JPS6281771A - シリコン・ダイアフラムの製造方法 - Google Patents
シリコン・ダイアフラムの製造方法Info
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- JPS6281771A JPS6281771A JP22215185A JP22215185A JPS6281771A JP S6281771 A JPS6281771 A JP S6281771A JP 22215185 A JP22215185 A JP 22215185A JP 22215185 A JP22215185 A JP 22215185A JP S6281771 A JPS6281771 A JP S6281771A
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- boron
- film
- silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体圧力センサ等に応用できるシリコン・
ダイアフラムに関する。
ダイアフラムに関する。
シリコンは、物性的に半導体高集積回路の原材料として
利用される一方、その機械的強度からダイアフラムとし
て利用きれている。この代表例がシリコン・ダイアフラ
ム型圧力センサである。
利用される一方、その機械的強度からダイアフラムとし
て利用きれている。この代表例がシリコン・ダイアフラ
ム型圧力センサである。
圧力センサの需要は、近年(、)医療用、(b)自動車
用、(C)工業計測用などの分野で急速に高まっている
。これらに対応できる唯一のものとしてシリコン・ダイ
アプラム型の圧力センサが注目されている。その理由は
■大量生産可能、■低価格、■高精度、■高信頼性、■
小型軽量、■多機能化可能等の多くの利点と可能性によ
る。
用、(C)工業計測用などの分野で急速に高まっている
。これらに対応できる唯一のものとしてシリコン・ダイ
アプラム型の圧力センサが注目されている。その理由は
■大量生産可能、■低価格、■高精度、■高信頼性、■
小型軽量、■多機能化可能等の多くの利点と可能性によ
る。
しかし実際には、その製造上の最重要技術であるシリコ
ン・ダイアフラム製造技術が確立されたものとはなって
おらず、■大量生産、■低価格は実現されているとは言
い難い。
ン・ダイアフラム製造技術が確立されたものとはなって
おらず、■大量生産、■低価格は実現されているとは言
い難い。
即ち、ダイアフラムの(1)均一性、(11)厚さ精度
、(1ii)半導体としての特性等を正確に制御するこ
とは非常に困難であるため、安定した生産が行なえない
。
、(1ii)半導体としての特性等を正確に制御するこ
とは非常に困難であるため、安定した生産が行なえない
。
これら3項目中(1)均一性と(ト)厚さ精度の2つを
制御できるシリコン・ダイアフラム製造方法として、従
来提案されているものを第2図に示す。その製造工程を
以下簡単に説明する。
制御できるシリコン・ダイアフラム製造方法として、従
来提案されているものを第2図に示す。その製造工程を
以下簡単に説明する。
(a)保護膜(2)形成・・・保護膜は5iO2(熱酸
化膜、CVD膜(PSG、N5G) スパック膜池)
SiN(CVD 膜プラグ?CVDfl!J、スパッ
タ膜他)等種々の材質のものが考えられるが熱酸化5i
n2膜が最も一般的である。以下熱酸化5102膜を例
に説明する。
化膜、CVD膜(PSG、N5G) スパック膜池)
SiN(CVD 膜プラグ?CVDfl!J、スパッ
タ膜他)等種々の材質のものが考えられるが熱酸化5i
n2膜が最も一般的である。以下熱酸化5102膜を例
に説明する。
(b)保護膜パクーニング・・・表面は少なくともダイ
アフラムが形成される領域を完全に含む部分(従って全
面ということもある)の保護膜を除去し、裏面はボロン
が拡散されないように全面の保護膜を残す。従ってフォ
ト処理は両面処理になる。また裏面はボロン高濃度層を
アルカリ系エツチング液によるエツチングのマスクとし
て用いるためにエツチングしない部分の保護膜だけを除
去する方法もあるがここでは省略する。
アフラムが形成される領域を完全に含む部分(従って全
面ということもある)の保護膜を除去し、裏面はボロン
が拡散されないように全面の保護膜を残す。従ってフォ
ト処理は両面処理になる。また裏面はボロン高濃度層を
アルカリ系エツチング液によるエツチングのマスクとし
て用いるためにエツチングしない部分の保護膜だけを除
去する方法もあるがここでは省略する。
(C)ボロン高濃度層形成・・・ボロンガラス等をシリ
コン基板(1)上に堆積させ、1200°C程度の高温
処理を行ないボロン濃度が7 X 1019ions
7cm” 以上となる層(3)が2μm以上形成され
るようにボロンをシリコン基板中に拡散させる。
コン基板(1)上に堆積させ、1200°C程度の高温
処理を行ないボロン濃度が7 X 1019ions
7cm” 以上となる層(3)が2μm以上形成され
るようにボロンをシリコン基板中に拡散させる。
(d)表面の保護膜除去・・・裏面の保護膜は残し、表
明の保護膜を完全に除去する。このとき裏面の保護膜(
熱酸化Si0g膜)を残すのは、表面に比べ凹凸が多く
存在する裏面の保護膜として熱酸化Si0g膜が最適で
あることと、熱処理工程をあまり後工程に残したくない
ことにより先を;形成した膜を利用する。
明の保護膜を完全に除去する。このとき裏面の保護膜(
熱酸化Si0g膜)を残すのは、表面に比べ凹凸が多く
存在する裏面の保護膜として熱酸化Si0g膜が最適で
あることと、熱処理工程をあまり後工程に残したくない
ことにより先を;形成した膜を利用する。
(e)エピタキシャル成長・・・ボロン高濃度層(3)
を形成したシリコン基板(1)上に、リンをI X 1
015ions/cm”程度含むn型のシリコン単結晶
膜(4)をエピタキシャル成長させる。このエビ成長層
(4)とボロン高濃度層(3)の厚さの合計が形成する
ダイアフラムの厚さとなる。
を形成したシリコン基板(1)上に、リンをI X 1
015ions/cm”程度含むn型のシリコン単結晶
膜(4)をエピタキシャル成長させる。このエビ成長層
(4)とボロン高濃度層(3)の厚さの合計が形成する
ダイアフラムの厚さとなる。
(f)表面の保護膜形成・・・アルカリ系エツチング液
に耐え得る保護膜をできるだけ低い温度で形成する。例
えば=1・50°C程度で形成できるCVD膜が800
°C程度で形成する極く薄い熱酸化S iog膜が考え
られる。
に耐え得る保護膜をできるだけ低い温度で形成する。例
えば=1・50°C程度で形成できるCVD膜が800
°C程度で形成する極く薄い熱酸化S iog膜が考え
られる。
(g)裏面保護膜バクーニング・・・ダイアフラムを形
成するためにエツチングする部分の保護膜を除去する。
成するためにエツチングする部分の保護膜を除去する。
このときバタンの形状はダイアフラム厚さと、シリコン
基板(7)の厚さにより一意的に決まる。
基板(7)の厚さにより一意的に決まる。
即ちアルカリ系のエツチング液を用いると(111)面
のエツチング速度が(100)面や(110)面に比べ
て極端に遅いため、表面が(100)或いは、(110
)の基板を用いると幾何学的に形状が決定される。
のエツチング速度が(100)面や(110)面に比べ
て極端に遅いため、表面が(100)或いは、(110
)の基板を用いると幾何学的に形状が決定される。
(h)エツチング・・・アルカリ系のエツチング液でエ
ツチングを行なう。このときボロン高濃度層(3)のエ
ツチング速度は極めて遅いため、エツチングはほぼ自動
的に停止する。ボロン高濃度層(3)がエツチング停止
層と呼ばれる由縁である。
ツチングを行なう。このときボロン高濃度層(3)のエ
ツチング速度は極めて遅いため、エツチングはほぼ自動
的に停止する。ボロン高濃度層(3)がエツチング停止
層と呼ばれる由縁である。
このプロセスでシリコン・ダイアプラムを製造するとダ
イアフラムの(1)均−性及び(11)厚さ精度はボロ
ン高濃度層(3)とエピタキシャル成長層(4)の均一
性と厚さ精度により一意的に決定することができ、一般
的に用いられるエツチング速度とエツチング時間により
、これらを制御する方法に比べ圧倒的に高い精度で製造
できる。
イアフラムの(1)均−性及び(11)厚さ精度はボロ
ン高濃度層(3)とエピタキシャル成長層(4)の均一
性と厚さ精度により一意的に決定することができ、一般
的に用いられるエツチング速度とエツチング時間により
、これらを制御する方法に比べ圧倒的に高い精度で製造
できる。
上述の従来の方法では、工程(c)のボロン高濃度層形
成時に裏面の保護膜上にも非常に高濃度のボロンを付着
させているため工程(e)のエピタキシャル成長時に悪
影響を及ぼす危険性がある。
成時に裏面の保護膜上にも非常に高濃度のボロンを付着
させているため工程(e)のエピタキシャル成長時に悪
影響を及ぼす危険性がある。
即ちこのエビ成長層(4)はリン濃度I X 1015
ions/cm3程度のn型が望まれるが、エビ成長時
にシリコン基板裏面のボロンが雰囲気中に飛び出し、エ
ビ成長層に混入するオートドーピングと称する現tが生
じるため、著しい場合には、ボロン濃度がリン濃度を上
回ることがあり、n型ではなくv型となることもある。
ions/cm3程度のn型が望まれるが、エビ成長時
にシリコン基板裏面のボロンが雰囲気中に飛び出し、エ
ビ成長層に混入するオートドーピングと称する現tが生
じるため、著しい場合には、ボロン濃度がリン濃度を上
回ることがあり、n型ではなくv型となることもある。
このように、シリコン−ダイアフラムを機械的にのみ利
用する場合には、この製造方法で充分であるが、例えば
圧力センサのように、その半導体としての特性も利用す
る場合には、この方法では問題が残る。
用する場合には、この製造方法で充分であるが、例えば
圧力センサのように、その半導体としての特性も利用す
る場合には、この方法では問題が残る。
この問題を解決する一つの方法として、ボロン高濃度層
をイオン注入法で形成する方法がある。
をイオン注入法で形成する方法がある。
原理的に裏面をζはボロンが全く存在しないからである
。しかし、この方法では少なくともlXl0”1ons
/ cm” のボロンイオンの打込みが必要である
ため、■注入装置の負担が過大、■費用が非常に高いと
いう2つの実用上致命的な欠点がある。
。しかし、この方法では少なくともlXl0”1ons
/ cm” のボロンイオンの打込みが必要である
ため、■注入装置の負担が過大、■費用が非常に高いと
いう2つの実用上致命的な欠点がある。
このため、半導体として所望の特性を持ち形状的にも均
一性に優れたシリコンΦダイアプラムを高精度か2安価
にしかも大量に製造することができる方法が求められて
いる。
一性に優れたシリコンΦダイアプラムを高精度か2安価
にしかも大量に製造することができる方法が求められて
いる。
本発明の最大の要点は、ダイアフラムの厚さ及び均一性
を制御するためにボロン高濃度層を形成する際に、必要
とする部分以外に付着するボロンをダイアフラムの主要
構成部となるn型シリコン単結晶膜をエビクキシャル成
長する際には完全に除去しておき、オート・ドーピング
によるボロンのn型シリコン単結晶膜への混入を防ぐこ
とにより、この膜即ちシリコン・ダイアフラムの半導体
としての特性を所望のものとなし得ることにある。
を制御するためにボロン高濃度層を形成する際に、必要
とする部分以外に付着するボロンをダイアフラムの主要
構成部となるn型シリコン単結晶膜をエビクキシャル成
長する際には完全に除去しておき、オート・ドーピング
によるボロンのn型シリコン単結晶膜への混入を防ぐこ
とにより、この膜即ちシリコン・ダイアフラムの半導体
としての特性を所望のものとなし得ることにある。
以下本発明を図に従って詳細に説明する。第1図に本発
明の製造方法によるシリコン・ダイアフラムの製造工程
を示す。先に述べた第2図に示す従来技術による製造方
法と比較すると、第2図においては(c)のボロン高濃
度層形成工程において、シリコン基板(1)の裏面のボ
ロン高濃度層が形成されないための保護膜(2)の上に
多量のボロンが付着し、それが次工程以降、(e)のエ
ピタキシャル成長工程を含め最終工程まで除去されない
のに対し、本発明による第1図では、(c)のボロン高
濃度層形成工程で裏面の保護膜(2)上に付着したボロ
ンを次工程の(d)保護膜除去工程で保護膜と共に除去
し、除去した保護膜は、(f)の保護膜形成工程で再び
形成する。
明の製造方法によるシリコン・ダイアフラムの製造工程
を示す。先に述べた第2図に示す従来技術による製造方
法と比較すると、第2図においては(c)のボロン高濃
度層形成工程において、シリコン基板(1)の裏面のボ
ロン高濃度層が形成されないための保護膜(2)の上に
多量のボロンが付着し、それが次工程以降、(e)のエ
ピタキシャル成長工程を含め最終工程まで除去されない
のに対し、本発明による第1図では、(c)のボロン高
濃度層形成工程で裏面の保護膜(2)上に付着したボロ
ンを次工程の(d)保護膜除去工程で保護膜と共に除去
し、除去した保護膜は、(f)の保護膜形成工程で再び
形成する。
このように本発明では、(e)のn型シリコン単結晶膜
エピタキシャル成長工程時に、不必要なボロンが完全に
除去されているため、オート・ドーピングが押えられ、
n型不純物(ex !Jン)の濃度だけに注目すれば、
半導体としての特性を制御できる。特に従来エビ成長時
のオート拳ドーピングの主要因は、基板裏面のボロンで
あった。これは表面のみを研磨しである基板では、裏面
の凹凸が、両面研磨の基板でもそれまでの処理で避は得
なかったキズが、多量のボロンを付着させるためであっ
た。
エピタキシャル成長工程時に、不必要なボロンが完全に
除去されているため、オート・ドーピングが押えられ、
n型不純物(ex !Jン)の濃度だけに注目すれば、
半導体としての特性を制御できる。特に従来エビ成長時
のオート拳ドーピングの主要因は、基板裏面のボロンで
あった。これは表面のみを研磨しである基板では、裏面
の凹凸が、両面研磨の基板でもそれまでの処理で避は得
なかったキズが、多量のボロンを付着させるためであっ
た。
以上により、従来技術により克服されていたダイアフラ
ムの(1)均一性、(ii)厚さ精度に加え、残る課題
であった。(iii)半導体としての特性も充分に所望
のものが得られるようになった。
ムの(1)均一性、(ii)厚さ精度に加え、残る課題
であった。(iii)半導体としての特性も充分に所望
のものが得られるようになった。
次に第1図に示す本発明による製造工程を簡単に説明す
る。
る。
(a)保護膜(2)形成・・・従来技術によるものと同
様に種々のものが考えられるが、一般には熱酸化により
S i02膜を1.0〜1.5μm形成する。
様に種々のものが考えられるが、一般には熱酸化により
S i02膜を1.0〜1.5μm形成する。
(b)保護膜(2)パターニング・・−表裏両面のフォ
ト処理と保護膜エツチングレジスト除去により次のよう
にバター辱ングする。
ト処理と保護膜エツチングレジスト除去により次のよう
にバター辱ングする。
〔表面〕:少なくともダイアプラムを形成する領域を含
む部分の保護膜を除去する。
む部分の保護膜を除去する。
〔裏面〕:少なくともダイアフラムを形成するためにア
ルカリ系の液でエツチングする領域を含む部分(従って
全面ということもある)の保護膜は除去せずに残す。
ルカリ系の液でエツチングする領域を含む部分(従って
全面ということもある)の保護膜は除去せずに残す。
(c)ボロン高濃度層(3)形成・従来技術によるもの
と同様にボロン濃度が7 X 10” 1ons 7c
m3 以上となる層(3)を2μm以上形成する。
と同様にボロン濃度が7 X 10” 1ons 7c
m3 以上となる層(3)を2μm以上形成する。
(d)保護膜除去・・表面両面の保護膜を除去する。
このとき裏面等に付着しているボロンも完全に除去され
る。
る。
(e)エピタキシャル成長・・n型不純物(一般的には
リン)を1 x 1015ions /cm3程度含む
n型シリコン単結晶膜(4)をボロン高濃度層(3)が
形成されているシリコン基板上に、所望のダイアフラム
厚さからボロン高濃度層(3)の厚さを引いた厚さだけ
エピタキシャル成長させる。このときボロン高濃度層(
3)は、エビ成長時の高温(1150−1200°C)
の影響により、そのボロン分布形状が変化すると共にエ
ビ成長膜中にもボロンが拡散する。このことは後工程の
熱の影響を含めて、ボロン高濃度層(3)のエツチング
停止層としての効果を見積る上で非常に重要である。
リン)を1 x 1015ions /cm3程度含む
n型シリコン単結晶膜(4)をボロン高濃度層(3)が
形成されているシリコン基板上に、所望のダイアフラム
厚さからボロン高濃度層(3)の厚さを引いた厚さだけ
エピタキシャル成長させる。このときボロン高濃度層(
3)は、エビ成長時の高温(1150−1200°C)
の影響により、そのボロン分布形状が変化すると共にエ
ビ成長膜中にもボロンが拡散する。このことは後工程の
熱の影響を含めて、ボロン高濃度層(3)のエツチング
停止層としての効果を見積る上で非常に重要である。
(f)保護膜形成・・・アルカリ系エツチング液に耐に
得る保護膜をできるだけ低い温度で表裏両面に形成する
。材質としてはSiN 膜がよりくが、一般には5i
O2j漢が用いられる。形成法としても450°C程度
で形成できるDVD 法も有力であるが、■耐薬品性、
■両面同時に形成可能という2点から、SOO°C程度
の比較的低い温度での熱酸化法が最有力である。このと
きの熱酸化膜厚は5000A程度がよい。
得る保護膜をできるだけ低い温度で表裏両面に形成する
。材質としてはSiN 膜がよりくが、一般には5i
O2j漢が用いられる。形成法としても450°C程度
で形成できるDVD 法も有力であるが、■耐薬品性、
■両面同時に形成可能という2点から、SOO°C程度
の比較的低い温度での熱酸化法が最有力である。このと
きの熱酸化膜厚は5000A程度がよい。
(g)裏面保護膜バターニング・・・ダイアフラムを形
成するために、エツチングする部分の保護膜を除去する
。
成するために、エツチングする部分の保護膜を除去する
。
(h)エツチング・・・アルカリ系の液を用いてエツチ
ングを行なう。このとき用いる液のうちボロン高濃度層
(3)との選択比等から最適と考えられるのは次の組成
比の混合液である。
ングを行なう。このとき用いる液のうちボロン高濃度層
(3)との選択比等から最適と考えられるのは次の組成
比の混合液である。
またその沸点(約118°C)におけるエツチング速度
はシリコン単結晶基板(100)面115μmZhou
r s熱酸化5in2膜20 OA/hour等であ
る。
はシリコン単結晶基板(100)面115μmZhou
r s熱酸化5in2膜20 OA/hour等であ
る。
従って本来の厚さが400μmの基板を用いた場合には
3.5時間のエツチングにより、均一なダイアフラム(
5)が形成される。
3.5時間のエツチングにより、均一なダイアフラム(
5)が形成される。
次に、第3図に本発明の一実施例たるシリコン・ダイア
フラムを有する半導体圧力センサの構造図を示す。(a
)はセンサチップの表面構成図である。
フラムを有する半導体圧力センサの構造図を示す。(a
)はセンサチップの表面構成図である。
この圧力センサは医学応用のカテーテル先端型のチップ
であるため、1.2X3.0(mm) と細長い形状
をしており、ダイアプラム(5)上に、ボロンを不純物
とする・11個のピエゾ拡散抵抗(6)が形成され、こ
れをホイーストンブリソジを形成するように、低抵抗の
拡散リード部(7)により接続し、リード線はAe端子
(4)から取出す。
であるため、1.2X3.0(mm) と細長い形状
をしており、ダイアプラム(5)上に、ボロンを不純物
とする・11個のピエゾ拡散抵抗(6)が形成され、こ
れをホイーストンブリソジを形成するように、低抵抗の
拡散リード部(7)により接続し、リード線はAe端子
(4)から取出す。
(b)はセンサーチップの技手方向のダイアフラム部を
含む断面図、(C)は、これど直交する方向のダイアフ
ラム部を含む断面図である。このセンサの感度のバラツ
キを決定する最大因子はダイアフラムの形状である。例
えば均一なダイアフラムであるとして、その感度は厚で
の2乗に反比例する。
含む断面図、(C)は、これど直交する方向のダイアフ
ラム部を含む断面図である。このセンサの感度のバラツ
キを決定する最大因子はダイアフラムの形状である。例
えば均一なダイアフラムであるとして、その感度は厚で
の2乗に反比例する。
本発明による方法で、寸法0.5 X O,5(mm)
のダイアフラムを有する圧力センサを試作したところ、
ダイアフラム厚きは、目標値25μm に対し直径3イ
ンチの基板内平均は、基板間においては、はぼ±1μm
以内の誤差に押えることができ、基板内においては±0
.3μm 以内であった。また均一性に関しては、測定
器精度内では完全に均一であり、電子顕微鏡観察におい
てもそのことは確認された。
のダイアフラムを有する圧力センサを試作したところ、
ダイアフラム厚きは、目標値25μm に対し直径3イ
ンチの基板内平均は、基板間においては、はぼ±1μm
以内の誤差に押えることができ、基板内においては±0
.3μm 以内であった。また均一性に関しては、測定
器精度内では完全に均一であり、電子顕微鏡観察におい
てもそのことは確認された。
従って圧力センサとしての特性のバラツキも非常に小さ
い。
い。
本発明による最大の効果は、シリコン・ダイアフラムを
形状的には、均一かつ高精度に製造できる上に、半導体
としての特性も容易に所望のものを得ることができるこ
とにある。しかもそれを実現する工程が比較的簡単なも
のであるため低コストであり、エピタキシャル成長時の
高温処理時に基板裏面に酸化膜がないので基板の反り等
も生じ難く、歩留りがよいため大量生産可能で、最終的
に従来技術によって製造されたものと比較して、非常に
廉価なものとできる。
形状的には、均一かつ高精度に製造できる上に、半導体
としての特性も容易に所望のものを得ることができるこ
とにある。しかもそれを実現する工程が比較的簡単なも
のであるため低コストであり、エピタキシャル成長時の
高温処理時に基板裏面に酸化膜がないので基板の反り等
も生じ難く、歩留りがよいため大量生産可能で、最終的
に従来技術によって製造されたものと比較して、非常に
廉価なものとできる。
即ち以上から明らかなように本発明を用いて製造シたシ
リコン・ダイアフラム及びその応用製品(代表例シリコ
ン・ダイアフラム型圧力センサ)は形状及び特性が非常
に均一で安定に量産できるので、飛躍的な低価格化が実
現され、これらの利用範囲が著しく拡大されることが期
待できる。
リコン・ダイアフラム及びその応用製品(代表例シリコ
ン・ダイアフラム型圧力センサ)は形状及び特性が非常
に均一で安定に量産できるので、飛躍的な低価格化が実
現され、これらの利用範囲が著しく拡大されることが期
待できる。
第1図(a) 、 (b) 、 (c) 、 (d)
、 (e) 、 (f) 、 (g)及び(h)は、本
発明によるシリコン・ダイアフラムの製造方法を示す図
である。 第2図(a) 、 (b) 、 (C) 、 (d)
、 (e) 、 (f) 、 (g)及び(h)は、従
来技術によるシリコン・ダイアフラムの製造方法を示す
図である。 第3図(a) 、 (b)及び(C)は、本発明の一実
施例たるシリコン・ダイアフラムを有する半導体圧力セ
ンサの構造を示す図で、(a)はセンサチップの表面溝
成因、(b)はセンサチップの長手方向のダイアフラム
部と含む断面図、同じ<(c)は、これと直交する方向
のダイアフラム部を含む断面図である。 1、 n型シリコン単結晶基板 2、保護膜(ex 5in2SiN) 3、 p型層(不純物ポロン7 X 10 ” 1o
ns/an”以上)4、 n型シリコン単結晶エビク
キシャル成長層5、 シリコン・ダイアフラム 6、 ピエゾ抵抗 7、拡散リード部 8、 A召端子 代理人 弁理士 上 代 哲 司( や (’J 10 寸 D
第2図 (b) =1■■■−1−F= (C) ((])
、 (e) 、 (f) 、 (g)及び(h)は、本
発明によるシリコン・ダイアフラムの製造方法を示す図
である。 第2図(a) 、 (b) 、 (C) 、 (d)
、 (e) 、 (f) 、 (g)及び(h)は、従
来技術によるシリコン・ダイアフラムの製造方法を示す
図である。 第3図(a) 、 (b)及び(C)は、本発明の一実
施例たるシリコン・ダイアフラムを有する半導体圧力セ
ンサの構造を示す図で、(a)はセンサチップの表面溝
成因、(b)はセンサチップの長手方向のダイアフラム
部と含む断面図、同じ<(c)は、これと直交する方向
のダイアフラム部を含む断面図である。 1、 n型シリコン単結晶基板 2、保護膜(ex 5in2SiN) 3、 p型層(不純物ポロン7 X 10 ” 1o
ns/an”以上)4、 n型シリコン単結晶エビク
キシャル成長層5、 シリコン・ダイアフラム 6、 ピエゾ抵抗 7、拡散リード部 8、 A召端子 代理人 弁理士 上 代 哲 司( や (’J 10 寸 D
第2図 (b) =1■■■−1−F= (C) ((])
Claims (2)
- (1)n型シリコン単結晶基板上に、ボロンを不純物と
して7×10^1^9ions/cm^3以上含むp型
層を形成する工程と、該p型層上にn型シリコン単結晶
膜をエピタキシャル成長させる工程と、前記シリコン基
板を裏面からアルカリ系のエッチング液を用いて該p型
層までの部分をエッチングにより除去する工程を主要工
程とするシリコン・ダイアフラム製造方法において前記
p型層を形成する工程が拡散法によるものであり、前記
p型層を形成する工程の前にシリコン基板の裏面にボロ
ンの拡散を防止するための保護膜を形成する工程と、前
記p型層を形成する工程と前記エピタキシャル成長工程
の間に該保護膜を除去する工程と、前記エッチング工程
の前に耐アルカリ系エッチング液性に優れた薄膜をシリ
コン基板の表裏両面に形成する工程とを具備することを
特徴とするシリコン・ダイアフラムの製造方法。 - (2)上記アルカリ系エッチング液がエチレンジアミン
、ピロカテコール及び水の混合液か、或は前記混合液に
ピラジンを混入した液であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のシリコン・ダイアフラムの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22215185A JPS6281771A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | シリコン・ダイアフラムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22215185A JPS6281771A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | シリコン・ダイアフラムの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6281771A true JPS6281771A (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=16777978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22215185A Pending JPS6281771A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | シリコン・ダイアフラムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6281771A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9291100B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-03-22 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Rotary machine and mounting method of atmosphere relief mechanism for rotary machine |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22215185A patent/JPS6281771A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9291100B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-03-22 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Rotary machine and mounting method of atmosphere relief mechanism for rotary machine |
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