JPS6290694A - 表示装置 - Google Patents
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- JPS6290694A JPS6290694A JP61233125A JP23312586A JPS6290694A JP S6290694 A JPS6290694 A JP S6290694A JP 61233125 A JP61233125 A JP 61233125A JP 23312586 A JP23312586 A JP 23312586A JP S6290694 A JPS6290694 A JP S6290694A
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- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/088—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements using a non-linear two-terminal element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、２つの支持板間に介挿される電気光学表示媒
体と、行列配置される画素系にあって、各画素が互いに
対向して前記支持板の表面上に設けられる２つの画像電
極によって構成される画素系と、行電極が前記支持板の
一方に設けられ、かつ列電極が前記支持板の他方に設け
られる画ｆｄｌＫ勅用の行列電極系と、スイッチング素
子系とを具え、少なくとも１個の第１非対称非線形スイ
ッチング素子を第１行電極と列電極との間にて各画素に
直列に配置し、かつ少なくとも１個の追加の非対称非線
形スイッチング素子を第１行電極と第２行電極との間に
て前記第１非対称非線形スイッチング素子に直列に配置
し、前記追加のスイッチング素子を画素と第２行電極と
の間に前記第１非対称非線形スイッチング素子と同じ方
向に接続した表示装置に関するものである。
体と、行列配置される画素系にあって、各画素が互いに
対向して前記支持板の表面上に設けられる２つの画像電
極によって構成される画素系と、行電極が前記支持板の
一方に設けられ、かつ列電極が前記支持板の他方に設け
られる画ｆｄｌＫ勅用の行列電極系と、スイッチング素
子系とを具え、少なくとも１個の第１非対称非線形スイ
ッチング素子を第１行電極と列電極との間にて各画素に
直列に配置し、かつ少なくとも１個の追加の非対称非線
形スイッチング素子を第１行電極と第２行電極との間に
て前記第１非対称非線形スイッチング素子に直列に配置
し、前記追加のスイッチング素子を画素と第２行電極と
の間に前記第１非対称非線形スイッチング素子と同じ方
向に接続した表示装置に関するものである。
なお、本明″ａ書中にて用いている「行電極２及び「列
電極」は互いに入れ換えることができるため、行電極に
関連する個所は列電極についても言え、また同時に列電
極を行電極に変えることができる。「非対称非線形スイ
ッチング素子」とは本明細書では先ず、単結晶、多結晶
又はアモルファスシリコン、ＣｄＳｅ或いは他の半導体
材料製の例えばｐｎダイオード、ショットキーダイオー
ド又はＰＩＮダイオードの如き前記表示装置を製造する
ための技術にとっては通例のダイオードのことを意味す
るものとするが、例えばベースーコレクク接合を短絡し
たバイポーラトランジスタ又はゲートをドレインに接続
した１、１０３ ）ランジスタの如き池の種類の非線
形スイッチング素子も含むものとする。
電極」は互いに入れ換えることができるため、行電極に
関連する個所は列電極についても言え、また同時に列電
極を行電極に変えることができる。「非対称非線形スイ
ッチング素子」とは本明細書では先ず、単結晶、多結晶
又はアモルファスシリコン、ＣｄＳｅ或いは他の半導体
材料製の例えばｐｎダイオード、ショットキーダイオー
ド又はＰＩＮダイオードの如き前記表示装置を製造する
ための技術にとっては通例のダイオードのことを意味す
るものとするが、例えばベースーコレクク接合を短絡し
たバイポーラトランジスタ又はゲートをドレインに接続
した１、１０３ ）ランジスタの如き池の種類の非線
形スイッチング素子も含むものとする。
斯種の表示装置は液晶、電気泳動懸濁液及び電気クロム
材料の如き不活性の電気光学表示媒体によって英数字や
ビデオ情報を表示させるのに好適である。
材料の如き不活性の電気光学表示媒体によって英数字や
ビデオ情報を表示させるのに好適である。
従来の不活性電気光学表示媒体は一般に供給電圧に対し
て峻度が不充分なスレッショールド電圧を有し、しかも
真性メモリが不充分である。これらの特性からして、多
重（ヒマ） ＩＪックス表示装置では充分なコントラス
トを得るために、駆動さすべきライン数を制限している
。また、メモリ作用が充分でないために列電極を介して
選択行電極に供給する情報を幾度も書込む必要がある。
て峻度が不充分なスレッショールド電圧を有し、しかも
真性メモリが不充分である。これらの特性からして、多
重（ヒマ） ＩＪックス表示装置では充分なコントラス
トを得るために、駆動さすべきライン数を制限している
。また、メモリ作用が充分でないために列電極を介して
選択行電極に供給する情報を幾度も書込む必要がある。
さらに、列電極に供給する電圧は駆動させる行電極の画
素間だけでなく、他の行電極すべての画像素子間にも供
給される。従って、これら残りの行電極が駆動されない
等分の間は画素に実効電圧がかかり、この実効電圧は画
素をオン状態にしないように十分小さくする必要がある
。さらに、行電極の数が増えるにつれて、画素にオン及
びオフ状態にてそれぞれかかる電圧に対する実効電圧の
比率が低下する。スレッショールド電極の峻度が不充分
な場合には、オン及びオフ状態における画素間のコント
ラストが１氏下する。
素間だけでなく、他の行電極すべての画像素子間にも供
給される。従って、これら残りの行電極が駆動されない
等分の間は画素に実効電圧がかかり、この実効電圧は画
素をオン状態にしないように十分小さくする必要がある
。さらに、行電極の数が増えるにつれて、画素にオン及
びオフ状態にてそれぞれかかる電圧に対する実効電圧の
比率が低下する。スレッショールド電極の峻度が不充分
な場合には、オン及びオフ状態における画素間のコント
ラストが１氏下する。
駆動すべき行電極の孜は画素毎に追加のスイッチング素
子を設けることによって増やせることは既知である。こ
のスイッチング素子は供給電圧に対してスレッシールド
電圧を充分に急峻なものとし、しかも駆動させた行電極
に供給された情報が、残りの行電極が駆動される当分の
間画素間に維持されるようにする。スイッチング素子は
、同じ列における他の画素に対し、その列電極が駆動さ
れない当分の間は画素が有効電圧を受けないようにもす
る。
子を設けることによって増やせることは既知である。こ
のスイッチング素子は供給電圧に対してスレッシールド
電圧を充分に急峻なものとし、しかも駆動させた行電極
に供給された情報が、残りの行電極が駆動される当分の
間画素間に維持されるようにする。スイッチング素子は
、同じ列における他の画素に対し、その列電極が駆動さ
れない当分の間は画素が有効電圧を受けないようにもす
る。
冒頭にて述べた種類の表示装置は゛′プロシーデインダ
ス アイ・イー・イー・イー″’ （ｐｒｏｃ。
ス アイ・イー・イー・イー″’ （ｐｒｏｃ。
ｒ Ｅ Ｅ Ｅ ） （Ｖｏｌ、 ５９． Ｎｏ、１
１． １９７１年１１月第１５６６〜１５７９頁、特に
第１５７４頁）におけるビー・ジェー・レヒナー（Ｂ、
Ｊ、 Ｌｅｃｈｎｅｒ）外１名による論文１一液晶マト
リツクス ディスプレイ」に開示されている。これに図
示されており、かつこれに関連するａｃＤ２ｃ法と称さ
れる駆動方法によれば、単方向性の非線形スイッチング
素子（ダイオード）によるにも拘らず、画素間に交流電
圧が得られると言う利点がある。しかしこのことは第２
行電極を犠牲にし、この第２市極には追加の回路によっ
て所望電圧を供給しなければならない。
１． １９７１年１１月第１５６６〜１５７９頁、特に
第１５７４頁）におけるビー・ジェー・レヒナー（Ｂ、
Ｊ、 Ｌｅｃｈｎｅｒ）外１名による論文１一液晶マト
リツクス ディスプレイ」に開示されている。これに図
示されており、かつこれに関連するａｃＤ２ｃ法と称さ
れる駆動方法によれば、単方向性の非線形スイッチング
素子（ダイオード）によるにも拘らず、画素間に交流電
圧が得られると言う利点がある。しかしこのことは第２
行電極を犠牲にし、この第２市極には追加の回路によっ
て所望電圧を供給しなければならない。
本発明の目的は上述したような追加の回路をなくす手段
をとって、前述した論文に開示されているａｃＤ２ｃ駆
動法による表示装置の場合に較べて駆動点の数を実際上
半分にし得るように適切に構成配置した表示装置を提供
することにある。
をとって、前述した論文に開示されているａｃＤ２ｃ駆
動法による表示装置の場合に較べて駆動点の数を実際上
半分にし得るように適切に構成配置した表示装置を提供
することにある。
本発明は冒頭にて述べた種類の表示装置において、前記
第１行電極を前記第１非対称非線形スイッチング素子に
直列に同一極性で接続した第１個数の非対称非線形スイ
ッチング素子を介して共通点に接続すると共に、前記第
２行電極を前記追加の非対称非線形スイッチング素子に
直列に同一極性で接続した第２個数の非対称非線形スイ
ッチング素子を介して前記共通点に接続したことを特徴
とする。
第１行電極を前記第１非対称非線形スイッチング素子に
直列に同一極性で接続した第１個数の非対称非線形スイ
ッチング素子を介して共通点に接続すると共に、前記第
２行電極を前記追加の非対称非線形スイッチング素子に
直列に同一極性で接続した第２個数の非対称非線形スイ
ッチング素子を介して前記共通点に接続したことを特徴
とする。
本発明は特に、第１又は追加のスイッチング素子と、共
通接続点との間に行電極毎に斯かる第１又は追加のスイ
ッチング素子に直列に１個以上のスイッチング素子を接
続することによって画素間に大きな電圧差（従って、例
えば液晶の如き、使用すべき電気工学材料の広い選択性
）を達成することができると言う事実の認識に基づいて
成したものである。
通接続点との間に行電極毎に斯かる第１又は追加のスイ
ッチング素子に直列に１個以上のスイッチング素子を接
続することによって画素間に大きな電圧差（従って、例
えば液晶の如き、使用すべき電気工学材料の広い選択性
）を達成することができると言う事実の認識に基づいて
成したものである。
本発明による表示装置の斯かる第１例のものは、画累数
が少なくない場合には極めて好ましいけれども、多数の
画素を用いると、容量性のクロストークのために行電極
が、それに接続した画素が誤った情報を表示するような
電圧値にまで充電されたり、放電したりし得ることを確
かめた。
が少なくない場合には極めて好ましいけれども、多数の
画素を用いると、容量性のクロストークのために行電極
が、それに接続した画素が誤った情報を表示するような
電圧値にまで充電されたり、放電したりし得ることを確
かめた。
このようなことをなくすために、本発明による表示装置
の好適例によれば、前記第１及び第２個数の非対称非線
形スイッチング素子の双方にそれぞれ少なくとも１個の
非対称非線形スイッチング素子を逆極性で並列に接続す
る。
の好適例によれば、前記第１及び第２個数の非対称非線
形スイッチング素子の双方にそれぞれ少なくとも１個の
非対称非線形スイッチング素子を逆極性で並列に接続す
る。
第１スイッチング素子が導通している期間及び追加のス
イッチング素子が導通している期間の双方の期間中多数
の同一の非対称非線形スイッチング素子によって電流を
搬送させることもできる。
イッチング素子が導通している期間の双方の期間中多数
の同一の非対称非線形スイッチング素子によって電流を
搬送させることもできる。
これがため、本発明はさらに前記各行電極を少なくとも
１個の反対極性の非対称非線形スイッチング素子を介し
て共通接続点に接続すると共に、各々同一極性に配置し
た第３個数の非対称非線形スイッチング素子から成る少
なくとも１つの直列回路を前記第１と追加の非対称非線
形スイッチングク（四子との直列回路に反対極性で逆並
列に接続したことを特１欺とする。
１個の反対極性の非対称非線形スイッチング素子を介し
て共通接続点に接続すると共に、各々同一極性に配置し
た第３個数の非対称非線形スイッチング素子から成る少
なくとも１つの直列回路を前記第１と追加の非対称非線
形スイッチングク（四子との直列回路に反対極性で逆並
列に接続したことを特１欺とする。
以下図面につき本発明を説明する。
第１図は、２枚の支持板２及び３を具え、これらの支持
板間に液晶４を介在させた表示装置１の一部を示す断面
図である。支持板２及び３の内側面には電気的及び化学
的に絶縁性の層５を被着する。それぞれ行及び列に配列
ささる多数の画（象電極６及び７を支持板２及び３上に
設ける。対向して配置する画像電極６及び７は表示装置
の画素を構成する。列画像電極７間にはス） ＩＪツブ
状の列電極１１を配置する。列電極１１及び画像電極７
は一体化してス） ＩＪツブ状電極を形成するようにす
るのが有利である。行画像電極６間にはストリップ状行
電極８ａ、 ８ｂを設ける。各画素電極６をダイオード
９°、９ｂ第１図には図示せず）によって２つの行電極
８に接続する。ダイオード９は供給電圧に対して充分急
峻なスレツノ−３−ルド電圧を液晶４に与えると共に液
晶４に対するメモリを形成する。支持板２及び３の内側
面には液晶配向層１０も設ける。既知の如く、液晶分子
の他の配向状態、従って光学的に異なる状態は液晶層４
間に電圧をかけることによって得ることができる。表示
装置は透過式及び反射式のいずれの装置としても実現す
ることができる。
板間に液晶４を介在させた表示装置１の一部を示す断面
図である。支持板２及び３の内側面には電気的及び化学
的に絶縁性の層５を被着する。それぞれ行及び列に配列
ささる多数の画（象電極６及び７を支持板２及び３上に
設ける。対向して配置する画像電極６及び７は表示装置
の画素を構成する。列画像電極７間にはス） ＩＪツブ
状の列電極１１を配置する。列電極１１及び画像電極７
は一体化してス） ＩＪツブ状電極を形成するようにす
るのが有利である。行画像電極６間にはストリップ状行
電極８ａ、 ８ｂを設ける。各画素電極６をダイオード
９°、９ｂ第１図には図示せず）によって２つの行電極
８に接続する。ダイオード９は供給電圧に対して充分急
峻なスレツノ−３−ルド電圧を液晶４に与えると共に液
晶４に対するメモリを形成する。支持板２及び３の内側
面には液晶配向層１０も設ける。既知の如く、液晶分子
の他の配向状態、従って光学的に異なる状態は液晶層４
間に電圧をかけることによって得ることができる。表示
装置は透過式及び反射式のいずれの装置としても実現す
ることができる。
：’６２図は第１図の表示装置に用いられるような表示
セルの透過率／電圧特性を示したものである。
セルの透過率／電圧特性を示したものである。
所定のスレッショールド電圧（Ｖ＋又はＶＴＲ）以下で
はセルは実際上光をいずれも透過せず、また所定の飽和
電圧（Ｌ又はＶＳＡＴ）以上ではセルは実際上完全に半
透胡となる。なお、斯種のセルは一般に交流電圧で作動
させるため、横座標には交流電圧の絶対値をプロットし
である。
はセルは実際上光をいずれも透過せず、また所定の飽和
電圧（Ｌ又はＶＳＡＴ）以上ではセルは実際上完全に半
透胡となる。なお、斯種のセルは一般に交流電圧で作動
させるため、横座標には交流電圧の絶対値をプロットし
である。
第３図は本発明による表示装置の第１例の一部、特に制
御部の部分を線図的に示したものである。
御部の部分を線図的に示したものである。
上述したように、例えばマ） ＩＪソックス一部を形成
する各画素１２は一方では画像電極７を介して列電極１
１に接続し、かつ他方では画像電極６及び２個のダイオ
ード９”、９５又は他の一方向性の非対称非線形スイッ
チング素子を介して２つの行電極８“、′８ｂに接続す
る。冒頭にて既に述べたように、表示装置をａｃ−Ｄ２
Ｃ方法に従って制御する斯種の回路では行電極の接続点
の数が２倍となる。このようなことをな（すために本発
明にれば、行電極８ａ、８ｂの制御ライン１３に多数の
追加のダイオ−１−１４’、 １４ｂを設け、これらの
ダイオードをダイオード９ａ及び９ｂにそれぞれ直列に
接続する。
する各画素１２は一方では画像電極７を介して列電極１
１に接続し、かつ他方では画像電極６及び２個のダイオ
ード９”、９５又は他の一方向性の非対称非線形スイッ
チング素子を介して２つの行電極８“、′８ｂに接続す
る。冒頭にて既に述べたように、表示装置をａｃ−Ｄ２
Ｃ方法に従って制御する斯種の回路では行電極の接続点
の数が２倍となる。このようなことをな（すために本発
明にれば、行電極８ａ、８ｂの制御ライン１３に多数の
追加のダイオ−１−１４’、 １４ｂを設け、これらの
ダイオードをダイオード９ａ及び９ｂにそれぞれ直列に
接続する。
これらダイオードによる２つの直列回路を画像型ｔＭ
６に対応する点くこれはスイッチング技法の観点からし
て共通の点）１５と駆動点１６との間にそれぞれ並列に
接続する。
６に対応する点くこれはスイッチング技法の観点からし
て共通の点）１５と駆動点１６との間にそれぞれ並列に
接続する。
ダイオード１４はダイオード９を製造する方法とは別の
方法で製造することができるが、以後これらのダイオー
ド９，１４は同じオン及びオフ電圧を有するものとする
。オン電圧Ｖ。、とはダイオードに流れる電流が画素に
関連するキャパンタンスを迅速に充電するのに充分な大
きさである電圧のことであり、またオフ電圧Ｖ。Ｆ、と
はダイオードに流れる電流が前記キャパンタンスを実際
上放電させＪ：′、）ｆＸ）ご小さし）電圧のことであ
る。
方法で製造することができるが、以後これらのダイオー
ド９，１４は同じオン及びオフ電圧を有するものとする
。オン電圧Ｖ。、とはダイオードに流れる電流が画素に
関連するキャパンタンスを迅速に充電するのに充分な大
きさである電圧のことであり、またオフ電圧Ｖ。Ｆ、と
はダイオードに流れる電流が前記キャパンタンスを実際
上放電させＪ：′、）ｆＸ）ご小さし）電圧のことであ
る。
選択ライン１３ａ、 １３” におけるダイオードの
個数は等しく、その故はｋに相当するものとする。
個数は等しく、その故はｋに相当するものとする。
画素の選択時に、駆動点１６と接続点１５との間の電圧
降下は少なくとも（ｋ＋１）ｖｏえ となるようにする
。
降下は少なくとも（ｋ＋１）ｖｏえ となるようにする
。
選択セル（画素）には、その列電陽１１にデータ電”’
゛’ ＶＤ ｌが供給され、ここに０≦Ｖｏ ≦ＶＤＭ
ＡＸとして、画素１２間の電圧差がＶ、となり、かつ（
ｋ＋１）個のダイオード１４．９間（７） ＶＯＮカ（
ｋ＋１）ＶｏＮとなるようにする。しかし、データ電圧
には制限が課せられる。その理由は１フイ一ルド期間後
には画素が一般に反転電圧で作動されるからである。
゛’ ＶＤ ｌが供給され、ここに０≦Ｖｏ ≦ＶＤＭ
ＡＸとして、画素１２間の電圧差がＶ、となり、かつ（
ｋ＋１）個のダイオード１４．９間（７） ＶＯＮカ（
ｋ＋１）ＶｏＮとなるようにする。しかし、データ電圧
には制限が課せられる。その理由は１フイ一ルド期間後
には画素が一般に反転電圧で作動されるからである。
これがため、データ電圧は−ＶＤｌ（ＡｘとＶ、□えと
の間の値ををする。画像電極７と６との間の容量性結合
により、電極６には最大電圧Ｖ。、□及び最小電圧−Ｖ
ＤＩ４Ａｌｌが発生し得る。駆動点１６を負電圧で作動
させるフレーム期間には、非選択ラインが駆動点１６に
て電圧Ｏを受電する。この場合に電極６が放電しないよ
うにするためには、ＶＤＭＡＸ≦（ｋ＋１）ＶＯＦＦ
とする必要がある。従前通り書込まなければならない非
選択行ラインは駆動点１６にて電圧（ｋ＋１）ｖｏｐｐ
を受電する。このような行ラインでは、電極６における
最大電圧が２ ＶＤＭＡＭとなり、最小電圧が０となる
ため、ＶＤＭＡＭ≦（ｋ＋１）Ｖｏｐｐが再び成立する
。
の間の値ををする。画像電極７と６との間の容量性結合
により、電極６には最大電圧Ｖ。、□及び最小電圧−Ｖ
ＤＩ４Ａｌｌが発生し得る。駆動点１６を負電圧で作動
させるフレーム期間には、非選択ラインが駆動点１６に
て電圧Ｏを受電する。この場合に電極６が放電しないよ
うにするためには、ＶＤＭＡＸ≦（ｋ＋１）ＶＯＦＦ
とする必要がある。従前通り書込まなければならない非
選択行ラインは駆動点１６にて電圧（ｋ＋１）ｖｏｐｐ
を受電する。このような行ラインでは、電極６における
最大電圧が２ ＶＤＭＡＭとなり、最小電圧が０となる
ため、ＶＤＭＡＭ≦（ｋ＋１）Ｖｏｐｐが再び成立する
。
駆動点１６が正電圧で作動し、かつデータ電圧の範囲が
−ＶＤＭＡＸと０との間となるつぎのフィールド期間に
は、これらの電圧の極性が変化する。従って１νＤ１≦
（ｋ＋１）ｖｏｐｐが成立す、る。
−ＶＤＭＡＸと０との間となるつぎのフィールド期間に
は、これらの電圧の極性が変化する。従って１νＤ１≦
（ｋ＋１）ｖｏｐｐが成立す、る。
上述したように、画素間の最大電圧はＯ≦Ｖ。
≦（ｋ＋１）Ｖｏｐｐの■。となる。このようにすれば
特に、使用すべきＬＣＤ用の液体の種類の選択性を広げ
ることができる。その理由は、ダイオード１４の個数を
それぞれ増減させることにより、画素１２間に期用すべ
き最大電圧がそれぞれ増減されるからである。
特に、使用すべきＬＣＤ用の液体の種類の選択性を広げ
ることができる。その理由は、ダイオード１４の個数を
それぞれ増減させることにより、画素１２間に期用すべ
き最大電圧がそれぞれ増減されるからである。
従って図示の配置構成では１吏用すべき光電子何科の選
択性が広くなるが、特に画素のマｌ−ＩＪフックス大き
くなる場合に容量性のクロストークが不都合な影響を及
ぼずことを確かめた。これは特に画素間の平均電圧とし
て ン の１直を選定する制御法を用いる場合に言える。この方
法では実際上画素１２間の電圧の絶対値はＶＴＲとｖｓ
Ａ’ｒ との間の範囲に制限される。なお、この点につ
いては’ Ｓ Ｔ Ｄ８４．Ｄｉｇｅｓｔ ”第３２４
〜３２５頁におけるＳ、 Ｔｏｇａｓｈｉ 外１名によ
る論文”Ａ ＬＣＴＶ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌｌｅｄ ｂｙ ａ−５ｉ ＤｉｏｄｅＲｉｎｇｓ ”
（Ｓｉダイオードリンクにより制御される液晶テレ
ビディスプレイ）に詳細に記載されている。上記容量性
のクロストークの影響により、所定の状態下にてダイオ
ード１４を経て不所望な充電又は放電を起こし得るよう
な信号変化が電極にて発生し得ることになる。
択性が広くなるが、特に画素のマｌ−ＩＪフックス大き
くなる場合に容量性のクロストークが不都合な影響を及
ぼずことを確かめた。これは特に画素間の平均電圧とし
て ン の１直を選定する制御法を用いる場合に言える。この方
法では実際上画素１２間の電圧の絶対値はＶＴＲとｖｓ
Ａ’ｒ との間の範囲に制限される。なお、この点につ
いては’ Ｓ Ｔ Ｄ８４．Ｄｉｇｅｓｔ ”第３２４
〜３２５頁におけるＳ、 Ｔｏｇａｓｈｉ 外１名によ
る論文”Ａ ＬＣＴＶ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌｌｅｄ ｂｙ ａ−５ｉ ＤｉｏｄｅＲｉｎｇｓ ”
（Ｓｉダイオードリンクにより制御される液晶テレ
ビディスプレイ）に詳細に記載されている。上記容量性
のクロストークの影響により、所定の状態下にてダイオ
ード１４を経て不所望な充電又は放電を起こし得るよう
な信号変化が電極にて発生し得ることになる。
第４図は上述したような欠点をダイオード１４にダイオ
ード１７を逆並列に接続することによって一旦くず制御
装置の一部を線図的に示したものである。
ード１７を逆並列に接続することによって一旦くず制御
装置の一部を線図的に示したものである。
ダイオード１４がスイッチオフされると、行電極８はば
く然とした電圧値となるのではなく、これろの行電極の
電圧は追加のダイオード１７を介して、駆動点１６にお
ける電圧よりもダイオード１７の順方向電圧に等しい量
だけ高いか、又は低い電圧値となる。
く然とした電圧値となるのではなく、これろの行電極の
電圧は追加のダイオード１７を介して、駆動点１６にお
ける電圧よりもダイオード１７の順方向電圧に等しい量
だけ高いか、又は低い電圧値となる。
ダイオード１７を流れる斯かる電流はダイオード１４を
流れる電流よりも数倍大きくして、ダイオード１７には
他のオン及びオフ電圧を保有させることができる。完全
を期すために以後ダイオード１４にも他のオン及びオフ
電圧を与えるようにする。
流れる電流よりも数倍大きくして、ダイオード１７には
他のオン及びオフ電圧を保有させることができる。完全
を期すために以後ダイオード１４にも他のオン及びオフ
電圧を与えるようにする。
ｖｏについての前述した制御の場合で、しかもオン及び
オフ電圧、つまり ダイオード９に対するＶ。Ｎ及びＶ。ＦＦ ＋ダイオー
ド１４（個数でに個）に対するＶ’ＯＮ及びＶ ’ Ｏ
ＦＦ ・ ダイオード１７に対するＶ’ＯＮ及びＶ’ＯＦＦ。
オフ電圧、つまり ダイオード９に対するＶ。Ｎ及びＶ。ＦＦ ＋ダイオー
ド１４（個数でに個）に対するＶ’ＯＮ及びＶ ’ Ｏ
ＦＦ ・ ダイオード１７に対するＶ’ＯＮ及びＶ’ＯＦＦ。
に対してはつぎのような基準を適用する（第２゜４図参
照）。即ち、 ２（ＶＳＡＴ ＶＴＩ（）−ＫＶ ’ ｏｐｐ ＋ ２
Ｖｏｐｐ Ｖ ’ＯＮ （ａ）１ Ｖｏ ｌ ｙＡｘ
＝ （ＶＳＡＴ ＶＴＪ （ｂ）■Ｎ０ＩＩ
−３ＥＬＥＣＴ ”Ｖ“ＯＮ ＶＯＦＦ−ＶＴＩＩ＋（
ＶＳＡＴ−ＶＴＲ＞ＶＳＥＬＥＣＴ＝ −ＫＶ ’ ０
Ｎ−ＶＯＮ −（ＶＳＡＴ ＋ＶＴＲ） （ｄ）■、６
Ｌ、。１及びＮ０Ｎ−ＳＥＬＥ。１は駆動点１６におけ
る制御電圧である。） これらの基準はつぎのように確かめることができる。前
記文献” Ｓ ｔ Ｄ ８４ 、 Ｄｉｇｅｓｔ”に記
載されている方法により駆動する場合には画素の選択時
に点１５ニおける電圧がＶｃ ” （ＶＳＡＴ ＋
ＶＴＨ） ｌ：達すようにしなければならない。行電極
１１における情報に応じて、画像電極により構成される
キャパ／タンスがＶＣ＋ｖＤＭＡＸ ” ＶＳＡＴ又ハ
Ｖｃ ＶｎＭＡｘ ＝ ＶｒＨニ充電される場合に満足
な作動が行われる。この関係からＶ。を除去すると、 １ Ｖｎ ｌ ｘＡｘ ＝ （ＶＳＡＴ −ＶＴＩ
（＞ （ｂ）の関係式が得られる。他の画素の選択時
には列電極１１に−ＶＤＩＩ。×と＋ＶＤＭＡＸ との
間の電圧が発生し得る。
照）。即ち、 ２（ＶＳＡＴ ＶＴＩ（）−ＫＶ ’ ｏｐｐ ＋ ２
Ｖｏｐｐ Ｖ ’ＯＮ （ａ）１ Ｖｏ ｌ ｙＡｘ
＝ （ＶＳＡＴ ＶＴＪ （ｂ）■Ｎ０ＩＩ
−３ＥＬＥＣＴ ”Ｖ“ＯＮ ＶＯＦＦ−ＶＴＩＩ＋（
ＶＳＡＴ−ＶＴＲ＞ＶＳＥＬＥＣＴ＝ −ＫＶ ’ ０
Ｎ−ＶＯＮ −（ＶＳＡＴ ＋ＶＴＲ） （ｄ）■、６
Ｌ、。１及びＮ０Ｎ−ＳＥＬＥ。１は駆動点１６におけ
る制御電圧である。） これらの基準はつぎのように確かめることができる。前
記文献” Ｓ ｔ Ｄ ８４ 、 Ｄｉｇｅｓｔ”に記
載されている方法により駆動する場合には画素の選択時
に点１５ニおける電圧がＶｃ ” （ＶＳＡＴ ＋
ＶＴＨ） ｌ：達すようにしなければならない。行電極
１１における情報に応じて、画像電極により構成される
キャパ／タンスがＶＣ＋ｖＤＭＡＸ ” ＶＳＡＴ又ハ
Ｖｃ ＶｎＭＡｘ ＝ ＶｒＨニ充電される場合に満足
な作動が行われる。この関係からＶ。を除去すると、 １ Ｖｎ ｌ ｘＡｘ ＝ （ＶＳＡＴ −ＶＴＩ
（＞ （ｂ）の関係式が得られる。他の画素の選択時
には列電極１１に−ＶＤＩＩ。×と＋ＶＤＭＡＸ との
間の電圧が発生し得る。
この場合、接続点１５における最大及び最小電圧は容量
性結合を経てＶＭＡＸ ” Ｖｌ）ＭＡＸ−ＶＴＨ及び
ＶＡＩＮ ”ＶＤＭＡＸ−ｖＳＡＴ となる。画素が選
択されない場合には、接続点１５はそれぞれ充放電され
なくなり、換言するに接続点１５の電圧はそれぞれ、Ｎ
０ＮＳＥＬ−Ｋ Ｖ ’ ０ＦＦ−，１８及びＶＮＯＮ
ＳＥＬ Ｖ ’ｏｙ＋ ＶＯＦＦ−ＶＭＡＸ （１
）となる。これにより、 ＫＶ’０ＦＦＶ″ＯＮ＋２ＶｏＦＦ ”Ｖ）ｌＡＸ−Ｖ
）ｌｔＮ ”２ＶＤＭＡＸ＋（ＶＳＡ□−Ｖ Ｔ Ｉ＋
） 又は、２（ＶＳＡＴ ＶＴＩ＋）＝ ＫＶ
’ ＯＦＦ＋２Ｖ ｏｐｐ−Ｖ″。、 （ａ）となる
。式（１）から（ＶＭＡＸ ＝ ＶＤＩＩＡＸ−ＶＴＩ
＋（７）場合）、となり、また画素が選択される場合に
、電圧ＶＳＥＬ” ＫＶ ’ａｓ ＋Ｖｏ、Ｉは少なく
ともＶＳＡＴ −ＶＣに等しく・（ＶＳＡＴ ＋ＩｔＨ
） →ＶＳＥＬ ” −ＫＶ ’ＯＮ ＝■ ＶＯｑ（Ｖｓａｔ ＪＴＩ＋） （ｄ）
とする必要がある。
性結合を経てＶＭＡＸ ” Ｖｌ）ＭＡＸ−ＶＴＨ及び
ＶＡＩＮ ”ＶＤＭＡＸ−ｖＳＡＴ となる。画素が選
択されない場合には、接続点１５はそれぞれ充放電され
なくなり、換言するに接続点１５の電圧はそれぞれ、Ｎ
０ＮＳＥＬ−Ｋ Ｖ ’ ０ＦＦ−，１８及びＶＮＯＮ
ＳＥＬ Ｖ ’ｏｙ＋ ＶＯＦＦ−ＶＭＡＸ （１
）となる。これにより、 ＫＶ’０ＦＦＶ″ＯＮ＋２ＶｏＦＦ ”Ｖ）ｌＡＸ−Ｖ
）ｌｔＮ ”２ＶＤＭＡＸ＋（ＶＳＡ□−Ｖ Ｔ Ｉ＋
） 又は、２（ＶＳＡＴ ＶＴＩ＋）＝ ＫＶ
’ ＯＦＦ＋２Ｖ ｏｐｐ−Ｖ″。、 （ａ）となる
。式（１）から（ＶＭＡＸ ＝ ＶＤＩＩＡＸ−ＶＴＩ
＋（７）場合）、となり、また画素が選択される場合に
、電圧ＶＳＥＬ” ＫＶ ’ａｓ ＋Ｖｏ、Ｉは少なく
ともＶＳＡＴ −ＶＣに等しく・（ＶＳＡＴ ＋ＩｔＨ
） →ＶＳＥＬ ” −ＫＶ ’ＯＮ ＝■ ＶＯｑ（Ｖｓａｔ ＪＴＩ＋） （ｄ）
とする必要がある。
第５図は画素１２に関連するキャパシタンスの充電電流
及び放電電流が同じ電流通路、即ちに個直列に配置した
ダイオード１４（この場合にはに＝３）を部分的に流れ
るようにした例を示す。前述した第４図の場合と同様に
、この例の場合にもつぎのような規準が成立することを
導出することができる。即ち、２（ＶＳＡＴ ＶＴＨ）
＝ＫＶ ’ ＯＦＦ ＋２ＶＯＦＦ （ｅ）（°）
１ １ Ｖｏ ｌ ＫＡＸ −（ＶＳＡＴ ＶＴＩ＋）
（ｆ）ＶＮＯＮＳＥＬ ＝Ｖ ’ＯＮ ＶＯＦＦ
ＶＴＨ＋ （ＶＳＡＴ−ＶＴＩ＋） （ｇ）
Ｖｃ ” （ＶＳＡＴ ” Ｖ ＴＨ）を受電する
と共にＶｃ ” Ｖ ＤＩＩＡＸ ＝ ＶＳＡＴ及びｖ
。−〜’ ＤＭＡＸ ＝ Ｖ７Ｈも満足させる必要があ
る。この場合、接続点１５に対しては再び ＶｘＸｕ ＝ −ＶｆｌｘＡｘ ＶＳＡＴ 及びＶ
ＭＡＸ ＝ ＶＯｌＴＡＸ −ＶＴ）Ｉが成立する。
及び放電電流が同じ電流通路、即ちに個直列に配置した
ダイオード１４（この場合にはに＝３）を部分的に流れ
るようにした例を示す。前述した第４図の場合と同様に
、この例の場合にもつぎのような規準が成立することを
導出することができる。即ち、２（ＶＳＡＴ ＶＴＨ）
＝ＫＶ ’ ＯＦＦ ＋２ＶＯＦＦ （ｅ）（°）
１ １ Ｖｏ ｌ ＫＡＸ −（ＶＳＡＴ ＶＴＩ＋）
（ｆ）ＶＮＯＮＳＥＬ ＝Ｖ ’ＯＮ ＶＯＦＦ
ＶＴＨ＋ （ＶＳＡＴ−ＶＴＩ＋） （ｇ）
Ｖｃ ” （ＶＳＡＴ ” Ｖ ＴＨ）を受電する
と共にＶｃ ” Ｖ ＤＩＩＡＸ ＝ ＶＳＡＴ及びｖ
。−〜’ ＤＭＡＸ ＝ Ｖ７Ｈも満足させる必要があ
る。この場合、接続点１５に対しては再び ＶｘＸｕ ＝ −ＶｆｌｘＡｘ ＶＳＡＴ 及びＶ
ＭＡＸ ＝ ＶＯｌＴＡＸ −ＶＴ）Ｉが成立する。
画素が選択されない非選択の場合には、斯かる接続点１
５は依然充電も、放電もされないため、その接続点の電
位はつぎのようになる。即ち、ＶＮＯ）ＩＳＥＬ −Ｖ
’ＯＮ ＋ Ｖｏｐｐ ＝ ＶＭＡＸＶＮＯＮＳＥＬ
Ｖ ’ＯＮ −ＫＶ ’ ｏｐｐ −ＶＯＦＰ ＝
ｖ１４＋ｓこれｊこより、 ＫＶ ’ ＯＦＦ ＋２ＶＯＦＦ ＝ ＶＭＡＸ−ＶＩ
ＩＩＮ ＝ ２ＶＤ１１ＡＸ”（ＶＳＡＴ−ＶＴＨまた
は、 ２（ＶＳＡＴ−ＶＴＨ） ＝ ＫＶ ’ ＯＦＦ ＋２
ＶＯＦＦ （ｅ）となる。上式（ｎ、 ＜ｇ：＞及び
（ｈ）は前記基準式（ｂ）、 （Ｃ）及びｃｄ）と同
様にして導出することができる。
５は依然充電も、放電もされないため、その接続点の電
位はつぎのようになる。即ち、ＶＮＯ）ＩＳＥＬ −Ｖ
’ＯＮ ＋ Ｖｏｐｐ ＝ ＶＭＡＸＶＮＯＮＳＥＬ
Ｖ ’ＯＮ −ＫＶ ’ ｏｐｐ −ＶＯＦＰ ＝
ｖ１４＋ｓこれｊこより、 ＫＶ ’ ＯＦＦ ＋２ＶＯＦＦ ＝ ＶＭＡＸ−ＶＩ
ＩＩＮ ＝ ２ＶＤ１１ＡＸ”（ＶＳＡＴ−ＶＴＨまた
は、 ２（ＶＳＡＴ−ＶＴＨ） ＝ ＫＶ ’ ＯＦＦ ＋２
ＶＯＦＦ （ｅ）となる。上式（ｎ、 ＜ｇ：＞及び
（ｈ）は前記基準式（ｂ）、 （Ｃ）及びｃｄ）と同
様にして導出することができる。
このようにして周辺電気回路におけるダイオードの１ｌ
ｉｉｉｔ数は著しく低減させることができ、本例の場合
、画素間の制御電圧の範囲を実際上同じ範囲１こ維持し
て、グイオートの個数を第４図の構成の場合）こ較べて
ほぼ半分に減らすことができる。
ｉｉｉｔ数は著しく低減させることができ、本例の場合
、画素間の制御電圧の範囲を実際上同じ範囲１こ維持し
て、グイオートの個数を第４図の構成の場合）こ較べて
ほぼ半分に減らすことができる。
第６図ＨｉｌりＩ（えば酸（ヒスズインシウム・洩の画
像電極６の一例を示す平面図である。この画像電極は線
図的に図示したダイオード９″、 ９ｂを介してアルミ
ニウム製の行電極８ａ、８ｂ に接続する。ダイオード
Ｑａ 、 ９ｂ は例えばアモルファスシリコン製とし
、このシリコンの上側及び下側を電＋Ｍ８ａ、 ８ｂに
より（場合によっては中間−を介することもできる）接
続して、画像電極６に対して所望な極性が寿られるよう
にする。信頼性を向上させるために、画像電極６を幾つ
ものサブ電極に細分割して、） これらのサブ電極を別
々のダイオード９’ 、 ９ｂを介して行電極８” 、
８ｂに接続するようにするか、又は追加のダイオード
９” 、 ９ｂを設けるようにすることができることは
勿論である。
像電極６の一例を示す平面図である。この画像電極は線
図的に図示したダイオード９″、 ９ｂを介してアルミ
ニウム製の行電極８ａ、８ｂ に接続する。ダイオード
Ｑａ 、 ９ｂ は例えばアモルファスシリコン製とし
、このシリコンの上側及び下側を電＋Ｍ８ａ、 ８ｂに
より（場合によっては中間−を介することもできる）接
続して、画像電極６に対して所望な極性が寿られるよう
にする。信頼性を向上させるために、画像電極６を幾つ
ものサブ電極に細分割して、） これらのサブ電極を別
々のダイオード９’ 、 ９ｂを介して行電極８” 、
８ｂに接続するようにするか、又は追加のダイオード
９” 、 ９ｂを設けるようにすることができることは
勿論である。
本発明は上述した例のみに限定されるものではなく、幾
多の変更を加え得ること勿論である。例えば、第４及び
５図の構成では作動の信頼度を向上させるためにダイオ
ード１７に並列に複数個のダイオードを接続することが
できる。このような並列配置によっても単方向性の非線
形スイッチング素子は満足に限能する。さらに、第４図
の配置では１個のダイオード１７の代わりに２個のダイ
オードを直列に接続することができ、またダイオード１
４の回路への共通接続点を所要に応じそれに逆並列に接
続されるダイオード１４の回路における成る点に接続す
ることができる。さらに、例えば第５図のダイオード１
４の回路は二重構成とすることもできる。上述したよう
なスイッチングマトリックスは液晶表示装置以外に、例
えば電気泳動及び工レフトロクロミック表示媒体の如き
他の表示媒体に用いることもできる。
多の変更を加え得ること勿論である。例えば、第４及び
５図の構成では作動の信頼度を向上させるためにダイオ
ード１７に並列に複数個のダイオードを接続することが
できる。このような並列配置によっても単方向性の非線
形スイッチング素子は満足に限能する。さらに、第４図
の配置では１個のダイオード１７の代わりに２個のダイ
オードを直列に接続することができ、またダイオード１
４の回路への共通接続点を所要に応じそれに逆並列に接
続されるダイオード１４の回路における成る点に接続す
ることができる。さらに、例えば第５図のダイオード１
４の回路は二重構成とすることもできる。上述したよう
なスイッチングマトリックスは液晶表示装置以外に、例
えば電気泳動及び工レフトロクロミック表示媒体の如き
他の表示媒体に用いることもできる。
第１図は本発明に開運するタイプの表示装置の一部分を
示す断面図； 第２図は第１図のような表示装置における表示セルの透
過率／電圧特性図； 第３図は本発明による表示装置の制御部の一部を示す回
路図； 第４図は３図の変形例を示す回路図； 第５図は本発明による表示装置の他の例の制御部の一部
を示す回路図； 第６図は電極構造の一部を示す平面図である。 １・・・表示装置 ２，３・・・支持板４・・
・液晶 ５・・・絶縁層６．７・・・画像
電極 ８ａ、８ｂ・・・行電極９ａ、９ｂ・・・非
線形スイッチング素子（ダイオード）１０・・・液晶配
向層 １１・・・列電極１２・・・画素
１３・・・行電極制御ライン１４、１４ａ、 １
４ｂ、 １７・・・非線形スイッチング素子１５、１６
・・・共通接続点 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン Ｃつ Ｃ５ ｔ
示す断面図； 第２図は第１図のような表示装置における表示セルの透
過率／電圧特性図； 第３図は本発明による表示装置の制御部の一部を示す回
路図； 第４図は３図の変形例を示す回路図； 第５図は本発明による表示装置の他の例の制御部の一部
を示す回路図； 第６図は電極構造の一部を示す平面図である。 １・・・表示装置 ２，３・・・支持板４・・
・液晶 ５・・・絶縁層６．７・・・画像
電極 ８ａ、８ｂ・・・行電極９ａ、９ｂ・・・非
線形スイッチング素子（ダイオード）１０・・・液晶配
向層 １１・・・列電極１２・・・画素
１３・・・行電極制御ライン１４、１４ａ、 １
４ｂ、 １７・・・非線形スイッチング素子１５、１６
・・・共通接続点 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン Ｃつ Ｃ５ ｔ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２つの支持板間に介挿される電気光学表示媒体と、
行列配置される画素系にあって、各画素が互いに対向し
て前記支持板の表面上に設けられる２つの画像電極によ
って構成される画素系と、行電極が前記支持板の一方に
設けられ、かつ列電極が前記支持板の他方に設けられる
画素駆動用の行列電極系と、スイッチング素子系とを具
え、少なくとも１個の第１非対称非線形スイッチング素
子を第１行電極と列電極との間にて各画素に直列に配置
し、かつ少なくとも１個の追加の非対称非線形スイッチ
ング素子を第１行電極と第２行電極との間にて前記第１
非対称非線形スイッチング素子に直列に配置し、前記追
加のスイッチング素子を画素と第２行電極との間に前記
第１非対称非線形スイッチング素子と同じ方向に接続し
た表示装置において、前記第１行電極を前記第１非対称
非線形スイッチング素子に直列に同一極性で接続した第
１個数の非対称非線形スイッチング素子を介して共通点
に接続すると共に、前記第２行電極を前記追加の非対称
非線形スイッチング素子に直列に同一極性で接続した第
２個数の非対称非線形スイッチング素子を介して前記共
通点に接続したことを特徴とする表示装置。 ２、前記非対称非線形スイッチング素子の第１個数を前
記非対称非線形スイッチング素子の第２個数と等しくし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の表示
装置。 ３、前記第１及び第２個数の非対称非線形スイッチング
素子の双方にそれぞれ少なくとも１個の非対称非線形ス
イッチング素子を逆極性で並列に接続したことを特徴と
する特許請求の範囲第１又は２項のいずれか一項に記載
の表示装置。 ４、２つの支持板間に介挿される電気光学表示媒体と、
行列配置される画素系にあって、各画素が互いに対向し
て前記支持板の表面上に設けられる２つの画像電極によ
って構成される画素系と、行電極が前記支持板の一方に
設けられ、かつ列電極が前記支持板の他方に設けられる
画素駆動用の行列電極系と、スイッチング素子系とを具
え、少なくとも１個の第１非対称非線形スイッチング素
子を第１行電極と列電極との間にて各画素に直列に配置
し、かつ少なくとも１個の追加の非対称非線形スイッチ
ング素子を第１行電極と第２行電極との間にて前記第１
非対称非線形スイッチング素子に直列に配置し、前記追
加のスイッチング素子を画素と第２行電極との間に前記
第１非対称非線形スイッチング素子と同じ方向に接続し
た表示装置において、前記各行電極を少なくとも１個の
反対極性の非対称非線形スイッチング素子を介して共通
接続点に接続すると共に、各々同一極性に配置した第３
個数の非対称非線形スイッチング素子から成る少なくと
も１つの直列回路を前記第１と追加の非対称非線形スイ
ッチング素子との直列回路に反対極性で逆並列に接続し
たことを特徴とする表示装置。 ５、前記電気光学表示媒体を液晶としたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１、２、３又は４項のいずれか一項
に記載の表示装置。 ６、前記電気光学表示媒体を電気泳動懸濁液としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１、２、３又は４項のい
ずれか一項に記載の表示装置。 ７、前記電気光学表示媒体を電気クロム材料としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１、２、３又は４項のい
ずれか一項に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8502662 | 1985-09-30 | ||
| NL8502662A NL8502662A (nl) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Weergeefinrichting met verbeterde aansturing. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290694A true JPS6290694A (ja) | 1987-04-25 |
| JPH0731484B2 JPH0731484B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=19846640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61233125A Expired - Lifetime JPH0731484B2 (ja) | 1985-09-30 | 1986-09-30 | 表示装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4794385A (ja) |
| EP (1) | EP0217469B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0731484B2 (ja) |
| KR (1) | KR940005236B1 (ja) |
| CA (1) | CA1273138A (ja) |
| DE (1) | DE3676614D1 (ja) |
| NL (1) | NL8502662A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3871622T2 (de) * | 1987-06-18 | 1993-01-21 | Philips Nv | Wiedergabeanordnung und verfahren zum steuern einer derartigen wiedergabeanordnung. |
| NL8701420A (nl) * | 1987-06-18 | 1989-01-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting en werkwijze voor het besturen van een dergelijke weergeefinrichting. |
| EP0296663B1 (en) * | 1987-06-18 | 1994-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device |
| GB2215506A (en) * | 1988-02-24 | 1989-09-20 | Philips Electronic Associated | Matrix display devices |
| GB2219682A (en) * | 1988-06-10 | 1989-12-13 | Philips Electronic Associated | Matrix display device |
| NL8802155A (nl) * | 1988-09-01 | 1990-04-02 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| NL8802436A (nl) * | 1988-10-05 | 1990-05-01 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het besturen van een weergeefinrichting. |
| NL8802997A (nl) * | 1988-12-07 | 1990-07-02 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| NL8902922A (nl) * | 1989-11-27 | 1991-06-17 | Philips Nv | Actieve weergeefinrichting. |
| DE69106302T2 (de) * | 1990-10-05 | 1995-05-18 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren und Einrichtung zum Steuern eines Flüssigkristallanzeigegeräts. |
| US5483085A (en) * | 1994-05-09 | 1996-01-09 | Motorola, Inc. | Electro-optic integrated circuit with diode decoder |
| WO2006085241A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix display devices |
| CN101379541A (zh) * | 2005-11-16 | 2009-03-04 | 聚合物视象有限公司 | 用于寻址具有基于铁电薄膜晶体管的像素的有源矩阵显示器的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3654606A (en) * | 1969-11-06 | 1972-04-04 | Rca Corp | Alternating voltage excitation of liquid crystal display matrix |
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