JPS63100302A - 物体を検査し、合成映像デ−タを発生する方法および物体検査装置 - Google Patents
物体を検査し、合成映像デ−タを発生する方法および物体検査装置Info
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- JPS63100302A JPS63100302A JP62109105A JP10910587A JPS63100302A JP S63100302 A JPS63100302 A JP S63100302A JP 62109105 A JP62109105 A JP 62109105A JP 10910587 A JP10910587 A JP 10910587A JP S63100302 A JPS63100302 A JP S63100302A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔定業上の利用分野〕
本発明は、全体として精密光学的検査方法および装置に
関するものであり、更に詳しくいえば、干渉顕微鏡と電
子的映像処理の組合わせを用いて集積回路ウェハーの形
状寸法の顕微鏡による検査および測定を行う方法および
装置に関するものである。
関するものであり、更に詳しくいえば、干渉顕微鏡と電
子的映像処理の組合わせを用いて集積回路ウェハーの形
状寸法の顕微鏡による検査および測定を行う方法および
装置に関するものである。
集積回路ウェハー内に形成された表面のような極微小表
面の特徴を検査および測定するための装置を設けること
が長い間望まれていた。上記の特徴の1つは、IC装置
の製作中にウェハー表面に形成される種々の図形の線幅
である。
面の特徴を検査および測定するための装置を設けること
が長い間望まれていた。上記の特徴の1つは、IC装置
の製作中にウェハー表面に形成される種々の図形の線幅
である。
集積回路の形状寸法を測定するための従来技術の1つは
、映像平面内にある種の電子的検出器を配置した通常の
顕微鏡を使用することを含む。たとえば、テレビカメラ
、走査スリット(米国特許第4,373,817号明細
書参照)、切断装置および直線゛rアレが通常の顕微鏡
に対する検出器として全て用いられている。しかし、通
常の顕微鏡の性能は、光波の振幅を測定できるだけで、
振幅の複雑な位相を測定できない点で制約される。その
結果、集積回路の表面の三次元的な性質のために、この
イ誼の精密な表面検査および測定には従来の顕微鏡を使
用することが実用的でなくなる。。
、映像平面内にある種の電子的検出器を配置した通常の
顕微鏡を使用することを含む。たとえば、テレビカメラ
、走査スリット(米国特許第4,373,817号明細
書参照)、切断装置および直線゛rアレが通常の顕微鏡
に対する検出器として全て用いられている。しかし、通
常の顕微鏡の性能は、光波の振幅を測定できるだけで、
振幅の複雑な位相を測定できない点で制約される。その
結果、集積回路の表面の三次元的な性質のために、この
イ誼の精密な表面検査および測定には従来の顕微鏡を使
用することが実用的でなくなる。。
別の従来技術は、集積回路表面に関連する三次元データ
を得るために、共焦点(confocal)レーザ走E
’E顕微鏡を用いている。その種の共焦点レーザ走介顕
微鏡についてのかなシ完全な記述が、ティー・ウィルソ
ン(T、wilson )およびシーーシェパート”
(c、5hepard)著、[セオリイ・アンド会ブラ
クテイス中オプΦスキャンニングーオプチヵル書マイク
ロスコピー(Theory and Practice
of Scanning 0ptical Micro
scop3’)J、1984年、アカデミツク中プレス
(Academic Preas)発行、に記載されて
いる。
を得るために、共焦点(confocal)レーザ走E
’E顕微鏡を用いている。その種の共焦点レーザ走介顕
微鏡についてのかなシ完全な記述が、ティー・ウィルソ
ン(T、wilson )およびシーーシェパート”
(c、5hepard)著、[セオリイ・アンド会ブラ
クテイス中オプΦスキャンニングーオプチヵル書マイク
ロスコピー(Theory and Practice
of Scanning 0ptical Micro
scop3’)J、1984年、アカデミツク中プレス
(Academic Preas)発行、に記載されて
いる。
共焦点レーザ装置の構造が複雑で、比較的高価であるこ
とは別にしても、その装はを用いる技術が単色光を用い
るために、半導体装膜においてしばしば見られる透明な
膜がある厚さになると破壊的な干渉が生じて測定確度が
低くなる。
とは別にしても、その装はを用いる技術が単色光を用い
るために、半導体装膜においてしばしば見られる透明な
膜がある厚さになると破壊的な干渉が生じて測定確度が
低くなる。
したがって、本発明の目的は、集積回路等の三次元検査
を行う改良した方法および装置を得ることである。
を行う改良した方法および装置を得ることである。
本発明の別の目的は、2ビーム干渉顕微鏡を用いる改良
した合成映像発生技術を得ることである。
した合成映像発生技術を得ることである。
本発明の更に別の目的は、集積回路の線の1番上の幅と
1番下の幅および高さを正確に測定できるようにする方
法およびgc置を得ることであΣ。
1番下の幅および高さを正確に測定できるようにする方
法およびgc置を得ることであΣ。
簡単にいえば、本発明の好適な実施例は、2ビーム干渉
顕微鏡を使用することを基にして新規な検査’tdlを
製作するために、テレビカメラに組合わされたとくに適
するリンニク(tinnik )顕微競ト、ウェハー送
9台と、データ処理電子装置とを含む。本発明の装置は
、検査すべき表面に対して種々の軸線方向位置において
撮られた複数の干渉映像を発生するために広帯域の光ま
たは狭帯域の光で利用できる。それから、2ビーム光学
顕微鏡ま之は2ビーム音響顕微鏡において光路差が変え
ら几るにつれて、可干渉性の程度(または、しまの振幅
、しまの分散、あるいはしまの振動の振幅)に比例する
データを発生するために、それらの映像を横切る走査線
に沿う点ごとの輝度が用いられる。
顕微鏡を使用することを基にして新規な検査’tdlを
製作するために、テレビカメラに組合わされたとくに適
するリンニク(tinnik )顕微競ト、ウェハー送
9台と、データ処理電子装置とを含む。本発明の装置は
、検査すべき表面に対して種々の軸線方向位置において
撮られた複数の干渉映像を発生するために広帯域の光ま
たは狭帯域の光で利用できる。それから、2ビーム光学
顕微鏡ま之は2ビーム音響顕微鏡において光路差が変え
ら几るにつれて、可干渉性の程度(または、しまの振幅
、しまの分散、あるいはしまの振動の振幅)に比例する
データを発生するために、それらの映像を横切る走査線
に沿う点ごとの輝度が用いられる。
本二・色間の利点の1つは、共隼点顕微鏡を用いる技術
よりはるかに簡単かつ経済的な技術を提供することであ
る。
よりはるかに簡単かつ経済的な技術を提供することであ
る。
本発明の別の利点は、単色光の代りに白色光を用いるこ
とができる結果として、可干渉性(coh−erent
)を有する光学装置に影響を及ぼす可干渉性を有する
はん点効果により高い信号/雑音比を有することができ
ることである。更に、白色光を用いることにより、ある
厚さの透明な膜に対する破壊的な干渉が生ずる可能性が
無くなる。
とができる結果として、可干渉性(coh−erent
)を有する光学装置に影響を及ぼす可干渉性を有する
はん点効果により高い信号/雑音比を有することができ
ることである。更に、白色光を用いることにより、ある
厚さの透明な膜に対する破壊的な干渉が生ずる可能性が
無くなる。
更に白色光の短い可干渉長さのために測定器の焦点深度
が実効的に浅くされるから、光軸に沿う理論的な解像力
は共焦点顕微鏡の解像力より高いようである。実験的に
は、少くとも集積回路の線幅を測定するために、本発明
は顕′Q鏡の横方向解像力を大幅に向上しているようで
ある。
が実効的に浅くされるから、光軸に沿う理論的な解像力
は共焦点顕微鏡の解像力より高いようである。実験的に
は、少くとも集積回路の線幅を測定するために、本発明
は顕′Q鏡の横方向解像力を大幅に向上しているようで
ある。
以下1、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
レリーフの起伏が映像発生装置の視野の深さ以内であシ
、反射面の三次元的な形状がしま計数アルゴリズムを混
乱させるようなぎざぎざでない限シは、標準的な技術を
用いて反射面の三次元的な形状を干渉顕微鏡は測定でき
る。基本的な式は次の通りである。
、反射面の三次元的な形状がしま計数アルゴリズムを混
乱させるようなぎざぎざでない限シは、標準的な技術を
用いて反射面の三次元的な形状を干渉顕微鏡は測定でき
る。基本的な式は次の通りである。
Δh=−!−」ム λ
22π (1)ここに、Δh
は映像中の2つの点の間の高さの差、Δφは位相差、λ
は光の波長である。この点における°)ンニク(Lin
n1k )顕微鏡の標準的な用途力、エレンストφライ
ッ・ゲーエムペーハー、ペツラー(Ern5t Lei
tz Gmbh Wetzlar ) (1980)に
よるリンニク顕微鏡アタッチメントの使用説明書[イン
シデント・ライトeマイクロスコープ拳インターフェロ
メータ・フォー・ザ・オルンブラン・アンド・メタロブ
ラン(Incident −LightMicrosc
ope Interferometer for th
e 0rt−hoplan and Metallop
lan ) J、およびライン(LEITZ)rインシ
デント・ライト・インターフェアレンスΦイルミネーク
拳フォー・ぜ・オルソプラン/メタロブラン、ア・モジ
ュールΦフィッチΦ、L−ゼス・ザ・ウェーブ場しング
スe万ブΦライト・フォー・メージャーメント(198
0XI−ncidant−Light Interfe
rence Illuminatorfor the
0rthoplan/Metalloplan、amo
dulewhich uses the wave l
ength of light formeasure
ment )Jに示されている。
は映像中の2つの点の間の高さの差、Δφは位相差、λ
は光の波長である。この点における°)ンニク(Lin
n1k )顕微鏡の標準的な用途力、エレンストφライ
ッ・ゲーエムペーハー、ペツラー(Ern5t Lei
tz Gmbh Wetzlar ) (1980)に
よるリンニク顕微鏡アタッチメントの使用説明書[イン
シデント・ライトeマイクロスコープ拳インターフェロ
メータ・フォー・ザ・オルンブラン・アンド・メタロブ
ラン(Incident −LightMicrosc
ope Interferometer for th
e 0rt−hoplan and Metallop
lan ) J、およびライン(LEITZ)rインシ
デント・ライト・インターフェアレンスΦイルミネーク
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スe万ブΦライト・フォー・メージャーメント(198
0XI−ncidant−Light Interfe
rence Illuminatorfor the
0rthoplan/Metalloplan、amo
dulewhich uses the wave l
ength of light formeasure
ment )Jに示されている。
しかし、それらの標準的な技術は、下記の3つの条件の
うちのいずれかが存在する時には駄目になる。
うちのいずれかが存在する時には駄目になる。
1、視野内の物体表面上の三次元的形状の変動が、顕微
鏡の焦点深度をこえる。
鏡の焦点深度をこえる。
2、不透明な基体上に形成された透明な構造で、物体が
構成される。
構成される。
3、垂直方向の延長が光の半波長をこえる急な壁を、物
体表面が有する。
体表面が有する。
集積回路装置においてはしばしばそうであるが、それら
の条件のうちの1つでも起ると、(1)式に組合わされ
た場合にしま計数アルゴリズムが望みのないほど混乱し
た不正確な結果を与えるから、リンニクまたはその他の
2ビーム干渉顕微鏡の標準的な使用は単に有用なデータ
を与えない。
の条件のうちの1つでも起ると、(1)式に組合わされ
た場合にしま計数アルゴリズムが望みのないほど混乱し
た不正確な結果を与えるから、リンニクまたはその他の
2ビーム干渉顕微鏡の標準的な使用は単に有用なデータ
を与えない。
後で説明する本発明の分析方法はリンニク干渉顕微鏡の
標準的な使用により遭遇する諸困難を克服し、電子装置
と組合わせた場合に半導体装置の自動検査に新しい性能
を付与するものである。
標準的な使用により遭遇する諸困難を克服し、電子装置
と組合わせた場合に半導体装置の自動検査に新しい性能
を付与するものである。
本発明の基本的な概念は、広帯域の光(白色光)が非寸
に短い可干渉長を有しておシ、映像の各点において物体
ビームと基準ビームの間の可干渉性の程定を測定するこ
とにより、強力な光区分技術を開沼できることである。
に短い可干渉長を有しておシ、映像の各点において物体
ビームと基準ビームの間の可干渉性の程定を測定するこ
とにより、強力な光区分技術を開沼できることである。
こD原理をスケーラ−回折理論(5ealer de−
ffrnction theor)’)で示すことがで
きる。しかし、基本的な考えは、スケーラ−回折理論が
良い近似を与えない場合でも、一般に適用される。
ffrnction theor)’)で示すことがで
きる。しかし、基本的な考えは、スケーラ−回折理論が
良い近似を与えない場合でも、一般に適用される。
−tiな媒質中での光の波動方程式について考えてみる
。
。
ここに、Cは媒質中での光の速度、Uは次の形でフーリ
エ積分として書くことができるものである。
エ積分として書くことができるものである。
ここに、
ωl:=CI/信F(4)
スペクトル密度は
で与えられる。ここに、αは正規化定数、δはデルタ関
数である。第1次の可干渉性の程度は’ (xl l
tl 7 X2 + t2 )で与えられる。ここに、
かつこく〉は統一的な平均(emsemble ava
rage )を示す。
数である。第1次の可干渉性の程度は’ (xl l
tl 7 X2 + t2 )で与えられる。ここに、
かつこく〉は統一的な平均(emsemble ava
rage )を示す。
波Uが2つの成分波の和であるとすると、U = U
1+ U 2 (7)で
あるから、UlとUtの間の可干渉性の程度は類似して
次式のようにして定めることができる。
1+ U 2 (7)で
あるから、UlとUtの間の可干渉性の程度は類似して
次式のようにして定めることができる。
ここで第1図を参照する。この図に示されている本二′
も明の装置はスポツティング顕微鏡(5potting
micro3cope ) 10と、リンニク顕微鏡1
2と、ウェハー16および圧電垂直運動装設18を顕微
鏡1りの下側の準備位置と、顕徴伐12の下側の検査位
置の間で動かすX−Y台14と、一対のビデオ乃至テレ
ビカメラ20.22と、データ処理電子装置24と、C
RT表示装置26と電子制御器オヨヒオペレータ拳イン
ターフェイス・コンソール21]とを含む。
も明の装置はスポツティング顕微鏡(5potting
micro3cope ) 10と、リンニク顕微鏡1
2と、ウェハー16および圧電垂直運動装設18を顕微
鏡1りの下側の準備位置と、顕徴伐12の下側の検査位
置の間で動かすX−Y台14と、一対のビデオ乃至テレ
ビカメラ20.22と、データ処理電子装置24と、C
RT表示装置26と電子制御器オヨヒオペレータ拳イン
ターフェイス・コンソール21]とを含む。
リンニク皿徴鏡のような2ビーム干渉頌微鏡においては
、映像平面36に達した光源31からの光波は、物体1
6の表面から反射された成分と、基準反射鏡34の社面
から反射された成分との2つの成分波の和である。物体
を照明するために白色光が用いられた場合にも、しまが
映像平面36に見える。広帯域の光(白色光)が用いら
れたとすると、基準チャネル32と物体チャネル30の
間の光路差が非常に短くて、平均波長の何分の1かの程
度であると、白色光の可干渉長が非常に短いから、強力
なしまが生ずる。基準チャネルと物体チャネルの間で可
干渉性の程度が高いと、シマは強力である。それとは逆
に可干渉性の程度が低いと、しまけ弱い。ここで説明し
ている実施例においては、クセノンアーク灯31により
白色光コーラ−照明(Kohler illumina
tion )が行われ、基準ビームを断続させるために
シャッター33が含まれる。しまの数と向きは、布板の
リンニク顕微鏡の対物レンズを基準チャネル軸外れに動
かすことにより制御できる。したがって、この実施例に
おいては、映像平面内に現われるしまをテレビカメラ2
2のラスターの方向に平行にし、シマの間隔をテレビカ
メラ22の水平走査機32本分に等しくするためにレン
ズ35が位置させられる。
、映像平面36に達した光源31からの光波は、物体1
6の表面から反射された成分と、基準反射鏡34の社面
から反射された成分との2つの成分波の和である。物体
を照明するために白色光が用いられた場合にも、しまが
映像平面36に見える。広帯域の光(白色光)が用いら
れたとすると、基準チャネル32と物体チャネル30の
間の光路差が非常に短くて、平均波長の何分の1かの程
度であると、白色光の可干渉長が非常に短いから、強力
なしまが生ずる。基準チャネルと物体チャネルの間で可
干渉性の程度が高いと、シマは強力である。それとは逆
に可干渉性の程度が低いと、しまけ弱い。ここで説明し
ている実施例においては、クセノンアーク灯31により
白色光コーラ−照明(Kohler illumina
tion )が行われ、基準ビームを断続させるために
シャッター33が含まれる。しまの数と向きは、布板の
リンニク顕微鏡の対物レンズを基準チャネル軸外れに動
かすことにより制御できる。したがって、この実施例に
おいては、映像平面内に現われるしまをテレビカメラ2
2のラスターの方向に平行にし、シマの間隔をテレビカ
メラ22の水平走査機32本分に等しくするためにレン
ズ35が位置させられる。
可干渉性の程度とじまの強さとの関係を次式のように書
くことができる。ここに、Ulは物体波、Ulは基準波
である。映像平面においては、物体波と基準波を重ね合
わせることにより光の強度が得られる。
くことができる。ここに、Ulは物体波、Ulは基準波
である。映像平面においては、物体波と基準波を重ね合
わせることにより光の強度が得られる。
<I Ul+th l” >
= <I Ull ’>十<l Lh l” >+ 2
R句<Ut th>基、邊チャネルと物体チャネルの
間に位相差を生じさせるように、基準チャネルと物体チ
ャネルの間ので≧体内な光路長の差を変えることができ
る。
R句<Ut th>基、邊チャネルと物体チャネルの
間に位相差を生じさせるように、基準チャネルと物体チ
ャネルの間ので≧体内な光路長の差を変えることができ
る。
狭帯域近似においては、位相のずれは光の全ての周液数
に対して同じである。この場合には、映像平面における
強さは次式で与えられる。
に対して同じである。この場合には、映像平面における
強さは次式で与えられる。
<lUt+e’φIhl”>
=ぐUll”>+<lUx l” >+ 2Re(e’
φ<Ut ”Ut > ]φを−πからπへ変えること
により計算される、αC式中の分散(variance
)は、次式で与えられることを容易に見出すことがで
きよう。
φ<Ut ”Ut > ]φを−πからπへ変えること
により計算される、αC式中の分散(variance
)は、次式で与えられることを容易に見出すことがで
きよう。
ぐU1+e’φUz l” )の分散=21(Ut”U
z>1” (11)したがって、可干渉性の程度は次
式で表すことができる。
z>1” (11)したがって、可干渉性の程度は次
式で表すことができる。
ここでは、照明は実際に広帯域でちゃ、光の周波数が異
なると位相推移量も異なる。しかし、この場合には、(
Ul”Uりに対する次の関数の形は2ビーム干渉顕微鏡
において得られる映像を良く近似する。
なると位相推移量も異なる。しかし、この場合には、(
Ul”Uりに対する次の関数の形は2ビーム干渉顕微鏡
において得られる映像を良く近似する。
(th Ul ) =meR(t)Bit”)(13
)tは光路差(path difference)であ
る0ここに1R(t)およびK (t)は距離2π/K
(4にわたって徐々に変化するから、分散の計算におい
てtを一π/K(t)からπ/K(A) iで変える
ことによりφを2πだけ変えられるものとすると、αつ
式を依然として得ることができる。a3式中のパラメー
タ「m」は複素定数である。
)tは光路差(path difference)であ
る0ここに1R(t)およびK (t)は距離2π/K
(4にわたって徐々に変化するから、分散の計算におい
てtを一π/K(t)からπ/K(A) iで変える
ことによりφを2πだけ変えられるものとすると、αつ
式を依然として得ることができる。a3式中のパラメー
タ「m」は複素定数である。
したがって、可干渉性の程度の実際的な測定値としてと
ることができる容易に測定可能な量C(x、t)を次式
のように定めることができる。
ることができる容易に測定可能な量C(x、t)を次式
のように定めることができる。
αa
U、とU、が可干渉性でなければC=Oである。
一般に、C13式においてR(t)とl)が徐々に変化
すると仮定すると、 c = (< l tytl”>< l Ul 1友>
)172 c CISであることを示
すことができる。
すると仮定すると、 c = (< l tytl”>< l Ul 1友>
)172 c CISであることを示
すことができる。
本発明の技術は、各映像点における輝度がCに比例する
ような映像を合成することである。これは可干渉性プロ
ーブによる映像発生にあたる。
ような映像を合成することである。これは可干渉性プロ
ーブによる映像発生にあたる。
干渉顕微鏡12は、Cの計算を行う前に下記のようにし
て準備される。物体(16での)として第1の表面反射
8(図示せず)により、基準反射鏡34と物体反射鏡が
同時に焦点が合わされるように、物体チャネル30と基
準チャネル32の焦点が調整される。それから、物体波
と基準波の間で最高の可干渉性が得られるまで光路差が
調整される。そうするとその基準位置は、可干渉性の程
度を測定するために用いられる光路差の変化の中心であ
る。
て準備される。物体(16での)として第1の表面反射
8(図示せず)により、基準反射鏡34と物体反射鏡が
同時に焦点が合わされるように、物体チャネル30と基
準チャネル32の焦点が調整される。それから、物体波
と基準波の間で最高の可干渉性が得られるまで光路差が
調整される。そうするとその基準位置は、可干渉性の程
度を測定するために用いられる光路差の変化の中心であ
る。
しまデータが用いられるものとすると、下記のように調
整は僅かに異なる。その場合には、映像平面36の中心
内のウィンドウが対象とする領域として選択され、基準
反射鏡と物体反射鏡の焦点を合わせた後で、そのウィン
ドウの中心においてしまの振幅が最大となるように光路
が調整される。
整は僅かに異なる。その場合には、映像平面36の中心
内のウィンドウが対象とする領域として選択され、基準
反射鏡と物体反射鏡の焦点を合わせた後で、そのウィン
ドウの中心においてしまの振幅が最大となるように光路
が調整される。
それから、その物体反射鏡の代りに、上面に集積回路が
形成されているシリコンウェハー16のような物体を置
く。
形成されているシリコンウェハー16のような物体を置
く。
そうすると、物体の表面のうち、基準反射鏡の表面と同
じ「レベル」にある全ての部分は、基準波に対して比較
的可干渉性を有する散乱波を生じ、それらの映像点の終
りは36(第1図)における最後の映像においては明る
い。最も明るい点においては物体波と基準波が最も良く
一致するから、それらの最も明るい点は物体が局部的に
水平方向に反射性である。物体のうち基準反射鏡とは異
なるレベルにある部分は暗く見える。そうすると、第2
図に示すように、ウェハー16を通るそれぞれの物体平
面に対応する連続する映像を得るためにウェハー16を
上下に動かすことにより区分を行うことができる。
じ「レベル」にある全ての部分は、基準波に対して比較
的可干渉性を有する散乱波を生じ、それらの映像点の終
りは36(第1図)における最後の映像においては明る
い。最も明るい点においては物体波と基準波が最も良く
一致するから、それらの最も明るい点は物体が局部的に
水平方向に反射性である。物体のうち基準反射鏡とは異
なるレベルにある部分は暗く見える。そうすると、第2
図に示すように、ウェハー16を通るそれぞれの物体平
面に対応する連続する映像を得るためにウェハー16を
上下に動かすことにより区分を行うことができる。
可干渉性の程度Cはリンニク顕微鏡によりいくつかのや
り方で測定できる。1つのやり方は、基準チャネル32
の光路長を変えることである。たとえば、基準位置に中
心を置く1つまたはそれ以上の波長をとυ、それを行い
ながら、顕微鏡の映像平面内の各点における強さの振動
を電子的に計算する。振動の振幅はCに比例する。
り方で測定できる。1つのやり方は、基準チャネル32
の光路長を変えることである。たとえば、基準位置に中
心を置く1つまたはそれ以上の波長をとυ、それを行い
ながら、顕微鏡の映像平面内の各点における強さの振動
を電子的に計算する。振動の振幅はCに比例する。
あるいは、(半導体集積回路の線の場合におけるように
)1つの向きにはあまり速くは変化しない物体表面の特
徴の場合には、干渉しまが検査すべき線に垂直であるよ
うにそれらの干渉じまを調整できる。しまの間隔も任意
の都合の良い値に調整することもできる。この場合には
Cはウィンドウ内のしまの振幅にすぎない。すなわち、
C=ニラインドウのしまの振幅 霞この技術
の利点は、後で詳しく説明するように、線を横切る全て
の点においてCを測定するために必要な映像が1つだけ
であることである。
)1つの向きにはあまり速くは変化しない物体表面の特
徴の場合には、干渉しまが検査すべき線に垂直であるよ
うにそれらの干渉じまを調整できる。しまの間隔も任意
の都合の良い値に調整することもできる。この場合には
Cはウィンドウ内のしまの振幅にすぎない。すなわち、
C=ニラインドウのしまの振幅 霞この技術
の利点は、後で詳しく説明するように、線を横切る全て
の点においてCを測定するために必要な映像が1つだけ
であることである。
第3図〜第7図は第2図に全体的に示されている異なる
物体高さにおいて撮影した実際のしまデータの写真を示
す。この場合には、物体は、上面に高さが1μmのフォ
トレジスト線40を形成されたシリコンウェハーである
。それらの写真に示されている垂直の白い線と水平の白
い線は表示CRT26上に発生された電子的な重ね合わ
せてあシ、ここでの説明では無視できる。フォトレジス
ト部分40は各写真の中央部にあり、第2図に示すよう
に、第3図〜第7図の5枚の写真は垂直(Z)軸に沿う
物体の種々の位置において撮影されたものである。
物体高さにおいて撮影した実際のしまデータの写真を示
す。この場合には、物体は、上面に高さが1μmのフォ
トレジスト線40を形成されたシリコンウェハーである
。それらの写真に示されている垂直の白い線と水平の白
い線は表示CRT26上に発生された電子的な重ね合わ
せてあシ、ここでの説明では無視できる。フォトレジス
ト部分40は各写真の中央部にあり、第2図に示すよう
に、第3図〜第7図の5枚の写真は垂直(Z)軸に沿う
物体の種々の位置において撮影されたものである。
更に詳しくいえば、第3図に示されている映像の焦点面
はフォトレジスト線40の上面より僅かに上、すなわち
、第2図のレベル5にある。写真中で太い線で囲まれて
いる中央ウィンドウ42の中にはしまの強さが弱くなっ
ている様子が示されている。
はフォトレジスト線40の上面より僅かに上、すなわち
、第2図のレベル5にある。写真中で太い線で囲まれて
いる中央ウィンドウ42の中にはしまの強さが弱くなっ
ている様子が示されている。
第4図は、フォトレジスト線の1番上(第2図のレベル
4)に焦点を合わせるために、数千オングストロームだ
け持ちあげられたウェハーを示す。
4)に焦点を合わせるために、数千オングストロームだ
け持ちあげられたウェハーを示す。
ウィンドウ42内のしま43はこれでは映像の中央部分
(フォトレジストの上面に対応する)が強いが、(フォ
トレジストが無い)両側では弱い。
(フォトレジストの上面に対応する)が強いが、(フォ
トレジストが無い)両側では弱い。
第5図は、焦点面がフォトレジストの1番上のレベルと
シリコン基板の間(第2図のレベル3)にあるように、
再び数千オングストロームだけ持ちあげられたウェハー
を示す。この場合にもフォトレジスト領域とシリコン領
域に焦点が合っていないから、それら2つの領域ではし
まは弱い。
シリコン基板の間(第2図のレベル3)にあるように、
再び数千オングストロームだけ持ちあげられたウェハー
を示す。この場合にもフォトレジスト領域とシリコン領
域に焦点が合っていないから、それら2つの領域ではし
まは弱い。
第6図においては、シリコン表面に焦点を合わせるため
に、レベル2まで更に数千オングストローム持ちあげた
ウェハーの写真を示す。この写真では、L445はシリ
コン上では強く、フォトレジストの部ではかなり弱い。
に、レベル2まで更に数千オングストローム持ちあげた
ウェハーの写真を示す。この写真では、L445はシリ
コン上では強く、フォトレジストの部ではかなり弱い。
第7図には、フォトレジスト層の1番下からの光の反射
によりフォトレジストだけが強いしまを示す。
によりフォトレジストだけが強いしまを示す。
集積回路の線の幅を測定するためにしまの振幅を用いる
方法を、第8図の流れ図で示す。この図のブロックは使
用するアルゴリズムを示すものである。第8図中の「ウ
ィンドウ内の列」の記述はピクセル列を示す。そのよう
なピクセル列の1つが第2図に参照符号46で示されて
いる。それらのピクセル列は処理電子装置24により走
査されて、ウィンドウ42の長さ方向にわたる分散値を
決定することによりしまの振幅を計算する。
方法を、第8図の流れ図で示す。この図のブロックは使
用するアルゴリズムを示すものである。第8図中の「ウ
ィンドウ内の列」の記述はピクセル列を示す。そのよう
なピクセル列の1つが第2図に参照符号46で示されて
いる。それらのピクセル列は処理電子装置24により走
査されて、ウィンドウ42の長さ方向にわたる分散値を
決定することによりしまの振幅を計算する。
更に詳しくいえばテレビカメラ22にょシ映像36が走
査される。そのテレビカメラはその映像のアナログラス
ク走査出力を発生して、その出力を処理電子装置24へ
与える。第1の処理段階はアナログデータを8ビツトの
ディジタルデータに変換し、そのデータをコンピュータ
の記憶装置に格納することである。それから、第2図に
参照符号42で示されているような「ウィンドウ」があ
る時刻にピクセル列で走査を受け、各ピクセル列に対応
するデータがDMA転送によυ高速演算プロセッサへ動
かされる。その演算プロセッサは各列アレイの分散を計
算し、その分散のRMS値を記憶装置に格納する。デー
タがウィンドつ42を横断して集められた後で、台が2
方向に別のレベルまで増大させられ、別の走査動作が終
了させられて、データが格納される。この動作は、希望
する全ての表面を測定するに十分なデータが得られるま
で、約500オングストロームの間隔ごとのレベルで繰
返えされる。それから、記憶装置内で、それに格納され
ているいくつかの走査データセットがフォトレジスト線
40の(第2図の2軸に沿う)「X」の最も中心の点X
Rにおいて走査させられ、最大のRMS値を有するレベ
ルを決定する。そのレベルは一致するように決定され、
したがって走査される線の1番上を識別する。
査される。そのテレビカメラはその映像のアナログラス
ク走査出力を発生して、その出力を処理電子装置24へ
与える。第1の処理段階はアナログデータを8ビツトの
ディジタルデータに変換し、そのデータをコンピュータ
の記憶装置に格納することである。それから、第2図に
参照符号42で示されているような「ウィンドウ」があ
る時刻にピクセル列で走査を受け、各ピクセル列に対応
するデータがDMA転送によυ高速演算プロセッサへ動
かされる。その演算プロセッサは各列アレイの分散を計
算し、その分散のRMS値を記憶装置に格納する。デー
タがウィンドつ42を横断して集められた後で、台が2
方向に別のレベルまで増大させられ、別の走査動作が終
了させられて、データが格納される。この動作は、希望
する全ての表面を測定するに十分なデータが得られるま
で、約500オングストロームの間隔ごとのレベルで繰
返えされる。それから、記憶装置内で、それに格納され
ているいくつかの走査データセットがフォトレジスト線
40の(第2図の2軸に沿う)「X」の最も中心の点X
Rにおいて走査させられ、最大のRMS値を有するレベ
ルを決定する。そのレベルは一致するように決定され、
したがって走査される線の1番上を識別する。
そのよつな電子的走査の一例を第9図に示す。
第9図において、縦軸は中央の列データのRMS値を表
し、横軸は検査レベル(または2軸に沿う台の位置)を
表す。図示のように、レベル4におけるピークは第2図
のフォトレジスト線4001番上に一致し、レベル2に
おけるピークはウェハー基板44からの反射に一致する
。したがって、2つのピークの間の水平距離はフォトレ
ジスト線40の垂直厚さを示す。
し、横軸は検査レベル(または2軸に沿う台の位置)を
表す。図示のように、レベル4におけるピークは第2図
のフォトレジスト線4001番上に一致し、レベル2に
おけるピークはウェハー基板44からの反射に一致する
。したがって、2つのピークの間の水平距離はフォトレ
ジスト線40の垂直厚さを示す。
その後で、X方向の基板上位置X3のみについて記憶装
置が、最も明るいレベルを有する走査線を探すために走
査され、それがそのフォトレジスト線の底であるとされ
る。この1番下のレベルの情報から1番上のレベルの情
報を差し引くことにより、フォトL・シスト線の高さを
決定できる。
置が、最も明るいレベルを有する走査線を探すために走
査され、それがそのフォトレジスト線の底であるとされ
る。この1番下のレベルの情報から1番上のレベルの情
報を差し引くことにより、フォトL・シスト線の高さを
決定できる。
次の過程は、なまの1番上の幅を決定するために、フォ
トレジスト線の1番下に対応する記憶装置の場所に縁部
発見アルゴリズムが適用される。
トレジスト線の1番下に対応する記憶装置の場所に縁部
発見アルゴリズムが適用される。
1番上の幅と1番下の幅に対する最後の結果が次式から
計算される。
計算される。
1番上の幅=Aげなまの1番上の幅十B、“なまの1番
下の幅十C1 1番下の幅二82*なまの1番上の暢十B2*なまの1
番下の幅十C2 定数A、B、Cは較正(キャリブレーション)手続きに
より決定される。それらの幅がひとたび決定されると、
それらの幅をCRTへ知らせて、表示させる。
下の幅十C1 1番下の幅二82*なまの1番上の暢十B2*なまの1
番下の幅十C2 定数A、B、Cは較正(キャリブレーション)手続きに
より決定される。それらの幅がひとたび決定されると、
それらの幅をCRTへ知らせて、表示させる。
第10図はCを映像化することによりCRTスクリーン
上に発生された合成映像の技術者の解釈を示すものであ
る。右上の象限50と右下の象限52はフォトレジスト
線の横断面を示す。各行は異なるレベル(走査線)に対
応する。高くされたフォトレジスト線54はシリコン基
板上の雲のように見える。フォトレジスト線の1番上を
呼出すために、アルゴリズムの選択により、電子線56
が最も良い行として右上の象限に引かれている。
上に発生された合成映像の技術者の解釈を示すものであ
る。右上の象限50と右下の象限52はフォトレジスト
線の横断面を示す。各行は異なるレベル(走査線)に対
応する。高くされたフォトレジスト線54はシリコン基
板上の雲のように見える。フォトレジスト線の1番上を
呼出すために、アルゴリズムの選択により、電子線56
が最も良い行として右上の象限に引かれている。
左上の象限58は、この行が垂直方向に拡がって全象限
を充すことにより、下降図(top downview
)を示す。右下の象限52は、アルゴリズムの選択によ
り1番下の基板レベルの最良の候補として引かれた線6
0を示す。
を充すことにより、下降図(top downview
)を示す。右下の象限52は、アルゴリズムの選択によ
り1番下の基板レベルの最良の候補として引かれた線6
0を示す。
左下の象限62は線60の拡げられた下降図(top
down view )を示す。それから、縁部発見ア
ルゴリズムがしきい値技術を用いて左上の象限と左下の
象限の縁部を見つける。
down view )を示す。それから、縁部発見ア
ルゴリズムがしきい値技術を用いて左上の象限と左下の
象限の縁部を見つける。
このようにして高さが知られ(1番上の行と1番下の行
の間での台位置の違いにより)、左上の象限の縁部の間
の距離により1番上の幅が知られ、左下の象限内の縁部
の間の距離により1番下の幅が知られ、壁の角度を計算
できる最良の結果を得るために、走査型電子顕微鏡の結
果を較正することを求められる。
の間での台位置の違いにより)、左上の象限の縁部の間
の距離により1番上の幅が知られ、左下の象限内の縁部
の間の距離により1番下の幅が知られ、壁の角度を計算
できる最良の結果を得るために、走査型電子顕微鏡の結
果を較正することを求められる。
次に本発明の装置の動作を説明する。まず、半導体集積
回路の線(たとえば第2図の線40のような)をスポツ
ティング顕微鏡10の視野に整列させる。それから、そ
の同じ線をリンニク顕微鋺12で見えるように、ウェハ
ーを第1図に示すように右へ一定距離だけ動かす。それ
から、干渉じまが線の方向に垂直になるように干渉しま
を予め調整し、物体の反射面に焦点が合った時に(たと
えば第4図参照)、2つの完全なしまが(分散計算の)
ウィンドウ42内に含まれるように(第3図〜第7図)
しまの間隔が調整される。
回路の線(たとえば第2図の線40のような)をスポツ
ティング顕微鏡10の視野に整列させる。それから、そ
の同じ線をリンニク顕微鋺12で見えるように、ウェハ
ーを第1図に示すように右へ一定距離だけ動かす。それ
から、干渉じまが線の方向に垂直になるように干渉しま
を予め調整し、物体の反射面に焦点が合った時に(たと
えば第4図参照)、2つの完全なしまが(分散計算の)
ウィンドウ42内に含まれるように(第3図〜第7図)
しまの間隔が調整される。
それから、フォトレジスト線の最高点が然点面から数千
オングストロームだけ下側になるように、ウェハーがZ
方向に下降させられ、その結果として位l!!、36に
得られた映像が処理紙子装置24によりデジタル化され
る。それから、ウィンドウ42内のき走査列46(第2
図)に対し一〇しまの振幅が計aされ、その計算の結果
が起上は装置に格納される3゜ しまの蛋幅を計算する1つの方法は、ウィンドウ42を
積切って各列アレイ46(第2図)の分散を計算するこ
とである。各7レイ46に対してこれ?行うために、処
理電子装置24内の演算プロセッサが下記の値を計算す
る。
オングストロームだけ下側になるように、ウェハーがZ
方向に下降させられ、その結果として位l!!、36に
得られた映像が処理紙子装置24によりデジタル化され
る。それから、ウィンドウ42内のき走査列46(第2
図)に対し一〇しまの振幅が計aされ、その計算の結果
が起上は装置に格納される3゜ しまの蛋幅を計算する1つの方法は、ウィンドウ42を
積切って各列アレイ46(第2図)の分散を計算するこ
とである。各7レイ46に対してこれ?行うために、処
理電子装置24内の演算プロセッサが下記の値を計算す
る。
それから台を短い距離(約500丁ングストローム)だ
け上昇させ、別の映像をデジタル化し、しまの振幅を計
算し、その結果を格納する。フォトレジスト線の全体の
深さが区分されるように、フォトレジスト線の最低の点
を光学装置の焦点面の上方に置くまで、台を上昇させる
過程と、映像をデジタル化する過程と、しまの振幅を格
納する過程を繰返えす。
け上昇させ、別の映像をデジタル化し、しまの振幅を計
算し、その結果を格納する。フォトレジスト線の全体の
深さが区分されるように、フォトレジスト線の最低の点
を光学装置の焦点面の上方に置くまで、台を上昇させる
過程と、映像をデジタル化する過程と、しまの振幅を格
納する過程を繰返えす。
それから、映像中の適切な位置における最も明るい走査
行を見つけることにより、フォトレジスト線の1番上の
レベルと1番下のレベルが決定される。次に、縁部発見
アルゴリズムにより1番上ルベルと1番下のレベルにお
けるフォトレジスト線の縁部が決定される。最後に、式 1番上の幅=A1”(なまの1番上の幅)+B、”(な
まの1番下の幅)+− 1番下の幅=Aげ(なまの1番上の幅)+B、*(なま
の1番下の幅)十C2 により1番上の幅と1番下の幅を計算する較正式により
出力データが計算される。ここに、AI。
行を見つけることにより、フォトレジスト線の1番上の
レベルと1番下のレベルが決定される。次に、縁部発見
アルゴリズムにより1番上ルベルと1番下のレベルにお
けるフォトレジスト線の縁部が決定される。最後に、式 1番上の幅=A1”(なまの1番上の幅)+B、”(な
まの1番下の幅)+− 1番下の幅=Aげ(なまの1番上の幅)+B、*(なま
の1番下の幅)十C2 により1番上の幅と1番下の幅を計算する較正式により
出力データが計算される。ここに、AI。
A!yB1tB2を自、C冨は較正手続きにより決定さ
れる値である。その出力データをCRT26へ知らせる
ことができる。その結果は1番上の幅と、1番丁の幅と
、垂直壁の角度の計算に用いられる四隅の位置とで構成
される。
れる値である。その出力データをCRT26へ知らせる
ことができる。その結果は1番上の幅と、1番丁の幅と
、垂直壁の角度の計算に用いられる四隅の位置とで構成
される。
以上、本発明を特定の実施例について説明したが、本発
明がこの実施例のみに限定されるものではなく種々変形
して実施し得ることはあきらかであろう。
明がこの実施例のみに限定されるものではなく種々変形
して実施し得ることはあきらかであろう。
第1図は本発明の基本的な機能部品を示す略図、第21
4は集積回路の線のレベルと5つの検査レベルを示す線
図的斜視図、第3図〜第7図は第2図の最1葛レベルか
ら最低レベルまでの5つのレベルにおいてそれぞれ撮影
した干渉映像写真を示し、第8図は本発明の処理電子装
置の動作を示す流れ図、259図は本発明に従って発生
された中央列のRMS輪郭を示す図、第10図は本発明
によるCRT表示を示す。 10111111Φスポツテイング順微鏡、12・・・
・リンニク顕微鏡、1411・・・X−Y台、18φ・
・−圧電垂直運動装置、20.22・・・φテレビカメ
ラ、24・・・・処理電子装置、26・・・・CRT表
示装置、30−・・・物体チャネル、31・@ψ・照明
源、32・・・拳基準チャネル、33・ψ・争シャッタ
■、3511−11・レンズ、36・ψ・・反射鏡。 特許出願人 ケイエルエイ・インストラメンッ拳コ
ーポレーション 代理人 山用政at(ほか2名) 図面のγ了・:j:、7内′、4°(こ−′IX更なし
) ゝFIG−2 ++Io+I 〜゛°”″−′”+’、1.j7y7′、、、、、、、
、、 ”:’::’、、、、、、、、 、、、、、、
、、、、、、。 一ノ IeC Fl#−7 4&Lと”。 FIG−10 FIG−9 手続補正書働式) 2、発明の名称 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人ケイエルエイ
・インストラメンツ・ 名称(氏名)、−ボ、−,ヨ。 5・NJE′7sの日付 昭和62年 7 月28日拒
便;h…士知 (1)明細書36頁の12行〜14行に記載の「第3図
〜第7図は・・・・・・示し、」を、「第3図〜第7図
は第2図の最高レベルから最低レベルまでの5つのレベ
ルにおいてそれぞれ撮影した干渉映像のオシロ波形写真
を示し、」と補正する。
4は集積回路の線のレベルと5つの検査レベルを示す線
図的斜視図、第3図〜第7図は第2図の最1葛レベルか
ら最低レベルまでの5つのレベルにおいてそれぞれ撮影
した干渉映像写真を示し、第8図は本発明の処理電子装
置の動作を示す流れ図、259図は本発明に従って発生
された中央列のRMS輪郭を示す図、第10図は本発明
によるCRT表示を示す。 10111111Φスポツテイング順微鏡、12・・・
・リンニク顕微鏡、1411・・・X−Y台、18φ・
・−圧電垂直運動装置、20.22・・・φテレビカメ
ラ、24・・・・処理電子装置、26・・・・CRT表
示装置、30−・・・物体チャネル、31・@ψ・照明
源、32・・・拳基準チャネル、33・ψ・争シャッタ
■、3511−11・レンズ、36・ψ・・反射鏡。 特許出願人 ケイエルエイ・インストラメンッ拳コ
ーポレーション 代理人 山用政at(ほか2名) 図面のγ了・:j:、7内′、4°(こ−′IX更なし
) ゝFIG−2 ++Io+I 〜゛°”″−′”+’、1.j7y7′、、、、、、、
、、 ”:’::’、、、、、、、、 、、、、、、
、、、、、、。 一ノ IeC Fl#−7 4&Lと”。 FIG−10 FIG−9 手続補正書働式) 2、発明の名称 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人ケイエルエイ
・インストラメンツ・ 名称(氏名)、−ボ、−,ヨ。 5・NJE′7sの日付 昭和62年 7 月28日拒
便;h…士知 (1)明細書36頁の12行〜14行に記載の「第3図
〜第7図は・・・・・・示し、」を、「第3図〜第7図
は第2図の最高レベルから最低レベルまでの5つのレベ
ルにおいてそれぞれ撮影した干渉映像のオシロ波形写真
を示し、」と補正する。
Claims (20)
- (1)(a)物体チャネルと基準チャネルを含み、物体
から前記物体チャネルを通つて映像平面に達する物体波
エネルギーと、前記物体から前記基準チャネルを通つて
映像平面に達する基準波エネルギーとの間の干渉により
形成される映像の発生と、前記物体の検査を同時に行う
干渉光学系手段を用いる過程と、 (b)前記映像平面内のピクセル点の所定のアレイの各
ピクセル点における物体波エネルギーと前記基準波エネ
ルギーの間の可干渉性の程度を測定し、各前記ピクセル
点に対応する可干渉性データを発生する過程と、 (c)前記可干渉性データを用いて前記物体の特定の特
徴を表す合成映像データを発生する過程を備えることを
特徴とする物体を検査し、合成映像データを発生する方
法。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の方法であつて、mと
nを整数として、m×n個のピクセルのアレイの各列に
沿う分散を計算することにより前記合成映像データを発
生することを特徴とする方法。 - (3)物体の少くとも部分的に反射性の不規則な表面の
横断面を表す合成映像データを発生する方法において、 (a)光源からの光で不規則な物体表面を照明する過程
と、 (b)前記光源からの光で反射性基準表面を照明する過
程と、 (c)前記物体の表面から反射された物体光を集め、そ
の物体光を第1の光路長を有する第1の光軸に沿つて向
ける過程と、 (d)前記基準表面から反射された基準光を集め、その
基準光を前記第1の光路長とは異なる第2の光路長を有
し、少くとも一部が前記第1の光軸である第2の光軸に
沿つて向ける過程と、(e)前記第1の光軸および前記
第2の光軸に沿つて向けられた光を集束して、前記物体
光と前記基準光の干渉から生じたしま付きの映像パター
ンを形成する過程と、 (f)前記映像パターンを走査して、選択された走査線
に沿うしまの振幅に対応する一連のデータを発生する過
程と、 (g)前記物体の位置を前記第1の光軸に沿つて段階的
に変え、その位置の段階的変化のたびに過程(c)〜(
f)を繰返えす過程と、 (h)複数の一連のデータを処理して、前記走査線を含
む平面内にとつた前記物体表面の横断面輪郭に対応する
前記合成映像データを発生する過程と を備えることを特徴とする物体の少くとも部分的に反射
性の不規則な表面の横断面を表す合成映像データを発生
する方法。 - (4)特許請求の範囲第3項記載の方法であつて、(i
)前記合成映像データを表示して、前記走査線を含む平
面内にとつた前記物体表面の横断面輪郭を視覚的に示す
過程 を備えることを特徴とする方法。 - (5)特許請求の範囲第4項記載の方法であつて、前記
基準表面は光学的に平らな反射鏡により形成され、前記
物体表面は、高くされた表面の細長い条が貫通している
半導体ウェハーの一部により形成され、 (j)前記走査線が前記細長い条の長手方向に対してほ
ぼ直角に向けられるように前記ウェハーを向ける過程と
、 (k)前記高くされた表面と第1の特定の走査線の交差
に対応する前記データの値が、他の走査線の対応するデ
ータに対して最大である時に前記第1の光軸に沿う前記
物体の位置を決定し、その位置を前記条の1番上の表面
に対応するものとして識別する過程 を備えることを特徴とする方法。 - (6)特許請求の範囲第5項記載の方法であつて、(l
)前記第1の特定の走査線のうち、前記データが最大で
あるような部分の長さを測定することにより、前記高く
された表面の上面の幅を検出する過程 を備えることを特徴とする方法。 - (7)特許請求の範囲第6項記載の方法であつて、(m
)前記高くされた表面以外の前記表面の部分と別の特定
の走査線の交差に対応する前記データの値が、他の走査
線の対応するデータに対して最大である時に前記第1の
光軸に沿う前記物体の位置を決定する過程と、 (n)前記別の特定の走査線のうち、前記データが最大
であるような部分の間の間隔を測定することにより、前
記高くされた表面の底の幅を決定する過程と を備えることを特徴とする方法。 - (8)特許請求の範囲第7項記載の方法であつて、(o
)前記高くされた表面の1番上の表面の幅が検出された
時に物体が前記第1の光軸に沿つて位置させられる位置
と、前記高くされた表面の1番下の幅が検出された時の
前記第1の光軸に沿う位置の間の距離を測定することに
より、隣接するウェハー表面の上方の前記高くされた表
面の高さを決定する過程 を備えることを特徴とする方法。 - (9)特許請求の範囲第8項記載の方法であつて、(p
)前記走査線を含んでいる平面内の前記高くされた表面
の側壁の傾きを、高くされた表面の1番上の前記高くさ
れた表面の1番下の上方の高さ、および対応する走査線
に沿う前記高くされた表面の1番上と1番下の幅の差と
の関数として計算する過程 を備えることを特徴とする方法。 - (10)特許請求の範囲第3項記載の方法であつて、前
記しま付き映像パターンにおける干渉じまの強さを計算
し、しまによりひき起された映像の強さの局部的な分散
を計算することにより前記合成映像データを発生するこ
とを特徴とする方法。 - (11)特許請求の範囲第3項記載の方法であつて、第
1の光路と第2の光路の光路差が変化させられた時の最
後の映像平面内の各ピクセルの強さの分散を計算するこ
とにより前記合成映像データを発生させることを特徴と
する方法。 - (12)(a)物体チャネルと基準チャネルを含み、前
記物体チャネルの物体平面に対して段階的に動かされる
物体を同時に検査し、前記物体から前記物体チャネルを
通つて映像平面に達する物体波エネルギーと、前記物体
から前記基準チャネルを通つて前記映像平面に達する基
準波エネルギーとの間の干渉により形成される対応する
映像を発生する干渉顕微鏡手段と、 (b)前記映像平面内のピクセル点の所定のアレイにお
ける前記物体波エネルギーと前記基準波エネルギーの間
の可干渉性の程度を測定し、各前記ピクセル点に対応す
る可干渉性データを発生する手段と、 (c)前記可干渉性データに応答して前記物体の特定の
特徴を表す合成映像データを発生する手段と を備えることを特徴とする物体検査装置。 - (13)特許請求の範囲第12項記載の物体検査装置で
あつて、可干渉性の程度を測定する前記手段は、前記ア
レイ中の各ピクセル点における各前記映像の光の強さを
対応する信号値に変換する手段を含み、前記可干渉性デ
ータに応答する前記手段は、各前記アレイの各列に沿う
信号値の分散を測定して各前記映像の各走査に関連する
複数の一連の分散値を発生する手段と、前記複数の一連
の分散値を用いて前記合成映像データを発生する手段と
を含むことを特徴とする物体検査装置。 - (14)特許請求の範囲第13項記載の物体検査装置で
あつて、前記可干渉性データに応答する前記手段は、前
記合成映像データに応答して、前記物体の前記特定の特
徴に対応する視覚映像を発生するように動作する表示手
段を含むことを特徴とする物体検査装置。 - (15)特許請求の範囲第12項記載の物体検査装置で
あつて、前記干渉顕微鏡手段は、基準チャネルの一部を
形成する軸外れ可動対物レンズを有するリンニク顕微鏡
であることを特徴とする物体検査装置。 - (16)(a)極微小装置を保持して、その極微小装置
を選択的に動かす台手段と、 (b)前記極微小装置の上面に対して所定の関係で配置
される光学的に平らな反射鏡手段と、(c)前記極微小
装置と前記反射鏡手段を同時に照明する照明源と、 (d)前記極微小装置の照明された部分の上面から反射
された物体光を集め、その物体光を第1の所定の長さを
有する第1の光軸に沿つて向ける手段と、 (e)前記反射鏡手段から反射された基準光を集め、前
記第1の光軸の長さとは異なる第2の所定の長さを有す
る第2の光軸に沿つてその基準光を向ける手段と、 (f)前記第1の光軸に沿つて反射された光と前記第2
の光軸に沿つて反射された光を集束させて、前記物体光
と前記基準光の干渉から生じたしま付き映像を形成する
手段と、 (g)前記台手段に組合わされ、前記第1の光軸に沿つ
て前記物体を、物体光を集める前記手段の物体平面の両
側の端部の間で、段階的に動かす手段と、 (h)前記極微小装置の各段階的な動きの期間中に走査
線に沿つて前記しま付き映像を走査し、各走査線に沿う
しまの振幅に対応する一連のデータを発生する手段と、 (i)各前記走査中に発生されたデータを格納する手段
と、 (j)前記格納されたデータを処理して、前記極微小装
置のうち各前記走査線を含む平面内に含まれる表面の横
断面を表す情報を発生する手段と を備えることを特徴とする極微小装置の表面の特定の特
徴を検出する装置。 - (17)特許請求の範囲第16項記載の装置であつて、
前記反射鏡手段と、前記照明源と、物体光を集める前記
手段と、基準光を集める前記手段と、光を集束する前記
手段とは2ビーム干渉顕微鏡により形成されることを特
徴とする装置。 - (18)特許請求の範囲第17項記載の装置であつて、
前記極微小装置を段階的に動かす前記手段は圧電結晶垂
直運動装置を含むことを特徴とする装置。 - (19)特許請求の範囲第18項記載の装置であつて、
前記走査手段はテレビカメラ手段を含むことを特徴とす
る装置。 - (20)特許請求の範囲第16項記載の装置であつて、
基準光を集める前記手段は、前記第1の所定の長さと前
記第2の所定の長さの差を予め選択できるようにするた
めに軸外れ可動対物レンズ手段を含むことを特徴とする
装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US860308 | 1986-05-06 |
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JPH0629692B2 JPH0629692B2 (ja) | 1994-04-20 |
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Country | Link |
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US (1) | US4818110A (ja) |
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JP (1) | JPH0629692B2 (ja) |
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