JPS6298737A - 半導体装置の交換方法 - Google Patents

半導体装置の交換方法

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JPS6298737A
JPS6298737A JP60239695A JP23969585A JPS6298737A JP S6298737 A JPS6298737 A JP S6298737A JP 60239695 A JP60239695 A JP 60239695A JP 23969585 A JP23969585 A JP 23969585A JP S6298737 A JPS6298737 A JP S6298737A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、テープキャリアに例えばインナーリードポン
ディングされた半導体装置が不良の場合に、この半導体
装置を別の良品の半導体装置に交換する半導体装置の交
換方法に関する。
（従来の技術） テープキャリアを配線基板として利用し、テープ上に半
導体装置を実装してマルチチップモジュールを形成する
方法がある。この方法の利点は、アセンブリとしてイン
ナーリードポンディングを行うだけでよ（、アウターリ
ードボンディングを行う必要がないこと、およびテープ
を配線基板として用いることができることである。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、この方法においては、インナーリードボ
ンディング後１個でも半導体装置の不良を生じた場合、
これらの不良半導体装置を交換する方法が無く、総ての
半導体装置を破棄せざるを得ないという不具合があった
。
（問題点を解決するための手段） 本発明に係る半導体装置の交換方法は、テープキャリア
を配線基板として用い、テープ上に半導体装置を実装し
てマルチチップモジュールを形成する方法において、こ
の半導体装置に不良が発生した場合に、この不良半導体
装置をフィンガー部で切り取り、この切り取られた不良
半導体装置のフィンガー部より長いフィンガー部を有す
る別の半導体装置を、不良半導体装置を切り取った後の
テープ上のフィンガー部と位置合わせして接続するもの
で、切り取られた不良半導体装置のフィンガー部より長
いフィンガー部を有する別の半導体装置は、例えばテー
プキャリアを配線基板として用い、テープ上に半導体装
置を実装した別のマルチチップモジュールから切り取ら
れたものを用いる。
（作用） 切り取られた不良半導体装置のフィンガー部より長いフ
ィンガー部を有する別の半導体装置を、不良半導体装置
を切り取った後のテープ上のフィンガー部と位置合わせ
し、接続することにより、半導体装置の交換が可能であ
る。また、別の半導体装置は、同様にして形成された別
のマルチチップモジュールから切り取られたものを用い
ることにより、交換用の半導体装置を特別に作製する必
要がない。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第３図は、テープキャリアを配線基板として利用し、液
晶ドライバー等のマルチチップモジュールを形成した一
例を示している。図において、１はポリイミド樹脂、ガ
ラスエポキシ樹脂等からなるテープ、２，２・・・はこ
のテープ１上にインナーリードボンディングにより実装
された半導体装置、３．３・・・はフィンガー部である
。
このように形成されたマルチチップモジュールにおいて
、実装された半導体装置２，２・・・の中に不良が発生
した場合の交換方法の一例を第１図（ａ）〜（Ｃ）を参
照して説明する。
まず、不良の半導体装置２１をフィンガー部３の中央付
近で切り取る〔第１図（ａｌ参照〕。
次に、別の良品の半導体装置２２〔第１図（ｂｌ参照〕
をこの切り取られた後のフィンガー部３１に位置合わせ
して接続するのであるが、この良品の半導体装置２２は
、別のテープ１上にインナーリードボンディングされて
いたものを用い、接続用のフィンガー部３２が半導体装
置２２の接続端子に接続された状態でテープ１から切り
取られたものである。ただし、テープ１から切り取られ
る接続用のフィンガー部３２の切取位置は、前記した不
良半導体装置２１を切り取った位置より外側とする。つ
まり、良品の半導体装置２２のフィンガー部３２の方が
、切り取られた不良品の半導体装置２１のフィンガー部
３３より長くなるようになしている。
この良品の半導体装Ｗ２２のフィンガー部３２を、テー
プ１上において不良半導体装置２１が除去された後のフ
ィンガー部３１と位置合わせし、両フィンガー部３１．
３２の重なった部分４を接続する〔第１図（Ｃ）参照〕
。フィンガー部３１．３２の接続は、Ｓ、−Ｓ、の熱圧
着が良好であるが、この他にＡｕ−ＡＩＪの熱圧着、Ａ
ｕ−３，の共晶、および半田等による接続方法でも何等
問題はない。
第２図（ａｌ〜（Ｃ１は、半導体装置の実装密度が高く
、フィンガー部が短い場合の半導体装置の交換方法の一
例を示している。
この場合、第２図（ａ）に示すように、不良の半導体装
置２４を切り取ったときのフィンガー部３６の切取位置
がテープ１の際までくるので、同じように作製されたマ
ルチチップモジュールから良品の半導体装置を切り取っ
て使用しようとしても、そのフィンガー部の長さを、切
り取られた不良の半導体装置２４のフィンガー部３６の
長さより長く切り取ることができない。
そこで、第２図（ｂ）に示すように、フィンガー部３４
の長さが、切り取られた不良の半導体装置２４のフィン
ガー部３６の長さより長くなした良品の半導体装置２３
を別に作製する。
この良品の半導体装置２３を用いて、第２図（Ｃ１に示
すように、切り取られた後のフィンガー部３７に良品の
半導体装置２３のフィンガー部３４を位置合わせして接
続するものである。接続方法は前記実施例と同様である
。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明に係る半導体装置の交換方
法によれば、テープキャリアにインナーリードボンディ
ング等により実装された後の不良の半導体装置を良品の
半導体装置に交換することができる。このため、高度の
テープボンディング技術を使用したマイクロアセンブリ
のリスクを回避することができるとともに、全体として
のコストを大幅に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る半導体装置の交換
方法の手順を説明する図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発
明に係る半導体装置の交換方法の他の実施例を説明する
図、第３図はマルチチップモジュールの平面図である。 １・・・テープ　　　２・・・半導体装置３・・・フィ
ンガー部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）テープキャリアを配線基板として用い、テープ上に
    半導体装置を実装してマルチチップモジュールを形成す
    る方法において、 この半導体装置に不良が発生した場合に、 この不良半導体装置をフィンガー部で切り取り、この切
    り取られた不良半導体装置のフィンガー部より長いフィ
    ンガー部を有する別の半導体装置を、不良半導体装置を
    切り取った後のテープ上のフィンガー部と位置合わせし
    て接続することを特徴とする半導体装置の交換方法。 ２）切り取られた不良半導体装置のフィンガー部より長
    いフィンガー部を有する別の半導体装置は、テープキャ
    リアを配線基板として用い、テープ上に半導体装置を実
    装した別のマルチチップモジュールから切り取られたも
    のである特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の交換
    方法。
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