JPS6289254A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS6289254A JPS6289254A JP22888385A JP22888385A JPS6289254A JP S6289254 A JPS6289254 A JP S6289254A JP 22888385 A JP22888385 A JP 22888385A JP 22888385 A JP22888385 A JP 22888385A JP S6289254 A JPS6289254 A JP S6289254A
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- binary
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、光磁気メモリー、光磁気記録表示素子など
に利用される光磁気記録媒体に関するものである。
に利用される光磁気記録媒体に関するものである。
「従来技術」
光磁気メモリーや光磁気記録表示素子とじて膜面と垂直
方向に磁化容易軸を有し、円形酸は任意の形状の反転磁
区を作成することにより情報を記録し、磁気カー効果な
どの磁気光学効果を利用して記録された情報を読み出す
薄膜状の光磁気記録媒体が使用されている。
方向に磁化容易軸を有し、円形酸は任意の形状の反転磁
区を作成することにより情報を記録し、磁気カー効果な
どの磁気光学効果を利用して記録された情報を読み出す
薄膜状の光磁気記録媒体が使用されている。
一般に磁化容易軸が膜面と垂直な方向に存在する強磁性
薄膜においては、例えばレーザー等の光ビームを照射す
ることにより、Ｓ極あるいはＮ極に一様に磁化された膜
面内の一様磁化極性と、逆向きの磁極をもつ小さな反転
磁区を照射領域内に作成することができる。この反転磁
区の有無を「１ｊ、ｒｏＪに対応させて情報を記録する
ことによう、このような強磁性薄膜を高密度の磁気記録
媒体として使用することができる。このように記録され
た情報は磁気光学効果を利用して読み出すことが可能で
ある。
薄膜においては、例えばレーザー等の光ビームを照射す
ることにより、Ｓ極あるいはＮ極に一様に磁化された膜
面内の一様磁化極性と、逆向きの磁極をもつ小さな反転
磁区を照射領域内に作成することができる。この反転磁
区の有無を「１ｊ、ｒｏＪに対応させて情報を記録する
ことによう、このような強磁性薄膜を高密度の磁気記録
媒体として使用することができる。このように記録され
た情報は磁気光学効果を利用して読み出すことが可能で
ある。
このような強磁性薄膜のうち、室温下において大きな保
磁力を有し、かつキュリ一温度又は、磁気的補償温度が
比較的室温に近い薄膜は、キュリ一温度又は、磁気的補
償温度を利用して光ビームにより任意の位置に反転磁区
を作ることによって、情報を記録させることができるた
めビームアドレッサブルファイルとして使用されている
。 ゛ 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、高密度の磁気記
録が可能であってビームアドレッサブルファイルとして
使用可能な強磁性薄膜としては、従来ＭｎＢ ｉに代表
される多結晶金属薄膜やＧｄ−Ｔｂ−？ｅ、 Ｄｙ−Ｆ
ｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の多元系非晶
質金属薄膜或はＧＩＧに代表される化合物単結晶薄膜が
使用されている。これらビームアドレッサブルファイル
として使用可能な強磁性薄膜はそれぞれ以下に述べるよ
うな利点及び欠点を有している。
磁力を有し、かつキュリ一温度又は、磁気的補償温度が
比較的室温に近い薄膜は、キュリ一温度又は、磁気的補
償温度を利用して光ビームにより任意の位置に反転磁区
を作ることによって、情報を記録させることができるた
めビームアドレッサブルファイルとして使用されている
。 ゛ 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、高密度の磁気記
録が可能であってビームアドレッサブルファイルとして
使用可能な強磁性薄膜としては、従来ＭｎＢ ｉに代表
される多結晶金属薄膜やＧｄ−Ｔｂ−？ｅ、 Ｄｙ−Ｆ
ｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の多元系非晶
質金属薄膜或はＧＩＧに代表される化合物単結晶薄膜が
使用されている。これらビームアドレッサブルファイル
として使用可能な強磁性薄膜はそれぞれ以下に述べるよ
うな利点及び欠点を有している。
即ちＭｎＢ１に代表される多結晶金属薄膜は、キュリ一
温度を利用して書き込みが行なわれ、数ＫＯｅという大
きな保磁力を有している点では磁気記録媒体として優れ
ている。
温度を利用して書き込みが行なわれ、数ＫＯｅという大
きな保磁力を有している点では磁気記録媒体として優れ
ている。
しかし、例えばＭｎＢ１でＴｃ ＝ ３６０℃というよ
うにキュリ一温度が高いために、書き込みに大きなエネ
ルギーが必要であるという欠点を有する。又多結晶体で
あるために、化学量論的条件を満足するような組成の薄
膜を作成する必要があり、その製造が技術的に難かしい
という欠点を有している。
うにキュリ一温度が高いために、書き込みに大きなエネ
ルギーが必要であるという欠点を有する。又多結晶体で
あるために、化学量論的条件を満足するような組成の薄
膜を作成する必要があり、その製造が技術的に難かしい
という欠点を有している。
又、ＧＩＧに代表される化合物単結晶の薄膜はキュリ一
温度が高くて書き込みに大きなエネルギーを必要とする
と共に、素材的或は製造技術上で他のものに比して大幅
に製造費用が増大するという難点がある。
温度が高くて書き込みに大きなエネルギーを必要とする
と共に、素材的或は製造技術上で他のものに比して大幅
に製造費用が増大するという難点がある。
これらの多結晶金属薄膜、或は化合物単結晶薄膜の光磁
気記録媒体としての特性上での諸難点を解決したものと
して、希土類−遷移金属非晶質薄膜が提案されている。
気記録媒体としての特性上での諸難点を解決したものと
して、希土類−遷移金属非晶質薄膜が提案されている。
この希土類−遷移金属非晶質薄膜としては、組成的には
Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃ。
Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃ。
などの多元系組成の非晶質薄膜が提案されている。これ
ら提案されている希土類−遷移金属非晶質薄膜は、キュ
リ一温度が６０℃〜２００℃と低いためにキュリ一温度
を利用して、書込みが可能であり、又室温条件下におい
て幅広い組成範囲にわたって数ＫＯｅという大きな保磁
力を有している。又記録媒体として使用するに際して組
成的に特別に高精度の製造条件下で非晶質薄膜を作成す
る必要がなく、製造技術が比較的容易であって製作上で
の少滴シもよくなる。
ら提案されている希土類−遷移金属非晶質薄膜は、キュ
リ一温度が６０℃〜２００℃と低いためにキュリ一温度
を利用して、書込みが可能であり、又室温条件下におい
て幅広い組成範囲にわたって数ＫＯｅという大きな保磁
力を有している。又記録媒体として使用するに際して組
成的に特別に高精度の製造条件下で非晶質薄膜を作成す
る必要がなく、製造技術が比較的容易であって製作上で
の少滴シもよくなる。
「発明の解決すべき問題点」
このように、希土類−遷移金属非晶質薄膜は、幅広い組
成範囲にわたって大きな保磁力を有し、キュリ一温度を
利用しての書込みが可能であシ、且つ製造技術が比較的
容易であって製作上の少滴りもよいという利点を有して
いる。
成範囲にわたって大きな保磁力を有し、キュリ一温度を
利用しての書込みが可能であシ、且つ製造技術が比較的
容易であって製作上の少滴りもよいという利点を有して
いる。
しかしこれらの希土類−遷移金属非晶質薄膜は特性上い
ずれも表面が腐蝕され易いという欠点があり、大気中に
長時間放置しておくと表面層が腐蝕され、組成的に変質
し易いという欠点がある。
ずれも表面が腐蝕され易いという欠点があり、大気中に
長時間放置しておくと表面層が腐蝕され、組成的に変質
し易いという欠点がある。
第３図に示すのは、従来提案されているこの種の希土類
−遷移金属非晶質薄膜に対して発明者等により行なわれ
た耐蝕性試験の結果を示す実測データである。この場合
被検体としては組成７５’ Ｔｂ０２５ ”ｅ０７５
＄−よび（ＴｂＯ８０ＤｙＯ２０）０２５Ｆｅ０７５で
表示され、直径５０欄のソーダ珪酸ガラス基板上にスパ
ッタ法により膜厚約ｘｏｏｏ、ｊに作成された希土類−
遷移金属非晶質薄膜を使用し、この金属非晶質薄膜を室
温下でＩ Ｎ ＮａＣ２溶液に浸漬する。種々の浸漬時
間でＮａＣ１溶液に対する浸漬を施した被検体をＮａＣ
Ｌ溶液から取り出し、この被検体に対して５ ｍＷのレ
ーザー光を照射し、被検体からの反射レーザー光の電力
を測定し、入射レーザー光に対する反射レーザー光の電
力比を反射率として測定する。
−遷移金属非晶質薄膜に対して発明者等により行なわれ
た耐蝕性試験の結果を示す実測データである。この場合
被検体としては組成７５’ Ｔｂ０２５ ”ｅ０７５
＄−よび（ＴｂＯ８０ＤｙＯ２０）０２５Ｆｅ０７５で
表示され、直径５０欄のソーダ珪酸ガラス基板上にスパ
ッタ法により膜厚約ｘｏｏｏ、ｊに作成された希土類−
遷移金属非晶質薄膜を使用し、この金属非晶質薄膜を室
温下でＩ Ｎ ＮａＣ２溶液に浸漬する。種々の浸漬時
間でＮａＣ１溶液に対する浸漬を施した被検体をＮａＣ
Ｌ溶液から取り出し、この被検体に対して５ ｍＷのレ
ーザー光を照射し、被検体からの反射レーザー光の電力
を測定し、入射レーザー光に対する反射レーザー光の電
力比を反射率として測定する。
第３図の横軸は、ＮａＣ６溶液内の被検体の浸漬時間で
あり、縦軸は前述のようにして得られた反射率であり、
被検体の耐蝕性の目安となる。
あり、縦軸は前述のようにして得られた反射率であり、
被検体の耐蝕性の目安となる。
第３図から明らかなように、例えば６０分の浸漬時間で
は反射率が浸漬がない場合の反射率５０％から３０係に
低下し、浸漬時間を１２０分とすると、反射率はほぼ１
０１１にも低下し、被検体に対する腐蝕がはなはだしい
ことが明確に示されている。
は反射率が浸漬がない場合の反射率５０％から３０係に
低下し、浸漬時間を１２０分とすると、反射率はほぼ１
０１１にも低下し、被検体に対する腐蝕がはなはだしい
ことが明確に示されている。
この発明の解決すべき間順点は、この種の希±１−遷移
金属非晶質薄膜において従来具備している利点をそのま
ま具備させ、且つ腐蝕され易いという本質的な欠点を如
何にして改善して高耐蝕性の非晶質薄膜を得るかという
ことである。
金属非晶質薄膜において従来具備している利点をそのま
ま具備させ、且つ腐蝕され易いという本質的な欠点を如
何にして改善して高耐蝕性の非晶質薄膜を得るかという
ことである。
「発明の構成」
この発明の光磁気記録媒体は膜面と垂直な方向に磁化容
易軸を有する非晶質合金薄膜よシなり、全組成中Ｔｔ）
とＤｙの二元組成体の原子比が１５〜４０原子幅を占め
、Ｃｒの原子比が２〜１０原子係を占め、且つ残部はＦ
ｅもしくはＦ’ｅとＣｏとの二元組成体より構成されて
いる。ＴｂとＤｙの二元組成体中のＤｙの原子比は５０
原子係以下でおり、残部がＦｅとＣｏとの二元組成体で
構成される場合には二元組成体中でのＣｏの原子比は５
０原子係以下となっている。
易軸を有する非晶質合金薄膜よシなり、全組成中Ｔｔ）
とＤｙの二元組成体の原子比が１５〜４０原子幅を占め
、Ｃｒの原子比が２〜１０原子係を占め、且つ残部はＦ
ｅもしくはＦ’ｅとＣｏとの二元組成体より構成されて
いる。ＴｂとＤｙの二元組成体中のＤｙの原子比は５０
原子係以下でおり、残部がＦｅとＣｏとの二元組成体で
構成される場合には二元組成体中でのＣｏの原子比は５
０原子係以下となっている。
「実施例」
以下、この発明の光磁気記録媒体を、その実施例に基づ
き製造法に従って、図面を利用して詳細に説明する。
き製造法に従って、図面を利用して詳細に説明する。
発明者等は従来提案されているＴｂ−Ｆｅ二元系非晶質
薄膜体及びＴｂ−Ｆｅ−Ｃ〇三元系非晶質薄膜体を基礎
にして、鋭意研究及び検討を行ないこれらの二元或は三
元系非晶質薄膜体に対して、Ｔｂの一部をＤｙで置換す
ることにより、性能指数へ・θＫ（Ｒ：反射率、θに：
力−回転角）を減少させずにキュリ一温度を下げ、記録
及び再生感度を向上させると同時に、Ｃｒを添加するこ
とにより、非晶質薄膜体の耐蝕性を大幅に増加させ得る
ことを見出したのである。
薄膜体及びＴｂ−Ｆｅ−Ｃ〇三元系非晶質薄膜体を基礎
にして、鋭意研究及び検討を行ないこれらの二元或は三
元系非晶質薄膜体に対して、Ｔｂの一部をＤｙで置換す
ることにより、性能指数へ・θＫ（Ｒ：反射率、θに：
力−回転角）を減少させずにキュリ一温度を下げ、記録
及び再生感度を向上させると同時に、Ｃｒを添加するこ
とにより、非晶質薄膜体の耐蝕性を大幅に増加させ得る
ことを見出したのである。
この発明においては、薄膜の作成に使用する基板として
は、例えばソーダガラス、石英、シリコン、ガーネット
、グラスチック基板などを使用することが出来る。
は、例えばソーダガラス、石英、シリコン、ガーネット
、グラスチック基板などを使用することが出来る。
実施例においては例えば厚さが０．３簡の石英基板或は
合成樹脂材の基板を使用し、この基板上に膜の組成に近
い組成のターゲットを用いて例えばスパッタリング法に
より薄膜状の光磁気記録媒体を作成する。作成雰囲気は
不活性気体としてアルゴンガスを使用した雰囲気とし、
雰囲気圧力を３〜８ Ｐａに保持する。
合成樹脂材の基板を使用し、この基板上に膜の組成に近
い組成のターゲットを用いて例えばスパッタリング法に
より薄膜状の光磁気記録媒体を作成する。作成雰囲気は
不活性気体としてアルゴンガスを使用した雰囲気とし、
雰囲気圧力を３〜８ Ｐａに保持する。
膜面と垂直な方向に磁化を有するに充分な磁気異方性を
持った薄膜を作成するためには、基板を水冷し基板温度
を下げておく必要がある。
持った薄膜を作成するためには、基板を水冷し基板温度
を下げておく必要がある。
このような雰囲気下で基板上に供給電力５０Ｗで膜厚１
０００λ程度に薄膜状の光磁気記録媒体を作成する。
０００λ程度に薄膜状の光磁気記録媒体を作成する。
このような雰囲気条件下で作成すると、イオン化された
原子の衝突が少なくなり基板温度を上昇させることなく
薄膜を作成することが出来る。
原子の衝突が少なくなり基板温度を上昇させることなく
薄膜を作成することが出来る。
この発明の光磁気記録媒体においては、Ｔｂ。
ＤｙＸＦａ、 ｃｏ及びＯｒをそれぞれ原子比表示でｘ
ｌｙ、ｚ、ｗを用いて表わし、光磁気記録媒体の全組成
が一般に（ＴｂＩ−ｙ Ｄｙｖ ） ｘ （Ｆｅｔ −
ｙｏｏｙ ） Ｉ−ｘ−ｚＣｒｚで表示される。この組
成式においてＹ＝Ｑの場合がＴｂ、 Ｄｙ及びＯｒ以外
の残部がＣｏを含まない一元組成体よりなる場合である
。このような一般の組成式において、この発明でその組
成上必要とされる条件はそれぞれの元素量を原子比で表
示した場合にそれぞれ０．１５≦Ｘ≦０．４０．０≦Ｙ
≦０．５０．０．０２ ≦Ｚ≦０．１０ 及びｏ＜ｗ
≦ｏ、ｓ。
ｌｙ、ｚ、ｗを用いて表わし、光磁気記録媒体の全組成
が一般に（ＴｂＩ−ｙ Ｄｙｖ ） ｘ （Ｆｅｔ −
ｙｏｏｙ ） Ｉ−ｘ−ｚＣｒｚで表示される。この組
成式においてＹ＝Ｑの場合がＴｂ、 Ｄｙ及びＯｒ以外
の残部がＣｏを含まない一元組成体よりなる場合である
。このような一般の組成式において、この発明でその組
成上必要とされる条件はそれぞれの元素量を原子比で表
示した場合にそれぞれ０．１５≦Ｘ≦０．４０．０≦Ｙ
≦０．５０．０．０２ ≦Ｚ≦０．１０ 及びｏ＜ｗ
≦ｏ、ｓ。
である。
一般に、希土類−鉄属非晶質膜においては、希土類元素
の組成比で定まる希土類元素による磁気モーメントと鉄
属元素の組成比で定まる鉄属元素による磁気モーメント
とが互に打消し合って全体としての飽和磁化Ｍｓが決定
される。従って、全組成中での希土類元素及び鉄属元素
の比率を設定することにより磁気異方性定数をＫｕとし
て、Ｋｕ）２πＭｌ／の垂直磁化条件を満足する飽和磁
化Ｍｓを得ることが出来、この垂直磁化条件を満足すれ
ば膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜を得
ることが出来る。
の組成比で定まる希土類元素による磁気モーメントと鉄
属元素の組成比で定まる鉄属元素による磁気モーメント
とが互に打消し合って全体としての飽和磁化Ｍｓが決定
される。従って、全組成中での希土類元素及び鉄属元素
の比率を設定することにより磁気異方性定数をＫｕとし
て、Ｋｕ）２πＭｌ／の垂直磁化条件を満足する飽和磁
化Ｍｓを得ることが出来、この垂直磁化条件を満足すれ
ば膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜を得
ることが出来る。
全組成が（ＴｂＩ −ｖ Ｄｙｗ ） ｘ （Ｆ’ｅ、
−、Ｃｏｙ ）ｔ−Ｘ−ＺＣｒＺで表示されるこの発
明の光磁気記録媒体中でのＴｂとＤｙの二元組成体の原
子比ＸをＸ ＜ ０．１５に設定すると、鉄属元素によ
るモーメントが大きくなり、又Ｘ ＞ ０．４に設定す
ると希土類元素による磁気モーメントが大きくなる。
−、Ｃｏｙ ）ｔ−Ｘ−ＺＣｒＺで表示されるこの発
明の光磁気記録媒体中でのＴｂとＤｙの二元組成体の原
子比ＸをＸ ＜ ０．１５に設定すると、鉄属元素によ
るモーメントが大きくなり、又Ｘ ＞ ０．４に設定す
ると希土類元素による磁気モーメントが大きくなる。
これらいずれの場合においても光磁気記録媒体の組成全
体の飽和磁化Ｍｓが大きくなってしまい、Ｋｕ）２πＭ
Ｂｔの垂直磁化条件を満足することが出来なくなる。従
ってこの発明においては希土類元素の原子比Ｘには、０
．１５≦Ｘ≦０．４０の条件が要求される。
体の飽和磁化Ｍｓが大きくなってしまい、Ｋｕ）２πＭ
Ｂｔの垂直磁化条件を満足することが出来なくなる。従
ってこの発明においては希土類元素の原子比Ｘには、０
．１５≦Ｘ≦０．４０の条件が要求される。
ＴｂとＤｙの二元組成体の中Ｄｙが５０原子壬を超える
と、キュリ一温度が低下し、それに伴いカー回転角も小
さくなってしまう。
と、キュリ一温度が低下し、それに伴いカー回転角も小
さくなってしまう。
一方Ｃｒの原子比２をＺ＜０．０２に設定すると後述す
るＣｒの添加効果を認めることが出来ず、逆にｚ＞ｏ、
ｉｏに設定すると耐蝕性の優れた光磁気記録媒体が得ら
れるが、垂直磁化条件を満足するものが得られ雌くなり
、数ＫＯｅの保磁力も得られなくなることがある。この
場合垂直磁化条件は満足出来てもカー回転角が小さくな
り過ぎてしまって所定の特性を得ることが出来ない。
るＣｒの添加効果を認めることが出来ず、逆にｚ＞ｏ、
ｉｏに設定すると耐蝕性の優れた光磁気記録媒体が得ら
れるが、垂直磁化条件を満足するものが得られ雌くなり
、数ＫＯｅの保磁力も得られなくなることがある。この
場合垂直磁化条件は満足出来てもカー回転角が小さくな
り過ぎてしまって所定の特性を得ることが出来ない。
従ってＣｒの原子比２に対して０．０２≦２≦０．１０
が要求される。
が要求される。
又一般に、キュリ一温度を利用して書き込みを行なう場
合には、キュリ一温度が高すぎると大きなレーザーパワ
ーが必要となって半導体レーザーを使用することが出来
なくなる。このため光磁気記録媒体のキュリ一温度は２
ｏｏ℃以下にする必要がある。
合には、キュリ一温度が高すぎると大きなレーザーパワ
ーが必要となって半導体レーザーを使用することが出来
なくなる。このため光磁気記録媒体のキュリ一温度は２
ｏｏ℃以下にする必要がある。
この発明の光磁気記録媒体において、Ｔｂ１Ｄｙ１０ｒ
以外の残部がＦｅとＣｏの二元組成の場合には、Ｃｏの
添加量が５０原子係を超えると、キュリ一温度が２００
℃を上廻り非常に書き込みにくい光磁気記録媒体となっ
てしまう。従って残部がＦｅとｃｏの二元組成の場合に
は残部中のｃｏの原子比ＹにはＯ≦Ｙ≦０．５０の条件
が必要とされる。
以外の残部がＦｅとＣｏの二元組成の場合には、Ｃｏの
添加量が５０原子係を超えると、キュリ一温度が２００
℃を上廻り非常に書き込みにくい光磁気記録媒体となっ
てしまう。従って残部がＦｅとｃｏの二元組成の場合に
は残部中のｃｏの原子比ＹにはＯ≦Ｙ≦０．５０の条件
が必要とされる。
「発明の効果」
この発明の光磁気記録媒体に対して発明者等が行なった
腐蝕性試験における耐蝕性の効果を示す実測データを第
１図及び第２図に示す。第１図及び第２図においてそれ
ぞれ横軸にはＩＮ Ｎａ０Ａ溶液内への被検体の浸漬時
間を示し、縦軸にはすでに定義して説明したレーザー光
の反射率が示されている。
腐蝕性試験における耐蝕性の効果を示す実測データを第
１図及び第２図に示す。第１図及び第２図においてそれ
ぞれ横軸にはＩＮ Ｎａ０Ａ溶液内への被検体の浸漬時
間を示し、縦軸にはすでに定義して説明したレーザー光
の反射率が示されている。
即ち、それぞれの横軸に示す浸漬時間だけ、室温下にお
いてＩＮＮａＣｔ溶液内に被検体を浸漬させた後におい
て、被検体をＮａ ＣＬ浴溶液ら取り出し、その被検体
に対して５ ｍＷのレーザー光を照射する。同時に被検
体からの反射レーザー光の電力を測定して反射レーザー
光の電力と照射レーザー光の電力の比から反射率を算定
し、この反射率が第１図及び第２図の縦軸に記録される
。第１図及び第２図においては、得られた反射率によっ
て被検体の耐蝕性の度合を判定することが出来る。
いてＩＮＮａＣｔ溶液内に被検体を浸漬させた後におい
て、被検体をＮａ ＣＬ浴溶液ら取り出し、その被検体
に対して５ ｍＷのレーザー光を照射する。同時に被検
体からの反射レーザー光の電力を測定して反射レーザー
光の電力と照射レーザー光の電力の比から反射率を算定
し、この反射率が第１図及び第２図の縦軸に記録される
。第１図及び第２図においては、得られた反射率によっ
て被検体の耐蝕性の度合を判定することが出来る。
第１図は全組成が（Ｔｂ０．８０ Ｄｙ０．２０ ）
０．２５ （Ｆｅ（Ｌ８５０００．１５）（Ｌ７１ Ｃ
ｒ０．０４で表示されるこの発明の光磁気記録媒体を被
検体として用いた場合で、被検体としては直径５０簡の
ソーダ珪酸ガラス基板上に約１ｏｏｏｚの厚みにスパッ
タ法で形成した薄膜を使用した。
０．２５ （Ｆｅ（Ｌ８５０００．１５）（Ｌ７１ Ｃ
ｒ０．０４で表示されるこの発明の光磁気記録媒体を被
検体として用いた場合で、被検体としては直径５０簡の
ソーダ珪酸ガラス基板上に約１ｏｏｏｚの厚みにスパッ
タ法で形成した薄膜を使用した。
ｖＪ１図に示す結果から明らかなように、Ｉ Ｎ Ｎａ
Ｃｔ溶液に浸漬する前の反射率４７％の状態から１２０
分間ＮａＣ２溶液に浸漬させた後でも反射率は３８％に
低下する程度であって、すでに説明した従来提案されて
いる非晶質薄膜で得られる第３図に示す結果に比較して
、耐蝕性が大幅に増加していることは明らかである。
Ｃｔ溶液に浸漬する前の反射率４７％の状態から１２０
分間ＮａＣ２溶液に浸漬させた後でも反射率は３８％に
低下する程度であって、すでに説明した従来提案されて
いる非晶質薄膜で得られる第３図に示す結果に比較して
、耐蝕性が大幅に増加していることは明らかである。
第２図に示したのは、全組成が（ＴｂＱ、７０ ＤｙＱ
、３０）Ｑ、２５Ｆｅα６８ Ｃｒ（１０７で表示され
るこの発明の光磁気記録媒体を被検体として使用した場
合であり、被検体形状は第１図の場合と同一である。
、３０）Ｑ、２５Ｆｅα６８ Ｃｒ（１０７で表示され
るこの発明の光磁気記録媒体を被検体として使用した場
合であり、被検体形状は第１図の場合と同一である。
この場合でも、Ｉ Ｎ Ｎａ０６溶液に浸漬する前の反
射率４７チから１２０分間ＮａＣ４溶液に浸漬させた状
態でも反射率が３２％に低下するだけであって、すでに
説明した第３図との対比において、その耐蝕性が大幅に
増大していることが確認される。
射率４７チから１２０分間ＮａＣ４溶液に浸漬させた状
態でも反射率が３２％に低下するだけであって、すでに
説明した第３図との対比において、その耐蝕性が大幅に
増大していることが確認される。
第１図及び第２図に示したように、この発明の光磁気記
録媒体において耐蝕性が従来のものに比して大幅に増大
しているのは、媒体の表面に耐蝕性の優れたクロムの酸
化層が形成される念めと考えられる。
録媒体において耐蝕性が従来のものに比して大幅に増大
しているのは、媒体の表面に耐蝕性の優れたクロムの酸
化層が形成される念めと考えられる。
第４図は・全組成が（Ｔｂ［１８０Ｄｙ０．２０）α２
５ （Ｆｏｏ、９５ＣｏｃＬ０５ ） ０．７１ Ｏｒ
ｏ、０４で表示されるこの発明の光磁気記録媒体に対し
て測定して得られ之カーヒステリシスルーズである。図
で横軸は磁界■であり縦軸はカー回転角θ工てあり、こ
の場合２０いは０．３２°となり、又カーヒステリシス
ループが角張った形状となっていて、磁界を零に戻した
点でほぼ飽和値を示し優れた光再生特性を有することが
明らかである。
５ （Ｆｏｏ、９５ＣｏｃＬ０５ ） ０．７１ Ｏｒ
ｏ、０４で表示されるこの発明の光磁気記録媒体に対し
て測定して得られ之カーヒステリシスルーズである。図
で横軸は磁界■であり縦軸はカー回転角θ工てあり、こ
の場合２０いは０．３２°となり、又カーヒステリシス
ループが角張った形状となっていて、磁界を零に戻した
点でほぼ飽和値を示し優れた光再生特性を有することが
明らかである。
第５図に示すカーヒステリ７スループは、従来提案され
、特にカーヒステリシスループ特性が優れている全組成
がＴｂα２５”［Ｌ７５で表示される非晶質薄膜に対し
ての同一の測定結果である。
、特にカーヒステリシスループ特性が優れている全組成
がＴｂα２５”［Ｌ７５で表示される非晶質薄膜に対し
ての同一の測定結果である。
第４図を第５図と比較して明らかなように、この発明の
光磁気記録媒体はカー回転角及び保磁力において極めて
優れた特性を有していることが明らかである。
光磁気記録媒体はカー回転角及び保磁力において極めて
優れた特性を有していることが明らかである。
この発明の光磁気記録媒体は、単独に単層の薄１宵とし
て使用するのみならず、すでに提案されているＴｂ−Ｆ
ｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｇａ−Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃ０系の非晶質薄膜に対してその表面を被うように二
層構造としたものとして使用することも可能である。
て使用するのみならず、すでに提案されているＴｂ−Ｆ
ｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｇａ−Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃ０系の非晶質薄膜に対してその表面を被うように二
層構造としたものとして使用することも可能である。
以上詳細に説明したように、この発明によると、膜面と
垂直方向に磁化容易軸を有し、室温下で大きな保磁力と
室温に近いキュリ一温度を具備し、さらにその製造条件
も厳しくなく製造が容易に行なわれ、且つ耐蝕性が極め
て優れた光磁気記録媒体を提供することが出来る。
垂直方向に磁化容易軸を有し、室温下で大きな保磁力と
室温に近いキュリ一温度を具備し、さらにその製造条件
も厳しくなく製造が容易に行なわれ、且つ耐蝕性が極め
て優れた光磁気記録媒体を提供することが出来る。
この発明の光磁気記録媒体は、光ビーム釘型磁気ヘッド
、熱ペン、電子ビームなどを用いて情報を書き込み、カ
ー効果を利用して書き込まれた情報を読み出し、所謂ビ
ームアドレッサブルファイルメモリ装置として使用して
、高密度記憶が可能であり、且つ長期間にわたって動作
特性が安定した長安定寿命特性を実現可能である。
、熱ペン、電子ビームなどを用いて情報を書き込み、カ
ー効果を利用して書き込まれた情報を読み出し、所謂ビ
ームアドレッサブルファイルメモリ装置として使用して
、高密度記憶が可能であり、且つ長期間にわたって動作
特性が安定した長安定寿命特性を実現可能である。
第１図及び第２図はそれぞれこの発明の光磁気記録媒体
の実施例の耐蝕性を示す特性曲線、第３図は従来提案さ
れている光磁気記録媒体の耐蝕性を示す特性曲線、第４
図は、この発明の実施例のカーヒステリシスループを示
す図、第５図は従来提案されている光磁気記録媒体のカ
ーヒステリシスルー１を示す図である。 Ｋｕ：磁気異方性定数、Ｍｅ：飽和磁化、Ｘ ： Ｔｂ
とＤｙの原子比、Ｙ ： Ｃｏの原子比、Ｚ ： Ｃ！
ｒの原子比、Ｗ：Ｄｙの原子比。 特 許 出 願 人 住友金属鉱山株式会社第１図 浸漬時開（今） 第２図 浸漬時間（公） 第３図 浸漬時間（分）
の実施例の耐蝕性を示す特性曲線、第３図は従来提案さ
れている光磁気記録媒体の耐蝕性を示す特性曲線、第４
図は、この発明の実施例のカーヒステリシスループを示
す図、第５図は従来提案されている光磁気記録媒体のカ
ーヒステリシスルー１を示す図である。 Ｋｕ：磁気異方性定数、Ｍｅ：飽和磁化、Ｘ ： Ｔｂ
とＤｙの原子比、Ｙ ： Ｃｏの原子比、Ｚ ： Ｃ！
ｒの原子比、Ｗ：Ｄｙの原子比。 特 許 出 願 人 住友金属鉱山株式会社第１図 浸漬時開（今） 第２図 浸漬時間（公） 第３図 浸漬時間（分）
Claims (1)
- 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
よりなり、全組成中ＴｂとＤｙの二元組成体の原子比が
１５〜４０原子％、Ｃｒの原子比が２〜１０原子％、残
部がＦｅもしくはＦｅとＣｏの二元組成体よりなり、前
記ＴｂとＤｙの二元組成体中のＤｙの原子比が５０原子
％以下であり、前記残部が二元組成体の場合には該二元
組成体中のＣｏの原子比が５０原子％以下であるような
組成を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22888385A JPS6289254A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22888385A JPS6289254A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289254A true JPS6289254A (ja) | 1987-04-23 |
Family
ID=16883352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22888385A Pending JPS6289254A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289254A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0314424A2 (en) * | 1987-10-26 | 1989-05-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magneto-optic recording medium |
| JPH06318346A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-11-15 | Gold Star Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP22888385A patent/JPS6289254A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0314424A2 (en) * | 1987-10-26 | 1989-05-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magneto-optic recording medium |
| US4950556A (en) * | 1987-10-26 | 1990-08-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magneto-optic recording medium |
| JPH06318346A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-11-15 | Gold Star Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
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