｅｃｔｉｖｅ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ　Ｐｌａｔ
ｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ：　Ａ　５ｕｒｖｅｙ）
　Ｊおよびシャープ（Ｄ、Ｊ、　５ｈａｒｐ）による１
９７１年８月のメッキ（Ｐｌａｔｉｎｇ）　、第１０３
〜１２１頁の「光選択的金属付着（Ｐｈｏｔｏｓｅｌｅ
ｃｔｌｖｅ　Ｍｅｔａｌ　Ｄｅｐ。
５ｌｔｌｏｎ）　Ｊに開示されている。
選択的メッキを施すには基体表面に触媒核のパターンを
作らなければならないが、これには通常メッキしようと
する領域とメッキしたくない領域とを区別するために表
面のある部分をマスキングする必要がある。このマスキ
ング操作はホトレジスト、インクなどの材料を用いてほ
ぼ平らな表面に対して実施する。しかし、プリント回路
板や半導体デバイスの製造分野における最近の進歩によ
って現在では平らでない表面にメッキすることが望まし
い。現在、平面のマスクを使用する従来の技術を用いて
凸面や丸みのある面にメッキするのは非常に困難である
。
またマスクは、メッキパターンが変わる度にそのつど新
しいマスクを作らなければならないという点でも不利で
ある。このため、プリント回路板や半導体デバイスを少
量製造するのは困難でコスト高になる。
最近、レーザーを用いて、炭素−炭素結合を切断して極
めてシャープな切り目を作ることによってポリマー性の
物質をアブレーション的（切断、腐食、融解、蒸発等に
より除去すること）に光分解できることが確立された。
１９８３年１１月３日のＩＢＭ研究ハイライト（ＩＢＭ
　Ｒｅ５ｅａｒｃｈ　Ｈ！ｇｈ１１帥旦）の「無加熱レ
ーザーエツチング（１１ａａｔ　１ｅｓｓＬａｓｅｒ　
Ｅｔｃｈｉｎｇ）　Ｊ参照。この分野でさらに研究が続
いた結果、レーザー、特にエキシマレーザ−は、切り目
の深さがこの切り目を入れる表面に当てられるフルエン
ス（ｍＪ／ｃｄ）を始めとするいくつかの要因によって
左右されることが示された。
１９８５年５月７６月のジャーナル・オブ・バキューム
・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊ。
Ｖａｃ、　Ｓｃｉ、　Ｔｅｃｈｎｏｌ、）第９１３〜９
１７頁、１９８５年２月１５日のジャーナル・オブ・ア
プライド゛フイジクス（Ｊ、　Ａｐｐ、　Ｐｈｙｓ、）
第５７（４）巻、第１４２０〜１４２２頁、および１９
８３年１０月−１２月のジャーナル・オブ・バキューム
・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊ、　ｌ／ａｃ
、　Ｓｃｉ。
Ｔｅｃｈｎｏｌ、）第９２３〜９２５頁参照。
上記のタイプのレーザー（特にエキシマレーザ−）は、
マスクを使用しないで済み、しかもミクロン領域の幅を
もつシャープな刻み目を作る方法に有効に使用できる。
したがって本発明のひとつの目的は、基体の上に、凸面
および／または丸みのある面でも微細な線をメッキする
ことがで、きる光選択的な金属付着方法を提供すること
である。
本発明のさらに別の目的は、従来のマスクを使用しない
で済む光選択的金属付着方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、基体にメッキしなから付性
バクーンを変更するのが比較的に簡単な光選択的金属付
着方法を提供することである。
さらに、本発明の他の目的は、金属の微細な線がメッキ
されている金属メッキ基体を提供することであり、この
金属がメッキされた基体はプリント回路、半導体デバイ
ス、その他の電子部品の製造にを用である。
発明の概要 本発明は金属を基体上に無電解メッキする方法に関し、
この方法は、 （ａ）アブレーションによって除去可能な材料の少なく
とも１つの層で基体を被覆し、 （ｂ）被覆された層の少なくとも一部を充分な量のレー
ザー放射線で照射し、これにより、被覆されている層の
照射された部分をアブレーションによって除去し、 （ｃ）得られた照射基体を、無電解メッキ溶液と接触し
た際メッキしたい金属の無電解的な付着を起こさせるこ
とができる触媒で被覆し、（ｄ）触媒で被覆された基体
を無電解メッキ溶液と接触させて、基体の照射された部
分の上に金属をメッキすると共に照射されていない、触
媒で被覆された層を除去する ことからなる。
また本発明は上記の方法によって製造された製品にも係
り、これらの製品はプリント回路板、半導体デバイスな
どを含む電子部品として有用である。
本発明の新規であると思われる特徴は特許請求の範囲に
明示しであるが、構成および実施方法の両者に関する本
発明自体の説明は、本発明のさらなる目的およびその利
点と共に、添附の図面を参照した以下の記載によって最
も良く理解されるであろう。
発明の詳細な説明 本発明は金属を基体上に無電解的にメッキする方法から
なる。第１（ａ）〜１　（ｄ）図に示しであるように、
基体２は一般に、その上に無電解的にメッキされる金属
被覆を受容するのに適しているか、あるいは自身の上に
金属被覆を受容できる絶縁層をもつことのできるあらゆ
る基体である。
この基体は誘電材料および／または超小型電子回路材料
からなるのが好ましい。適切な基体とじてはＩＦｆ１以
上のセラミックス、ポリイミド、アルミナ、シリコーン
−ポリイミド、シリコン（ケイ素）、シリコーンゴム、
二酸化ケイ素などがある。また基体は、たとえばプリン
ト回路パターン間の接続手段の提供に適した金属パッド
を上にもっていてもよい。
第１（ａ）図に示されているように、場合により基板２
は、プリント回路パターン間を接続したくないときは絶
縁材料のＷ１４で被覆されていてもよい。そのような絶
縁材料は業界で公知であり、たとえばポリイミド、ポリ
スルホン、シリコーンポリイミド、エポキシおよびマイ
ラー（Ｍｙｌａｒ）などのような絶縁プラスチックがあ
る。水溶性の層６が絶縁層４の上に被覆される。この水
溶性層は水溶性のポリマーからなるのが好ましい。適切
な水溶性ポリマーとしては、ポリビニルピロリドン、ポ
リビニルアルコール、ゼラチンおよびポリアルキレンエ
ーテルがある。ポリビニルピロリドンが特に好ましい。
この水溶性の層は基板を完全に覆えるような充分な厚み
をもって被覆され、約５００人から約３０００人までが
好ましい。
第１　（ｂ）図を参照すると、基板のメッキしたい部分
がエキシマレーザ−（図には示してない）、たとえば貴
ガス／ハライドガス混合物（たとえばアルゴン−フッ素
ガス混合物）を用いるようなレーザーからの放射線（参
照番号８で示しである）で照射され、水溶性ポリマーの
炭素−炭素結合が切断され、その結集、水溶性ポリマー
層６がアブレーションによって除かれて、金属を付着さ
せる標的領域１０が形成される。
このエキシマレーザ−１たとえばラムダ・フィジーク（
ＬａＩＩｌｂｄａ　Ｐｈｙｓｌｋ）エキシマレーザ−は
紫外領域、好ましくは約１９３ｎｍ、　２４８ｎｍおよ
び３０８ｎαの波長で作動し、フルエンス（エネルギー
レベル）は少なくとも約２０ｍＪ／ｃｄ、好ましくは２
０　ｍＪ／ｃｄ　〜３００　ｔｎＪ／ｃｄの範囲である
。
アブレーションの後、第１　（ｃ）図に示されているよ
うに、残っている非照射の水溶性ポリマー層６と標的領
域１０とが、無電解メッキ溶液中に含まれている金属の
メッキを誘発することができる触媒１２で被覆される。
この触媒はパラジウム、ニッケルまたは白金を含有する
化合物の中から選択すると好ましい。パラジウムを含有
する化合物が特に好ましい。パラジウム含有化合物の例
としては、ビスベンゾニトリルパラジウムクロライド、
酢酸パラジウム、臭化パラジウム、塩化パラジウム、ヨ
ウ化パラジウム、硝酸パラジウム、１，１゜１．５．５
．５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン酸パラ
ジウム、２．４−ペンタンジオン酸パラジウム、トリフ
ルオロ酢酸パラジウムおよび元素状パラジウムがある。
元素状パラジウムは蒸着や化学スパッタリングなどのよ
うな常用の技術によって、アブレーション後の基板に付
着することができる。
基板を覆うのに使用する触媒の量は、付着（デポジット
）が必要とされる領域で金属の均一な層の付着を起こさ
せるのに充分なものとしなければならない。
こうして触媒１２で活性化された基板は次に、無電解メ
ッキ溶液と接触させて、活性化された標内領域１０に金
属の層１４を付着させる。これと同時に、触媒１２がそ
の上に被覆されている水溶性ポリマー層６の照射されず
に残っている部分はメッキ溶液で洗い流す。その結果箱
１　（ｄ）図に示しであるような金属化された基板が生
成する。
水溶性ポリマー層６の非照射部分を、触媒１２で活性化
した後に別の水性浴で除去することも本発明の範囲内で
ある。
はとんどあらゆる金属が本発明に従ってメッキできる。
好ましい金属としては銅、パラジウム、ニッケル、コバ
ルトおよび鉄がある。銅は優れた導電特性をもっている
ため電子用途には特に好ましい。さらに、この金属は、
よく知られたメッキ浴を用いて任意の厚さにメッキして
もよいし、あるいは最初本発明に従って金属の層を形成
した後従来のメッキ技術によってその上にメッキを施し
てもよい。
第２（ａ）〜２（ｄ）図に示されている本発明の別の具
体例では、参照番号８（第２（ｂ）図参照）で示されて
いるように、水溶性のポリマー層６と絶縁層４が両方と
もアブレーションによ７て除去される。その後残った構
造体を第２（ｃ）図に示されているように触媒で活性化
し、次に無電解メッキ溶液で処理して第２（ｄ）図に示
しであるように標的領域１０に金属層１４を形成すると
共に、同時に触媒で被覆されている水溶性ポリマー層６
の非照射部分を除去する。第２（ａ）〜２（ｄ）図に示
した具体例はプリント回路単位間の導電性接続を形成す
るのに特に適している。この場合、基板２の表面１６に
は基板に埋め込まれた金属パッドが設けられている。こ
の金属パッドはアルミニウム、クロム、モリブデンなど
の導電性金属で作成できる。
本発明のさらに別の具体例においては、絶縁材料と水溶
性ポリマーとの間に、有機の可溶性層を配置して、非照
射の領域に不要なメッキが施されてしまうことのないよ
うに付加的な保護をする。
第３（ａ）〜３（ｆ）図を参照すると、ポリビニルアセ
テート、ポリスチレンまたはポリメチルメタクリレート
のような有機の可溶性層１８が絶縁層４の上を覆って被
覆され、乾燥され、次いで水溶性のポリマー６で被覆さ
れる。したがって絶縁層４は二重の層で被覆されること
になる。すでに記載したのと同様にエキシマレーザ−で
アブレーションを実施して、第３（ｂ）図に示しである
ように、水溶性ポリマー層６の所望の部分と有機の可溶
性層１８の対応する部分とをアブレーションで除去する
。次に第３（ｃ）図に示されているように触媒の層１２
を基板に設ける。次いで、第３（ｄ）図に示しであるよ
うに、触媒１２をもっている水溶性ポリマー層６の残っ
ている部分を水性浴中で濯いで除いた後、残っている有
機可溶性層１８をトルエンやキシレンのような有機の溶
剤中で除去すると第３（ｅ）図に示しである構造が得ら
れる。標的区域１０だけが活性化されている得られた基
板を次にメッキ溶液中に浸漬すると、第３（ｆ）図に示
したような所望の金属化基板が生成する。あるいは、活
性化した基板をメッキ浴中に浸漬して、水溶性層６と有
機可溶相１８の非照射部分を同時に除去することも可能
である。
絶縁を４の上に被覆された二重層中の水溶性層６と有機
可溶性層１８の配置は逆になっていてもよく、その際本
発明の方法は第４（ａ）〜４（ｆ）図に示しであるよう
にして実施してもよい。より詳しく説明すると、有機可
溶相１８と水溶性層６との両者を第４（ｂ）図に示した
ようにアブレーションによって除去し、第４（ｃ）図に
示したように活性化する。次に、第４（ｄ）図に示され
ているように、有機可溶性層１８の残りの部分を溶剤洗
浄によって除去する。標的領域１０を適切に活性化され
たままでおいて置くためには溶剤にほとんど不溶な触媒
（たとえば元素状パラジウム）を選択するのが望ましい
。
次に、水溶性層６の残りの部分を洗い流すと、第４（ｅ
）図に示したような標的領域１０のみが活性化された基
板が得られる。得られた、活性化された基板を次にメッ
キ浴中に浸漬して、標的領域１０の上だけに金属層１４
をメッキして第４（ｆ）図に示しであるような構造が得
られる。あるいは、活性化された基板をメッキ溶液に浸
漬することによって、有機可溶性層１８と水溶性層６の
アブレーションされてない部分の除去を同時に実施する
ことができる。
以下の実施例は例示のためだけに挙げるものであり、特
許請求の範囲で定義した本発明の範囲を限定する意味は
ない。
実施例１ 市販のポリイミド［バイラリン（Ｐｙｒａｌｌｎ）　２
５４０、デュポン・ケミカル（ＤｕＰｏｎｔ　Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ）　］を、２’Ｘ２０’の石英スライド上にス
ピン塗布した。このサンプルを１２０℃で１時間、さら
にポリイミドが硬化するまで２５０℃で３０分間ベーキ
ングした。メタノールに溶かしたポリビニルピロリドン
［アルドリッチ・ケミカル（ＡｌｄｒｉｃｈＣｈｅｍｉ
ｃａｌ）　］の２重量％溶液を調製し、ポリイミド層の
表面にスピン塗布した後乾燥した。次に、このポリビニ
ルピロリドンを塗布したサンプルを５分間１００℃にベ
ーキングして微量残っている溶剤を除いた。得られたポ
リビニルピロリドン層の厚さは１，０００人であった。
次いでこのサンプルを、１９３ｎｍで作動し、パルス持
続時間が１２ｎｓであるラムダ・フィジーク（Ｌａｍｂ
ｄａ　Ｐｈｙｓ［ｋ）エキシマレーザ−に露出した。
２０ｍＪ／ｃ＋Ｊのエネルギーフルエンスで水溶性層の
中に一連の小さい点と一本の線を書いた。これらの点は
１〜１０個のパルスで書いた。線を書くには、サンプル
を手で動かしなから５パルス／秒の割合で照射した。露
光の結果、照射した領域からポリビニルピロリドン層が
除去された。次にこのサンプルを、トルエン中のビスベ
ンゾニトリルパラジウムクロライドの１重量％溶液の中
に５分間漬けた。活性化された基板を風で乾かした後、
無電解銅浴［エントン社（Ｅｎｔｈｏｎｃ　Ｃｏｒｐｏ
ｒａｔｉｏｎ）がエンプレート（Ｅｎｐｌａｔｅ）　Ｃ
Ｕ　−４０２という名前で販売］に室温で２分間浸漬し
た。次いでサンプルを浴から取出し、水中ですすいだ。
サンプルのエキシマレーザ−に露出された領域には光輝
な銅のフィルムが被覆されていた。照射頃なかった領域
の上には金属の層がなかった。これは、水溶性の保護皮
膜がメッキ浴中に洗い落されたためである。
実施例２ 実施例１と同様なやり方でサンプルを調製した。
次いでこのサンプルを、２４８　ｎｍで作動し、パルス
持続時間が１２ｎｓであるラムダ・フィジーク（Ｌａａ
＋ｂｄａ　Ｐｈｙｓｉｋ）エキシマレーザ−に露出した
。
このサンプルは、金属線マスクを通してエネルギーフル
エンスを約１００　ｒｎＪ／ｃｄとして照射した。
露光後、サンプルを蒸着パラジウムで活性化し、実施例
１に記載したようにして無電解メッキした。
照射した領域には銅の微細な線が現れた。銅のメッキは
非照射領域では起こらなかった。
実施例３ ポリビニルピロリドンをメタノール中の２重量％溶液か
ら１０００人の厚みで顕微鏡のスライドに塗布した。こ
のサンプルを実施例２に記載しであるようにして照射し
た。その後サンプルを酢酸パラジウムに漬け、乾燥した
後、マクダーミツド社（ＭａｃＤｅｒｍｌｄ、　Ｉｎｃ
ｏｒｐｏｒａｔｅｄ）から入手可能な無電解銅浴［メテ
ックス（Ｍｅｔｅｘ）　９６２０　］に６０℃で２分間
浸漬した。照射した領域には明るい銅のメッキが生じた
が、非照射領域には銅は付かなかった。
実施例４ サンプルを調製し、照射し、実施例１と同様にしてアセ
トン中の酢酸パラジウムの０．５ｆｆｉｆｆｉ％溶液を
スピン塗布して活性化した。次にこのサンプルを水に漬
けて、露出しなかった領域のポリビニルピロリドンを洗
い流した。この結果、パラジウム触媒は照射した領域に
だけ存在していた。次いでこのサンプルを室温で２分間
エンプレート（Ｅｎｐｌａｔｅ）　ＣＵ　−４０２浴中
に漬けた。照射した領域には明るい銅の層がメッキされ
ていた。
ここでは本発明のいくつかの好ましい特徴のみを例示し
て説明して来たが多くの修正と変更は当業者には自明で
あろう。したがって、特許請求の範囲に記載された本発
明は、そのような修正と変更をすべて本発明の真の精神
の範囲内に入るものとして包含するものと考えられた＋
１゜
【図面の簡単な説明】
第１（ａ）〜１（ｄ）図は、基体を覆っている絶縁材料
の上に金属を付着せしめるという本発明のひとつの具体
例の一連の工程を示す概略断面図である。 第２（ａ）〜２（ｄ）図は、基体に金属を直接付着せし
めるという本発明のもうひとつ別の具体例の一連の工程
を示す概略断面図である。 第３（ａ）〜３（ｆ）図は、有機可溶性層が基体の上の
絶縁層と水溶性ポリマー層との間に配置されている本発
明のもうひとつ別の具体例の一連の工程を示す概略断面
図である。 第４（ａ）〜４（ｆ）図は、水溶性層が絶縁層と有機可
溶性材料の最上層との間に配置されている本発明のもう
ひとつ別の具体例の一連の工程を示す概略断面図である
。 ２・・・基板、４・・・絶縁層、６・・・水溶性層、８
・・・レーザ放射線、１０・・・標的領域、１２・・・
触媒、１４・・・金属メッキ層、１８・・・有機可溶性
層侍許出２人ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ代
理人　　（７６３０）　　生　沼　徳　二２２−二＝２
−２う＝Ｅ；“４（ａ） ７う乙「４（ｆ）

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）（ａ）アブレーション除去可能な材料の少なくと
    も１つの層で基体を被覆して被覆基体を形成し、 （ｂ）被覆基体の少なくとも一部を充分な量のレーザー
    放射線で照射し、これにより基体上に被覆されている層
    の照射部分をアブレーション除去し、 （ｃ）得られた照射基体を、無電解メッキ溶液と接触し
    たときにメッキしたい金属の無電解的な付着を誘発でき
    る触媒で被覆し、 （ｄ）触媒で被覆した基体を無電解メッキ溶液と接触さ
    せ、基体の触媒で被覆された照射部分の上に金属をメッ
    キすると共に触媒で被覆された層の非照射部分を除去す
    る ことからなる、金属を基体上に無電解メッキする方法。
  2. （２）触媒で被覆された基体を無電解メッキ溶液と接触
    させる工程の前に、触媒で被覆された層の非照射部分を
    除去することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
    の方法。
  3. （３）無電解メッキされる金属が、銅、パラジウム、ニ
    ッケル、コバルトおよび鉄の中から選択されることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  4. （４）無電解メッキされる金属が銅からなることを特徴
    とする特許請求の範囲第３項に記載の方法。
  5. （５）触媒が、パラジウム含有化合物、ニッケル含有化
    合物および白金含有化合物の中から選択されることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  6. （６）前記触媒が、ビスベンゾニトリルパラジウムクロ
    ライド、酢酸パラジウム、臭化パラジウム、塩化パラジ
    ウム、ヨウ化パラジウム、硝酸パラジウム、１，１，１
    ，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオ
    ン酸パラジウム、２，４−ペンタンジオン酸パラジウム
    、トリフルオロ酢酸パラジウムおよび元素状パラジウム
    の中から選択されることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項に記載の方法。
  7. （７）アブレーション除去可能な材料が水溶性のポリマ
    ーからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
    載の方法。
  8. （８）水溶性ポリマーが、ポリビニルピロリドン、ポリ
    ビニルアルコール、ゼラチンおよびポリアルキレンエー
    テルの中から選択されることを特徴とする特許請求の範
    囲第７項に記載の方法。
  9. （９）水溶性ポリマーがポリビニルピロリドンからなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の方法。
  10. （１０）工程（ｂ）がさらに、フルエンスが少なくとも
    約２０ｍＪ／ｃｍ＾２の遠紫外乃至近紫外の領域のレー
    ザー放射線で被覆基体の少なくとも一部を照射すること
    を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
    方法。
  11. （１１）フルエンス率が約２０ｍＪ／ｃｍ＾２〜約３０
    ０ｍＪ／ｃｍ＾２であることを特徴とする特許請求の範
    囲第１０項に記載の方法。
  12. （１２）レーザーがエキシマレーザーからなることを特
    徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の方法。
  13. （１３）レーザー放射線の波長が、１９３ｎｍ、２４８
    ｎｍおよび３０８ｎｍの波長の中から選択されることを
    特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の方法。
  14. （１４）基体が、ポリイミド、アルミナ、セラミックス
    、シリコーン−ポリイミド、ポリスルホン、シリコン、
    シリコーンゴムおよび二酸化ケイ素の中の１種からなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  15. （１５）基体がその照射部分に金属の層を含んでおり、
    メッキされる金属はこの金属層上に付着されて基体と他
    の電子部品とを電気的に相互に接続するための手段を提
    供することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
    方法。
  16. （１６）基体がその上に絶縁材料の層を含んでおり、ア
    ブレーション除去可能な材料の層はこの絶縁層の上に被
    覆されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
    の方法。
  17. （１７）工程（ｂ）が、アブレーション除去可能な層の
    少なくとも一部とこれと整合した絶縁層の対応する部分
    を前記レーザー放射線で照射し、これにより、被覆され
    たアブレーション除去可能な層の照射部分と対応する絶
    縁層の照射部分とをアブレーション除去することからな
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１６項に記載の方
    法。
  18. （１８）基体が非平面状であることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項に記載の方法。
  19. （１９）アブレーション除去可能な材料の少なくとも１
    つの層が有機可溶層を含んでいることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項に記載の方法。
  20. （２０）有機可溶層が、ポリビニルアセテート、ポリス
    チレンおよびポリメチルメタクリレートの中の１種から
    なることを特徴とする特許請求の範囲第１９項に記載の
    方法。
  21. （２１）さらに、有機可溶相を有機溶媒で除去すること
    を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１９項に記載
    の方法。
  22. （２２）触媒が有機溶媒に実質的に不溶性であることを
    特徴とする特許請求の範囲第２１項に記載の方法。
  23. （２３）触媒がパラジウム金属からなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第２２項に記載の方法。
  24. （２４）基体がその上に絶縁材料の層を含んでおり、ア
    ブレーション除去可能な材料の少なくとも１つの層は絶
    縁材料層の上に被覆されることを特徴とする特許請求の
    範囲第１９項に記載の方法。
  25. （２５）（ａ）本質的に水溶性ポリマーからなる層で基
    体を被覆し、 （ｂ）水溶性ポリマー層の少なくとも一部をエキシマレ
    ーザーの充分な量のレーザー放射線で照射し、これによ
    り水溶性ポリマー層の前記照射部分をアブレーション除
    去し、 （ｃ）こうしてアブレーション露出された基体の表面を
    パラジウム触媒で被覆し、 （ｄ）基体とその上の水溶性ポリマー層とを無電解銅溶
    液と接触させ、これにより、基体の触媒で被覆された部
    分の上に銅をメッキすると共にパラジウム触媒で被覆さ
    れた水溶性ポリマー層の非照射部分を除去する ことからなる、基体上に銅を無電解メッキする方法。
  26. （２６）触媒で被覆された基体を無電解銅溶液と接触さ
    せる工程の前に、パラジウム触媒で被覆された水溶性ポ
    リマーの層の非照射部分を除去することを特徴とする特
    許請求の範囲第２５項に記載の方法。
  27. （２７）前記水溶性ポリマーがポリビニルピロリドンか
    らなることを特徴とする特許請求の範囲第２５項に記載
    の方法。
  28. （２８）水溶性ポリマー層の部分をアブレーション除去
    するのに使用する放射線のエネルギーフルエンスが約２
    ０ｍＪ／ｃｍ＾２〜約３００ｍＪ／ｃｍ＾２であること
    を特徴とする特許請求の範囲第２５項に記載の方法。
  29. （２９）基体がその上に絶縁材料の層を含んでおり、水
    溶性ポリマー層はこの絶縁層の上に設けることを特徴と
    する特許請求の範囲第２５項に記載の方法。
  30. （３０）工程（ｂ）が、水溶性ポリマー層の少なくとも
    一部とこれと整合した絶縁層の対応する部分をレーザー
    放射線で照射し、これにより、水溶性ポリマー層の照射
    部分と、対応する絶縁層の照射部分とをアブレーション
    除去することからなることを特徴とする特許請求の範囲
    第２９項に記載の方法。
  31. （３１）特許請求の範囲第２５項に記載の方法によって
    製造されたメッキ基体。
  32. （３２）金属を基体に無電解メッキするための方法であ
    って、前記基体がその上に有機可溶材料と水溶性ポリマ
    ー層とからなる二重層を含んでおり、 （ａ）水溶性ポリマー層の少なくとも一部とこれと整合
    している有機可溶層の対応する部分とを充分な量のレー
    ザー放射線で照射し、これにより、水溶性ポリマー層の
    照射部分と有機可溶層の対応部分とをアブレーション除
    去し、 （ｂ）こうしてアブレーション露出した基体表面を、無
    電解メッキ溶液と接触された際メッキする金属の無電解
    的付着を誘発する触媒で被覆し、 （ｄ）触媒で被覆した基体を無電解メッキ溶液と接触さ
    せ、これにより、アブレーション露出された基体表面上
    に金属をメッキすると共に触媒で被覆された二重層の非
    照射部分を除去する ことからなる方法。
  33. （３３）水溶性ポリマー層が有機可溶層と基体との間に
    位置することを特徴とする特許請求の範囲第３２項に記
    載の方法。
  34. （３４）有機可溶層が水溶性ポリマー層と基体との間に
    位置することを特徴とする特許請求の範囲第３２項に記
    載の方法。
  35. （３５）触媒で被覆された基体を無電解メッキ溶液と接
    触させる工程の前に、触媒で被覆された基体の非照射部
    分を除去することを特徴とする特許請求の範囲第３２項
    に記載の方法。
  36. （３６）特許請求の範囲第１項に記載の方法によって製
    造されたメッキ基体。
  37. （３７）特許請求の範囲第３２項に記載の方法によって
    製造されたメッキ基体。
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