JPS6287481A - 単結晶引上装置における溶湯初期位置設定方法 - Google Patents
単結晶引上装置における溶湯初期位置設定方法Info
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- JPS6287481A JPS6287481A JP22577285A JP22577285A JPS6287481A JP S6287481 A JPS6287481 A JP S6287481A JP 22577285 A JP22577285 A JP 22577285A JP 22577285 A JP22577285 A JP 22577285A JP S6287481 A JPS6287481 A JP S6287481A
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- melt
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、チョクラルスキー法による単結晶の製造過
程に用いて好適な単結晶引上装置における溶湯初期位置
設定方法に関する。
程に用いて好適な単結晶引上装置における溶湯初期位置
設定方法に関する。
「従来の技術」
第3図は、従来の単結晶引上装置の構成を示す断面図で
ある。第3図において、■は炉体であり、炉体l内のほ
ぼ中央部に石英ルツボ2が設けられている。この石英ル
ツボ2は黒鉛サセプタ3によって保持されており、黒鉛
サセプタ3の下端部は軸4の上端に所定の接合部材によ
って取り付けられている。この場合、軸4の下端部には
ルツボ回転モータおよびルツボ昇降モータの駆動力が伝
達されるようになっており、これにより、ルツボ2は所
定方向に回転し得るとともに、上下方向に昇降自在とな
っている。6.6は、ルツボ2内の溶湯(シリコン多結
晶溶湯)7の温度を制御するヒータであり、ルツボ2の
外方に所定距離隔てて設けられており、このヒータ6と
炉体1との間隙に保温材8が設けられている。
ある。第3図において、■は炉体であり、炉体l内のほ
ぼ中央部に石英ルツボ2が設けられている。この石英ル
ツボ2は黒鉛サセプタ3によって保持されており、黒鉛
サセプタ3の下端部は軸4の上端に所定の接合部材によ
って取り付けられている。この場合、軸4の下端部には
ルツボ回転モータおよびルツボ昇降モータの駆動力が伝
達されるようになっており、これにより、ルツボ2は所
定方向に回転し得るとともに、上下方向に昇降自在とな
っている。6.6は、ルツボ2内の溶湯(シリコン多結
晶溶湯)7の温度を制御するヒータであり、ルツボ2の
外方に所定距離隔てて設けられており、このヒータ6と
炉体1との間隙に保温材8が設けられている。
次に、10は炉体1の上端に接合されている中空円柱状
の上部ケーシングであり、この上部ケーシンクの上端部
分に引上ヘッド11が水平旋回自在に設けられている。
の上部ケーシングであり、この上部ケーシンクの上端部
分に引上ヘッド11が水平旋回自在に設けられている。
引上ヘッドII内には、ワイア引上機構(図示路)が設
けられており、このワイア引上機構からはワイアケーブ
ル13がルツボ2の回転中心に向って延びている。また
、ワイア引上機構には引上モータ15の駆動力が伝達さ
れるようになっており、引上モータ15の回転方向によ
って、ワイアケーブルI3の引き上げ、または、引き下
げを行うようになっている。また、引上ヘッド11は、
ヘッド回転モータ(図示路)の駆動力が伝達されると矢
印TG力方向回転するようになっている。
けられており、このワイア引上機構からはワイアケーブ
ル13がルツボ2の回転中心に向って延びている。また
、ワイア引上機構には引上モータ15の駆動力が伝達さ
れるようになっており、引上モータ15の回転方向によ
って、ワイアケーブルI3の引き上げ、または、引き下
げを行うようになっている。また、引上ヘッド11は、
ヘッド回転モータ(図示路)の駆動力が伝達されると矢
印TG力方向回転するようになっている。
次に、20はワイアケーブル13の下端に取り付けられ
ているシードホルダであり、図示のようにシード(単結
晶の種)21を保持するものである。
ているシードホルダであり、図示のようにシード(単結
晶の種)21を保持するものである。
上記構成において、シード21を溶湯7に浸漬させた後
に、ヘッド回転モータを駆動し、かつ、引上モータI5
を引上方向に駆動すると、ワイアケーブル13は矢印T
G力方向駆動されながら上方に引き上げられてゆき、こ
のシード21の上昇に伴って単結晶シリコン22が図示
のように成長してゆく。また、この単結晶成長工程にお
いては、軸4が矢印TGと逆方向に回転され、これによ
り、単結晶シリコン22と溶湯7とが互いに逆方向に回
転するように構成されている。
に、ヘッド回転モータを駆動し、かつ、引上モータI5
を引上方向に駆動すると、ワイアケーブル13は矢印T
G力方向駆動されながら上方に引き上げられてゆき、こ
のシード21の上昇に伴って単結晶シリコン22が図示
のように成長してゆく。また、この単結晶成長工程にお
いては、軸4が矢印TGと逆方向に回転され、これによ
り、単結晶シリコン22と溶湯7とが互いに逆方向に回
転するように構成されている。
さて、引き上げられて行く単結晶シリコン22の成長形
状は、上端部(以下、トップという)および下端部(以
下、ボトムという)においては各々目的とする形状に一
致させるのが望ましく、また、直胴部分においては設定
した直径値に均一にするのが望ましい。そして、成長形
状および直径を決定するのは、引上速度、溶湯温度など
であるから、これらのパラメータを調整しながら単結晶
シリコン22の形状および直径を所望形状となるように
制御を行う必要がある。
状は、上端部(以下、トップという)および下端部(以
下、ボトムという)においては各々目的とする形状に一
致させるのが望ましく、また、直胴部分においては設定
した直径値に均一にするのが望ましい。そして、成長形
状および直径を決定するのは、引上速度、溶湯温度など
であるから、これらのパラメータを調整しながら単結晶
シリコン22の形状および直径を所望形状となるように
制御を行う必要がある。
そ5こて、直径制御を行う場合は、炉体1の上端部分に
設けた窓部1aからテレビカメラ25により溶湯7の上
面を撮影し、さらに、テレビカメラ25の画像データを
解析して単結晶シリコン22と溶湯液面との境界位置を
検出し、この検出結果に基づいて単結晶シリコン22の
直径を求め、求めた直径が所定値に適合するように上記
各パラメータを制御している。
設けた窓部1aからテレビカメラ25により溶湯7の上
面を撮影し、さらに、テレビカメラ25の画像データを
解析して単結晶シリコン22と溶湯液面との境界位置を
検出し、この検出結果に基づいて単結晶シリコン22の
直径を求め、求めた直径が所定値に適合するように上記
各パラメータを制御している。
ところで、溶湯7の表面位置が第4図に示すLlの位置
にある場合と、L2の位置にある場合とでは、テレビカ
メラ25による境界位置検出方向にΔθのずれが生じ、
この結果、単結晶シリコン22の直径検出値にはΔIの
ずれが生じる。したがって、直径制御中に溶湯表面位置
がずれると、単結晶シリコン22の直径が設定値からず
れてしまい極めて問題となる。そこで、結晶成長中は溶
湯表面の位置を常に基準位置に保持するように、軸4を
適宜上昇させて上記不都合を解消するようにしている。
にある場合と、L2の位置にある場合とでは、テレビカ
メラ25による境界位置検出方向にΔθのずれが生じ、
この結果、単結晶シリコン22の直径検出値にはΔIの
ずれが生じる。したがって、直径制御中に溶湯表面位置
がずれると、単結晶シリコン22の直径が設定値からず
れてしまい極めて問題となる。そこで、結晶成長中は溶
湯表面の位置を常に基準位置に保持するように、軸4を
適宜上昇させて上記不都合を解消するようにしている。
すなわち、単結晶シリコン22が成長して行くと、ルツ
ボ2内の溶湯量が減少して溶湯表面が低下しようとする
が、溶湯減少量に対応する分だけ軸4を上昇させて溶湯
表面位置を保つようにしている。この場合、初期設定さ
れた溶湯表面位置を保持するように制御が行なわれるた
め、初期設定位置がずれていると、直胴部の直径は均一
4〜 −にはなるものの、その値が設定値とは異なったものと
なってしまう。
ボ2内の溶湯量が減少して溶湯表面が低下しようとする
が、溶湯減少量に対応する分だけ軸4を上昇させて溶湯
表面位置を保つようにしている。この場合、初期設定さ
れた溶湯表面位置を保持するように制御が行なわれるた
め、初期設定位置がずれていると、直胴部の直径は均一
4〜 −にはなるものの、その値が設定値とは異なったものと
なってしまう。
また、一方において、溶湯表面の初期位置が異なると、
溶湯7とヒータ6との相対的な位置関係にずれが生じ、
この結果、単結晶成長過程における熱条件(溶湯の対流
追等)が変化して、単結晶中における酸素濃度等が異な
ってしまい、製品の品質が不均一となってしまうという
問題が生じた。
溶湯7とヒータ6との相対的な位置関係にずれが生じ、
この結果、単結晶成長過程における熱条件(溶湯の対流
追等)が変化して、単結晶中における酸素濃度等が異な
ってしまい、製品の品質が不均一となってしまうという
問題が生じた。
そこで従来は、溶湯表面位置の初期設定を正確に行うた
めに、レーザ光を用いるレベル計測システム等を用い、
これによって、溶湯表面位置の初期設定を行っていた。
めに、レーザ光を用いるレベル計測システム等を用い、
これによって、溶湯表面位置の初期設定を行っていた。
[発明が解決しようとする問題点」
しかしながら、上述した従来の溶湯表面位置の初期設定
方法においては、レベル計測システム自体が高価となる
とともに、計測用レーザ光の通路となる専用の窓部を炉
体に設けなければならないという欠点があった。
方法においては、レベル計測システム自体が高価となる
とともに、計測用レーザ光の通路となる専用の窓部を炉
体に設けなければならないという欠点があった。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、高価
なレベル計測システムを不要とし、かつ、炉体に初期位
置設定用の窓部等を設ける必要かなく、さらに、位置決
め精度を高くすることができる単結晶引上装置における
溶湯初期位置設定方法を提供ずろことを目的としている
。
なレベル計測システムを不要とし、かつ、炉体に初期位
置設定用の窓部等を設ける必要かなく、さらに、位置決
め精度を高くすることができる単結晶引上装置における
溶湯初期位置設定方法を提供ずろことを目的としている
。
「問題点を解決するための手段」
この発明は」二連した問題点を解決するために、ルツボ
内で溶解している多結晶の溶湯から単結晶を回転させな
がら成長させる単結晶引上装置において、端面に接する
物体の色を反映する耐火性の棒状体を前記ルツボが収納
される炉体の」二部から前記溶湯の表面近傍に延びるよ
うに予め配置し、かつ、前記ルツボを」二部させて前記
溶湯表面を前記棒状体の端面に接触させ、さらに、前記
接触によって前記棒状体の色が変化した時点から前記ル
ツボを予め定めた所定量だけ下降させ、この下降位置に
お(Jる前記溶湯の表面位置を初期位置とすることを特
徴としている。
内で溶解している多結晶の溶湯から単結晶を回転させな
がら成長させる単結晶引上装置において、端面に接する
物体の色を反映する耐火性の棒状体を前記ルツボが収納
される炉体の」二部から前記溶湯の表面近傍に延びるよ
うに予め配置し、かつ、前記ルツボを」二部させて前記
溶湯表面を前記棒状体の端面に接触させ、さらに、前記
接触によって前記棒状体の色が変化した時点から前記ル
ツボを予め定めた所定量だけ下降させ、この下降位置に
お(Jる前記溶湯の表面位置を初期位置とすることを特
徴としている。
「作用」
予め配置された棒状体の端面位置は、所定の固定位置に
あるから、この位置から所定量下降した溶湯表面位置は
常に一定の位置となる。
あるから、この位置から所定量下降した溶湯表面位置は
常に一定の位置となる。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。
る。
第1図は、この発明の一実施例を適用した単結晶引上装
置の構成を示す断面図である。なお、第1図において、
前述した第3図の各部と対応する部分には同一の符号を
付しその説明を省略する。
置の構成を示す断面図である。なお、第1図において、
前述した第3図の各部と対応する部分には同一の符号を
付しその説明を省略する。
第1図において、30は炉体Iの上端部から下方に延び
る支持棒であり、支持棒30の下端部には、取付部材3
1の一端が固定されている。また、取付部材31の他端
には垂直方向に延びる石英棒32の上端部が接合されて
いる。この石英棒32はその下端の径が2mm程度の丸
棒であり、下端面は水平方向に平坦に形成されている。
る支持棒であり、支持棒30の下端部には、取付部材3
1の一端が固定されている。また、取付部材31の他端
には垂直方向に延びる石英棒32の上端部が接合されて
いる。この石英棒32はその下端の径が2mm程度の丸
棒であり、下端面は水平方向に平坦に形成されている。
また、石英棒32が設けられている位置は、テレビカメ
ラ25の撮影範囲から外れており、直径検出に悪影響を
与えないようになっている。そして、図から明らかなよ
うに、この図に示す装置が第3図に示す従来装置と異な
る点は、上述した構成要素30〜32が付加されている
点のみである。
ラ25の撮影範囲から外れており、直径検出に悪影響を
与えないようになっている。そして、図から明らかなよ
うに、この図に示す装置が第3図に示す従来装置と異な
る点は、上述した構成要素30〜32が付加されている
点のみである。
次に、この実施例による溶湯表面の初期位置決め方法に
ついて第2図(イ)〜(ハ)を参照して説明する。なお
、第2図(イ)〜(ハ)に示す40は、軸4の上下位置
を示す指示部であり、軸4に連動して」二下動する指針
40aと、目盛り40bとを有している。
ついて第2図(イ)〜(ハ)を参照して説明する。なお
、第2図(イ)〜(ハ)に示す40は、軸4の上下位置
を示す指示部であり、軸4に連動して」二下動する指針
40aと、目盛り40bとを有している。
まず、初期位置決め開始時には、軸4の位置を下方に設
定しておき、溶湯7の表面が石英棒32の下端面に対し
て充分に下方にくるようにする。
定しておき、溶湯7の表面が石英棒32の下端面に対し
て充分に下方にくるようにする。
次に、軸4を徐々に上昇させ溶湯7の表面を石英棒32
の下端面に近付けて行く。そして、溶湯7の表面が上昇
して行くと、ある時点においては第2図(イ)に示すよ
うに、石英棒7の下端面と溶湯7の表面とが接して密着
状態になる。この場合、溶湯7の色は、黄色味を帯びた
朱色であり、一方、石英棒32の色は、溶湯7と接触す
る以前においては透明もしくは半透明である。そして、
溶湯7の表面が石英棒32の下端面に接すると、石英棒
32が溶湯7の色をその内部において反映し、この結果
、石英棒32の色が透明(あるいは半透明)から朱色に
変化する。すなわち、第2図(イ)に示す状態は、石英
棒32が朱色に変化した瞬間の状態である。
の下端面に近付けて行く。そして、溶湯7の表面が上昇
して行くと、ある時点においては第2図(イ)に示すよ
うに、石英棒7の下端面と溶湯7の表面とが接して密着
状態になる。この場合、溶湯7の色は、黄色味を帯びた
朱色であり、一方、石英棒32の色は、溶湯7と接触す
る以前においては透明もしくは半透明である。そして、
溶湯7の表面が石英棒32の下端面に接すると、石英棒
32が溶湯7の色をその内部において反映し、この結果
、石英棒32の色が透明(あるいは半透明)から朱色に
変化する。すなわち、第2図(イ)に示す状態は、石英
棒32が朱色に変化した瞬間の状態である。
次に、オペレータは窓部1aから石英棒32の色変化を
認識し、この時点で軸4の上昇を停止するとともに、指
示部40の指示値を確認し、この指示値をゼロ位置Po
とする。次いで、オペレータは第2図(ロ)に示すよう
に、軸4を降下させて指示値がゼロ位置POよりΔQs
だけ低くなるようにする。この結果、溶湯7の表面位置
は、石英棒32の下端面より八σSに対応する分だけ低
くなる(表示は実際の移動より拡大したものとなってい
る)。そして、この場合のΔQsは、溶湯表面の初期位
置に対応して予め設定された移動量である。
認識し、この時点で軸4の上昇を停止するとともに、指
示部40の指示値を確認し、この指示値をゼロ位置Po
とする。次いで、オペレータは第2図(ロ)に示すよう
に、軸4を降下させて指示値がゼロ位置POよりΔQs
だけ低くなるようにする。この結果、溶湯7の表面位置
は、石英棒32の下端面より八σSに対応する分だけ低
くなる(表示は実際の移動より拡大したものとなってい
る)。そして、この場合のΔQsは、溶湯表面の初期位
置に対応して予め設定された移動量である。
すなわち、この実施例における溶湯7の表面初期位置は
、石英棒32の下端面から垂直方向にΔ12Sに対応す
る分だけ下がった位置(同図に示す位置Ps)に設定さ
れている。したがって、第2図(ロ)に示す指示部40
の指示位置が、この場合の規準初期位置となる。
、石英棒32の下端面から垂直方向にΔ12Sに対応す
る分だけ下がった位置(同図に示す位置Ps)に設定さ
れている。したがって、第2図(ロ)に示す指示部40
の指示位置が、この場合の規準初期位置となる。
そして、第2図(ロ)に示す状態において、シード21
が溶湯7の表面に接し、この状態から単結晶引上動作が
開始される。この単結晶引上動作が開始されると、引き
上げられて行く単結晶の量に応じて、溶湯7の表面位置
が下がろうとするため、前述し“たように、溶湯減少量
に対応する分だけ軸4を上昇させて溶湯表面位置を保つ
ようにしている。第2図(ハ)は溶湯表面位置の保持動
作状態を示しており、この図に示すように溶湯表面位置
を一定とするように軸4が上昇している。
が溶湯7の表面に接し、この状態から単結晶引上動作が
開始される。この単結晶引上動作が開始されると、引き
上げられて行く単結晶の量に応じて、溶湯7の表面位置
が下がろうとするため、前述し“たように、溶湯減少量
に対応する分だけ軸4を上昇させて溶湯表面位置を保つ
ようにしている。第2図(ハ)は溶湯表面位置の保持動
作状態を示しており、この図に示すように溶湯表面位置
を一定とするように軸4が上昇している。
上述した方法によれば、初期状態における溶湯7の量に
バラツキがある場合でも、溶湯7の表面初期位置は、常
に、石英棒32の下端面よりΔQsに対応する分だけ下
方の位置に正確に設定される。
バラツキがある場合でも、溶湯7の表面初期位置は、常
に、石英棒32の下端面よりΔQsに対応する分だけ下
方の位置に正確に設定される。
そして、実験によれば、この場合の位置設定精度は、レ
ーザ計測システムを用いた場合(±1++u++程度)
の2〜4倍の精度(±0 、5mm以下)であった。
ーザ計測システムを用いた場合(±1++u++程度)
の2〜4倍の精度(±0 、5mm以下)であった。
なお、上述した実施例においては、オペレータの目視に
よって石英棒32の色変化を検出するようにしたが、こ
れに代えて、たとえば、フォトセンサ等を石英棒32の
上端部に取り付け、このフォトセンサの出力信号の変化
から、石英棒32の色変化、すなわち、溶湯7と石英棒
32の接触を検出するように構成してもよい。さらに、
軸4の上下位置を、ポテンショメータ等を用いて電気的
に検出してもよく、また、上記フォトセンサと組み合わ
せて、溶湯7の表面初期位置設定を完全自動化するよう
に構成してもよい。
よって石英棒32の色変化を検出するようにしたが、こ
れに代えて、たとえば、フォトセンサ等を石英棒32の
上端部に取り付け、このフォトセンサの出力信号の変化
から、石英棒32の色変化、すなわち、溶湯7と石英棒
32の接触を検出するように構成してもよい。さらに、
軸4の上下位置を、ポテンショメータ等を用いて電気的
に検出してもよく、また、上記フォトセンサと組み合わ
せて、溶湯7の表面初期位置設定を完全自動化するよう
に構成してもよい。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、ルツボ内で溶
解している多結晶の溶湯から単結晶を回転させながら成
長させる単結晶引上装置において、端面に接する物体の
色を反映する耐火性の棒状体を前記ルツボが収納される
炉体の上部から前記溶湯の表面近傍に延びるように予め
配置し、かつ、前記ルツボを上昇させて前記溶湯表面を
前記棒状体の端面に接触させ、さらに、前記接触によっ
て前記棒状体の色が変化した時点から前記ルツボを予め
定めた所定量だけ下降させ、この下降位置における前記
溶湯の表面位置を初期位置としたので、高価なレベル計
測システムを不要とし、かつ、炉体に初期位置設定用の
窓部等を設ける必要がないという効果が得られ、また、
位置決め精度を高くし得る利点も得られる。
解している多結晶の溶湯から単結晶を回転させながら成
長させる単結晶引上装置において、端面に接する物体の
色を反映する耐火性の棒状体を前記ルツボが収納される
炉体の上部から前記溶湯の表面近傍に延びるように予め
配置し、かつ、前記ルツボを上昇させて前記溶湯表面を
前記棒状体の端面に接触させ、さらに、前記接触によっ
て前記棒状体の色が変化した時点から前記ルツボを予め
定めた所定量だけ下降させ、この下降位置における前記
溶湯の表面位置を初期位置としたので、高価なレベル計
測システムを不要とし、かつ、炉体に初期位置設定用の
窓部等を設ける必要がないという効果が得られ、また、
位置決め精度を高くし得る利点も得られる。
第1図はこの発明の一実施例の機械的構成を示す断面図
、第2図(イ)〜(ハ)は各々同実施例における溶湯表
面初期位置の設定方法を説明するための断面図、第3図
は従来の単結晶引上装置の構成を示す断面図、第4図は
単結晶の直径制御を説明するための溶湯表面の概略図で
ある。 30・・・・・・支持棒、31・・・・・・取付部材、
32・・・・・・石英棒(棒状体)。
、第2図(イ)〜(ハ)は各々同実施例における溶湯表
面初期位置の設定方法を説明するための断面図、第3図
は従来の単結晶引上装置の構成を示す断面図、第4図は
単結晶の直径制御を説明するための溶湯表面の概略図で
ある。 30・・・・・・支持棒、31・・・・・・取付部材、
32・・・・・・石英棒(棒状体)。
Claims (1)
- ルツボ内で溶解している多結晶の溶湯から単結晶を回転
させながら成長させる単結晶引上装置において、端面に
接する物体の色を反映する耐火性の棒状体を前記ルツボ
が収納される炉体の上部から前記溶湯の表面近傍に延び
るように予め配置し、かつ、前記ルツボを上昇させて前
記溶湯表面を前記棒状体の端面に接触させ、さらに、前
記接触によって前記棒状体の色が変化した時点から前記
ルツボを予め定めた所定量だけ下降させ、この下降位置
における前記溶湯の表面位置を初期位置とすることを特
徴とする単結晶引上装置における溶湯初期位置設定方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22577285A JPS6287481A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 単結晶引上装置における溶湯初期位置設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22577285A JPS6287481A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 単結晶引上装置における溶湯初期位置設定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6287481A true JPS6287481A (ja) | 1987-04-21 |
JPH0331673B2 JPH0331673B2 (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=16834551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22577285A Granted JPS6287481A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 単結晶引上装置における溶湯初期位置設定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6287481A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63199169U (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-21 | ||
US5437242A (en) * | 1992-09-17 | 1995-08-01 | Wacker-Chemitronic Gessellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process and apparatus for controlling the melt level while pulling single crystals |
JPH07330484A (ja) * | 1994-06-03 | 1995-12-19 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の引上げ装置および製造方法 |
JP2011057464A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置 |
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