JPH0259603B2 - - Google Patents
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- JPH0259603B2 JPH0259603B2 JP7041883A JP7041883A JPH0259603B2 JP H0259603 B2 JPH0259603 B2 JP H0259603B2 JP 7041883 A JP7041883 A JP 7041883A JP 7041883 A JP7041883 A JP 7041883A JP H0259603 B2 JPH0259603 B2 JP H0259603B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、希土類元素と鉄族元素を主成分とす
る非晶質磁性薄膜を有し、膜面と垂直方向に磁化
容易方向を有する光磁気記録媒体に関するもので
ある。
る非晶質磁性薄膜を有し、膜面と垂直方向に磁化
容易方向を有する光磁気記録媒体に関するもので
ある。
従来から希土類元素とFe、Co、Niの鉄族元素
を主成分とする一部又は全部が非晶質磁性薄膜
は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有す。Ｓ極
あるいはＮ極に全面磁化された膜面の逆向きの小
さな（1μｍ径程度）スポツト状の反転磁化（ビ
ツト）を作ることが出来る。この反転磁区の有無
を「１」、「０」に対応することによつてデジタル
信号とした磁気メモリー媒体として用いることが
できる。このような磁性薄膜のうち室温に近いキ
ユーリー点（Tc）あるいは補償温度をもつ化合
物・合金は、レーザー光等の光又は熱的効果によ
つて任意の位置に任意の大きさ・形状の反転磁区
を作ることが出来る。これを利用することによつ
て情報を記録することが可能であり、デイスク、
テープ、シート状の光磁気メモリー媒体として利
用することが可能となりつつある。そして読み出
す方法として、磁気カー効果やフアラデー効果を
利用する方法が用いられている。
を主成分とする一部又は全部が非晶質磁性薄膜
は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有す。Ｓ極
あるいはＮ極に全面磁化された膜面の逆向きの小
さな（1μｍ径程度）スポツト状の反転磁化（ビ
ツト）を作ることが出来る。この反転磁区の有無
を「１」、「０」に対応することによつてデジタル
信号とした磁気メモリー媒体として用いることが
できる。このような磁性薄膜のうち室温に近いキ
ユーリー点（Tc）あるいは補償温度をもつ化合
物・合金は、レーザー光等の光又は熱的効果によ
つて任意の位置に任意の大きさ・形状の反転磁区
を作ることが出来る。これを利用することによつ
て情報を記録することが可能であり、デイスク、
テープ、シート状の光磁気メモリー媒体として利
用することが可能となりつつある。そして読み出
す方法として、磁気カー効果やフアラデー効果を
利用する方法が用いられている。
従来、公知である膜面と垂直な方向に磁化容易
軸を有し、かつ光ビームにより情報を書き込み、
読み出せる磁性膜合金としては、多結晶として
MnBi、MnCuBi、PtCo、CoCr、単結晶として
GdIG、TbFeO、YGaIG、BiSmErGaIG、そし
て非晶質としてGdCo、TbFe、DyFe、GdFeBi、
GdTbFe、TbDyFeがあるが、この中でも、非晶
質磁性膜合金が良い材料として知られている。
軸を有し、かつ光ビームにより情報を書き込み、
読み出せる磁性膜合金としては、多結晶として
MnBi、MnCuBi、PtCo、CoCr、単結晶として
GdIG、TbFeO、YGaIG、BiSmErGaIG、そし
て非晶質としてGdCo、TbFe、DyFe、GdFeBi、
GdTbFe、TbDyFeがあるが、この中でも、非晶
質磁性膜合金が良い材料として知られている。
しかし上述した非晶質磁性膜合金は、書込み感
度が良く、媒体ノイズが少なく、垂直磁気異方性
の大面積が安定に作業出来、又、磁気特性も適当
に良いが、読み出し性能（Ｓ／Ｎ比）に大きな影
響を与えるカー回転角（θk）が小さく、そのた
めにＳ／Ｎ比が小さくなり、光磁気記録媒体とし
て使用することは困難であるという欠点を有して
いる。
度が良く、媒体ノイズが少なく、垂直磁気異方性
の大面積が安定に作業出来、又、磁気特性も適当
に良いが、読み出し性能（Ｓ／Ｎ比）に大きな影
響を与えるカー回転角（θk）が小さく、そのた
めにＳ／Ｎ比が小さくなり、光磁気記録媒体とし
て使用することは困難であるという欠点を有して
いる。
本発明は、上記の従来の欠点を改良し、θkを
大きくし、Ｓ／Ｎ比が優れた光磁気記録媒体を提
供することにある。
大きくし、Ｓ／Ｎ比が優れた光磁気記録媒体を提
供することにある。
本発明の光磁気記録媒体は、膜面に垂直な大部
分に方向が磁化容易軸の磁気異方性を有するもの
であり、キユーリー点（Tc）および補償温度度
（Tcompt）が室温に近く50℃〜200℃を有する大
部分が非晶質状態の薄膜である。
分に方向が磁化容易軸の磁気異方性を有するもの
であり、キユーリー点（Tc）および補償温度度
（Tcompt）が室温に近く50℃〜200℃を有する大
部分が非晶質状態の薄膜である。
そして従来から希土類元素（Ｒ）のGd、Tb、
Dy、Fe、Coの上記非晶質合金は、光磁気効果、
Tc、Tcomptが比較的良いことから、光磁気記
録媒体として注目され、研究が進められている。
しかし、より優れた記録媒体とするにはθkを大
きくする必要がある。θkを大きくすることによ
り読出し性能（Ｓ／Ｎ比）が良くなるからであ
る。つまりθkが大きく、しかもTc、Tcompt、
磁気特性は従来の媒体と変らないか又は、より優
れた媒体が必要である。今までにもθkを大きく
するために、Cr、Ni、Bi、Cu、Ag、Au、Sn、
Co等の添加による改良が試みられている。
Dy、Fe、Coの上記非晶質合金は、光磁気効果、
Tc、Tcomptが比較的良いことから、光磁気記
録媒体として注目され、研究が進められている。
しかし、より優れた記録媒体とするにはθkを大
きくする必要がある。θkを大きくすることによ
り読出し性能（Ｓ／Ｎ比）が良くなるからであ
る。つまりθkが大きく、しかもTc、Tcompt、
磁気特性は従来の媒体と変らないか又は、より優
れた媒体が必要である。今までにもθkを大きく
するために、Cr、Ni、Bi、Cu、Ag、Au、Sn、
Co等の添加による改良が試みられている。
本発明では、従来の希土類元素と鉄族元素を主
成分とする非晶質合金に対して、添加元素（Ｍ）
を添加し、（RXT1-X）1-YMY（但し、ＲはGd、Tb、
Dyの元素一種又は二種以上、ＴはFe、Coの元素
一種又は二種、ＭはTh、Ｕの元素一種又は二種、
かつ、ｘは0.1≦ｘ≦0.4、ｙは0.01≦ｙ≦0.04）
の一般式で示される非晶質合金とすることによ
り、θkが大きくなり、しかもその他の特性であ
るTc、Tcomp、磁気特性等はほとんど悪くなら
ない光磁気記録媒体を達成するものである。
成分とする非晶質合金に対して、添加元素（Ｍ）
を添加し、（RXT1-X）1-YMY（但し、ＲはGd、Tb、
Dyの元素一種又は二種以上、ＴはFe、Coの元素
一種又は二種、ＭはTh、Ｕの元素一種又は二種、
かつ、ｘは0.1≦ｘ≦0.4、ｙは0.01≦ｙ≦0.04）
の一般式で示される非晶質合金とすることによ
り、θkが大きくなり、しかもその他の特性であ
るTc、Tcomp、磁気特性等はほとんど悪くなら
ない光磁気記録媒体を達成するものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
Ｒ（＝Gd、Tb、Dy）とＴ（＝Co、Fe）の非晶
質合金膜RXT1-Xは従来から0.1Ｘ0.4と広く知
られている通りである。（例えば、特願昭55−
30251、55−170239、55−37347、50−107107、51
−25534等）そしてこれらはTc、Tcomptが50℃
〜200℃であり、適当な磁気特性（Ms、Hc、
Ku）を有し、垂直な磁化容易軸を持つ媒体であ
る。そしてこれらはスパツター装置、真空蒸着装
置、イオンプレーテイング装置、その他の多くの
無電解メツキ法によつて作製される。一般にター
ゲツトは、溶融法、粉末凝固法、あるいはＲとＴ
の面積比による方法等で作製される。そして基板
にシリコンウエナー、ガラス、PMMA材質上に
50Å〜数μ程度の膜が形成される。発明者も同様
にして、Ｒ（＝Gd、Tb）とＴ（＝Fe、Co）とＭ
（＝Th、Ｕ）の非晶質合金膜（RXT1-X）1-YMYを
作製した。そしてθkをカー回転角測定器によつ
て測定した結果を第１図に示す。第１図において
はＲ＝Gd、Tb、Ｔ＝Co、Feの場合で、Ｘは0.1
Ｘ0.4の範囲ではいずれもほぼ左点のＹ＝０
でのθkの値である。そして、Ｍ＝Th、ＵでＹが
0.01Ｙ0.4の間では、Ｙ＝０でのθkの値より
増加しており、それ以上ではあまり効果が良くな
いようである。
質合金膜RXT1-Xは従来から0.1Ｘ0.4と広く知
られている通りである。（例えば、特願昭55−
30251、55−170239、55−37347、50−107107、51
−25534等）そしてこれらはTc、Tcomptが50℃
〜200℃であり、適当な磁気特性（Ms、Hc、
Ku）を有し、垂直な磁化容易軸を持つ媒体であ
る。そしてこれらはスパツター装置、真空蒸着装
置、イオンプレーテイング装置、その他の多くの
無電解メツキ法によつて作製される。一般にター
ゲツトは、溶融法、粉末凝固法、あるいはＲとＴ
の面積比による方法等で作製される。そして基板
にシリコンウエナー、ガラス、PMMA材質上に
50Å〜数μ程度の膜が形成される。発明者も同様
にして、Ｒ（＝Gd、Tb）とＴ（＝Fe、Co）とＭ
（＝Th、Ｕ）の非晶質合金膜（RXT1-X）1-YMYを
作製した。そしてθkをカー回転角測定器によつ
て測定した結果を第１図に示す。第１図において
はＲ＝Gd、Tb、Ｔ＝Co、Feの場合で、Ｘは0.1
Ｘ0.4の範囲ではいずれもほぼ左点のＹ＝０
でのθkの値である。そして、Ｍ＝Th、ＵでＹが
0.01Ｙ0.4の間では、Ｙ＝０でのθkの値より
増加しており、それ以上ではあまり効果が良くな
いようである。
この結果は、本発明の他のＲ、Ｔの元素につい
てもいずれも同様である。しかも従来の媒体に比
べ他の特性はほとんど変化が無いが、むしろ磁気
特性のHc等は良くなつていた。
てもいずれも同様である。しかも従来の媒体に比
べ他の特性はほとんど変化が無いが、むしろ磁気
特性のHc等は良くなつていた。
以上説明した本発明の光磁気記録媒体は、カー
効果又はフアラデー効果を利用して読出しを行な
う。ただし書込みは、レザー光等の光ビームを用
いてその光磁気効果を利用するものである。この
ように、ビーム・アドレツサブルメモリとして利
用できる書き換え可能なメモリーとなる。そして
θkが大きいためＳ／Ｎが優れ、フアイル、コン
ピユータ、オーデイオ、ビデオ用の書き換え可型
メモリーとして広く利用することが可能である。
そして書き込み、読出し、消去等がAr、He−
Neそして半導体レーザー（例えばGa・Al・As
等）によつて可能とすることができる。
効果又はフアラデー効果を利用して読出しを行な
う。ただし書込みは、レザー光等の光ビームを用
いてその光磁気効果を利用するものである。この
ように、ビーム・アドレツサブルメモリとして利
用できる書き換え可能なメモリーとなる。そして
θkが大きいためＳ／Ｎが優れ、フアイル、コン
ピユータ、オーデイオ、ビデオ用の書き換え可型
メモリーとして広く利用することが可能である。
そして書き込み、読出し、消去等がAr、He−
Neそして半導体レーザー（例えばGa・Al・As
等）によつて可能とすることができる。
図面は（RXT1-X）1-YMYにおいて、Ｒ＝Gd、
Tb、Ｔ＝Co、Fe、0.1Ｘ0.4の組成に、Ｍ＝
Th、Ｕを加えた時のカー回転角θkと原子比Ｙの
関係を示すグラフである。
Tb、Ｔ＝Co、Fe、0.1Ｘ0.4の組成に、Ｍ＝
Th、Ｕを加えた時のカー回転角θkと原子比Ｙの
関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 一般式（RXT1-X）1-YMYで示され、膜面に垂
直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金におい
て、ＲをGd、Tb、Dyの元素一種又は二種以上、
ＴをFe、Coの元素一種又は二種、ＭをTh、Ｕの
元素一種又は二種で構成し、かつ、ｘを0.1≦ｘ
≦0.4、ｙを0.01≦ｙ≦0.4とすることを特徴とす
る薄膜光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7041883A JPS59195809A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7041883A JPS59195809A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195809A JPS59195809A (ja) | 1984-11-07 |
| JPH0259603B2 true JPH0259603B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=13430902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7041883A Granted JPS59195809A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195809A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117436A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| CN103484797B (zh) * | 2013-08-26 | 2015-08-12 | 四川材料与工艺研究所 | 一种U-Pd-Ni-Si非晶合金及其制备方法 |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP7041883A patent/JPS59195809A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59195809A (ja) | 1984-11-07 |
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